CN112635490B - 一种低温存储器件的制备和调控方法 - Google Patents
一种低温存储器件的制备和调控方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112635490B CN112635490B CN202011517515.0A CN202011517515A CN112635490B CN 112635490 B CN112635490 B CN 112635490B CN 202011517515 A CN202011517515 A CN 202011517515A CN 112635490 B CN112635490 B CN 112635490B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- low
- mno
- batio
- ball milling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 229910002182 La0.7Sr0.3MnO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 120
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 90
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 53
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 40
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 40
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 20
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 20
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 10
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims description 10
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009661 fatigue test Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002075 lanthanum strontium manganite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/516—Insulating materials associated therewith with at least one ferroelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6684—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a ferroelectric gate insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/78391—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate the gate comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷，拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能。
Description
技术领域
本发明涉及电子科学技术领域，具体为一种低温存储器件的制备和调控方法。
背景技术
基于未来的社会挑战和信息技术领域的相关要求，如与实现万物互联的物联网相关的“大数据”计算、存储和处理的不断革新，最终将会推动系统存储和访问数据的方式必须发生根本性的改变。其中，非破坏性读取、高密度、高速度和低损耗等关键因素是当今信息存储的新要求。阻变随机存储器(ReRAM)被认为是可以替代闪存的主要器件。在近几年里ReRAM技术取得了突破性的进展，但随着极地探索等领域研究不断深入，常温状态下的电子器件很难适应低温、低压等极端环境的使用。
根据量子机制，在铁电隧道结中隧穿透过率与隧穿层与金属电极之间的势垒宽度和势垒高度的密切相关。若能够很好地调制隧道结中的势垒的几何形态，就可以增强铁电隧道结的隧穿电阻效应(TER)。然而，在传统的金属/铁电/金属组成的铁电隧道结中，因为受到金属电极屏蔽长度太短的限制，导致其无法获得较高的TER。近期，通过发现一种新的隧穿异质结构，即正常的铁电隧道结中通过重掺杂半导体电极来替换金属电极。在这种金属/铁电/半导体(Pt/BaTiO3/Nb:SrTiO3)铁电隧道结中，由于铁电场效应，不仅可以电场调制势垒的高度，而且还可以电场调制势垒的宽度。然而这种金属/铁电/半导体型隧道结器件仅局限于室温下实现信息存储调制，在低温下很难实现隧穿效应，导致电流开关比(ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)比降低。
因此，如何制备在低温下高开关效应的铁电存储器件并进行有效调控是当下亟待解决的关键技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低温存储器件的制备和调控方法，以解决上述背景技术中提出问题。
为实现上述目的，本发明提供如下方案予以实现：本发明提供了一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
优选的，所述铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，所述n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，所述Au的导电性质优异。
优选的，步骤S1中，所述球磨转速为215rpm，球磨时间为48h；步骤S2中，所述烧结温度为1000-1200℃，升温速率1-5℃/min，保温时间为12-72h。
优选的，步骤S3中，所述激光功率为120-260mJ，氧分压为2×10-3-1.2×10-2mbar，衬底加热温度在700-850℃，保温时间0.5-2h；步骤S4中，氧分压1×102-3×102mbar，退火温度为750-950℃，保温24h进行退火。
优选的，步骤S5中，所述La0.7Sr0.3MnO3电极层的直径为20μm，厚度为15u.c；BaTiO3电极层的厚度为6u.c，面积1.5cm×1.5cm；Au电极层的厚度为50μm、20nm。
本发明提供了一种低温存储器件的调控方法，具体包括以下步骤：
(1)将上述低温存储器件置于强磁场低温测试输运系统，将测试温度从室温逐渐降至一定温度进行输运测试；
(2)固定步骤(1)中某一特定温度，外加一定电压，通过一定电压读取器件存储信息实现低温存储器件的开关态电场及温场调控；
(3)重复S1及S2步骤数次，保持一定时间进行疲劳测试判断器件调控稳定性。
优选的，步骤(1)中，一定温度为10K；步骤(2)中，固定温度为300-10K，外加电压在2-5V，读取电压0.1-1V。
本发明的有益效果是：
本发明中的低温存储器件(La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器)结构是多元复合结构，铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型结构新颖，在结构中，保留原有铁电层/半导体电极结构，利用半导体型Nb:SrTiO3底电极，在空间电荷区提供了一个额外的肖特基式的屏障，从而增强了TER；同时，使用La0.7Sr0.3MnO3代替Pt、Au等贵金属作为上电极，充分利用La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3界面效应，例如轨道重组、阳离子扩散、量子效应等进行隧穿性质优化，此外这些界面效应与外加电场的方向、大小以及环境温度的变化密切相关，由此拓展了传统铁电隧道结器件特性，同时弥补传统金属/铁电层/半导体型铁电隧道结器件低温隧穿性质的不足；
本发明通过代替传统贵金属电极设计的La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3，铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，充分利用了铁电金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3电极的两个关键的要素，首先是La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3界面磁交换作用随着铁电极化方向的变化，达到调节界面电阻的变化进而影响隧穿电流，其次就是充分利用La0.7Sr0.3MnO3薄膜的输运性质，尤其是在低温下的电子-电子相互作用与La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3界面磁交换作用的竞争机制实现了低温可调信息存储性质，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷，拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能；
本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能；本发明实用性好，适合大规模生产，适用于变温环境下进行信息存储及数据调控，有助于高性能、高功率、低损耗的存储器件的设计和发展。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中低温存储器件示意图及STEM图；
图2为本发明实施例1中低温存储器件隧穿电流随温度变化图及器件I-V特性曲线图。
NSTO为Nb:SrTiO3电极层；BTO为BaTiO3电极层；LSMO为La0.7Sr0.3MnO3电极层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为150rpm，球磨时间为12h；步骤S2中，烧结温度为1000℃，升温速率2℃/min，保温时间为12h；步骤S3中，激光功率为120mJ，氧分压为2×10-3mbar，衬底加热温度在700℃，衬底升温速率1℃/min，保温时间0.5h；步骤S4中，氧分压1.7×102mbar，以2℃/min的加热速率升至退火温度为750℃，保温12h进行退火；步骤S5中，La0.7Sr0.3MnO3电极层的直径为20μm，厚度为15u.c；BaTiO3电极层的厚度为6u.c，面积1.5cm×1.5cm；Au电极层的厚度为50μm、20nm。
本发明提供了一种低温存储器件的调控方法，具体包括以下步骤：
(1)将上述低温存储器件置于强磁场低温测试输运系统，将测试温度从室温逐渐降至一定温度进行输运测试；
(2)固定步骤(1)中某一特定温度，外加一定电压，通过一定电压读取器件存储信息实现低温存储器件的开关态电场及温场调控；
(3)重复S1及S2步骤数次，保持一定时间进行疲劳测试判断器件调控稳定性。
步骤(1)中，一定温度为10K；步骤(2)中，固定温度为300-10K，外加电压在4V，读取电压0.1V。
实施例2
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为180rpm，球磨时间为20h；步骤S2中，烧结温度为1100℃，升温速率2℃/min，保温时间为18h；步骤S3中，激光功率为140mJ，氧分压为3.5×10-3mbar，衬底加热温度在750℃，衬底升温速率2℃/min，保温时间1h；步骤S4中，氧分压1×102mbar，以3℃/min的加热速率升至退火温度为800℃，保温24h进行退火。
实施例3
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为200rpm，球磨时间为24h；步骤S2中，烧结温度为1200℃，升温速率3℃/min，保温时间为24h；步骤S3中，激光功率为180mJ，氧分压为6.5×10-3mbar，衬底加热温度在800℃，衬底升温速率3℃/min，保温时间1h；步骤S4中，氧分压1.5×102mbar，以3℃/min的加热速率升至退火温度为850℃，保温36h进行退火。
实施例4
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为215rpm，球磨时间为48h；步骤S2中，烧结温度为1150℃，升温速率3℃/min，保温时间为36h；步骤S3中，激光功率为210mJ，氧分压为8.5×10-3mbar，衬底加热温度在820℃，衬底升温速率2℃/min，保温时间1.5h；步骤S4中，氧分压1.5×102mbar，以3℃/min的加热速率升至退火温度为820℃，保温36h进行退火。
实施例5
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为270rpm，球磨时间为45h；步骤S2中，烧结温度为1000℃，升温速率2℃/min，保温时间为40h；步骤S3中，激光功率为260mJ，氧分压为1.2×10-3mbar，衬底加热温度在850℃，衬底升温速率2℃/min，保温时间1.5h；步骤S4中，氧分压2×102mbar，以1℃/min的加热速率升至退火温度为950℃，保温36h进行退火。
实施例6
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为300rpm，球磨时间为48h；步骤S2中，烧结温度为1200℃，升温速率3℃/min，保温时间为48h；步骤S3中，激光功率为200mJ，氧分压为1.2×10-3mbar，衬底加热温度在750℃，衬底升温速率3℃/min，保温时间1.5h；步骤S4中，氧分压2.5×102mbar，以3℃/min的加热速率升至退火温度为800℃，保温72h进行退火。
实施例7
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为300rpm，球磨时间为35h；步骤S2中，烧结温度为1150℃，升温速率2℃/min，保温时间为60h；步骤S3中，激光功率为255mJ，氧分压为1.2×10-3mbar，衬底加热温度在850℃，衬底升温速率3℃/min，保温时间1.5h；步骤S4中，氧分压3×102mbar，以3℃/min的加热速率升至退火温度为850℃，保温36h进行退火。
实施例8
一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极。
铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，Au的导电性质优异。
本发明提供了一种低温存储器件的制备方法，具体包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
步骤S1中，球磨转速为300rpm，球磨时间为35h；步骤S2中，烧结温度为1250℃，升温速率3℃/min，保温时间为72h；步骤S3中，激光功率为245mJ，氧分压为1.2×10-3mbar，衬底加热温度在700℃，衬底升温速率3℃/min，保温时间1.5h；步骤S4中，氧分压3×102mbar，以1℃/min的加热速率升至退火温度为950℃，保温72h进行退火。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (7)
1.一种低温存储器件，其特征在于，该低温存储器件具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；
该低温存储器件的制备方法包括以下步骤：
S1：将13.8wt％氧化镧粉末、50.3wt％氧化锶粉末和35.9wt％氧化锰粉末均匀混合，得到混合粉末A；将85wt％钛酸钡粉末和15wt％氧化钛粉末均匀混合，得到混合粉末B，将混合粉末A、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末A；将混合粉末B、球磨介质和酒精按质量比1:1.25:1.2置于球磨罐内球磨，得到球磨粉末B；
S2：将球磨粉末A和球磨粉末B分别放入箱式炉中加热烧结，随后均通过单项压片机压成生胚，生胚通过固相烧结法进行烧结，得到La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材；
S3：将La0.7Sr0.3MnO3和BaTiO3陶瓷靶材置于脉冲激光沉积系统的腔体内，选用n型掺杂Nb:SrTiO3作为衬底，分别进行BaTiO3陶瓷靶材和La0.7Sr0.3MnO3的沉积，得到La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结；
S4：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结取出并置于管式炉中通入氧气进行退火；
S5：将La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3异质结进行光刻及化学刻蚀处理，再蒸镀一层Au电极，制得低温存储器件。
2.根据权利要求1所述的一种低温存储器件，其特征在于，所述铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3在低温下具有量子效应，所述n型掺杂Nb:SrTiO3为0.7wt％Nb掺杂SrTiO3，所述Au的导电性质优异。
3.根据权利要求1所述的一种低温存储器件，其特征在于，步骤S1中，球磨转速为215rpm，球磨时间为48h；步骤S2中，烧结温度为1000-1200℃，升温速率1-5℃/min，保温时间为12-72h。
4.根据权利要求3所述的一种低温存储器件，其特征在于，步骤S3中，激光功率为120-260mJ，氧分压为2×10-3-1.2×10-2mbar，衬底加热温度在700-850℃，保温时间0.5-2h；步骤S4中，氧分压1×102-3×102mbar，退火温度为750-950℃，保温24h进行退火。
5.根据权利要求4所述的一种低温存储器件，其特征在于，步骤S5中，所述La0.7Sr0.3MnO3电极层的直径为20μm，厚度为15u.c；BaTiO3电极层的厚度为6u.c，面积1.5cm×1.5cm；Au电极层的厚度为50μm、20nm。
6.根据权利要求1所述的一种低温存储器件，其特征在于，该低温存储器的调控方法包括以下步骤：
(1)将上述低温存储器件置于强磁场低温测试输运系统，将测试温度从室温逐渐降至一定温度进行输运测试；
(2)固定步骤(1)中某一特定温度，外加一定电压，通过一定电压读取器件存储信息实现低温存储器件的开关态电场及温场调控；
(3)重复S1及S2步骤数次，保持一定时间进行疲劳测试判断器件调控稳定性。
7.根据权利要求6所述的一种低温存储器件，其特征在于，步骤(1)中，一定温度为10K；步骤(2)中，固定温度为300-10K，外加电压在2-5V，读取电压0.1-1V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011517515.0A CN112635490B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 一种低温存储器件的制备和调控方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011517515.0A CN112635490B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 一种低温存储器件的制备和调控方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112635490A CN112635490A (zh) | 2021-04-09 |
| CN112635490B true CN112635490B (zh) | 2023-09-29 |
Family
ID=75320338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011517515.0A Active CN112635490B (zh) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | 一种低温存储器件的制备和调控方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112635490B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103337250A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-02 | 南京大学 | 一种非挥发阻变存储器 |
| CN109599486A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-09 | 中国科学技术大学 | 一种基于多铁异质结构的阻变存储器 |
| CN111146338A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-05-12 | 华南师范大学 | 一种铁电二极管储存器及其制备方法 |
-
2020
- 2020-12-21 CN CN202011517515.0A patent/CN112635490B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103337250A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-02 | 南京大学 | 一种非挥发阻变存储器 |
| CN109599486A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-09 | 中国科学技术大学 | 一种基于多铁异质结构的阻变存储器 |
| CN111146338A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-05-12 | 华南师范大学 | 一种铁电二极管储存器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112635490A (zh) | 2021-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Panda et al. | Perovskite oxides as resistive switching memories: a review | |
| CN101681911B (zh) | 关联电子存储器 | |
| JP4588734B2 (ja) | 不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ | |
| Lin et al. | Effects of Vanadium Doping on Resistive Switching Characteristics and Mechanisms of $\hbox {SrZrO} _ {3} $-Based Memory Films | |
| WO2016094010A1 (en) | Transition metal oxide resistive switching device with doped buffer region | |
| CN1783336A (zh) | 反铁磁/顺磁电阻器件、非易失性存储器及其制造方法 | |
| CN101667460A (zh) | 一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法 | |
| CN101577310A (zh) | 一种电阻转变型存储器及其制作方法 | |
| CN108493336B (zh) | 自整流阻变存储器及其制备方法 | |
| Lin et al. | Improvement of Resistive Switching Characteristics in $\hbox {SrZrO} _ {3} $ Thin Films With Embedded Cr Layer | |
| US8531861B2 (en) | One time programming memory and method of storage and manufacture of the same | |
| CN112635490B (zh) | 一种低温存储器件的制备和调控方法 | |
| Chen et al. | A> 64 Multiple States and> 210 TOPS/W High Efficient Computing by Monolithic Si/CAAC-IGZO+ Super-Lattice ZrO 2/Al 2 O 3/ZrO 2 for Ultra-Low Power Edge AI Application | |
| CN105336852A (zh) | 带有自整流效应的rram存储单元结构及其制备方法 | |
| KR20090076077A (ko) | 저항성 메모리 소자 | |
| Li et al. | Effect of annealing temperature on resistive switching behavior of Al/La0. 7Sr0. 3MnO3/LaNiO3 devices | |
| CN208127213U (zh) | 一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件 | |
| Marinella et al. | Resistive switching in aluminum nitride | |
| Wu et al. | Highly stable SrZrO3 bipolar resistive switching memory by Ti modulation layer | |
| CN1319256A (zh) | 减少四方性的铁电薄膜 | |
| Jia et al. | Resistive switching characteristics of Pt/Nb: SrTiO 3/LaNiO 3 heterostructure | |
| Hsu et al. | Barium titanate write-once read-many times resistive memory with an ultra-high on/off current ratio of 108 | |
| CN109585647B (zh) | 氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法 | |
| Zhu et al. | Fabrication and mechanism of high performance bipolar resistive switching device based on SrTiO3/NiO stacked heterostructure | |
| US11641787B2 (en) | Self-rectifying resistive memory and fabrication method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |