CN112599550A - 基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机 - Google Patents
基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112599550A CN112599550A CN202011487985.7A CN202011487985A CN112599550A CN 112599550 A CN112599550 A CN 112599550A CN 202011487985 A CN202011487985 A CN 202011487985A CN 112599550 A CN112599550 A CN 112599550A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conversion
- ultraviolet
- solar
- visible light
- blind ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 21
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 8
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 claims description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 229910003366 β-NaYF4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 201000004569 Blindness Diseases 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机。所述日盲紫外探测器通过采用热蒸发法镀膜技术，将粉末状下转换纳米材料在可见光CCD芯片感光面形成一层均匀纳米薄膜，实现直接耦合，通过纳米薄膜吸收日盲段紫外光发射可见光的特性，从而实现高效的紫外光探测，有效解决天基紫外预警探测器面阵小、量子效率低的问题。
Description
技术领域
本发明属于天基紫外预警领域，涉及基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机。
背景技术
紫外预警是天基预警的重要发展方向，相对红外预警具有虚警率和误警率低、无需制冷、系统简单、可有效抵抗激光武器致盲等优势。紫外探测器作为紫外预警系统中不可缺少器件，它的发展主要经历了三个阶段：第一阶段以紫外光电倍增管为代表，第二阶段为Si基紫外探测器，第三阶段为宽禁带半导体材料。受限于技术成熟度与使用条件，目前天基紫外预警并无有效的紫外探测器件，所用探测器均为光电倍增管形式，工作条件是真空、高压。常用的典型结构如图1所示，主要由入射窗、光电阴极、微通道板MCP、荧光屏、耦合光纤、可见光CMOS共6个部分组成。基本工作原理为：从入射窗入射的光子照射到光电阴极上，按一定的量子转换效率转化为光电子，在加速电场的作用下光电子进入MCP进行倍增，然后聚焦到荧光屏激发出可见光，通过光纤光锥将图像耦合到可见光CMOS上，最后由电子线路读出，完成从入射光到电子图像的转换。
上述探测器组件的优点是稳定性好、响应速度快，暗电流低、电流增益高。但这种探测器组件体积大、功耗大、价格高，必须使用光学窗口材料和滤光片，且量子效率只有10％-20％。
发明内容
本发明解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机，解决天基紫外预警无有效探测器面阵小、量子效率低的问题。
本发明解决技术的方案是：一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，该紫外探测器包括可见光CCD、下转换纳米材料薄膜，下转换纳米材料薄膜沉积在可见光CCD感光面上；
下转换纳米材料，用于实现日盲紫外谱段到可见光谱段的转换；
可见光CCD，为响应谱段为可见光谱段的探测器件，用于响应可见光，输出与可见光强度相对应的电流信号。
所述下转换纳米材料为稀土掺杂氟化物纳米材料。
所述下转换材料以Ce3+作为敏化剂，Tb3+作为发光离子，β-NaYF4为基体，三者按照1:2:4的离子浓度比例，利用溶剂热法进行纳米合成。
所述下转换材料薄膜具有宽带激发，窄带发射特性，激发波长范围为215nm～275nm，峰值在248nm；发射波长有四个峰值分别为485nm，542nm，581nm和621nm。
所述下转换材料薄膜的厚度取值范围是30nm到800nm。
所述下转换材料薄膜通过热蒸发法的方式沉积在可见光CCD感光面。
本发明提供的另一个技术方案是：上述基于下转换发光的日盲紫外探测器的制备方法，包括如下步骤：
S1、拆除可见光CCD的感光面窗口，可见光CCD器件的感光面裸露在外面；
S2、将拆除感光面窗口的可见光CCD和下转换材料放置在真空舱内，下转换材料放置在蒸发舟上，可见光CCD放置的蒸发舟上方，感光面朝下；
S3、采用电阻式蒸发原理，利用电流在蒸发舟上加热下转换材料，使其熔化蒸发，从而在探测器芯片表面上沉积下转换材料薄膜，实现材料和探测器的直接耦合。
所述步骤S3中控制电流大小为100A±0.5A，保持蒸发速率为1埃/秒到1.5埃/秒之间。
本发明提供的又一个技术方案是：一种日盲紫外探测相机，该相机包括权利要求1所述的日盲紫外探测器、紫外镜头和紫外滤光片；进入紫外镜头的紫外光经过紫外滤光片，紫外滤光片将可见光及近紫外光滤除，使得到达日盲紫外探测器薄膜表面的紫外光集中在日盲谱段。
本发明与现有技术相比的有益效果是：
(1)、本发明采用下转换纳米材料实现日盲紫外谱段到可见光谱段的转换，再通过材料与可见光CCD的直接耦合，扩大了现有紫外探测器的感应面积，提高了量子效率。
(2)、本发明纳米材料为稀土掺杂氟化物纳米材料，属于无机物，具有窄带吸收、窄带发射、极高的光转换效率，优异的物理、化学稳定性及光稳定性，低生物毒性等特点。
(3)、本发明下转换纳米材料以Ce3+离子作为敏化剂、Tb3+作为发光离子，β-NaYF4为基体、利用溶剂热法进行纳米合成，Ce3+吸收紫外光子，然后将能量传递给Tb3+离子，Tb3+离子发生辐射跃迁，从而实现高效的下转换(转移)发光现象。
(4)、本发明基于下转换发光的日盲紫外探测器的制备方法通过调节所加电流大小，可方便控制镀膜材料的蒸发速率，保证膜层表面均匀光滑；
(5)、本发明提供的日盲紫外谱段相机增加了高性能紫外滤光片，满足到达探测器薄膜表面的紫外光集中在日盲谱段，以减少其他谱段光对成像的影响。
附图说明
图1为本发明实施例微通道电子倍增探测器示意图；
图2为本发明实施例稀土掺杂氟化物纳米材料发光原理示意图；
图3为本发明实施例下转换纳米材料吸收与发射谱段图示；
图4本发明实施例热蒸发镀膜示意图；
图5本发明实施例镀膜CCD相机反射式测量光路示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步阐述。
本发明提供了一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，该日盲紫外探测器包括可见光CCD、下转换纳米材料薄膜，下转换纳米材料薄膜沉积在可见光CCD感光面上。各部分特点在于：
下转换纳米材料，用于实现日盲紫外谱段到可见光谱段的转换；
可见光CCD，为响应谱段为可见光谱段的探测器件，用于响应可见光，输出与可见光强度相对应的电流信号，实现对日盲紫外谱段的有效探测。
所述下转换纳米材料为稀土掺杂氟化物纳米材料。属于无机物，具有窄带吸收、窄带发射、极高的光转换效率，优异的物理、化学稳定性及光稳定性，低生物毒性等特点。
所述下转换纳米材料以Ce3+作为敏化剂，Tb3+作为发光离子，β-NaYF4为基体，三者按照1:2:4的离子浓度比例，利用溶剂热法进行纳米合成。Ce3+吸收紫外光子，然后将能量传递给Tb3+离子，Tb3+离子发生辐射跃迁，从而实现高效的下转换(转移)发光现象，发光颜色为绿光。如图2所示。
所述下转换纳米材料薄膜具有宽带激发，窄带发射特性，激发波长范围为215nm～275nm，峰值在248nm；发射波长有四个峰值分别为485nm，542nm，581nm和621nm，如图3所示。
可见光CCD指响应谱段为可见光谱段的探测器件，其基本组成单元是MOS电容器。当可见光子入射时，会在MOS电容器的半导体材料中激发出电子，电子积累在MOS电容器等待转移读出。读出电压通过对半导体材料的栅极电压进行预设顺序的操作，可以将电荷顺序传递，最后在输出级输出。
所述下转换纳米材料薄膜的厚度取值范围是30nm到800nm。
所述下转换纳米材料薄膜通过热蒸发法的方式沉积在可见光CCD感光面，即在高真空下，采用电阻式蒸发原理，利用大电流在蒸发舟上加热所蒸镀的下转换纳米材料，使其在高温下熔化蒸发，从而在探测器芯片表面上沉积下转换纳米材料薄膜，实现材料和探测器的直接耦合。
上述探测器采用下转换纳米材料通过热蒸发法镀膜技术，在可见光CCD芯片感光面形成一层均匀纳米薄膜，实现直接耦合，通过纳米薄膜吸收日盲段紫外光发射可见光的特性，从而实现高效的紫外光探测。
本发明还提供了一种日盲紫外探测相机，该相机包括上述日盲紫外探测器、紫外镜头和紫外滤光片；进入紫外镜头的紫外光经过紫外滤光片，紫外滤光片将可见光及近紫外光滤除，使得到达日盲紫外探测器薄膜表面的紫外光集中在日盲谱段。最终可实现215nm-275nm紫外谱段的探测，要求在光学系统中增加高性能紫外滤光片，满足到达探测器薄膜表面的紫外光集中在日盲谱段，以减少其他谱段光对成像的影响。
上述基于下转换发光的日盲紫外探测器的制备方法，包括如下步骤：
S1、拆除可见光CCD的感光面窗口，可见光CCD器件的感光面裸露在外面；
S2、将拆除感光面窗口的可见光CCD和下转换纳米材料放置在真空舱内，真空度为1×10-5Pa。下转换纳米材料放置在蒸发舟上，可见光CCD放置的蒸发舟上方，感光面朝下；
S3、采用电阻式蒸发原理，利用电流在蒸发舟上加热下转换纳米材料，使其熔化蒸发，从而在探测器芯片表面上沉积下转换纳米材料薄膜，实现材料和探测器的直接耦合。
通过调节所加电流大小，可方便控制镀膜材料的蒸发速率。本发明中为保证膜层表面均匀光滑，所述步骤S3中控制电流大小为100A±0.5A，保持蒸发速率为1埃/秒到1.5埃/秒之间。
实施例1：
本发明某一具体实施例将高效的下转换纳米材料与可见光CCD通过热蒸发的方式进行耦合，如图4所示，其中下转换纳米材料具有宽带激发，窄带发射特性，激发波长范围为215nm～275nm，峰值在248nm；发射波长有四个峰值分别为485nm，542nm，581nm和621nm。拆除可见光CCD的感光面窗口，可见光CCD器件的感光面裸露在外面，使纳米材料薄膜与CCD感光面可直接接触。热蒸发过程中，真空度保持为1×10-5Pa，通过控制电流大小始终处于100A±0.5A，进而保持蒸发速率为1埃/秒到1.5埃/秒之间，以此条件进行100分钟热蒸发镀膜，可完成600nm膜层厚度。
将镀膜CCD器件安装在可见光相机上，换紫外镜头并在光学系统中增加高性能紫外滤光片，将绝大部分可见光及近紫外光滤除，满足到达探测器薄膜表面的紫外光集中在日盲谱段，以减少其他谱段光对成像的影响，实现215nm-275nm紫外谱段的探测。如图5所示，使用中心波长250nm、功率为35mW紫外LED阵列灯照射靶标，通过新型紫外CCD相机拍摄靶标反射紫外光成像，可定性验证基于下转换发光的新型紫外探测器性能。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (9)
1.一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，其特征在于包括可见光CCD、下转换纳米材料薄膜，下转换纳米材料薄膜沉积在可见光CCD感光面上；
下转换纳米材料，用于实现日盲紫外谱段到可见光谱段的转换；
可见光CCD，为响应谱段为可见光谱段的探测器件，用于响应可见光，输出与可见光强度相对应的电流信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，其特征在于所述下转换纳米材料为稀土掺杂氟化物纳米材料。
3.根据权利要求2所述的一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，其特征在于所述下转换材料以Ce3+作为敏化剂，Tb3+作为发光离子，β-NaYF4为基体，三者按照1:2:4的离子浓度比例，利用溶剂热法进行纳米合成。
4.根据权利要求1所述的一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，其特征在于所述下转换材料薄膜具有宽带激发，窄带发射特性，激发波长范围为215nm～275nm，峰值在248nm；发射波长有四个峰值分别为485nm，542nm，581nm和621nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，其特征在于所述下转换材料薄膜的厚度取值范围是30nm到800nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于下转换发光的日盲紫外探测器，其特征在于所述下转换材料薄膜通过热蒸发法的方式沉积在可见光CCD感光面。
7.权利要求1所述基于下转换发光的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
S1、拆除可见光CCD的感光面窗口，可见光CCD器件的感光面裸露在外面；
S2、将拆除感光面窗口的可见光CCD和下转换材料放置在真空舱内，下转换材料放置在蒸发舟上，可见光CCD放置的蒸发舟上方，感光面朝下；
S3、采用电阻式蒸发原理，利用电流在蒸发舟上加热下转换材料，使其熔化蒸发，从而在探测器芯片表面上沉积下转换材料薄膜，实现材料和探测器的直接耦合。
8.权利要求7所述基于下转换发光的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于所述步骤S3中控制电流大小为100A±0.5A，保持蒸发速率为1埃/秒到1.5埃/秒之间。
9.一种日盲紫外探测相机，其特征在于包括权利要求1所述的日盲紫外探测器、紫外镜头和紫外滤光片；进入紫外镜头的紫外光经过紫外滤光片，紫外滤光片将可见光及近紫外光滤除，使得到达日盲紫外探测器薄膜表面的紫外光集中在日盲谱段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011487985.7A CN112599550A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011487985.7A CN112599550A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112599550A true CN112599550A (zh) | 2021-04-02 |
Family
ID=75196410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011487985.7A Pending CN112599550A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112599550A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220173149A1 (en) * | 2020-12-02 | 2022-06-02 | Star Tech Instruments, Inc. | Beam imaging and profiling device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150014627A1 (en) * | 2006-11-07 | 2015-01-15 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
| CN106549076A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-03-29 | 北京理工大学 | 一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器 |
| CN109111914A (zh) * | 2018-07-25 | 2019-01-01 | 合肥工业大学 | 一种稀土配合物紫外增强薄膜 |
-
2020
- 2020-12-16 CN CN202011487985.7A patent/CN112599550A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150014627A1 (en) * | 2006-11-07 | 2015-01-15 | Cbrite Inc. | Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication |
| CN106549076A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-03-29 | 北京理工大学 | 一种量子点发光薄膜增强紫外成像探测器 |
| CN109111914A (zh) * | 2018-07-25 | 2019-01-01 | 合肥工业大学 | 一种稀土配合物紫外增强薄膜 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220173149A1 (en) * | 2020-12-02 | 2022-06-02 | Star Tech Instruments, Inc. | Beam imaging and profiling device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69726080T2 (de) | Photokathode und solche Kathode enthaltende Elektronenröhre | |
| JP5628315B2 (ja) | カットオフ波長を有する低エネルギー携帯性微弱光用カメラ | |
| CN108123008B (zh) | 一种基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法 | |
| EP1199886B1 (en) | Infrared camera with phosphor coated CCD | |
| CN108489605B (zh) | 日盲紫外光探测装置 | |
| ITRM950073A1 (it) | Rivelatore di radiazione ultravioletta in film sottile, con opzione di elevata selettivita' spettrale. | |
| US6998635B2 (en) | Tuned bandwidth photocathode for transmission negative electron affinity devices | |
| CN112599550A (zh) | 基于下转换发光的日盲紫外探测器、制备方法和探测相机 | |
| US20020093288A1 (en) | Imaging apparatus | |
| US6674063B2 (en) | Photosensor with a photocathode in reflective mode | |
| JP2001228254A (ja) | アルカリハロゲン化物シンチレータを有するフラットｘ線検出器 | |
| US4891507A (en) | Apparatus for extending the infrared response of photocathodes | |
| US5012098A (en) | Photomultiplier with infrared sensitivity | |
| Costello et al. | Imaging GaAs vacuum photodiode with 40% quantum efficiency at 530 nm | |
| FR2492159A1 (fr) | Ecran convertisseur de neutrons, intensificateur d'images comprenant un tel ecran | |
| Bosch | Dynamic uses of image intensifiers | |
| CN108254349B (zh) | 像增强型全光固体超快成像探测器 | |
| Xu et al. | Development of cesium telluride photocathodes for image intensifers | |
| GB2214382A (en) | Infra-red image detector systems | |
| Hou et al. | Palladium–silver–oxygen–cesium photocathode | |
| Kume | Optical detectors and receivers | |
| Colarusso et al. | [16] Imaging at low light levels with cooled and intensified charge-coupled device cameras | |
| CN116581134A (zh) | 基于荧光下转换材料Alq3的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法 | |
| Bhatia et al. | Photoelectronic Device Development and Related Research at BARC | |
| Balch | Image intensification for high speed videography |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |