CN112614919A - 一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED - Google Patents
一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED Download PDFInfo
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Abstract
本发明具体涉及一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED。该LED从下至上依次包括蓝宝石沉底，N型层、具有不同铝组分的超晶格量子垒有源区、电子阻挡层、P型层及接触层，还包括从N型层引出的n型欧姆电极以及从接触层引出的p型欧姆电极。将量子阱有源区中的量子垒设计成具有不同铝组分的超晶格量子垒，抑制了空穴的泄露、削弱了量子阱里的静电场，最终提高了电子和空穴在有源区里的辐射复合率。
Description
技术领域
本发明涉及光电二极管领域，特别涉及一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED。
背景技术
由于AlGaN的深紫外LED在计算机数据存储、杀菌消毒、水与空气净化、生物医学、环境保护等领域具有十分重要的应用价值，基于AlGaN的深紫外发光二极管(DUV LED)引起了人们的广泛关注。
然而，目前DUV LED的效率还达不到人们的要求。影响DUV LED光学性能和电学性能的因素有很多，如低的空穴注入率、载流子泄露严重、量子限制斯塔克效应、载流子限制能力弱等。在DUV LED中，p-AlGaN掺杂困难，导致空穴浓度远远低于电子浓度。电子的有效质量小，移动速率高，很容易从有源区中泄露。虽然空穴泄露造成的影响没有电子泄露造成的影响大，但是研究证明空穴泄露对DUV LED性能的影响也是不能忽略的。高A1组分的AlGaN材料的极化电场很强，引起量子限制斯塔克效应，最终使电子和空穴空间重叠率降低，辐射复合率下降。
发明内容
为了克服现有技术存在的上述不足，本发明的目的是提供一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED。该LED能够有效阻挡空穴泄露，减弱量子阱里的静电场，最终提高电子和空穴在有源区里辐射复合率。
本发明的目的至少通过如下技术方案之一实现。
本发明提供的一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其从下至上依次由衬底、N型电子层、超晶格量子垒有源区(具有不同铝组分的超晶格量子垒有源区)、电子阻挡层、P型空穴层及接触层层叠形成；从所述N型电子层引出n型欧姆电极，从所述接触层引出的p型欧姆电极。
本发明将有源区中的量子垒设计成具有不同铝组分的超晶格量子垒，能够有效减少空穴的泄露，减弱量子阱里的静电场，最终提高了电子和空穴在有源区里的辐射复合率。
进一步地，所述N型电子层的材料为A10.55Ga0.45N，所述N型电子层的厚度为2.9-3.1μm；所述N型电子层包括由下至上厚度依次递增的18-22层网格；所述N型电子层掺杂有Si，且Si的掺杂浓度为1.9×1018-2.1×1018cm-3。
优选地，所述N型电子层的材料为A10.55Ga0.45N，且厚度为3μm，并划分为由下至上厚度递增的20层网格。
优选地，所述N型电子层掺杂有Si，且Si的掺杂浓度为2×1018cm-3。
进一步地，所述超晶格量子垒有源区包括6个量子垒和5个量子阱；所述量子垒与量子阱从上至下依次层叠，最低层和最上层均为量子垒。
进一步地，所述量子垒为A1xGa1-xN，所述量子垒的厚度为9-11nm，所述x的取值范围为0.52-0.54；所述量子阱为A10.45Ga0.55N，所述量子阱的厚度为1-3nm。
优选地，所述A1xGa1-xN的厚度为10nm；所述A10.45Ga0.55N的厚度为2nm。
进一步地，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第一个量子垒为最低层的量子垒；第一个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.52Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。
这样设计的目的是调节有源区里的应力，抑制空穴泄露，提高电子注入，减弱量子阱里的静电场，最终提高辐射复合效率。
优选地，所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为2nm。
进一步地，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第二个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.53Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。
进一步地，所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
优选地，所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为2.0nm。
进一步地，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第三个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.54Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
优选地，所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为2.0nm。
进一步地，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第四个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.52Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
优选地，所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为2.0nm。
进一步地，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第五个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.53Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
优选地，所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为2.0nm。
进一步地，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第六个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.54Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
优选地，所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为2nm。
进一步地，所述电子阻挡层为A10.6Ga0.4N；所述电子阻挡层的厚度为9-11nm。
优选地，所述电子阻挡层的厚度为10nm。
进一步地，所述P型空穴层为A10.55Ga0.45N；所述P型空穴层的厚度为9-11nm；所述P型空穴层划分为由下至上厚度一致的11-13层网格；所述P型层掺杂有Mg，Mg的掺杂浓度为0.9×1019-1.1×1019cm-3；
优选地，所述P型空穴层的厚度为10nm。
优选地，所述接触层为GaN；所述接触层的厚度为98-102nm；所述接触层划分为由下至上厚度一致的9-11层网格。
优选地，所述接触层的厚度为100nm，所述接触层划分为由下至上厚度一致的10层网格.
进一步地，所述衬底为蓝宝石衬底，且为r面、a面及m面中的任意一种。
与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
本发明提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，采用了具有不同铝组分的超晶格量子垒可以调节有源区里的应力，提高电子注入，抑制空穴泄露，减弱量子阱里的静电场，提高辐射复合效率。
附图说明
图1是实施例提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED的结构图；
其中，1为衬底，2为N型电子层，3为超晶格量子垒有源区，4为电子阻挡层，5为P型空穴层，6为接触层，7为p型欧姆电极，8为n型欧姆电极；
图2是实施例提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED的光输出功率曲线；
图3是实施例提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED的内量子效率曲线。
具体实施方式
以下结合实例对本发明的具体实施作进一步说明，但本发明的实施和保护不限于此。需指出的是，以下若有未特别详细说明之过程，均是本领域技术人员可参照现有技术实现或理解的。
图1是实施例提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED的结构图。
一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，从下至上依次由衬底1、N型电子层2、超晶格量子垒有源区3、电子阻挡层4、P型空穴层5及接触层6层叠形成；从所述N型电子层引出n型欧姆电极8，从所述接触层引出p型欧姆电极7。所述衬底1为蓝宝石衬底，为r面、a面或m面蓝宝石衬底中的任意一种。
所述N型电子层2的材料为A10.55Ga0.45N，所述N型电子层2的厚度为3.0μm；所述N型电子层2包括由下至上厚度依次递增的20层网格；所述N型电子层2掺杂有Si，且Si的掺杂浓度为2×1018cm-3。
所述超晶格量子垒有源区3包括6个量子垒和5个量子阱；所述量子垒与量子阱从上至下依次层叠，最低层和最上层均为量子垒。所述量子垒为A1xGa1-xN，所述量子垒的厚度为10nm，所述x的取值范围为0.52-0.54；所述量子阱为A10.45Ga0.55N，所述量子阱的厚度为1-3nm。从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第一个量子垒31为最低层的量子垒；第一个量子垒31为A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.52Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为2.0nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力，抑制空穴泄露，减弱量子阱里的静电场，最终提高辐射复合效率。
从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第二个量子垒32为A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.53Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为2.0nm；从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第三个量子垒33为A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.54Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为2.0nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第四个量子垒34为A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.52Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为2.0nm；从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第五个量子垒35为A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.53Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为2.0nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第六个量子垒36为A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.54Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为2.0nm。这样设计的目的是调节有源区里的应力。
由于超晶格量子垒有源区3的量子垒采用了不同铝组分的超晶格量子垒，对空穴从超晶格量子垒有源区3中的泄露起到了抑制作用，同时减弱了量子阱里的静电场，最终提高了有源区里的辐射复合率。
所述电子阻挡层为A10.6Ga0.4N；所述电子阻挡层的厚度为10nm。所述电子阻挡层划分为由下至上厚度一致的12层网格。
所述P型空穴层5为A10.55Ga0.45N；所述P型空穴层的厚度为10nm；所述P型空穴层划分为由下至上厚度一致的12层网格；所述P型层掺杂有Mg，Mg的掺杂浓度为1.0×1019cm-3；所述接触层6为GaN；所述接触层的厚度为100nm；所述接触层划分为由下至上厚度一致的10层网格。
图2是实施例提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED的光输出功率曲线；
图3是实施例提供的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED的内量子效率曲线。
图2中的光输出功率曲线，横坐标是电流，单位为mA，纵坐标为光输出功率，单位为mW。实线表示本实施例的新型结构，虚线表示传统结构LED，可以看出本实施例的光输出功率比传统的高。
图3中的内量子效率曲线，横坐标是电流，单位为mA，纵坐标为LED的内量子效率。实线表示本实施例的新型结构，虚线表示传统结构LED，可以看出本实施例的内量子效率比传统的高。
以上实施例仅为本发明较优的实施方式，仅用于解释本发明，而非限制本发明，本领域技术人员在未脱离本发明精神实质下所作的改变、替换、修饰等均应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，从下至上依次由衬底、N型电子层、超晶格量子垒有源区、电子阻挡层、P型空穴层及接触层层叠形成；从所述N型电子层引出n型欧姆电极，从所述接触层引出p型欧姆电极。
2.根据权利要求1所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，所述N型电子层的材料为A10.55Ga0.45N，所述N型电子层的厚度为2.9-3.1μm；所述N型电子层包括由下至上厚度依次递增的18-22层网格；所述N型电子层掺杂有Si，且Si的掺杂浓度为1.9×1018-2.1×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，所述超晶格量子垒有源区包括6个量子垒和5个量子阱；所述量子垒与量子阱从上至下依次层叠，最低层和最上层均为量子垒。
4.根据权利要求3所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，所述量子垒为A1xGa1-xN，所述量子垒的厚度为9-11nm，所述x的取值范围为0.52-0.54；所述量子阱为A10.45Ga0.55N，所述量子阱的厚度为1-3nm。
5.根据权利要求3所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第一个量子垒为最低层的量子垒；第一个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.52Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。
6.根据权利要求3所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第二个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.53Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm；从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第三个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.54Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。
7.根据权利要求3所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第四个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.52Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.52Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm；从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第五个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.53Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.53Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。
8.根据权利要求3所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，从下往上数，所述超晶格量子垒有源区的第六个量子垒为A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N交替排布的超晶格量子垒；所述A10.55Ga0.45N有3层，所述A10.54Ga0.48N有2层；所述A10.55Ga0.45N和A10.54Ga0.48N的厚度均为1.5-2.5nm。
9.根据权利要求1所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，所述电子阻挡层为A10.6Ga0.4N；所述电子阻挡层的厚度为9-11nm。
10.根据权利要求1所述的基于AlGaN的具有不同铝组分的超晶格量子垒的深紫外LED，其特征在于，所述P型空穴层为A10.55Ga0.45N；所述P型空穴层的厚度为9-11nm；所述P型空穴层划分为由下至上厚度一致的11-13层网格；所述P型层掺杂有Mg，Mg的掺杂浓度为0.9×1019-1.1×1019cm-3；所述接触层为GaN；所述接触层的厚度为98-102nm；所述接触层划分为由下至上厚度一致的9-11层网格。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023213043A1 (zh) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | 松山湖材料实验室 | 具有增强复合型多量子阱的紫外led结构及其生长方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103633210A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | Led外延片及其应用 |
| CN103633209A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种led外延结构及其应用 |
| CN103730552A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-04-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高led发光效率的外延生长方法 |
| CN203617330U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-05-28 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种led外延结构 |
| CN106972085A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-07-21 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN107482092A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-15 | 南京大学扬州光电研究院 | 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法 |
| CN108110104A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN108630790A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-10-09 | 华南师范大学 | 一种基于AlGaN的深紫外LED |
| CN109461799A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-03-12 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 深紫外led的外延结构及其制备方法 |
| CN110165030A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-08-23 | 华南师范大学 | 一种基于AlGaN的深紫外LED发光器 |
| CN209461482U (zh) * | 2019-03-27 | 2019-10-01 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 基于超晶格势垒量子阱结构的led |
-
2020
- 2020-11-27 CN CN202011357868.9A patent/CN112614919B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103633210A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | Led外延片及其应用 |
| CN103633209A (zh) * | 2013-12-06 | 2014-03-12 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种led外延结构及其应用 |
| CN203617330U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-05-28 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种led外延结构 |
| CN103730552A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-04-16 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种提高led发光效率的外延生长方法 |
| CN106972085A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-07-21 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN107482092A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-15 | 南京大学扬州光电研究院 | 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法 |
| CN108110104A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
| CN108630790A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-10-09 | 华南师范大学 | 一种基于AlGaN的深紫外LED |
| CN109461799A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-03-12 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 深紫外led的外延结构及其制备方法 |
| CN209461482U (zh) * | 2019-03-27 | 2019-10-01 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 基于超晶格势垒量子阱结构的led |
| CN110165030A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-08-23 | 华南师范大学 | 一种基于AlGaN的深紫外LED发光器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| QIAN CHEN等: ""Improved the AlGaN-Based Ultraviolet LEDs Performance With Super-LatticeStructure Last Barrier"", 《IEEE》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023213043A1 (zh) * | 2022-05-06 | 2023-11-09 | 松山湖材料实验室 | 具有增强复合型多量子阱的紫外led结构及其生长方法 |
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| Publication number | Publication date |
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