CN112612425B - 数据读写方法及半导体加工设备的控制装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种数据读写方法及半导体加工设备的控制装置，该数据读写方法包括：S1、将处理器的内存数据区划分为多个分区；S2、建立与多个分区一一对应的多个内存映射区；S3、实时监测各内存映射区的读标识和写标识；S4、在监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，根据该一个或多个内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个分区中的数据对应地存入该一个或多个内存映射区中；S5、在监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，将该一个或多个内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个分区中。本发明提供的数据读写方法，可以有效避免冗余数据的读写，从而可以提高读写执行效率。

Description

数据读写方法及半导体加工设备的控制装置

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种数据读写方法及半导体加工设备的控制装置。

背景技术

半导体加工设备一般采用下位机(例如PC机)和诸如PLC等的处理器相结合的方式控制设备中的各种硬件，PC机和PLC可以采用诸如以太网(Ethernet)或现场总线标准(DeviceNet)等的网络实现数据通讯，且通讯主要通过对PLC的内存进行读写来实现。

由于半导体加工设备通常包括流量控制阀、质量流量控制器(MFC)、真空泵、加热器等的多种控制部件，故而控制的信号量较大，但是，现有的计算机在每次读取数据时需要整体读取PLC内存中的数据，导致本次所读取的数据中包含一些不在本次需求内的冗余数据，从而不仅会占用网络通信资源，造成不必要的通信压力，而且PC机还会对冗余数据进行解析，造成不必要的CPU和内存消耗，增加系统的资源压力。另外，当PC机向PLC内存写入数据时，即使是少量数据，也需要单独进行一次写入，导致不必要的通信压力，降低了读写执行效率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种数据读写方法及半导体加工设备的控制装置，其可以有效避免冗余数据的读写，减少不必要的通信压力，从而可以提高读写执行效率，减少不必要的CPU和内存消耗。

为实现本发明的目的而提供一种数据读写方法，应用于半导体加工设备，包括以下步骤：

S1、将处理器的内存数据区划分为多个分区；

S2、建立与所述多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个所述内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

S3、实时监测各所述内存映射区的读标识和写标识；

S4、在监测到一个或多个所述内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送读指令，根据该一个或多个所述内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中；

S5、在监测到一个或多个所述内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送写指令，将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中。

可选的，一所述分区包含至少一个数据地址，与该分区对应的所述内存映射区包含至少一个映射地址，所述至少一个数据地址与所述至少一个映射地址一一对应，所述读标识包含至少一个读标识位，所述至少一个读标识位与所述至少一个映射地址一一对应，所述写标识包含至少一个写标识位，所述至少一个写标识位与所述至少一个映射地址一一对应；

所述读标识中包含至少一个被设置为进行读取的读标识位时，所述读标识被设置为进行读取；

所述写标识中包含至少一个被设置为进行写入的写标识位时，所述写标识被设置为进行写入。

可选的，所述步骤S2，还包括：

将所述读标识中的读标识位均设置为不进行读取，将所述写标识中的写标识位均设置为不进行写入；

所述步骤S4，还包括：

将该一个或多个所述内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位重新设置为不进行读取；

所述步骤S5，还包括：

将该一个或多个所述内存映射区的写标识中被设置为进行写入的写标识位重新设置为不进行写入。

可选的，所述根据该一个或多个所述内存映射区的各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中，包括：

根据该一个或多个所述内存映射区的读取周期，确定该一个或多个所述内存映射区中每个所述内存映射区下一个读取周期的开始时间；

在该一个或多个所述内存映射区中每个所述内存映射区下一个读取周期的开始时间，分别将该一个或多个所述分区中每个所述分区的数据存入该一个或多个所述内存映射区中与之对应的所述内存映射区中。

可选的，所述分别将该一个或多个所述分区中每个所述分区的数据存入该一个或多个所述内存映射区中与之对应的所述内存映射区中，包括：

对于该一个或多个所述分区中每个所述分区，确定其对应的所述内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位对应的映射地址，将该映射地址对应的数据地址中的数据存入该映射地址中。

可选的，所述将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中，包括：

对于该一个或多个所述内存映射区中每个所述内存映射区，确定其写标识中被设置为进行写入的写标识位对应的映射地址，将该映射地址的数据写入与该映射地址对应的数据地址中。

可选的，在所述根据该一个或多个所述内存映射区的各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中之前，所述步骤S4还包括：

接收所述处理器响应于所述读指令发送的第一反馈信息，所述第一反馈信息包括该一个或多个所述分区中的数据和第一识别信息；

根据所述第一识别信息判断所述读指令是否执行正常，若是，则执行所述根据该一个或多个所述内存映射区的各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中的步骤。

可选的，在所述将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中之后，所述步骤S5还包括：

接收所述处理器响应于所述写指令发送的第二反馈信息，所述第二反馈信息包括第二识别信息；

根据所述第二识别信息判断所述写指令是否正常执行，若是，则继续实时监测各所述内存映射的写标识。

可选的，在所述步骤S3中，采用独立的读线程实时监测各所述内存映射区的读标识，采用独立的写线程实时监测各所述内存映射区的写标识；在所述步骤S4中，采用所述读线程发送所述读指令，将所述分区中的数据存入所述内存映射区中；在所述步骤S5中，采用所述写线程发送所述写指令，将所述内存映射区中的数据写入所述分区中。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备的控制装置，包括：

分区单元，用于将所述处理器的内存数据区划分为多个分区，并建立与所述多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个所述内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

监测单元，用于实时监测各所述内存映射区的读标识和写标识；以及

控制单元，用于在所述监测单元监测到一个或多个所述内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送读指令，根据该一个或多个所述内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中；在监测单元监测到一个或多个所述内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送写指令，将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中。

本发明实施例具有以下有益效果：

本发明实施例提供的数据读写方法及半导体加工设备的控制装置的技术方案，通过将处理器的内存数据区划分为多个分区，并建立与多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个内存映射区设置读标识、写标识及读取周期，可以通过实时监测各内存映射区的读标识和写标识，在监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，可以根据该一个或多个内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个分区中的数据对应地存入该一个或多个内存映射区中；在监控到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送写指令，将该一个或多个内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个分区中。这样，可以只对读标识被设置为进行读取或者写标识被设置为进行写入的内存映射区对应的分区进行读取或者写入，从而可以使每次所读写的数据中仅包含本次需求内的数据，而不存在冗余数据，进而可以有效避免冗余数据的读写，减少不必要的通信压力，从而可以提高读写执行效率，减少不必要的CPU和内存消耗。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的数据读写方法的流程框图；

图2为本发明第二实施例提供的数据读写方法的流程框图；

图3为本发明第三实施例提供的半导体加工设备的控制装置的原理框图；

图4为本发明第四实施例提供的半导体加工设备的控制装置的原理框图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明实施例提供的数据读写方法及半导体加工设备的控制装置进行详细描述。

第一实施例

请参阅图1，本发明第一实施例提供的数据读写方法，应用于半导体加工设备，例如用于向处理器执行读写操作，该处理器例如为用于获取半导体加工设备的控制部件状况的PLC。

具体地，上述数据读写方法包括以下步骤：

S1、将处理器的内存数据区划分为多个分区；

可以综合考虑多种因素对上述处理器的内存数据区进行划分，以达到减少冗余数据的目的。这些因素包括但不限于：业务逻辑、实时性要求、工艺配方中各个参数(温度、压力、流量等)的相关指令下发流程和工艺监控流程等等。优选的，按照对存储数据实时性高低的要求进行分区。

S2、建立与多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

该内存映射区用于存储从对应的分区中读取的数据，或者需要写入对应的分区中的数据。

读标识和写标识分别作为判断是否进行读取和写入的标识。其中，读标识可以被设置为进行读取(例如为1，true)和不进行读取(例如为0，false)；写标识可以被设置为进行写入(例如为1，true)和不进行写入(例如为0，false)。

读取周期用于作为读取的周期，即，每经过一定的时间间隔进行一次读取。每个内存映射区各自有单独的读取周期，各个读取过程能够按照各自对应的内存映射区的读取周期循环，互不影响。

在实际应用中，各内存映射区的读取周期可以根据对应的待读取数据的实时性要求进行设定，以满足不同的实时性要求。在实际应用中，根据半导体加工设备实际的使用要求，对处理器的内存数据区中不同分区的响应时间有不同要求。例如，半导体加工设备中，对涉及安全互锁类装置的控制的实时性要求较高，要求响应时间短，在这种情况下，缩短读取周期，从而当诸如温度超限、压力超限、气体泄漏、电力供应中断等的异常情况发生时，由于响应时间短，就可以迅速将设备恢复到一个安全状态，从而可以避免对设备、操作人员及厂房环境造成严重后果。为此，为满足不同的实时性要求，可以设定三种不同长短的读取周期，以将响应时间划分为高、中、低三个等级。当然，本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以设定更多种不同长短的读取周期。

另外，在实际应用中，无需设置写入周期，只要根据具体写入需要进行写入过程即可。

S3、实时监测各上述内存映射区的读标识和写标识；

在实际应用中，可以根据具体读写需求对读标识和写标识进行设定，这种设定是实时变化的，以保证每次读写的数据仅包含本次需求内的数据，而不存在冗余数据，因此需要对这些实时变化的读标识和写标识进行实时监测。

S4、在监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送读指令，根据该一个或多个内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个分区中的数据对应地存入该一个或多个内存映射区中；

S5、在监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送写指令，将该一个或多个内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个分区中。

需要说明的是，上述步骤S4和步骤S5没有先后顺序，是根据步骤S3中的监测结果而定，即，若监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，则进行步骤S4；监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，则进行步骤S5。

可选的，在上述步骤S3中，采用独立的读线程实时监测各内存映射区的读标识，采用独立的写线程实时监测各内存映射区的写标识。在上述步骤S4中，采用读线程发送读指令，将分区中的数据存入内存映射区中；在上述步骤S5中，采用写线程发送写指令，将内存映射区中的数据写入分区中。借助独立的读线程和写线程，可以单独实现各个分区中的数据读取和写入。

本发明实施例提供的数据读写方法，可以使每次所读写的数据中仅包含本次需求内的数据，而不存在冗余数据，进而可以有效避免冗余数据的读写，减少不必要的通信压力，从而可以提高读写执行效率，减少不必要的CPU和内存消耗。

第二实施例

请参阅图2，本实施例提供的数据读写方法，其是上述第一实施例的具体实施方式，具体地，该数据读写方法包括以下步骤：

S101、将处理器的内存数据区划分为多个分区；

S102、建立与多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

在本实施例中，一分区包含至少一个数据地址，与该分区对应的内存映射区包含至少一个映射地址，至少一个数据地址与至少一个映射地址一一对应。上述读标识包含至少一个读标识位，该至少一个读标识位与上述至少一个映射地址一一对应，上述写标识包含至少一个写标识位，该至少一个写标识位与上述至少一个映射地址一一对应。上述读标识位和写标识位用于分别作为判断是否进行读取和写入的标识位。其中，读标识位可以被设置为进行读取和不进行读取；写标识位可以被设置为进行写入和不进行写入。

并且，上述读标识中包含至少一个被设置为进行读取的读标识位时，该读标识被设置为进行读取；上述写标识中包含至少一个被设置为进行写入的写标识位时，该写标识被设置为进行写入。

可以理解的是，若同一内存映射区的读标识位为多个，则同一内存映射区的多个读标识位中的至少一个可以被设置为进行读取，而被设置为不进行读取的读标识位则不进行读取；若同一内存映射区的写标识位为多个，则同一内存映射区的多个写标识位中的至少一个可以被设置为进行写入，而被设置为不进行写入的写标识位则不进行写入。这样，可以对同一分区中的不同数据地址是否需要进行读取和写入进行监控，从而可以进一步去除冗余数据。

S103、将读标识中的读标识位均设置为不进行读取，将写标识中的写标识位均设置为不进行写入。

上述步骤S103用于对所有读标识位和写标识位进行初始化，初始状态均为不进行读取和不进行写入。

S104、实时监测各内存映射区的读标识和写标识。

S105、在监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送读指令。

S106、接收处理器响应于上述读指令发送的第一反馈信息。

上述第一反馈信息包括该一个或多个分区中的数据和第一识别信息。

S107、根据上述第一识别信息判断读指令是否执行正常，若是，则执行步骤S108；若否，则流程结束，以能够进行流程产生的错误类型的排查。

在一些实施例中，上述读指令例如为命令帧，而上述第一反馈信息例如为响应帧。无论是命令帧还是反馈帧，其帧结构通常均包括帧头(3个字节)、数据区(最大为7个字节，包含传送数据)以及校验(通常为校验和)。其中，对于命令帧，其数据区包含命令字节及命令参数；对于响应帧，数据区包含命令响应及响应的待读取数据。此外，校验是校验字节，其为帧头和数据区中字节的累加总和，上述第一识别信息即为响应帧中的校验。在上述步骤S107中，根据上述第一识别信息判断读指令是否正常，即为校验帧头和数据区中字节的累加总和是否正确。当然，在实际应用中，上述读指令和第一反馈信息还可以采用其他任意能够实现数据传送的信息。

S108、根据该一个或多个内存映射区的读取周期，确定该一个或多个内存映射区中每个内存映射区下一个读取周期的开始时间；

S109、在该一个或多个内存映射区中每个内存映射区下一个读取周期的开始时间，分别将该一个或多个分区中每个分区的数据存入该一个或多个内存映射区中与之对应的内存映射区中；

上述步骤S108和步骤S109用于实现每经过一定的时间间隔进行一次读取。

可选的，上述步骤S109进一步包括：

对于该一个或多个分区中每个分区，确定其对应的内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位对应的映射地址，将该映射地址对应的数据地址中的数据存入该映射地址中。这样，可以根据所确定的映射地址，实现对应的数据地址中的数据的读取。

S110、将该一个或多个内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位重新设置为不进行读取。

上述步骤S110用于使进行读取的读标识位的状态恢复至初始状态，以确保在返回执行上述步骤S104时，所有读标识位均被设置为不进行读取。

上述步骤S105至步骤S110只针对监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时而进行的。而下面的步骤S111至步骤S116只针对监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时而进行的。上述步骤S105至步骤S110的执行与步骤S111至步骤S116的执行没有先后顺序。

S111、在监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送写指令。

S112、对于该一个或多个内存映射区中每个内存映射区，确定其写标识中被设置为进行写入的写标识位对应的映射地址；

S113、将该映射地址的数据写入与该映射地址对应的数据地址中；

上述步骤S112和步骤S113用于根据所确定的映射地址，实现其数据写入对应的数据地址中。

S114、接收处理器响应于写指令发送的第二反馈信息；

上述第二反馈信息包括第二识别信息。

S115、根据第二识别信息判断写指令是否执行正常；若是，则执行步骤S116；若否，则流程结束，以能够进行流程产生的错误类型的排查。

在一些实施例中，与上述读指令和第一反馈信息相类似的，上述写指令例如为命令帧，而上述第二反馈信息例如为反馈帧。上述第二识别信息即为响应帧中的校验。在上述步骤S115中，根据上述第二识别信息判断写指令是否正常，即为校验帧头和数据区中字节的累加总和是否正确。当然，在实际应用中，上述写指令和第二反馈信息还可以采用其他任意能够实现数据传送的信息。

S116、将该一个或多个内存映射区的写标识中被设置为进行写入的写标识位重新设置为不进行写入。

上述步骤S116用于使进行读取的写标识位的状态恢复至初始状态，以确保在返回执行上述步骤S104时，所有写标识位均被设置为不进行写入。

综上所述，本发明上述各个实施例提供的数据读写方法，通过将处理器的内存数据区划分为多个分区，并建立与多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个内存映射区设置读标识、写标识及读取周期，可以通过实时监测各内存映射区的读标识和写标识，在监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，可以根据该一个或多个内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个分区中的数据对应地存入该一个或多个内存映射区中；在监控到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送写指令，将该一个或多个内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个分区中。这样，可以只对读标识被设置为进行读取或者写标识被设置为进行写入的内存映射区对应的分区进行读取或者写入，从而可以使每次所读写的数据中仅包含本次需求内的数据，而不存在冗余数据，进而可以有效避免冗余数据的读写，减少不必要的通信压力，从而可以提高读写执行效率，减少不必要的CPU和内存消耗。

第三实施例

请参阅图3，本发明实施例还提供一种半导体加工设备的控制装置1，该控制装置1包括：

分区单元11，用于将处理器2的内存数据区21划分为多个分区，并建立与多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

监测单元12，用于实时监测各内存映射区的读标识和写标识；以及

控制单元13，用于在监测单元12监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送读指令，根据该一个或多个内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个分区中的数据对应地存入该一个或多个内存映射区中；在监测单元12监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送写指令，将该一个或多个内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个分区中。

该内存映射区用于存储从对应的分区中读取的数据，或者需要写入对应的分区中的数据。

读标识和写标识用于分别作为判断是否进行读取和写入的标识。其中，读标识可以被设置为进行读取(例如为1，true)和不进行读取(例如为0，false)；写标识可以被设置为进行写入(例如为1，true)和不进行写入(例如为0，false)。

读取周期用于作为读取的周期，即，每经过一定的时间间隔进行一次读取。每个内存映射区各自有单独的读取周期，各个读取过程能够按照各自对应的内存映射区的读取周期循环，互不影响。

在实际应用中，各内存映射区的读取周期可以根据对应的待读取数据的实时性要求进行设定，以满足不同的实时性要求。在实际应用中，根据半导体加工设备实际的使用要求，对处理器的内存数据区中不同分区的响应时间有不同要求。例如，半导体加工设备中，对涉及安全互锁类装置的控制的实时性要求较高，要求响应时间短，在这种情况下，缩短读取周期，从而当诸如温度超限、压力超限、气体泄漏、电力供应中断等的异常情况发生时，由于响应时间短，就可以迅速将设备恢复到一个安全状态，从而可以避免对设备、操作人员及厂房环境造成严重后果。为此，为满足不同的实时性要求，可以设定三种不同长短的读取周期，以将响应时间划分为高、中、低三个等级。当然，本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以设定更多种不同长短的读取周期。

另外，在实际应用中，无需设置写入周期，只要根据具体写入需要进行写入过程即可。

在实际应用中，可以根据具体读写需求对读标识和写标识进行设定，这种设定是实时变化的，以保证每次读写的数据仅包含本次需求内的数据，而不存在冗余数据，因此需要对这些实时变化的读标识和写标识进行实时监测。

在本实施例中，分区单元11还用于将一分区设置为：包含至少一个数据地址，将与该分区对应的内存映射区设置为：包含至少一个映射地址，至少一个数据地址与至少一个映射地址一一对应。分区单元11还用于将上述读标识设置为：包含至少一个读标识位，该至少一个读标识位与上述至少一个映射地址一一对应，分区单元11还用于将上述写标识设置为：包含至少一个写标识位，该至少一个写标识位与上述至少一个映射地址一一对应。上述读标识位和写标识位用于分别作为判断是否进行读取和写入的标识位。其中，读标识位可以被设置为进行读取和不进行读取；写标识位可以被设置为进行写入和不进行写入。并且，上述读标识中包含至少一个被设置为进行读取的读标识位时，该读标识被设置为进行读取；上述写标识中包含至少一个被设置为进行写入的写标识位时，该写标识被设置为进行写入。

可以理解的是，若同一内存映射区的读标识位为多个，则同一内存映射区的多个读标识位中的至少一个可以被设置为进行读取，而被设置为不进行读取的读标识位则不进行读取；若同一内存映射区的写标识位为多个，则同一内存映射区的多个写标识位中的至少一个可以被设置为进行写入，而被设置为不进行写入的写标识位则不进行写入。这样，可以对同一分区中的不同数据地址是否需要进行读取和写入进行监控，从而可以进一步去除冗余数据。

在一些实施例中，控制装置1还包括初始化单元，用于将读标识中的读标识位均设置为不进行读取，将写标识中的写标识位均设置为不进行写入。以及，将该一个或多个内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位重新设置为不进行读取；将该一个或多个内存映射区的写标识中被设置为进行写入的写标识位重新设置为不进行写入。

在一些实施例中，上述控制单元13还用于在监测到一个或多个内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送读指令；接收处理器响应于上述读指令发送的第一反馈信息，该第一反馈信息包括该一个或多个分区中的数据和第一识别信息；根据上述第一识别信息判断读指令是否执行正常，若是，则根据该一个或多个内存映射区的读取周期，确定该一个或多个内存映射区中每个内存映射区下一个读取周期的开始时间；若否，则进行流程产生的错误类型的排查。

在一些实施例中，上述控制单元13还用于根据该一个或多个内存映射区的读取周期，确定该一个或多个内存映射区中每个内存映射区下一个读取周期的开始时间；在该一个或多个内存映射区中每个内存映射区下一个读取周期的开始时间，分别将该一个或多个分区中每个分区的数据存入该一个或多个内存映射区中与之对应的内存映射区中。这样，可以实现每经过一定的时间间隔进行一次读取。

在一些实施例中，上述控制单元13还用于对于该一个或多个分区中每个分区，确定其对应的内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位对应的映射地址，将该映射地址对应的数据地址中的数据存入该映射地址中。这样，可以根据所确定的映射地址，实现对应的数据地址中的数据的读取。

在一些实施例中，上述控制单元13还用于在监测到一个或多个内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个内存映射区对应的一个或多个分区发送写指令；对于该一个或多个内存映射区中每个内存映射区，确定其写标识中被设置为进行写入的写标识位对应的映射地址；将该映射地址的数据写入与该映射地址对应的数据地址中；接收处理器响应于写指令发送的第二反馈信息，该第二反馈信息包括第二识别信息；根据第二识别信息判断写指令是否执行正常；若是，则将该一个或多个内存映射区的写标识中被设置为进行写入的写标识位重新设置为不进行写入；若否，则进行流程产生的错误类型的排查。

在一些实施例中，上述处理器可以为用于获取半导体加工设备的控制部件状况的PLC。例如，如图4所示，上述的控制装置可以是上位机1和/或下位机2，半导体加工设备包括工艺腔室，该工艺腔室的主单元PLC3用于收集来自工艺腔室的诸如控制阀、MFC、真空泵、加热器等的控制部件反馈的模拟信号或者数字信号，并发送至下位机2，当然，在实际应用中，也可以由下位机2直接获取上述控制部件反馈的信号。主单元PLC3包括但不限于：电源单元、CPU单元、I/O控制单元、网络单元、DN单元、IO单元和NC单元。另外，半导体加工设备还包括扩展单元、串口设备以及其他与下位机通讯的设备。

在实际应用中，上述处理器还可以是与控制装置进行数据通讯的其他处理器。

综上所述，本发明实施例提供的半导体加工设备的控制装置，可以只对读标识被设置为进行读取或者写标识被设置为进行写入的内存映射区对应的分区进行读取或者写入，从而可以使每次所读写的数据中仅包含本次需求内的数据，而不存在冗余数据，进而可以有效避免冗余数据的读写，减少不必要的通信压力，从而可以提高读写执行效率，减少不必要的CPU和内存消耗。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种数据读写方法，应用于半导体加工设备，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将处理器的内存数据区划分为多个分区；

S2、建立与所述多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个所述内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

S3、实时监测各所述内存映射区的读标识和写标识；

S4、在监测到一个或多个所述内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送读指令，根据该一个或多个所述内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中；

S5、在监测到一个或多个所述内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送写指令，将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中。

2.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，一所述分区包含至少一个数据地址，与该分区对应的所述内存映射区包含至少一个映射地址，所述至少一个数据地址与所述至少一个映射地址一一对应，所述读标识包含至少一个读标识位，所述至少一个读标识位与所述至少一个映射地址一一对应，所述写标识包含至少一个写标识位，所述至少一个写标识位与所述至少一个映射地址一一对应；

所述读标识中包含至少一个被设置为进行读取的读标识位时，所述读标识被设置为进行读取；

所述写标识中包含至少一个被设置为进行写入的写标识位时，所述写标识被设置为进行写入。

3.根据权利要求2所述的数据读写方法，其特征在于，所述步骤S2，还包括：

将所述读标识中的读标识位均设置为不进行读取，将所述写标识中的写标识位均设置为不进行写入；

所述步骤S4，还包括：

将该一个或多个所述内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位重新设置为不进行读取；

所述步骤S5，还包括：

将该一个或多个所述内存映射区的写标识中被设置为进行写入的写标识位重新设置为不进行写入。

4.根据权利要求2所述的数据读写方法，其特征在于，所述根据该一个或多个所述内存映射区的各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中，包括：

根据该一个或多个所述内存映射区的读取周期，确定该一个或多个所述内存映射区中每个所述内存映射区下一个读取周期的开始时间；

在该一个或多个所述内存映射区中每个所述内存映射区下一个读取周期的开始时间，分别将该一个或多个所述分区中每个所述分区的数据存入该一个或多个所述内存映射区中与之对应的所述内存映射区中。

5.根据权利要求4所述的数据读写方法，其特征在于，所述分别将该一个或多个所述分区中每个所述分区的数据存入该一个或多个所述内存映射区中与之对应的所述内存映射区中，包括：

对于该一个或多个所述分区中每个所述分区，确定其对应的所述内存映射区的读标识中被设置为进行读取的读标识位对应的映射地址，将该映射地址对应的数据地址中的数据存入该映射地址中。

6.根据权利要求2所述的数据读写方法，其特征在于，所述将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中，包括：

对于该一个或多个所述内存映射区中每个所述内存映射区，确定其写标识中被设置为进行写入的写标识位对应的映射地址，将该映射地址的数据写入与该映射地址对应的数据地址中。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的数据读写方法，其特征在于，在所述根据该一个或多个所述内存映射区的各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中之前，所述步骤S4还包括：

接收所述处理器响应于所述读指令发送的第一反馈信息，所述第一反馈信息包括该一个或多个所述分区中的数据和第一识别信息；

根据所述第一识别信息判断所述读指令是否执行正常，若是，则执行所述根据该一个或多个所述内存映射区的各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中的步骤。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的数据读写方法，其特征在于，在所述将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中之后，所述步骤S5还包括：

接收所述处理器响应于所述写指令发送的第二反馈信息，所述第二反馈信息包括第二识别信息；

根据所述第二识别信息判断所述写指令是否正常执行，若是，则继续实时监测各所述内存映射的写标识。

9.根据权利要求1-6任意一项所述的数据读写方法，其特征在于，在所述步骤S3中，采用独立的读线程实时监测各所述内存映射区的读标识，采用独立的写线程实时监测各所述内存映射区的写标识；在所述步骤S4中，采用所述读线程发送所述读指令，将所述分区中的数据存入所述内存映射区中；在所述步骤S5中，采用所述写线程发送所述写指令，将所述内存映射区中的数据写入所述分区中。

10.一种半导体加工设备的控制装置，其特征在于，包括：

分区单元，用于将处理器的内存数据区划分为多个分区，并建立与所述多个分区一一对应的多个内存映射区，为每个所述内存映射区设置读标识、写标识及读取周期；

监测单元，用于实时监测各所述内存映射区的读标识和写标识；以及

控制单元，用于在所述监测单元监测到一个或多个所述内存映射区的读标识被设置为进行读取时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送读指令，根据该一个或多个所述内存映射区各自的读取周期，将该一个或多个所述分区中的数据对应地存入该一个或多个所述内存映射区中；在监测单元监测到一个或多个所述内存映射区的写标识被设置为进行写入时，向该一个或多个所述内存映射区对应的一个或多个所述分区发送写指令，将该一个或多个所述内存映射区中的数据对应地写入该一个或多个所述分区中。

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