CN112614790A - 晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和计算机存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和计算机存储介质，所述晶圆缺陷扫描方法包括：提供一待测晶圆，具有x颗待扫描的晶粒；提供一扫描机台，设置有所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；以及，对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描，若扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，直至已扫描的晶粒的数量达到x颗时，所有次的取样记录的数量之和不超过所述上限y个。本发明提供的技术方案提高了整片晶圆的缺陷扫描的速度，提高了机台产能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和计算机存储介质。
背景技术
随着集成电路行业的飞速发展，半导体器件的尺寸越来越小，生产工艺越来越复杂，为了对各个工艺站点的生产情况进行监控，需要在一些工艺站点之后对晶圆上的缺陷进行扫描。但是，随着生产工艺的复杂性的提高，晶圆上的缺陷越来越多，缺陷扫描的难度也越来越高。
缺陷扫描时经常遇到扫几行甚至扫一行，晶圆缺陷的数量就达到机台设置的极限爆掉的情况，这种情况下，会自动停止扫描，晶圆自动退出，然后传出一张未扫描完的缺陷扫描图，如图1所示，仅扫描到晶圆11上的部分区域上的缺陷12即达到机台上限，晶圆11上还有大部分区域未被扫描，导致无法判断整片晶圆的缺陷分布状况。现有的方法是修改取样计划，当扫描到的晶圆的缺陷的数量达到机台设置的极限时，在取样计划里把扫过的部分(即图1中扫描到缺陷12所在的区域)框掉不扫，然后重新命名一个新的扫描程式，再进行二次扫描，如果再出现扫爆的情况，就重复此动作，直到把整片晶圆扫完为止；然后把该晶圆在扫描程式条件下扫过的所有缺陷图拼在一起，就可以得到整片晶圆上的缺陷分布情况。但是，此方法会多次停止扫描以及多次设置新的扫描程式，耗时耗力，占用大量的机台生产时间，影响机台产能。
因此，如何提高整片晶圆的缺陷扫描的速度，以提高机台产能是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和计算机存储介质，以提高整片晶圆的缺陷扫描的速度，进而提高机台产能。
为实现上述目的，本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法，包括：
提供一待测晶圆，具有x颗待扫描的晶粒；
提供一扫描机台，设置有所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；以及，
对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描，若扫描到的缺陷数量未超过所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成；若扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个。
可选的，在所述第一次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，并传出第一次扫描的缺陷图；在所述第一次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则所述待测晶圆未从所述扫描机台中退出，仅传出第一次扫描的缺陷图。
可选的，在所述第二次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，并传出第二次扫描的缺陷图，所述第二次扫描的缺陷图上的缺陷数量不超过所述上限y个。
可选的，在所述第二次扫描中，每次取样记录的数量为：每次取样记录之前的当次扫描的所述晶粒的数量除以当次扫描之前的未扫描的所述晶粒的数量再乘以所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量。
可选的，每次进行所述取样记录时，将每次取样记录之前的当次扫描到的缺陷数量根据缺陷密度按照相同的比例取样。
可选的，所述待测晶圆上的缺陷数量的估计值为(x/x1)*y，其中，x1为在所述第一次扫描时，扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时已扫描的所述晶粒的数量。
本发明还提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现本发明所述的晶圆缺陷扫描方法。
本发明还提供一种晶圆缺陷扫描系统，包括：
扫描机台，用于设置所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；
扫描单元，用于扫描一待测晶圆上的缺陷，所述待测晶圆具有x颗待扫描的晶粒；
判断单元，用于判断扫描到的缺陷数量是否达到所述上限y个；
取样记录单元，用于在扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录；
其中，在所述扫描单元用于对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描时，若所述判断单元判断扫描到的缺陷数量小于所述上限y个，且已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成；若所述判断单元判断扫描到的缺陷数量达到所述上限y个，且已扫描的所述晶粒的数量小于x颗时，则所述扫描单元用于对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当所述判断单元判断扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，所述取样记录单元用于对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个。
可选的，还包括缺陷图生成单元，用于在所述第一次扫描之后传出第一次扫描的缺陷图以及在所述第二次扫描之后传出第二次扫描的缺陷图，所述第二次扫描的缺陷图上的缺陷数量不超过所述上限y个。
可选的，在所述第二次扫描中，所述取样记录单元每次取样记录的数量为：每次取样记录之前的当次扫描的所述晶粒的数量除以当次扫描之前的未扫描的所述晶粒的数量再乘以所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量。
可选的，所述待测晶圆上的缺陷数量的估计值为(x/x1)*y，其中，x1为在所述第一次扫描时，扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时已扫描的所述晶粒的数量。
与现有技术相比，本发明提供的晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和计算机存储介质，通过在待测晶圆上的缺陷数量超过上限y个时加入取样方法，每当扫描到的所述缺陷数量达到上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，使得能够继续对所述待测晶圆进行扫描，直至已扫描的晶粒的数量达到总数x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个，以提高整片晶圆的缺陷扫描的速度，提高机台产能。
附图说明
图1是现有的晶圆缺陷扫描方法扫描到的缺陷数量大于机台上限时的缺陷扫描图；
图2是本发明一实施例的晶圆缺陷扫描方法的流程图；
图3是本发明一实施例的晶圆缺陷扫描方法扫描到的缺陷数量大于机台上限时的缺陷扫描图；
图4是本发明一实施例的晶圆缺陷扫描系统的系统框图。
其中，附图1～4的附图标记说明如下：
11-晶圆；12-缺陷；21-待测晶圆；22-缺陷；30-晶圆缺陷扫描系统；31-扫描机台；32-扫描单元；33-判断单元；34-取样记录单元；35-缺陷图生成单元。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图2～4对本发明提出的晶圆缺陷扫描系统及扫描方法和计算机存储介质作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明一实施例提供一种晶圆缺陷扫描方法，参阅图2，图2是本发明一实施例的晶圆缺陷扫描方法的流程图，所述晶圆缺陷扫描方法包括：
步骤S1、提供一待测晶圆，具有x颗待扫描的晶粒；
步骤S2、提供一扫描机台，设置有所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；
步骤S3、对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描，若扫描到的缺陷数量未超过所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成；若扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个。
下面更为详细地介绍本实施例提供的晶圆缺陷扫描方法。
首先，按照步骤S1，提供一待测晶圆，所述待测晶圆具有x颗待扫描的晶粒。部分或者全部的所述晶粒上均可能存在缺陷，且部分的所述晶粒上可能存在多个缺陷，因此，所述待测晶圆上分布有大量的缺陷，且缺陷的数量和分布情况均未知，需要对每个所述晶粒均进行扫描以获得缺陷在所述待测晶圆上的分布情况。
然后，按照步骤S2，提供一扫描机台，所述扫描机台上设置有能够记录的缺陷数量的上限y个，即当所述扫描机台记录的缺陷数量达到上限y个时，所述扫描机台将无法继续记录新扫描到的缺陷数量。将所述待测晶圆放入所述扫描机台，所述扫描机台能够扫描出所述待测晶圆上的缺陷并且能够记录缺陷的数量。
最后，按照步骤S3，对所述待测晶圆进行第一次扫描，若扫描到的缺陷数量未超过(即小于或等于)所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成，所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，并传出第一次扫描的缺陷图；此时，第一次扫描的缺陷图中记录了所述待测晶圆上的所有缺陷。
若第一次扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，例如，此时已扫描的所述晶粒的数量为x1(x1<x)颗，则所述待测晶圆未从所述扫描机台中退出，仅传出第一次扫描的缺陷图，此时，第一次扫描的缺陷图仅记录了所述待测晶圆上的部分缺陷，即扫描到的y个缺陷，那么，对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描。
其中，在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个，以使得每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，能够继续对所述待测晶圆进行扫描而不会导致所述待测晶圆退出。
在所述第二次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，并传出第二次扫描的缺陷图，所述第二次扫描的缺陷图上的缺陷数量不超过所述上限y个。
且每次进行所述取样记录时，将每次取样记录之前的当次扫描到的缺陷数量根据缺陷密度按照相同的比例取样，即进行均匀取样，以使得所述待测晶圆上的每个区域上的缺陷都能够被取样到，且每个区域取样的数量根据缺陷密度进行调整，缺陷密度大的区域取样数量多，缺陷密度小的区域取样数量少，进而使得取样的结果能够体现所述待测晶圆上的缺陷分布情况。
具体地，每次取样记录的缺陷数量为：每次取样记录之前的当次扫描的所述晶粒的数量除以当次扫描之前的未扫描的所述晶粒的数量再乘以所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量。下面对所述第二次扫描过程中的取样记录进行举例说明：
当扫描到的缺陷数量第一次达到所述上限y个时，进行第一次取样记录，当次扫描(即第一次取样记录之前的扫描)的所述晶粒的数量为x1颗，当次扫描之前未扫描的所述晶粒的数量为x颗，当次扫描之前所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量为y个，因此，第一取样记录的缺陷数量为y1＝(x1/x)*y，缺陷图上记录y1个缺陷；由于y1<y，能够继续扫描所述待测晶圆，当扫描到的缺陷数量第二次达到所述上限y个时，进行第二次取样记录，当次扫描的所述晶粒的数量为x2颗，当次扫描之前未扫描的所述晶粒的数量为(x-x1)颗，当次扫描之前所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量为(y-y1)，因此，第二次取样记录的缺陷数量为y2＝[x2/(x-x1)]*(y-y1)，缺陷图上记录的缺陷在y1个的基础上新增y2个；由于(y1+y2)<y，继续扫描所述待测晶圆，当扫描到的缺陷数量第三次达到所述上限y个时，进行第三次取样记录，当次扫描的所述晶粒的数量为x3，当次扫描之前未扫描的所述晶粒的数量为(x-x1-x2)颗，当次扫描之前所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量为(y-y1-y2)，因此，第三次取样记录的缺陷数量为y3＝[x3/(x-x1-x2)]*(y-y1-y2)，缺陷图上记录的缺陷在(y1+y2)个的基础上新增y3个；以此类推，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的总数量达到x颗时，扫描完成，所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，传出第二次扫描的缺陷图。其中，在上述的所述第二次扫描和取样记录的过程中，当最后一次扫描时完成了对所有x颗所述晶粒的扫描时，若最后一次扫描完成时，所述扫描机台记录的缺陷数量刚好达到所述上限y个，则所有次的取样记录的缺陷数量之和等于y，传出的所述第二次扫描的缺陷图中记录y个缺陷；若最后一次扫描完成时，所述扫描机台记录的缺陷数量未达到所述上限y个，则对此次扫描不进行取样，所有次的取样记录的缺陷数量之和小于y，传出的所述第二次扫描的缺陷图中记录的缺陷数量小于y个。
另外，由于在所述第二次扫描的过程中，为了使得能够对所述待测晶圆进行持续扫描直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，获得所述待测晶圆上的缺陷分布情况，那么，所述扫描机台和所述第二次扫描的缺陷图上仅记录了部分的缺陷数量，可以根据扫描的情况获得所述待测晶圆上的缺陷数量的估计值为(x/x1)*y。
从上述内容可知，由于在对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描时，若扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描，且在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个，使得能够对整片的所述待测晶圆进行扫描，不会因为扫描到的缺陷过多导致所述扫描机台上的数据库软件崩溃，且能够获得整片的所述待测晶圆的缺陷图，参阅图3，与图1相比，图1中仅记录了晶圆11的部分区域的缺陷12的分布情况，图3中记录了整片的所述待测晶圆21上的缺陷22的分布情况，使得能够全面的了解整片晶圆的缺陷分布；并且，能够持续扫描所述待测晶圆，直至整片的所述待测晶圆全部扫描完成之后才会将所述待测晶圆退出，提高了整片的所述待测晶圆的缺陷扫描的速度，提高了机台产能，减少了生产成本，提高了工作效率。
综上所述，本发明提供的晶圆缺陷扫描方法，包括：提供一待测晶圆，具有x颗待扫描的晶粒；提供一扫描机台，设置有所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；以及，对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描，若扫描到的缺陷数量小于所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成；若扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个。本发明提供的晶圆缺陷扫描方法提高了整片晶圆的缺陷扫描的速度，提高了机台产能。
本发明一实施例提供一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现步骤S1至步骤S3中的晶圆缺陷扫描方法。本发明的计算机存储介质可以嵌入安装到扫描机台上，以对原有的晶圆缺陷扫描方法进行升级，使其具有取样记录的功能。本发明的计算机存储介质中的计算机程序被处理器执行时，能够提高整片晶圆缺陷扫描的速度，以提高机台产能。
本发明一实施例提供一种晶圆缺陷扫描系统30，参阅图4，图4是本发明一实施例的晶圆缺陷扫描系统30的系统框图，所述晶圆缺陷扫描系统30包括扫描机台31、扫描单元32、判断单元33、取样记录单元34。下面详细说明所述晶圆缺陷扫描系统30：
所述扫描机台31用于设置所述扫描机台31能够记录的缺陷数量的上限y个。其中，当所述扫描机台31记录的缺陷数量达到上限y个时，所述扫描机台31将无法继续记录新扫描到的缺陷数量。
所述扫描单元32用于扫描一待测晶圆21上的缺陷，所述待测晶圆21具有x颗待扫描的晶粒。部分或者全部的所述晶粒上均可能存在缺陷，且部分的所述晶粒上可能存在多个缺陷，因此，所述待测晶圆21上分布有大量的缺陷，且缺陷的数量和分布情况均未知，需要所述扫描单元32对每个所述晶粒均进行扫描以获得缺陷在所述待测晶圆21上的分布情况。
所述判断单元33用于判断扫描到的缺陷数量是否达到所述上限y个。
所述取样记录单元34用于在扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录。
所述晶圆缺陷扫描系统30还包括缺陷图生成单元35，所述缺陷图生成单元35用于在每次扫描完成之后传出扫描的缺陷图。其中，在所述扫描单元32用于对所述待测晶圆21上的晶粒进行第一次扫描时，若所述判断单元33判断扫描到的缺陷数量未超过(即小于或等于)所述上限y个，且已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成，所述待测晶圆21从所述扫描机台31中退出，所述缺陷图生成单元35传出第一次扫描的缺陷图，此时，第一次扫描的缺陷图中记录了所述待测晶圆21上的所有缺陷；若所述判断单元33判断扫描到的缺陷数量达到所述上限y个，且已扫描的所述晶粒的数量小于x颗时，则所述待测晶圆21未从所述扫描机台31中退出，仅传出第一次扫描的缺陷图，此时，第一次扫描的缺陷图仅记录了所述待测晶圆21上的部分缺陷，即扫描到的y个缺陷，则所述扫描单元32用于对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描。
其中，在所述第二次扫描的过程中，每当所述判断单元33判断扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，所述取样记录单元34用于对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个，以使得每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，所述扫描单元32能够继续对所述待测晶圆21进行扫描而不会导致所述待测晶圆21退出。
在所述第二次扫描中，若所述扫描单元32已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则所述待测晶圆21从所述扫描机台31中退出，所述缺陷图生成单元35传出第二次扫描的缺陷图，所述第二次扫描的缺陷图上的缺陷数量不超过所述上限y个。
所述取样记录单元34每次进行所述取样记录时，将每次取样记录之前的当次扫描到的缺陷数量根据缺陷密度按照相同的比例取样，即进行均匀取样，以使得所述待测晶圆21上的每个区域上的缺陷都能够被取样到，且每个区域取样的数量根据缺陷密度进行调整，缺陷密度大的区域取样数量多，缺陷密度小的区域取样数量少，进而使得取样的结果能够体现所述待测晶圆21上的缺陷分布情况。
所述取样记录单元34每次取样记录的缺陷数量为：每次取样记录之前的当次扫描的所述晶粒的数量除以当次扫描之前的未扫描的所述晶粒的数量再乘以所述扫描机台31能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量。具体参考以上步骤S3，在此不再赘述。
综上所述，本发明提供的晶圆缺陷扫描系统包括能够记录的缺陷数量的上限为y的扫描机台、用于扫描一待测晶圆上的缺陷的扫描单元、用于判断扫描到的缺陷数量是否达到所述上限y个的判断单元、用于在扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录的取样记录单元，使得能够对整片的所述待测晶圆进行扫描，获得整片的所述待测晶圆上的缺陷的分布情况，且能够持续扫描所述待测晶圆，直至整片的所述待测晶圆全部扫描完成之后才会将所述待测晶圆退出，提高了整片晶圆的缺陷扫描的速度，进而提高机台产能。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (11)
1.一种晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，包括：
提供一待测晶圆，具有x颗待扫描的晶粒；
提供一扫描机台，设置有所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；以及，
对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描，若扫描到的缺陷数量未超过所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成；若扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，在所述第一次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，并传出第一次扫描的缺陷图；在所述第一次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量小于x颗，则所述待测晶圆未从所述扫描机台中退出，仅传出第一次扫描的缺陷图。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，在所述第二次扫描中，若已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则所述待测晶圆从所述扫描机台中退出，并传出第二次扫描的缺陷图，所述第二次扫描的缺陷图上的缺陷数量不超过所述上限y个。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，在所述第二次扫描中，每次取样记录的数量为：每次取样记录之前的当次扫描的所述晶粒的数量除以当次扫描之前的未扫描的所述晶粒的数量再乘以所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量。
5.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，每次进行所述取样记录时，将每次取样记录之前的当次扫描到的缺陷数量根据缺陷密度按照相同的比例取样。
6.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述待测晶圆上的缺陷数量的估计值为(x/x1)*y，其中，x1为在所述第一次扫描时，扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时已扫描的所述晶粒的数量。
7.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的晶圆缺陷扫描方法。
8.一种晶圆缺陷扫描系统，其特征在于，包括：
扫描机台，用于设置所述扫描机台能够记录的缺陷数量的上限y个；
扫描单元，用于扫描一待测晶圆上的缺陷，所述待测晶圆具有x颗待扫描的晶粒；
判断单元，用于判断扫描到的缺陷数量是否达到所述上限y个；
取样记录单元，用于在扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，对扫描到的缺陷数量进行取样记录；
其中，在所述扫描单元用于对所述待测晶圆上的晶粒进行第一次扫描时，若所述判断单元判断扫描到的缺陷数量小于所述上限y个，且已扫描的所述晶粒的数量达到x颗，则扫描完成；若所述判断单元判断扫描到的缺陷数量达到所述上限y个，且已扫描的所述晶粒的数量小于x颗时，则所述扫描单元用于对x颗所述晶粒重新执行第二次扫描；其中，在所述第二次扫描的过程中，每当所述判断单元判断扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时，所述取样记录单元用于对扫描到的缺陷数量进行取样记录，每次所述取样记录的数量小于所述上限y个，直至已扫描的所述晶粒的数量达到x颗时，所有次的所述取样记录的数量之和不超过所述上限y个。
9.如权利要求8所述的晶圆缺陷扫描系统，其特征在于，还包括缺陷图生成单元，用于在所述第一次扫描之后传出第一次扫描的缺陷图以及在所述第二次扫描之后传出第二次扫描的缺陷图，所述第二次扫描的缺陷图上的缺陷数量不超过所述上限y个。
10.如权利要求8所述的晶圆缺陷扫描系统，其特征在于，在所述第二次扫描中，所述取样记录单元每次取样记录的数量为：每次取样记录之前的当次扫描的所述晶粒的数量除以当次扫描之前的未扫描的所述晶粒的数量再乘以所述扫描机台能够记录的所述上限y中剩余的缺陷数量。
11.如权利要求8所述的晶圆缺陷扫描系统，其特征在于，所述待测晶圆上的缺陷数量的估计值为(x/x1)*y，其中，x1为在所述第一次扫描时，扫描到的缺陷数量达到所述上限y个时已扫描的所述晶粒的数量。
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