CN112599466B - 一种转移基板及其制作方法、转移方法 - Google Patents

一种转移基板及其制作方法、转移方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112599466B
CN112599466B CN202011446534.9A CN202011446534A CN112599466B CN 112599466 B CN112599466 B CN 112599466B CN 202011446534 A CN202011446534 A CN 202011446534A CN 112599466 B CN112599466 B CN 112599466B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
wafer
circuit layer
flexible
flexible electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011446534.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112599466A (zh
Inventor
李晓虎
张明辉
崔晓鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202011446534.9A priority Critical patent/CN112599466B/zh
Publication of CN112599466A publication Critical patent/CN112599466A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112599466B publication Critical patent/CN112599466B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本说明书一个或多个实施例提供一种转移基板及其制作方法、转移方法。所述转移基板，包括：依次层叠设置的第一柔性电极层、介电弹性体层、第二柔性电极层和柔性电路层；所述柔性电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面上设置有阵列排布的晶片电极；所述晶片电极用于拾取微发光二极管晶片；所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层，用于向所述介电弹性体层施加电场；所述介电弹性体层，用于在所述电场作用下带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距。本公开的方案能够简单、高效的实现在转移过程中扩大微发光二极管晶片间距的效果。

Description

一种转移基板及其制作方法、转移方法
技术领域
本说明书一个或多个实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种转移基板及其制作方法、转移方法。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点，因而被视为下一代显示技术。
在相关技术中，微发光二极管晶片只能通过在晶圆衬底上外延生长制备，然后通过转移基板将几万至几十万个微发光二极管晶片转移到目标基板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移(MassTransfer)”。然而，如何将微发光二极管晶片进行高效的转移，特别是如何在转移中简单高效的控制转移微发光二极管晶片的间距，是一项亟待解决的技术难题。
发明内容
有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种转移基板及其制作方法、转移方法。
基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种转移基板，包括：依次层叠设置的第一柔性电极层、介电弹性体层、第二柔性电极层和柔性电路层；
所述柔性电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面上设置有阵列排布的晶片电极；所述晶片电极用于拾取微发光二极管晶片；
所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层，用于向所述介电弹性体层施加电场；
所述介电弹性体层，用于在所述电场作用下带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距。
在一些实施方式中，所述柔性电路层，包括：在靠近所述第二柔性电极层到远离所述第二柔性电极层的方向上依次层叠设置的弹性层和封装电路层；
所述弹性层，用于随所述介电弹性体层一起带动所述封装电路层伸展；
所述封装电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面设置所述晶片电极；所述封装电路层内设置有金属导线；所述金属导线与所述晶片电极相连，用于控制所述晶片电极的通电状态以执行拾取动作；
在非伸展状态下，所述弹性层和所述封装电路层呈褶皱结构，所述金属导线沿所述封装电路层的褶皱延伸。
基于同一发明构思，本说明书一个或多个实施例还提供了一种使用如上任意一项所述的转移基板的转移方法，包括：
将所述转移基板与晶圆衬底对位，并控制所述晶片电极拾取所述晶圆衬底上的微发光二极管晶片；
将所述转移基板与目标基板对位；
通过所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层向所述介电弹性体层施加电场，所述介电弹性体层带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距，并相应增大所述微发光二极管晶片的间距；
使所述转移基板靠近所述目标基板，令使所述微发光二极管晶片与所述目标基板上的晶片焊点接触，并控制所述晶片电极释放所述微发光二极管晶片，以完成所述微发光二极管晶片的转移。
基于同一发明构思，本说明书一个或多个实施例还提供了转移基板的制作方法，包括：
提供一第一柔性电极层；
在所述第一柔性电极层上依次层叠设置介电弹性体层、第二柔性电极层和柔性电路层；
其中，所述柔性电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面上设置有阵列排布的晶片电极；所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层用于向所述介电弹性体层施加电场；所述介电弹性体层用于在所述电场作用下带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距。
在一些实施方式中，所述柔性电路层通过以下步骤制作：
提供一塑料薄膜，并在所述塑料薄膜内封装金属导线，以形成封装电路层；
提供一弹性层，并对所述弹性层持续施加拉伸力，使所述弹性层保持伸展状态；
将所述封装电路层层叠设置于所述弹性层，并在所述封装电路层远离所述弹性层一侧的表面设置晶片电极；所述晶片电极与所述金属导线相连；
解除所述拉伸力，所述弹性层带动所述封装电路层收缩，使所述封装电路层呈褶皱结构，以得到所述柔性电路层。
从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的转移基板及其制作方法、转移方法，基于介电弹性体在电场作用下发生伸展的物理性质，通过第一柔性电极层、第二柔性电极层提供电场，并使其间的介电弹性体层在电场作用下带动柔性电路层伸展，从而使得柔性电路层上设置的用于拾取微发光二极管晶片的晶片电极的间距增大，进而在转移过程中扩大微发光二极管晶片的间距。本公开的方案能够简单、高效的实现在转移过程中扩大微发光二极管晶片间距的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本说明书一个或多个实施例的转移基板结构示意图；
图2为本说明书一个或多个实施例中介电弹性体层未施加电场的状态示意图；
图3为本说明书一个或多个实施例中介电弹性体层施加电场的状态示意图；
图4为本说明书一个或多个实施例中封装电路层的局部截面结构示意图；
图5为本说明书一个或多个实施例的转移方法流程图；
图6为本说明书一个或多个实施例中转移基板与目标基板的转移过程示意图；
图7为本说明书一个或多个实施例中柔性电路层的制作方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
需要说明的是，除非另外定义，本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
如背景技术部分所述，基于Micro LED的诸多优点，其越来越多地被用到各种显示场合，如：微型投影(如虚拟现实设备)、小屏显示(如智能可穿戴设备)、中大屏显示(如电视)、超大屏显示(如户外显示屏)等。由于Micro-LED尺寸微小，要实现上述用途中的一块超高分辨率的Micro-LED显示屏，便需对百万或千万片微米级尺寸的微发光二极管晶片进行排列组装(即巨量转移)。而巨量转移过程中，要求从晶圆衬底上精准抓取微米级大小的微发光二极管晶片，扩大阵列距离，并妥善安放、固定到目标衬底(如显示器背板)上，其巨大的制造成本消耗及超精密加工的技术要求极大制约了Micro-LED的产业化。
针对上述相关技术存在的技术问题，本说明书一个或多个实施例提供了一种转移基板及其制作方法、转移方法，基于介电弹性体在电场作用下发生伸展的物理性质，通过第一柔性电极层、第二柔性电极层提供电场，并使其间的介电弹性体层在电场作用下带动柔性电路层伸展，从而使得柔性电路层上设置的用于拾取微发光二极管晶片的晶片电极的间距增大，进而在转移过程中扩大微发光二极管晶片的间距。本公开的方案能够简单、高效的实现在转移过程中扩大微发光二极管晶片间距的效果。
以下，通过具体的实施例进一步详细说明本公开的技术方案。
首先，本说明书一个或多个实施例提供了一种转移基板。参考图1，所述的转移基板10，包括：依次层叠设置的第一柔性电极层101、介电弹性体层102、第二柔性电极层103和柔性电路层104。
其中，介电弹性体层102由介电弹性体材料制成，其具体可以选用硅橡胶、丙烯酸树脂、聚氨酯等。
介电弹性体材料在外部电场的作用下能够发生形变。具体的，介电弹性体材料在施加外加电场时，会沿电场线方向发生收缩，并在垂直电场线的平面内发生伸展。外加电场作用下，介电弹性体材料在电场线方向收缩量可以表示为：Sz＝-ε0εrE2/Y；其中，SZ为收缩量，ε0为真空介电常数，εr为介电弹性体材料的相对介电常数，E为外加电场的电场强度，Y为介电弹性体材料的杨氏模量。而由于介电弹性体材料是不可压缩的，故其垂直电场线方向的伸展量与沿电场线方向的收缩量相关，且在具体的介电弹性体材料选定后，该伸展量、收缩量均只与外加电场的电场强度相关。因此，可以将外加电场的电场强度与垂直电场线平面内的伸展量构建对应关系。
基于上述发现，在本实施例中，将第一柔性电极层101、介电弹性体层102、第二柔性电极层103依次层叠设置，通过第一柔性电极层101和第二柔性电极层103向介电弹性体层102施加沿其层叠设置方向上的电场，在该电场的作用下，介电弹性体层102即会在垂直于其层叠设置方向上发生伸展。图2和图3分别示出了介电弹性体层102在未施加电场和施加电场时的结构状态。相应的，第一柔性电极层101和第二柔性电极层103均为柔性材料制成，其均能够随着介电弹性体层102一起发生伸展。此外，设置有晶片电极105的柔性电路层104层叠设置于第二柔性电极层103，在介电弹性体层102的带动下，柔性电路层104也会相应的随之一起伸展。随着柔性电路层104的伸展，其上设置的晶片电极105的间距也相应的增大。在进行转移时，晶片电极105通电后产生静电力，基于该静电力即可拾取起提前进行表面电荷化处理的微发光二极管晶片001；随着晶片电极105的间距增大，则其上拾取起的微发光二极管晶片001的间距也相应的增大，从而实现在转移过程中扩大微发光二极管晶片001的间距的技术效果。
其中，由于介电弹性体层102的伸展量大小与第一柔性电极层101和第二柔性电极层103为其施加的电场的场强大小具有前述分析中所述的对应关系，则通过控制第一柔性电极层101和第二柔性电极层103施加的场强大小，即可相应的具体控制晶片电极105需要被扩大到的间距，进而实现微发光二极管晶片001的间距控制。
其中，为实现第一柔性电极层101、介电弹性体层102、第二柔性电极层103和柔性电路层104的统一伸展动作，方便制作和转移中的控制，上述各个层级结构以在其层叠设置的方向上投影重合的方式设置。显然，根据具体的实施需要，上述各个层级结构也可以选择投影部分重合的设置方式，可以理解的是，投影部分重合的设置方式并不影响本实施例的技术效果的实现。
本实施例中，所述的第一柔性电极层101、介电弹性体层102、第二柔性电极层103和柔性电路层104，其可以在一个衬底基板上，通过多次构图工艺依次形成其层叠设置结构；上述各个层级结构，也可以是分别单独制作得到，并后续通过贴合工艺组装形成其层叠设置结构。此外，上述各个层级结构，其具体所选用的材质，可以根据实施需要而相应选取，本实施例中不做具体限定。
由上述实施例可见，所述的转移基板基于介电弹性体在电场作用下发生伸展的物理性质，通过第一柔性电极层、第二柔性电极层提供电场，并使其间的介电弹性体层在电场作用下带动柔性电路层伸展，从而使得柔性电路层上设置的用于拾取微发光二极管晶片的晶片电极的间距增大，进而在转移过程中扩大微发光二极管晶片的间距。
作为一个可选的实施例，提供了一种更加具体的柔性电路层的结构实现。在柔性电路层内，一般会通过金属导线连接晶片电极，并控制晶片电极的通电状态。在本实施例中的转移基板中，由于柔性电路层会随着介电弹性体层一起伸展，则柔性电路层内的金属导线也会相应伸展拉长。由于金属导线会设计的较细，则在其伸展拉长的过程中，容易出现断线的不良情况。针对上述可能出现的问题，本实施例提供了一种所述转移基板中的柔性电路层的具体结构实现，能够防止金属导线在随柔性电路层伸展时发生断线。
具体的，参考图1和图4，本实施例中，所述的柔性电路层104，包括：在靠近第二柔性电极层103到远离第二柔性电极层103的方向上依次层叠设置的弹性层1041和封装电路层1042。
本实施例中，弹性层1041由弹性材料制成，例如可以选用聚二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、聚氨酯等，其作用是将封装电路层1042与第二柔性电极层103相连，并且能够在介电弹性体层102在电场作用下发生伸展时，使得弹性层1041自身以及封装电路层1042一起随第一柔性电极层101、介电弹性体层102和第二柔性电极层103发生伸展。
本实施例中，封装电路层1042则用于设置晶片电极105。封装电路层1042的主体结构可以通过塑料薄膜实现，并在其中封装与晶片电极105电连接的金属导线，通过外部信号的控制，可以实现对晶片电极105的拾取动作的控制。在结构上，封装电路层1042被构造为褶皱结构。参考图2，在未随介电弹性体层102一起伸展，也即处于非伸展状态下时，弹性层1041和封装电路层1042呈现褶皱结构，相应的，封装电路层1042中封装的金属导线即沿着封装电路层1042的褶皱延伸。以图2所示的封装电路层1042的截面结构为例，在非伸展状态下，封装电路层1042呈波浪形的褶皱结构，则其中封装的金属导线也相应在封装电路层1042内波浪形的延伸，呈弯曲状态。
当第一柔性电极层101和第二柔性电极层103施加电场，介电弹性体层102在电场作用下发生伸展时，封装电路层1042随之一起伸展并最终由褶皱结构转化为平坦结构，其中封装的金属导线则封装电路层1042一起伸展最终达到平坦延伸的状态。
可见，在本实施例中，当封装电路层1042发生伸展时，其中封装的金属导线仅仅是从弯曲状态变为平坦状态，金属导线的总长度并没有由于封装电路层1042的伸展而被拉长，其只是在总长度不变的前提下发生了形态的转变。而由于金属导线的总长度没有被拉长、也不存在被拉长的趋势，则其发生断线的可能也相应的非常低，这样就有效的避免了前述的断线的不良情况的发生，提升了转移基板的产品良率和使用寿命。
此外，需要说明的是，在一些实施方式中，当封装电路层1042随介电弹性体层102伸展，并完成扩大晶片电极105间距的效果后，也即处于伸展状态下时，弹性层1041和封装电路层1042并非一定要最终处于平坦状态，其仍可以具有一定的褶皱结构(褶皱的幅度相比非伸展状态下较小)，仍具有一定褶皱结构的最终结构并不会影响转移过程的正常实施。
基于同一发明构思，本说明书一个或多个实施例还提供了一种使用如上任意一实施例所述的转移基板的转移方法。参考图5，所述的转移方法，包括以下步骤：
步骤S501、将所述转移基板与晶圆衬底对位，并控制所述晶片电极拾取所述晶圆衬底上的微发光二极管晶片。
本步骤中，参考图6，转移基板10与晶圆衬底的对位，是指使得转移基板10上的晶片电极105对准晶圆衬底上在本次转移中待被转移的微发光二极管晶片001。并在控制转移基板10与晶圆衬底靠近后，通过晶片电极105将微发光二极管晶片001拾取。
具体的，在应用前述实施例中，柔性电路层104包括弹性层1041和封装电路层1042，且在非伸展状态下，封装电路层1042呈褶皱结构的实施例时，在控制转移基板10与晶圆衬底靠近后，通过金属导线控制晶片电极105通电，使晶片电极105产生静电力，通过晶片电极105与微发光二极管晶片001之间的静电力吸附，实现对微发光二极管晶片001的拾取。其中，为保证成功拾取，还可以对微发光二极管晶片001预先进行表面电荷化处理。
步骤S502、将所述转移基板与目标基板对位。
本步骤中，参考图6，将转移基板10与目标基板20的对位，是二者整体上的位置对应。此时，转移基板10上通过晶片电极105拾取起的微发光二极管晶片001，与目标基板20上的晶片焊点201的位置还未最终对应。
步骤S503、通过所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层向所述介电弹性体层施加电场，所述介电弹性体层带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距，并相应增大所述微发光二极管晶片的间距。
本步骤中，参考图6，在第一柔性电极层101和第二柔性电极层102施加的电场作用下，介电弹性体层102带动柔性电路层104伸展，柔性电路层104上的晶片电极105的间距相应扩大，进而晶片电极105上拾取的微发光二极管晶片001的间距也相应增大。通过对于上述电场大小的控制，可以准确控制微发光二极管晶片001的扩大到的间距，并使得扩大间距后的微发光二极管晶片001的位置，与目标基板20上的晶片焊点201的位置相对应。
其中，在应用前述实施例中，柔性电路层104包括弹性层1041和封装电路层1042，且在非伸展状态下，封装电路层1042呈褶皱结构的实施例时，弹性层1041随介电弹性体层102一起带动封装电路层1042伸展，以达到伸展状态；在伸展状态下，封装电路层1042呈平坦结构，其中封装的金属导线则平坦的延伸。
步骤S504、使所述转移基板靠近所述目标基板，令使所述微发光二极管晶片与所述目标基板上的晶片焊点接触，并控制所述晶片电极释放所述微发光二极管晶片，以完成所述微发光二极管晶片的转移。
本步骤中，参考图6中箭头方向所示，使转移基板10靠近目标基板20，最终使晶片电极105上拾取的微发光二极管晶片001与目标基板20上相应的晶片焊点201接触。在二者接触后，控制晶片电极105释放微发光二极管晶片001，即完成微发光二极管晶片001的转移。转移基板10可以移开进行下次转移。而在目标基板20上，通过后续的焊接、封装等处理，即完成目标基板20与目标基板20的绑定。
其中，在应用前述实施例中，柔性电路层104包括弹性层1041和封装电路层1042，且在非伸展状态下，封装电路层1042呈褶皱结构的实施例时，控制金属导线使晶片电极105下电，晶片电极105上的静电力消失，则能够实现释放微发光二极管晶片001的动作。
在一些可选的实施例中，在转移基板10靠近目标基板20后，进行微发光二极管晶片001的释放动作时，可以将转移基板10上拾取的微发光二极管晶片001进行分批次的释放，而非一次性全部释放。其中，在不同批次的的微发光二极管晶片001的释放过程中，还可以在不同批次之间，通过改变第一柔性电极层101和第二柔性电极层102所施加电场的大小，来进一步调整微发光二极管晶片001的间距。
上述实施例的转移方法，给出通过前述任一实施例的转移基板进行微发光二极管晶片转移的具体流程。其中涉及的所述转移基板所相应带来或实现的技术效果，可以参考前述转移基板的实施例的记载，本实施例中不再赘述。
基于同一发明构思，本说明书一个或多个实施例还提供了一种转移基板的制作方法。所述制作方法，包括以下步骤：
提供一第一柔性电极层；
在所述第一柔性电极层上依次层叠设置介电弹性体层、第二柔性电极层和柔性电路层；
其中，所述柔性电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面上设置有阵列排布的晶片电极；所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层用于向所述介电弹性体层施加电场；所述介电弹性体层用于在所述电场作用下带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距。
上述各层级结构，其可以在一个衬底基板上，通过多次构图工艺依次形成的，其也可以是分别单独制作得到，并后续通过贴合工艺组装形成的。
作为一个可选的实施例，所述的柔性电路层包括弹性层和封装电路层，且在非伸展状态下，封装电路层呈褶皱结构。
参考图7，上述结构的柔性电路层，通过以下步骤制作：
步骤S701、提供一塑料薄膜，并在所述塑料薄膜内封装金属导线，以形成封装电路层；
步骤S702、提供一弹性层，并对所述弹性层持续施加拉伸力，使所述弹性层保持伸展状态；
步骤S703、将所述封装电路层层叠设置于所述弹性层，并在所述封装电路层远离所述弹性层一侧的表面设置晶片电极；所述晶片电极与所述金属导线相连；
步骤S704、解除所述拉伸力，所述弹性层带动所述封装电路层收缩，使所述封装电路层呈褶皱结构，以得到所述柔性电路层。
其中，可以将弹性层在未施加拉伸力时的大小，设计为与其他各层级结构在非伸展状态下的大小均相同；相应的，通过对弹性层持续施加拉伸力的大小的控制，可以令在该拉伸力下，保持伸展状态的弹性层的大小，与在进行转移时发生伸展后的其他各层级结构的大小均相同。这样既可以使得制作得到的转移基板的各层级结构在其层叠设置的方向上投影重合，且在伸展状态下，封装电路层内的金属导线在由弯曲状态转化为平坦状态是，不会超出原设计的最大长度，从而实现防止断线的效果。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本公开的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本说明书一个或多个实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
本说明书一个或多个实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本说明书一个或多个实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种转移基板，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一柔性电极层、介电弹性体层、第二柔性电极层和柔性电路层；所述第一柔性电极层、所述介电弹性体层、所述第二柔性电极层和所述柔性电路层在层叠设置的方向上至少部分投影重合设置；
所述柔性电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面上设置有阵列排布的晶片电极；所述晶片电极用于拾取微发光二极管晶片；
所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层，用于向所述介电弹性体层施加电场；在分批次的释放微发光二极管晶片时，所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层还用于改变不同批次之间所施加电场的大小，来进一步调整微发光二极管晶片的间距；
所述介电弹性体层，用于在所述电场作用下带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距。
2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述柔性电路层，包括：在靠近所述第二柔性电极层到远离所述第二柔性电极层的方向上依次层叠设置的弹性层和封装电路层；
所述弹性层，用于随所述介电弹性体层一起带动所述封装电路层伸展；
所述封装电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面设置所述晶片电极；所述封装电路层内设置有金属导线；所述金属导线与所述晶片电极相连，用于控制所述晶片电极的通电状态以执行拾取动作；
在非伸展状态下，所述弹性层和所述封装电路层呈褶皱结构，所述金属导线沿所述封装电路层的褶皱延伸。
3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，在伸展状态下，所述封装电路层呈平坦结构，所述金属导线在所述封装电路层内平坦的延伸。
4.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述第一柔性电极层、所述介电弹性体层、所述第二柔性电极层和所述柔性电路层在其层叠设置的方向上投影重合。
5.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述介电弹性体层的材质为硅橡胶、丙烯酸树脂或聚氨酯。
6.一种使用如权利要求1至5任意一项所述的转移基板的转移方法，其特征在于，包括：
将所述转移基板与晶圆衬底对位，并控制所述晶片电极拾取所述晶圆衬底上的微发光二极管晶片；
将所述转移基板与目标基板对位；
通过所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层向所述介电弹性体层施加电场，所述介电弹性体层带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距，并相应增大所述微发光二极管晶片的间距；
使所述转移基板靠近所述目标基板，令使所述微发光二极管晶片与所述目标基板上的晶片焊点接触，并控制所述晶片电极释放所述微发光二极管晶片，以完成所述微发光二极管晶片的转移。
7.根据权利要求6所述的转移方法，其特征在于，所述柔性电路层，包括：在靠近所述第二柔性电极层到远离所述第二柔性电极层的方向上依次层叠设置的弹性层和封装电路层；所述封装电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面设置所述晶片电极；所述封装电路层内设置有金属导线；所述金属导线与所述晶片电极相连；在非伸展状态下，所述弹性层和所述封装电路层呈褶皱结构，所述金属导线沿所述封装电路层的褶皱延伸；
所述通过所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层向所述介电弹性体层施加电场，所述介电弹性体层带动所述柔性电路层伸展，具体包括：
所述弹性层随所述介电弹性体层一起带动所述封装电路层伸展，以达到伸展状态；在所述伸展状态下，所述封装电路层呈平坦结构，所述金属导线在所述封装电路层内平坦的延伸。
8.根据权利要求7所述的转移方法，其特征在于，所述控制所述晶片电极拾取所述晶圆衬底上的微发光二极管晶片，具体包括：
通过所述金属导线控制所述晶片电极通电，使所述晶片电极产生静电力以拾取所述微发光二极管晶片。
9.一种转移基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一第一柔性电极层；
在所述第一柔性电极层上依次层叠设置介电弹性体层、第二柔性电极层和柔性电路层；
其中，所述柔性电路层远离所述第二柔性电极层一侧的表面上设置有阵列排布的晶片电极；所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层用于向所述介电弹性体层施加电场；在分批次的释放微发光二极管晶片时，所述第一柔性电极层和所述第二柔性电极层还用于改变不同批次之间所施加电场的大小，来进一步调整微发光二极管晶片的间距；所述介电弹性体层用于在所述电场作用下带动所述柔性电路层伸展，以增大所述晶片电极的间距。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述柔性电路层通过以下步骤制作：
提供一塑料薄膜，并在所述塑料薄膜内封装金属导线，以形成封装电路层；
提供一弹性层，并对所述弹性层持续施加拉伸力，使所述弹性层保持伸展状态；
将所述封装电路层层叠设置于所述弹性层，并在所述封装电路层远离所述弹性层一侧的表面设置晶片电极；所述晶片电极与所述金属导线相连；
解除所述拉伸力，所述弹性层带动所述封装电路层收缩，使所述封装电路层呈褶皱结构，以得到所述柔性电路层。
CN202011446534.9A 2020-12-08 2020-12-08 一种转移基板及其制作方法、转移方法 Active CN112599466B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011446534.9A CN112599466B (zh) 2020-12-08 2020-12-08 一种转移基板及其制作方法、转移方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011446534.9A CN112599466B (zh) 2020-12-08 2020-12-08 一种转移基板及其制作方法、转移方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112599466A CN112599466A (zh) 2021-04-02
CN112599466B true CN112599466B (zh) 2023-02-10

Family

ID=75192961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011446534.9A Active CN112599466B (zh) 2020-12-08 2020-12-08 一种转移基板及其制作方法、转移方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112599466B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10937674B2 (en) * 2018-02-13 2021-03-02 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring micro device
CN108766951A (zh) * 2018-05-30 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板及制备方法、柔性电子装置
CN109950194B (zh) * 2019-04-11 2021-04-16 京东方科技集团股份有限公司 一种芯片转移基板和芯片转移方法
CN110739260B (zh) * 2019-10-25 2023-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种转移基板和转移方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112599466A (zh) 2021-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109950194B (zh) 一种芯片转移基板和芯片转移方法
CN109273459B (zh) 一种转移基板、制作方法及转移方法
US9894757B2 (en) Extremely stretchable electronics
US20190244846A1 (en) Transfer device
US9991423B2 (en) Micro assembled LED displays and lighting elements
CN109923676A (zh) 显示基板及其制备方法、显示控制方法
US20090173529A1 (en) Circuit structure and fabrication method thereof
CN109920334A (zh) 一种阵列基板及显示装置
KR20190122916A (ko) 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들
JP2017090933A (ja) 可撓性電子回路およびディスプレイ
EP3198679A2 (en) Compound micro-assembly strategies and devices
JP2007146799A (ja) アクチュエータおよびアクチュエータモジュール製造方法
EP3404732A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
KR101688165B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN113613379A (zh) 电子装置、电子组件及其制备方法
CN112599466B (zh) 一种转移基板及其制作方法、转移方法
CN110379937B (zh) 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置
CN111048608B (zh) 柔性可延展太阳能电池及其制造方法
US10573597B1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
US7638416B2 (en) Methods of making semiconductor-based electronic devices on a wire and articles that can be made using such devices
CN111969003A (zh) 微型发光二极管显示装置及其制造方法
CN219246301U (zh) 一种led装置及可拉伸及曲面电子产品
CN112269485B (zh) 一种显示面板及其制备方法
US11844175B2 (en) Stretchable substrate having improved stretch uniformity and method of manufacturing the same
CN114334939A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant