CN112599087A - 显示装置以及驱动显示装置的方法 - Google Patents

Abstract

本公开内容涉及显示装置和驱动显示装置的方法。根据本公开内容的实施方式，可以通过减少用于感测在至少一个子像素中设置的至少一个驱动晶体管的一个或更多个特征值的感测时间来改善显示装置的图像质量。此外，可以通过设置针对至少一个驱动晶体管的一个或更多个特征值的最小感测时间以及根据显示装置的可感测时间改变感测时间来执行对至少一个驱动晶体管的最佳感测和补偿。

Description

显示装置以及驱动显示装置的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0122498号的优先权权益，其公开内容整体通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及显示装置和驱动显示装置的方法。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求增加。近来，已经利用了各种类型的显示装置，例如液晶显示(LCD)装置、有机发光显示装置等。

在这些显示装置中，有机发光显示装置由于使用作为自发光元件的有机发光二极管而具有高响应速度并且在对比度、发光效率、亮度、视角等方面具有优势。

有机发光显示装置包括有机发光二极管，有机发光二极管被设置在显示面板中布置的多个子像素的每一个子像素中。这种有机发光显示装置能够以通过控制流过有机发光二极管的电流或施加到有机发光二极管的电压来使有机发光二极管发光的方式控制由每个子像素产生的亮度并显示图像。

在有机发光显示装置的情况下，在显示面板的每个子像素中设置有有机发光二极管和用于驱动该有机发光二极管的驱动晶体管。在这种情况下，每个驱动晶体管的特征值(例如阈值电压、迁移率等)可能因驱动晶体管的老化而改变，或者可能由于子像素之间的驱动时间差异而出现晶体管之间的特征值偏差。因此，可能出现子像素之间的亮度偏差(不均匀)，并且进而使图像质量劣化。

为了解决子像素之间的亮度偏差，在有机发光显示装置的情况下，已经提出了一种用于感测驱动晶体管的一个或更多个特征值(例如阈值电压、迁移率等)然后对一个或更多个特征值的变化进行补偿的技术。然而，尽管提出了该感测和补偿技术，但是由于意外原因有时会发生感测错误并且在显示图像中出现异常。

特别地，可以在执行图像驱动时实时地感测驱动晶体管的一个或更多个特征值，这有时被称为实时(RT)感测处理。在实时感测处理的情况下，可以在图像驱动时段期间的每个空白时段对一个或更多个子像素阵列的一个或更多个子像素执行感测处理。

此外，可以在将通电信号施加至有机发光显示装置之后并且在开始图像驱动之前分配用于感测驱动晶体管的特征值的时段。该感测处理有时被称为通电感测处理(On-Sensing Process)。在一些实例中，可以在将断电信号施加至有机发光显示装置之后分配用于感测驱动晶体管的特征值的时段。这种感测处理有时被称为断电感测处理(Off-Sensing Process)。

此处，由于对驱动晶体管的一个或更多个特征值进行感测的时间需要具有至少实现感测值的准确性的预定值，所以可以在经过了预设的感测时间的时间处执行感测驱动晶体管的特征值的处理。

然而，随着显示装置的分辨率增加，出现了针对子像素SP的感测时间和补偿时间增加的问题。例如，对于全高清(FHD)显示装置，感测时间和补偿时间可能需要1分钟或更长时间，对于超高清(UHD)显示装置，感测时间和补偿时间可能需要5分钟或更长时间，而对于量子点超高清(QuHD)显示装置，感测时间和补偿时间可能需要20分钟或更长时间。

特别地，在断电感测处理中，当终止向这些显示装置提供电力时，有时会发生不执行对一个或更多个驱动晶体管的至少一个特征值的补偿的情况。

发明内容

本公开内容的目的是提供一种使得能够减少对设置在子像素中的驱动晶体管的一个或更多个特征值进行感测所需的感测时间的显示装置和驱动方法。

本公开内容的另一个目的是提供一种使得能够通过针对驱动晶体管的一个或更多个特征值设定最小感测时间、然后根据显示装置的可感测时间改变感测时间来实现最佳感测和补偿的显示装置和驱动方法。

根据本公开内容的一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，其上布置有多个栅极线、多个数据线和多个子像素；栅极驱动电路，其用于驱动多个栅极线；数据驱动电路，其用于驱动多个数据线；以及定时控制器，其控制栅极驱动电路和数据驱动电路，并且使得在最小感测时间处感测多个子像素中至少一个子像素的至少一个驱动晶体管的阈值电压，最小感测时间表示与参考阈值电压差对应的临界阈值电压差。

参考阈值电压差可以对应于驱动晶体管的最大阈值电压与最小阈值电压之间的差。

临界阈值电压差可以具有与参考阈值电压差相同或相似的值。

子像素可以包括诸如有机发光二极管的发光元件、用于驱动该发光元件的驱动晶体管、电连接在驱动晶体管的栅极节点与数据线之间的开关晶体管、电连接在驱动晶体管的源极节点或漏极节点与参考电压线之间的感测晶体管、以及电连接在驱动晶体管的栅极节点与源极节点或漏极节点之间的存储电容器。

对驱动晶体管的阈值电压的感测可以包括：初始化步骤，在初始化步骤中通过数据线提供用于感测的数据电压并且通过参考电压线提供用于感测的参考电压；跟踪步骤，在跟踪步骤中通过阻断用于感测的参考电压使参考电压线中的电压升高；以及采样步骤，在采样步骤中通过参考电压线感测驱动晶体管的阈值电压。

根据本公开内容的实施方式的显示装置还可以包括补偿电路，该补偿电路使用驱动晶体管的阈值电压的感测值来计算针对图像数据电压的补偿值，并且根据计算出的补偿值将改变后的图像数据电压施加至对应的子像素。

补偿电路可以包括：模数转换器，其测量电连接至驱动晶体管的参考电压线中的电压，并将所测量的电压转换为数字值；开关电路，其连接在驱动晶体管与模数转换器之间，并且控制用于感测驱动晶体管的阈值电压的操作；存储器，其存储从模数转换器输出的感测值或预先存储参考阈值电压；补偿器，其在感测值与存储在存储器中的参考阈值电压之间进行比较，并且计算用于对驱动晶体管的阈值电压差进行补偿的补偿值；数模转换器，其将经由补偿器计算的补偿值改变的图像数据电压改变为模拟电压；以及缓冲器，其将从数模转换器输出的模拟形式的图像数据电压输出至多个数据线中的指定数据线。

在通过补偿电路执行了在最小感测时间处的补偿之后，定时控制器可以通过从最小感测时间起依次增加感测时间来执行对驱动晶体管的阈值电压的附加感测和补偿。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种驱动显示装置的方法，显示装置包括显示面板，在显示面板上布置有多个栅极线、多个数据线和多个参考电压线，显示面板包括多个子像素，所述多个子像素被布置在多个数据线与多个栅极线相交的区域中并且通过驱动晶体管使有机发光二极管发光，该方法包括：感测显示面板中包括的一个或更多个元件的阈值电压；得出具有最大阈值电压和最小阈值电压的参考驱动晶体管；计算在参考感测时间处最大阈值电压与最小阈值电压之间的参考阈值电压差；计算在小于参考感测时间的感测时间参考驱动晶体管的最大阈值电压与最小阈值电压之间的阈值电压差；在阈值电压差与临界阈值电压差之间进行比较；当阈值电压差小于临界阈值电压差时，将紧接在前的感测时间确定为最小感测时间；以及在最小感测时间处执行针对任何驱动晶体管的阈值电压的感测和补偿。

根据本公开内容的实施方式的驱动显示装置的方法可以：在最小感测时间处执行补偿之后，通过从最小感测时间起依次增加感测时间来执行对驱动晶体管的阈值电压的附加感测和补偿。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，其上布置有多个栅极线、多个数据线和多个子像素；栅极驱动电路，其用于驱动多个栅极线；数据驱动电路，其用于驱动多个数据线；以及定时控制器，其控制栅极驱动电路和数据驱动电路，并且在执行了在最小感测时间处针对多个子像素中的至少一个子像素的驱动晶体管的阈值电压的感测和补偿之后，使得通过从最小感测时间起依次增加感测时间来执行驱动晶体管的阈值电压的附加感测和补偿。

随着时间流逝，感测时间的值可以越大。

根据本公开内容的又一方面，提供了一种驱动显示装置的方法，显示装置包括显示面板，在显示面板上布置有多个栅极线、多个数据线和多个参考电压线，显示面板包括多个子像素，所述多个子像素被布置在多个数据线与多个栅极线相交的区域中，并且通过驱动晶体管使有机发光二极管发光，该方法包括：在最小感测时间处感测驱动晶体管中的至少一个驱动晶体管的最小阈值电压；将所述至少一个驱动晶体管的最小阈值电压与参考阈值电压进行比较；对所述至少一个驱动晶体管的最小阈值电压进行补偿；通过增加感测时间依次执行对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测和补偿；确定针对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测过程是否终止；以及当感测过程终止时，终止补偿过程。

根据本公开内容的实施方式，可以通过减少用于感测子像素中设置的驱动晶体管的特征值的感测时间来改善显示装置的图像质量。

根据本公开内容的实施方式，可以通过设置针对驱动晶体管的一个或更多个特征值的最小感测时间、然后通过根据显示装置的可感测时间改变感测时间来执行对驱动晶体管的最佳感测和补偿。

附图说明

图1示意性地示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的配置。

图2示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的系统。

图3示出了根据本公开内容的实施方式的设置在有机发光显示装置中的子像素SP的电路配置。

图4示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的补偿电路。

图5表示根据本公开内容的实施方式的对有机发光显示装置中的驱动晶体管的特征值中的阈值电压进行感测的信号时序图。

图6示出了根据本公开内容的实施方式的根据有机发光显示装置中的驱动晶体管的阈值电压分布的变化的感测时间的变化。

图7示出了根据本公开内容的实施方式的使有机发光显示装置中的驱动晶体管的感测电压的饱和时间改变的情况。

图8示出了根据本公开内容的实施方式的确定对于有机发光显示装置中的驱动晶体管的最小感测时间的过程。

图9是示出根据本公开内容的实施方式的确定对于有机发光显示装置中的驱动晶体管的最小感测时间的过程的流程图。

图10示出了根据本公开内容的实施方式的通过改变对于有机发光显示装置中的驱动晶体管的感测时间来确定最大感测时间的过程。

图11是示出根据本公开内容的实施方式的通过改变对于有机发光显示装置中的驱动晶体管的感测时间来执行特征值感测和补偿的过程的流程图。

具体实施方式

参照附图和实施方式的详细描述，本公开内容的优点和特征及其实现方法将变得明显。本公开内容不应被解释为限于本文阐述的实施方式，并且可以被体现为许多不同的形式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本公开内容的范围。本公开内容的范围应由所附权利要求书限定。

为了示出示例性实施方式而在附图中示出的形状、大小、比率、角度、数量等仅是示例性的，并且本公开内容不限于附图中所示的实施方式。在整个申请文件中，将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。在本公开内容的以下描述中，在可能使本公开内容的主题不清楚的情况下，将省略对本公开内容中包含的已知功能和部件的详细描述。将理解的是，除非有明确的相反描述，否则本文中使用的术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变型旨在涵盖非排他性的包含内容。除非有明确的相反描述，否则本文中使用的单数形式的部件描述旨在包括复数形式的部件描述。

在根据示例性实施方式的部件分析中，应当理解，即使在没有明确描述的情况下，该分析中也包括误差范围。

还应理解，尽管在本文中可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”的术语来描述各种元素，但是此类术语仅用于将一个元素与其他元素区分开。这些元素的实质、顺序、次序或数量不受这些术语的限制。将理解的是，当一个元素被称为“连接”、“耦接”或“链接”至另一元素时，其不仅可以“直接地连接、耦接或链接”至其他元素，也可以经由“中间”元件“间接地连接、耦接或链接”至其他元素。在同一上下文中，将理解的是，当一个元素被称为形成在另一个元素“上”或“下”时，其不仅可以直接位于该另一元素上或下，也可以经由中间元件间接地位于该另一元素上或下。

此外，在本文中可以使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种部件。然而，应当理解，这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件或部件与其他元件或部件区分开。因此，在本公开内容的精神内，在下文中被称为第一的第一元件可以是第二元件。

本公开内容的示例性实施方式的特征可以部分地或完全地彼此连合或组合，并且可以彼此协同工作或者可以以多种技术方法来操作。此外，各个示例性实施方式可以独立地执行，或者可以与其他实施方式相关联并与之协同执行。

在下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式。

图1示意性地示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的配置。

参照图1，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100可以包括：显示面板110，其上布置有呈矩阵形式的多个子像素SP；用于驱动显示面板110的栅极驱动电路120和数据驱动电路130；以及用于控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130的定时控制器140。

在显示面板110上布置有多个栅极线GL和多个数据线DL，并且所述多个子像素SP被布置在栅极线GL与数据线DL彼此相交的区域中。例如，在分辨率为2,160×3,840的有机发光显示装置100的情况下，可以布置有2,160个栅极线GL和3,840个数据线DL，并且子像素SP可以被布置在这些栅极线GL与这些数据线DL彼此相交的各个区域中。子像素SP中的每个可以连接至相应的栅极线GL和相应的数据线DL。一个栅极线GL可以连接至若干个子像素SP，并且一个数据线DL可以连接至若干个子像素SP。

栅极驱动电路120由定时控制器140控制，并且通过向布置在显示面板110中的多个栅极线GL依次输出扫描信号SCAN来控制对于多个子像素SP的驱动定时。在分辨率为2,160×3,840的有机发光显示装置100中，向2,160个栅极线GL(即第一栅极线GL1至第2,160栅极线GL2,160)依次输出扫描信号SCAN的情形可以被称为2,160相驱动。

在另一示例中有如下情形，在向第一栅极线GL1至第四栅极线GL4依次输出扫描信号SCAN之后，向第五栅极线GL5至第八栅极线GL8依次输出扫描信号SCAN，这样基于4个栅极线GL依次输出扫描信号SCAN的情形可以被称为4相驱动。即，基于N个栅极线GL依次输出扫描信号SCAN的情形可以被称为N相驱动。

栅极驱动电路120可以包括一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC。可以根据驱动方案使栅极驱动电路120位于显示面板110的一侧或两侧，例如左侧或右侧、顶侧或底侧、左侧和右侧、或者顶侧和底侧。此外，栅极驱动电路120可以被实现为板内栅极(GIP，Gate InPanel)型，其中栅极驱动电路120集成在显示面板110的至少一个边框区域中。

数据驱动电路130接收来自定时控制器140的图像数据DATA，并将接收到的图像数据DATA转换为模拟形式的用于驱动图像的数据电压Vdata。此后，通过根据一个或更多个扫描信号SCAN被施加至一个或更多个栅极线GL的一个或更多个定时将用于驱动图像的数据电压Vdata输出至各个数据线DL，连接至数据线DL的各个子像素SP可以根据用于驱动图像的数据电压Vdata提供具有对应亮度的发光信号。

同样，数据驱动电路130可以包括一个或更多个源极驱动集成电路SDIC。源极驱动集成电路SDIC可以以带自动键合(TAB，Tape Automated Bonding)型或玻璃上芯片(COG，Chip On Glass)型连接至显示面板110的键合焊盘，或者直接设置在显示面板110上。

在一些情况下，一个或更多个源极驱动集成电路SDIC可以被集成并设置在显示面板110上。每个源极驱动集成电路SDIC可以被实现为膜上芯片(COF，Chip On Film)型。在这种情况下，源极驱动集成电路SDIC可以安装在电路膜上，并且通过电路膜电连接至显示面板110的一个或更多个数据线DL。

定时控制器140可以向栅极驱动电路120和数据驱动电路130提供若干控制信号，并且控制栅极驱动电路120和数据驱动电路130的操作。也就是说，定时控制器140能够根据在每一帧中处理的定时来使栅极驱动电路120输出扫描信号SCAN、将从外侧(例如外部设备或图像提供源)接收的图像数据转换成在数据驱动电路130中使用的数据信号形式，然后将经转换的图像数据输出至数据驱动电路130。

此处，定时控制器140可以从外侧(例如主机系统)连同图像数据DATA一起接收若干类型的定时信号，包括垂直同步信号VSYNC、水平同步信号HSYNC、数据使能信号DE、时钟信号CLK等。定时控制器140可以使用从诸如主机系统的外侧接收的定时信号来生成控制信号，并且将生成的信号提供至栅极驱动电路120和数据驱动电路130。

例如，为了控制栅极驱动电路120，定时控制器140可以输出若干类型的栅极控制信号GCS，包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC、栅极输出使能信号GOE等。这里，栅极起始脉冲GSP用于控制对栅极驱动电路120中包括的一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC进行操作的起始点。栅极移位时钟GSC是通常输入到一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC中的时钟信号并且用于控制扫描信号SCAN的移位定时。栅极输出使能信号GOE用于指示一个或更多个栅极驱动集成电路GDIC的定时信息。

例如，为了控制数据驱动电路130，定时控制器140可以输出若干类型的数据控制信号DCS，包括源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC、源极输出使能信号SOE等。这里，源极起始脉冲SSP用于控制数据驱动电路130中包括的一个或更多个源极驱动集成电路SDIC的数据采样起始定时。源极采样时钟SSC是用于控制源极驱动集成电路SDIC中的数据的采样定时的时钟信号。源极输出使能信号SOE用于控制数据驱动电路130的输出定时。

有机发光显示装置100还可以包括功率管理集成电路，其用于向显示面板110、栅极驱动电路120、数据驱动电路130等提供若干类型的电压或电流，或者用于控制要提供的若干类型的电压或电流。

同时，子像素SP可以位于栅极线GL和数据线DL彼此相交的位置处，并且在每个子像素SP中可以设置有诸如有机发光二极管的发光元件。例如，有机发光显示装置100可以在每个子像素SP中包括诸如发光二极管(LED)或有机发光二极管(OLED)的发光元件，并且通过根据用于驱动图像的数据电压Vdata控制流过发光元件的电流来显示图像。

图2示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的系统。

图2示出在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100中，数据驱动电路130中包括的一个或更多个源极驱动集成电路SDIC被实现为各种类型(TAB、COG、COF等)中的COF型，并且栅极驱动电路120被实现为各种类型(TAB、COG、COF、GIP等)中的GIP型。

数据驱动电路130中包括的源极驱动集成电路SDIC可以安装在各个源极侧电路膜SF上，并且每个源极侧电路膜SF的一侧可以电连接至显示面板110。在源极侧电路膜SF上可以布置有用于在源极驱动集成电路SDIC与显示面板110之间进行电连接的线。

对于源极驱动集成电路SDIC与其他单元或装置之间的电路连接，有机发光显示装置100可以包括至少一个源极印刷电路板SPCB，以及用于安装控制部件和若干类型的电气单元或装置的控制印刷电路板CPCB。

此处，其上安装有源极驱动集成电路SDIC的每个源极侧电路膜SF的另一侧可以连接至至少一个源极印刷电路板SPCB。也就是说，其上安装有源极驱动集成电路SDIC的源极侧电路膜SF的一侧可以电连接至显示面板110，并且其另一侧可以电连接至源极印刷电路板SPCB。

定时控制器140和功率管理集成电路210可以安装在控制印刷电路板CPCB上。定时控制器140可以控制数据驱动电路130和栅极驱动电路120的操作。功率管理集成电路210可以向显示面板110、数据驱动电路130、栅极驱动电路120等提供包括驱动电压的若干类型的电压或电流，或者控制要提供的电压或电流。

至少一个源极印刷电路板SPCB和控制印刷电路板CPCB可以通过至少一个连接件例如柔性印刷电路FPC、柔性扁平电缆FFC等彼此电连接。此外，在一个实施方式中，至少一个源极印刷电路板SPCB和控制印刷电路板CPCB可以集成到一个印刷电路板中。

有机发光显示装置100还可以包括电连接至控制印刷电路板CPCB的设定板230。设定板230可以被称为电源板。在设定板230中可以包括管理有机发光显示装置100的总功率的主功率管理电路M-PMC 220。可以结合功率管理集成电路210来操作主功率管理电路220。

在包括这些配置的有机发光显示装置100的情况下，从设定板230产生驱动电压EVDD，然后该驱动电压EVDD被提供至控制印刷电路板CPCB的功率管理集成电路210。功率管理集成电路210通过柔性扁平电缆FFC或柔性印刷电路FPC将图像驱动时段或感测时段中所需的驱动电压EVDD提供至源极印刷电路板SPCB。提供至源极印刷电路板SPCB的驱动电压EVDD被提供用于通过源极驱动集成电路SDIC使显示面板110中的特定子像素SP发光或者用于感测子像素SP。

此处，布置在有机发光显示装置100的显示面板110中的每个子像素SP可以包括作为发光元件的示例的有机发光二极管(OLED)、用于驱动有机发光二极管的驱动晶体管等。

每个子像素SP中包括的电路元件的类型和电路元件的数量可以根据显示面板的类型、所提供的功能、设计方案/特征等而不同。

图3示出了根据本公开内容的实施方式的设置在有机发光显示装置中的子像素SP的电路配置。

参照图3，设置在有机发光显示装置100中的子像素SP可以包括一个或更多个晶体管和电容器，并且包括有机发光二极管OLED作为发光元件。例如，子像素SP可以包括驱动晶体管DRT、开关晶体管SWT、感测晶体管SENT、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。

开关晶体管SWT的导通或截止可以由通过对应的栅极线GL施加至栅极节点的扫描信号SCAN来控制，并且感测晶体管SENT的导通或截止可以由通过对应的栅极线GL施加至栅极节点的不同于扫描信号SCAN的感测信号SENSE来控制。

驱动晶体管DRT具有第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是当开关晶体管SWT导通时用于驱动图像的数据电压Vdata通过数据线DL被施加到的栅极节点。驱动晶体管DRT的第二节点N2可以电连接至有机发光二极管OLED的阳极电极，并且可以作为驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点。驱动晶体管DRT的第三节点N3可以电连接至驱动电压EVDD被施加到的驱动电压线DVL，并且作为漏极节点或源极节点。

这里，在图像驱动时段内，可以将图像驱动所需的驱动电压EVDD提供至驱动电压线DVL。例如，图像驱动所需的驱动电压EVDD可以为27V。

开关晶体管SWT电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与数据线DL之间，并且根据通过与栅极节点连接的栅极线GL提供的扫描信号SCAN进行操作。此外，当开关晶体管SWT导通时，可以通过允许将通过数据线DL提供的用于驱动图像的数据电压Vdata施加至驱动晶体管DRT的栅极节点来控制驱动晶体管DRT的操作。

感测晶体管SENT电连接在驱动晶体管DRT的第二节点N2与参考电压线RVL之间，并且根据与栅极节点连接的栅极线提供的感测信号SENSE进行操作。当感测晶体管SENT导通时，通过参考电压线RVL提供的用于感测的参考电压Vref被施加至驱动晶体管DRT的第二节点N2。也就是说，可以通过控制开关晶体管SWT和感测晶体管SENT来控制驱动晶体管DRT的第一节点和第二节点中的电压；因此，可以提供用于驱动有机发光二极管OLED的电流。

开关晶体管SWT和感测晶体管SENT可以连接至同一栅极线或不同的信号线。图3示出了开关晶体管SWT和感测晶体管SENT连接至不同的信号线。在这种情况下，可以通过扫描信号SCAN控制开关晶体管SWT，并且可以通过感测信号SENSE控制感测晶体管SENT，扫描信号SCAN和感测信号SENSE通过相应的栅极线提供。

同时，设置在子像素SP中的晶体管可以是n型晶体管或p型晶体管；在本文中，图3中的晶体管代表n型晶体管。

存储电容器Cst电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间，并且在一帧期间保持用于驱动图像的数据电压Vdata。

根据驱动晶体管DRT的类型，存储电容器Cst可以连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第三节点N3之间。有机发光二极管OLED的阳极电极可以电连接至驱动晶体管DRT的第二节点N2，并且低电平电压EVSS可以被施加至有机发光二极管OLED的阴极电极。这里，低电平电压EVSS可以是地电压或者高于或低于地电压的电压。低电平电压EVSS可以根据驱动状态而变化。例如，可以将图像驱动时的低电平电压EVSS设置得不同于感测驱动时的低电平电压EVSS。

应当理解，图3所示的具有三个晶体管和一个电容器(3T1C)的子像素结构仅是可能的子像素结构的一个示例以便于讨论，并且可以根据需要以各种结构中的任何结构实现本公开内容的实施方式。例如，子像素还可以包括至少一个晶体管和/或至少一个电容器。在一些实施方式中，多个子像素可以具有相同的结构，或者多个子像素中的至少一个可以具有与其他子像素不同的结构。

可以通过图像数据写入步骤、升压步骤和发光步骤来执行用于使这种子像素SP发光的图像驱动。

在图像数据写入步骤中，可以将与图像信号对应的用于驱动图像的数据电压Vdata施加至驱动晶体管DRT的第一节点N1，并且可以将用于驱动图像的参考电压Vref施加至驱动晶体管DRT的第二节点N2。这里，由于驱动晶体管DRT的第二节点N2与参考电压线RVL之间的电阻属性等，可以向驱动晶体管DRT的第二节点N2施加与用于驱动图像的参考电压Vref相似的电压。用于驱动图像的参考电压Vref有时可以被称为VpreR。在图像数据写入步骤中，可以在存储电容器Cst中充入与两个端子之间的电位差(Vdata-Vref)对应的电荷。

将用于驱动图像的数据电压Vdata施加至驱动晶体管DRT的第一节点N1可以被称为图像数据写入。在图像数据写入步骤之后的升压步骤中，第一节点N1和第二节点N2可以电浮置。为此，可以通过具有截止电平的扫描信号SCAN使开关晶体管SWT截止。此外，可以通过具有截止电平的感测信号SENSE使感测晶体管SENT截止。

在升压步骤中，由于驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间的电位差被保持，因此可以升高驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2中的相应电压。在通过升压步骤将驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2中的电压进行升高之后，当驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压变得等于或大于特定值(例如能够使有机发光二极管OLED导通的电压)时，执行发光步骤。

在发光步骤中，当驱动电流流过有机发光二极管OLED时，有机发光二极管OLED能够发光。

此时，设置在多个子像素SP中的驱动晶体管DRT具有独特特征值例如阈值电压、迁移率等。然而，由于驱动晶体管DRT可能随着驱动时间而老化，所以驱动晶体管DRT的独特特征值可能随时间变化。

当驱动晶体管DRT的特征值(阈值电压、迁移率等)改变时，驱动晶体管的导通定时和/或截止定时可能改变，或者驱动有机发光二极管OLED的能力可能改变。也就是说，随着驱动晶体管DRT的特征值变化，用于向有机发光二极管OLED提供电流的定时和提供给有机发光二极管OLED的电流量可能变化。因此，对应子像素SP的实际亮度可能根据驱动晶体管DRT的特征值而变化。此外，由于设置在显示面板110中的多个子像素SP具有各自的驱动定时，因此可能发生各个子像素SP中的驱动晶体管DRT之间的特征值的偏差(阈值电压的偏差、迁移率的偏差等)。

这种驱动晶体管DRT之间的特征值的偏差可能引起子像素SP之间的亮度差异，使对应的显示面板110的亮度均匀性劣化并且进而导致不良的图像质量。

这样的有机发光显示装置100可以使用在驱动晶体管DRT的感测时段中测量存储电容器Cst中充入的电压以有效地感测驱动晶体管DRT的特征值(例如阈值电压或迁移率)的方法。此外，有机发光显示装置100可以包括用于对驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值的差异进行补偿的补偿电路，并且提供了使用该补偿电路进行补偿的方法。

也就是说，通过在驱动晶体管DRT的感测时段中测量存储电容器Cst中充入的电压，可以获得对应子像素SP中的驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值或者一个或更多个特征值的变化。此时，由于参考电压线RVL可以用于提供参考电压Vref并且还用作用于感测子像素SP中的驱动晶体管DRT的特征值的感测线，因此参考电压线RVL有时可以被称为感测线。

例如，在有机发光显示装置100中，驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值或者一个或更多个特征值的变化可以对应于驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2的相应电压的差(例如，Vdata-Vref)。

图4示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的补偿电路。

参照图4，为了补偿驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值的差，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100感测每个驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值或者一个或更多个特征值的差异。为此，对于具有3T1C结构或从3T1C结构变型的结构的子像素SP，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100的补偿电路可以包括用于在感测时段中感测子像素SP的驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值或者一个或更多个特征值的差异的配置或特征。

具体地，在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100的感测时段中，驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值或者一个或更多个特征值的差异可以被反映为驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压(例如，Vdata-Vth)。在感测晶体管SENT导通的情况下，驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压可以对应于参考电压线RVL中的电压。此外，可以由驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压对参考电压线RVL上的线电容器Cline充电，并且参考电压线RVL可以由于充入线电容器Cline中的感测电压Vsen而具有与第二晶体管NRT的第二节点N2中的电压对应的电压。

有机发光显示装置100的补偿电路可以包括：模数转换器ADC，其测量与驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压对应的参考电压线RVL中的电压，然后将所测量的电压转换为数字值；以及用于感测一个或更多个特征值的开关电路SAM和SPRE。

用于控制感测驱动的开关电路SAM和SPRE可以包括：用于感测的参考开关SPRE，其用于控制参考电压线RVL与用于驱动图像的参考电压Vref被施加到的用于提供用于感测的参考电压的节点Npres之间的连接；以及采样开关SAM，其用于控制参考电压线RVL与模数转换器ADC之间的连接。这里，用于感测的参考开关SPRE是用于控制感测驱动的开关，并且由用于感测的参考开关SPRE提供给参考电压线RVL的参考电压Vref对应于用于感测的参考电压VpreS。

此外，用于感测驱动晶体管DRT的特征值的开关电路可以包括用于驱动图像的参考开关RPRE。用于驱动图像的参考开关RPRE可以控制参考电压线RVL与参考电压Vref被施加到的用于提供用于驱动图像的参考电压的节点Nprer之间的连接。用于驱动图像的参考开关RPRE是用于控制图像驱动的开关，并且由用于驱动图像的参考开关RPRE提供给参考电压线RVL的参考电压Vref对应于用于驱动图像的参考电压VpreR。

用于驱动图像的参考开关RPRE和用于感测的参考开关SPRE可以彼此分开设置，或者彼此集成在一起进而实现为单个体。用于驱动图像的参考电压VpreR和用于感测的参考电压VpreS可以是相同的电压值或不同的电压值。

在有机发光显示装置100中，与补偿电路一起，在诸如定时控制器的控制器140中可以包括：存储器MEM，其存储从模数转换器ADC输出的感测值或预先存储一个或更多个参考阈值电压；以及补偿器COMP，其通过对感测值和存储在存储器MEM中的参考阈值电压进行比较来计算用于对一个或更多个特征值的差异进行补偿的补偿值。

定时控制器140可以使用由补偿器COMP计算的补偿值来获得要提供至数据驱动电路130的数字信号形式的数据电压DATA，然后将得到的数据电压DATA_comp输出至数据驱动电路130。据此，数据驱动电路130可以通过数模转换器DAC将数据电压DATA_comp转换成模拟信号形式的数据电压Vdata_comp，并且通过输出缓冲器BUF将转换后的数据电压Vdata_comp输出至对应的数据线DL。因此，可以针对对应子像素SP中的驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值的偏差(阈值电压的偏差、迁移率的偏差等)进行补偿。

同时，数据驱动电路130可以包括数据电压输出电路400，该数据电压输出电路400包括锁存电路、数模转换器DAC、输出缓冲器BUF等。在一些实例中，数据驱动电路130还可以包括模数转换器ADC和若干类型的开关(SAM、SPRE、RPRE)。在另一实施方式中，模数转换器ADC和若干类型的开关(SAM、SPRE、RPRE)可以位于数据驱动电路130之外。

此外，补偿器COMP可以位于定时控制器140之外或者被包括在定时控制器140内，并且存储器MEM可以位于定时控制器140之外或者以寄存器的形式实现在定时控制器140内。

图5表示根据本公开内容的实施方式的关于有机发光显示装置中的驱动晶体管的特征值中的阈值电压感测的信号时序图。

参照图5，在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100中，可以通过实时感测处理来执行对驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值的感测，通过该实时感测处理在空白时段中实时地进行感测。感测时段可以包括初始化步骤INITIAL、跟踪步骤TRACKING和采样步骤SAMPLING。

由于一般通过使开关晶体管SWT和感测晶体管SENT单独地导通或截止来感测驱动晶体管DRT的阈值电压，所以可以以通过两个栅极线GL将扫描信号SCAN和感测信号SENSE单独地施加至相应的开关晶体管SWT和感测晶体管SENT的结构执行感测操作。

在初始化步骤INITIAL中，通过具有导通电平的扫描信号SCAN使开关晶体管SWT导通，并且驱动晶体管DRT的第一节点N1被初始化至用于感测阈值电压的数据电压Vdata。此外，通过具有导通电平的感测信号SENSE使感测晶体管SENT导通，并且使用于感测的参考开关SPRE导通。在这种情况下，驱动晶体管DRT的第二节点N2被初始化至用于感测的参考电压Vref，该Vref可以是VpreS。用于感测阈值电压的数据电压Vdata可以高于用于感测的参考电压Vref。

跟踪步骤TRACKING是指跟踪驱动晶体管DRT的阈值电压的步骤。在跟踪步骤TRACKING中，保持具有导通电平的扫描信号SCAN，并且用于感测的参考开关SPRE被转换为关断水平。由此，驱动晶体管DRT的第二节点N2浮置；驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压升高。特别地，由于驱动晶体管DRT的第二节点N2已经被初始化至用于感测的参考电压Vref，所以驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压从用于感测的参考电压Vref开始升高。此时，由于感测晶体管SENT已经导通，所以驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压升高引起参考电压线RVL中的电压升高。

驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压升高持续进行直至达到与数据电压Vdata相差阈值电压Vth。也就是说，根据驱动晶体管的类型，当驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压对应于将阈值电压加到数据电压而得到的电压(Vdata+Vth)或者从数据电压减去阈值电压而得到的电压(Vdata-Vth)时，驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压饱和。在跟踪步骤TRACKING结束时，可以通过具有截止电平的感测信号SENSE使感测晶体管SENT截止。

在采样步骤SAMPLING中，在从驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压开始升高的时间起经过预定时间后的感测时间Tsen处将采样开关SAM接通。感测时间Tsen可以对应于初始化步骤INITIAL结束之后的预定时间点。此时，模数转换器ADC可以感测由采样开关SAM连接的参考电压线RVL中的电压，即形成在线电容器Cline的两个端子中的感测电压Vsen，并将感测到的电压转换为数字信号形式的感测电压。

这里，将采样开关SAM接通以感测驱动晶体管DRT的阈值电压的改变的感测时间Tsen可以被定义为在感测电压Vsen充分饱和之后驱动晶体管DRT的栅极节点与源极节点之间的电压Vgs改变接近零的时间点，例如，可以是在跟踪步骤TRACKING开始之后经过30ms至40ms的时间点。

补偿器COMP可以基于从模数转换器ADC输出的感测值得出对应子像素SP中的驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，并且使用得到的阈值电压来补偿驱动晶体管DRT的偏差。

因此，通过模数转换器ADC感测参考电压线RVL中的电压(即，线电容器Cline的两个端子之间形成的电压Vsen)可以与感测驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压具有等同意义。

在对感测电压Vsen进行感测时，模数转换器ADC可以基于预先获得的对应数据电压Vdata获得驱动晶体管DRT的阈值电压Vth。

这里，为了准确地感测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth，由于需要在驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压饱和时(即，在参考电压线RVL中的电压饱和之后)进行感测，因此需要长的感测时间。

特别地，近来，为了实现高分辨率已经使子像素SP的大小逐渐减小，因而驱动晶体管DRT的大小也已经减小。为满足高分辨率的实现而使驱动晶体管DRT的大小减小导致驱动晶体管DRT的电流驱动能力降低，并且进而导致需要长时间来对参考电压线RVL的线电容器Cline充电。因此，对驱动晶体管DRT的阈值电压Vth进行感测所需的感测时间Tsen被迫变得更长。

此时，在感测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的过程中，由于可能需要长时间来使驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压饱和，因此，可以执行花费较长时间的断电感测处理。

图6示出了根据本公开内容的实施方式的根据有机发光显示装置中的驱动晶体管的阈值电压分布的变化的感测时间的变化。

参照图6，在连接至参考电压线RVL的线电容器Cline中充入的初始预充电电压被固定为参考电压Vref的情况下，阈值电压Vth由于驱动晶体管DRT的劣化而改变，对应的饱和电压Vsat随着阈值电压Vth的改变而改变。

图6示出了随着驱动晶体管DRT随驱动时间逐渐劣化，驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的分布总体上沿正方向移动。由于这样的阈值电压分布的变化，阈值电压Vth的平均值、下限值和上限值沿右上方向移动。

因此，线电容器Cline饱和时的电压Vsat增加，并且驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压饱和的时间Tsat延迟。因此，增加了准确感测对应的阈值电压Vth所需的感测时间Tsen。

同时，即使在驱动晶体管DRT的阈值电压Vth不改变的情况下，驱动晶体管DRT的迁移率也可能改变，或者也可能由于其他特征的改变使得感测电压Vsen的饱和时间改变。

图7示出了根据本公开内容的实施方式的使有机发光显示装置中的驱动晶体管的感测电压的饱和时间改变的情况。

参照图7，在连接至参考电压线RVL的线电容器Cline中充入的初始预充电电压被固定为参考电压Vref的情况下，驱动晶体管DRT的第二节点N2饱和的时间Tsat可能根据驱动晶体管DRT的迁移率的变化或者有机发光显示装置100的驱动特征而增加或减小。

例如，由于使用有机发光显示装置100，在驱动晶体管DRT的迁移率沿正方向改变、或者用于在有机发光显示装置100上显示图像数据的图像驱动时间短的情况下，驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压(即，通过在线电容器Cline中充电产生的感测电压Vsen)饱和的时间Tsat减小(从Tsat1减小到Tsat2)。

这样，在感测电压Vsen饱和的时间减小的情况下，在初始设定的感测时间Tsen1(即，考虑到初始饱和时间Tsat1所设定的感测时间Tsen1)处感测线电容器Cline的感测电压Vsen反而使得有机发光显示装置100的感测和补偿过程延迟。

因此，在这种情况下，在比初始饱和时间Tsat1短的饱和时间Tsat2处感测线电容器Cline中的感测电压Vsen可以使得有机发光显示装置100的感测和补偿时间减少并且使驱动更加高效。

因此，根据本公开内容的实施方式，本文提出了能够使得对驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值进行感测所需的感测时间减少的显示装置100和驱动方法。此外，根据本公开内容的实施方式，本文提出了能够通过根据可用于感测的时间而改变对驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值进行感测所需的感测时间来实现最佳感测和补偿的显示装置100和驱动方法。

图8示出了根据本公开内容的实施方式的确定对于有机发光显示装置中的驱动晶体管的最小感测时间的过程。

参照图8，在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100中，参考感测时间Tsen(ref)可以被定义为：在驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压(即，参考电压线RVL中的感测电压Vsen)充分饱和之后，驱动晶体管DRT的栅极节点与源极节点之间的电压Vgs改变接近零的时间点。该参考感测时间Tsen(ref)可以存储在存储器MEM中，并且当定时控制器140参考存储器MEM在参考感测时间Tsen(ref)内接通采样开关SAM时，可以感测感测电压Vsen。

为了确定用于感测参考电压线RVL中的感测电压Vsen的最小感测时间Tsen(Min)，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100在一个或更多个感测时间Tsen处计算设置在显示面板110中的多个子像素SP中的最大阈值电压Vth(Max)和最小阈值电压Vth(Min)之间的差。

也就是说，当计算出与在小于或等于参考感测时间Tsen(ref)的特定时间处的最大阈值电压Vth(Max)和最小阈值电压Vth(Min)之间的差对应的参考阈值电压差△Vth(ref)之后，可以将时间中与能够被视为与该参考阈值电压差ΔVth(ref)相等或相似水平的临界阈值电压差ΔVth(lim)对应的最小感测时间Tsen(Min)确定为有机发光显示装置100的感测时间。

此时，最大阈值电压Vth(Max)可以从设置在显示面板110中的所有子像素SP或一个或更多个子像素SP中具有最大阈值电压Vth的驱动晶体管DRT得出，并且最小阈值电压Vth(Min)可以从设置在显示面板110中的所有子像素SP或一个或更多个子像素SP中具有最小阈值电压Vth的驱动晶体管DRT得出。

被用作选择感测时间Tsen的参考的临界阈值电压差△Vth(lim)可以被设定为具有等于参考阈值电压差△Vth(ref)的值，或者可以在将其设定为具有与参考阈值电压差△Vth(ref)相似的值同时根据有机发光显示装置100的类型和特征进行各种设定。临界阈值电压差ΔVth(lim)可以被设定为具有小于参考阈值电压差ΔVth(ref)。

图9是示出根据本公开内容的实施方式的驱动有机发光显示装置的方法中确定对于驱动晶体管的最小感测时间的过程的流程图。

参照图9，在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100中，确定针对至少一个驱动晶体管DRT的最小感测时间Tsen(Min)的过程可以包括：步骤110，感测显示面板110的阈值电压；步骤S120，得出具有最大阈值电压Vth(Max)和最小阈值电压Vth(Min)的参考驱动晶体管DRT；步骤S130，计算在参考感测时间Tsen(ref)处参考驱动晶体管DRT的最大阈值电压Vth(Max)与最小阈值电压Vth(Min)之间的参考阈值电压差△Vth(ref)；步骤S140，通过减少感测时间Tsen来计算参考驱动晶体管DRT的最大阈值电压Vth(Max)与最小阈值电压Vth(Min)之间的阈值电压差ΔVth；步骤S150，将阈值电压差△Vth与临界阈值电压差△Vth(lim)进行比较；步骤S160，当阈值电压差△Vth小于临界阈值电压差△Vth(lim)时，将先前或在前的感测时间Tsen确定为最小感测时间Tsen(Min)；以及步骤170，在最小感测时间Tsen(Min)处执行对所述至少一个驱动晶体管DRT的感测和补偿。所述先前或在前的感测时间Tsen可以是针对△Vth大于△Vth(lim)而确定的感测时间。即，所述先前或在前的感测时间Tsen可以是△Vth大于△Vth(lim)的Tsen的下限。

感测显示面板110的阈值电压的步骤S110是下述步骤：感测显示面板110的所有子像素或一个或更多个子像素中驱动晶体管的阈值电压Vth。被感测的子像素可以包括具有应针对其确定最小感测时间Tsen(Min)的驱动晶体管的子像素。步骤S120可以是下述步骤：得出设置在显示面板110中的所有子像素或一个或更多个子像素中具有最大阈值电压Vth的驱动晶体管DRT和具有最小阈值电压Vth的驱动晶体管DRT。存储器MEM中存储的参考感测时间Tsen(ref)或与参考感测时间Tsen(ref)不同的时间点可以用作感测一个或更多个特征值的时间点。

得出具有最大阈值电压Vth(Max)和最小阈值电压Vth(Min)的参考驱动晶体管DRT的步骤S120是下述步骤：在对其执行了特征值感测的驱动晶体管DRT中得出最大的阈值电压Vth和最小的阈值电压Vth。这里，最大阈值电压Vth(Max)和最小阈值电压Vth(Min)可以被设定成使得基于与典型的阈值电压Vth对应的0.7V正常阈值电压来设定特定范围的上限值和特定范围的下限值并且然后可以在上限值与下限值之间得出最大阈值电压Vth和最小阈值电压Vth。

计算在参考感测时间Tsen(ref)处参考驱动晶体管DRT的最大阈值电压Vth(Max)与最小阈值电压Vth(Min)之间的参考阈值电压差△Vth(ref)的步骤S130是下述步骤：计算与在参考感测时间Tsen(ref)处计算的参考驱动晶体管DRT的最大阈值电压Vth(Max)与最小阈值电压Vth(Min)之间的差对应的参考阈值电压差ΔVth(ref)。

通过感测时间Tsen来计算参考驱动晶体管DRT的最大阈值电压Vth(Max)与最小阈值电压Vth(Min)之间的阈值电压差△Vth的步骤S140是下述步骤：以小于参考感测时间Tsen(ref)的时间为基础通过改变对参考驱动晶体管DRT的特征值进行感测的感测时间Tsen来依次计算在每个感测时间Tsen处的阈值电压差ΔVth。

将阈值电压差△Vth与临界阈值电压差△Vth(lim)进行比较的步骤S150是下述步骤：比较参考驱动晶体管DRT的阈值电压差△Vth是否小于临界阈值电压差△Vth(lim)。

这里，临界阈值电压差△Vth(lim)可以是被视为与参考阈值电压差△Vth(ref)相等或相似水平的最小阈值电压差△Vth。也就是说，可以通过检查在最小感测时间Tsen(Min)处参考驱动晶体管DRT的阈值电压差△Vth是否在被视为与参考阈值电压差△Vth(ref)相似的饱和状态的临界阈值电压差△Vth(lim)的范围内来执行该步骤。

作为检查结果，在特定感测时间Tsen处的阈值电压差△Vth小于临界阈值电压差△Vth(lim)时，在步骤S160处，可以将前一感测时间Tsen确定为最小感测时间Tsen(Min)。因此，临界阈值电压差△Vth(lim)的范围内最小的感测时间Tsen可以被确定为最小感测时间Tsen(Min)。

在最小感测时间Tsen(Min)处执行对所述至少一个驱动晶体管DRT的感测和补偿的步骤S170是下述步骤：在确定最小感测时间Tsen(Min)之后，在最小感测时间Tsen(Min)处感测驱动晶体管DRT的特征值然后对特征值进行补偿。

因此，通过确定在表现出与驱动晶体管DRT在饱和状态下能够表现的特征相似的特征的同时又具有最小的感测时间Tsen的最小感测时间Tsen(Min)、并且在该最小感测时间Tsen(Min)处感测驱动晶体管DRT的特征值，可以提供减少有机发光显示装置100的感测时间的效果。

此外，在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100中，在最小感测时间Tsen(Min)处感测驱动晶体管DRT的特征值的同时，可以在通过改变感测时间Tsen确定了提供最准确补偿的最大感测时间之后，在该最大感测时间处执行驱动晶体管DRT的特征值的感测和补偿。

图10示出了根据本公开内容的实施方式的通过改变针对有机发光显示装置中的驱动晶体管的感测时间来确定最大感测时间的过程。

参照图10，根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100可以在最小感测时间Tsen(Min)处执行对设置在显示面板100中的一个或更多个驱动晶体管DRT的特征值的感测和补偿。

如上所述，最小感测时间Tsen(Min)可以被确定为在表现出与驱动晶体管DRT在饱和状态下表现的特征相等或相似的特征的同时又具有最小的感测时间Tsen的时间。

在有机发光显示装置100中执行对应的感测处理的范围内，由于当在最大感测时间Tsen(Max)处执行驱动晶体管DRT的特征值的感测和补偿时，驱动晶体管DRT可以被视为进入稳定饱和状态，因此可以提高补偿的准确度。

在最小感测时间Tsen(Min)处对其执行感测特征值的一个或更多个驱动晶体管DRT可以是从设置在显示面板110中的驱动晶体管DRT中选择的任何一个驱动晶体管DRT，依次选择的一个或更多个驱动晶体管DRT。

此外，可以通过根据存储器MEM中存储的参考阈值电压Vth(ref)转换数据电压Vdata来执行对一个或更多个驱动晶体管DRT的至少一个特征值的补偿。

参考阈值电压Vth(ref)可以被设定为在制造本文中的有机发光显示装置100时存储在存储器MEM中的驱动晶体管DRT的最佳阈值电压中的一个或更多个。在另一示例中，考虑到随着有机发光显示装置100由于长时间使用而老化引起的驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的变化，可以将参考阈值电压Vth(ref)设定为显示面板110上设置的驱动晶体管DRT在特定时间处的阈值电压Vth的平均值。在又一示例中，参考阈值电压Vth(ref)可以被设定为显示面板110上设置的驱动晶体管DRT的最大阈值电压Vth(Max)和最小阈值电压Vth(Min)的平均值。

当在最小感测时间Tsen(Min)处感测到的电压Vsen(Min)大于(Vsen(+))参考阈值电压Vth(ref)时，可以执行数据电压Vdata补偿，其中感测电压Vsen(Min)对应于感测电压Vsen(Min)与参考阈值电压Vth(ref)之间的差。当在最小感测时间Tsen(Min)处感测到的电压Vsen(Min)小于(Vsen(-))参考阈值电压Vth(ref)时，可以执行数据电压Vdata补偿，其中感测电压Vsen(Min)对应于感测电压Vsen(Min)与参考阈值电压Vth(ref)之间的差。

当在最小感测时间Tsen(Min)处执行阈值电压Vth补偿时，可以通过从最小感测时间Tsen(Min)起依次增加感测时间Tsen来执行对任何驱动晶体管DRT的一个或更多个特征值的感测和补偿。

例如，在最小感测时间Tsen(Min)被设定为10ms的情况下，可以在跟踪步骤TRACKING开始后的10ms执行对至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测，并且可以根据存储在存储器MEM中的参考阈值电压Vth(ref)来执行对应的补偿。在正常地执行最小感测时间Tsen(Min)处的一个或更多个特征值的感测和补偿时，可以通过将对应的感测时间Tsen2增加到30ms来执行特征值的感测和补偿。通过重复这些过程，可以确定用于允许感测和补偿特征值的最大感测时间Tsen(Max)。

这里，随着感测时间Tsen增加，有机发光显示装置100的特征值的感测和补偿准确度可以增加。

这样，在通过增加感测时间Tsen(从Tsen(Min)到Tsen2到Tsen3)依次执行驱动晶体管DRT的特征值的感测的情况下，即使在特定时间有机发光显示装置100的电力被断开或对应的感测过程终止，由于在先前时间处已经执行过的至少一个特征值的补偿能够被应用于有机发光显示装置100，因此可以增加成功补偿的可能性。

通过这些过程，有机发光显示装置100能够通过改变感测时间Tsen在可获得具有最高准确度的补偿的最大感测时间Tsen(Max)处执行驱动晶体管DRT的特征值的感测和补偿。最大感测时间Tsen(Max)可以是在对应的感测过程终止之前执行最后一次感测的时间。

图11是示出根据本公开内容的实施方式的通过改变针对有机发光显示装置中的至少一个驱动晶体管的感测时间来执行特征值感测和补偿的过程的流程图。

参照图11，在根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100中，通过改变至少一个驱动晶体管DRT的感测时间Tsen来执行特征值感测和补偿的过程可以包括：步骤S210，在最小感测时间Tsen(Min)处感测至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth；步骤S220，将至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth与参考阈值电压Vth(ref)进行比较；步骤S230，对至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth进行补偿；步骤S240，通过增加感测时间Tsen来执行对至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测和补偿；步骤S250，确定感测过程是否终止；以及步骤S260，在感测过程终止的情况下终止补偿过程。

在最小感测时间Tsen(Min)处感测至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的步骤S210是下述步骤：在针对任何驱动晶体管的至少一个特征值(例如，阈值电压)启动感测过程之后经过预设的最小感测时间Tsen(Min)后的时间处执行对该驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测。

最小感测时间Tsen(Min)可以是在制造有机发光显示装置100时任意设定的时间或者是如上所述表示与驱动晶体管DRT在饱和状态下能够表现的特征相等或相似的特征的时间。最小感测时间Tsen(Min)可以存储在存储器MEM中并且可以作为根据上述感测而感测到驱动晶体管的一个或更多个特征值(即，阈值电压Vth)的时间点。

将至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth与参考阈值电压Vth(ref)进行比较的步骤S220是下述步骤：将针对在最小感测时间Tsen(Min)处感测的至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测电压Vsen(Min)与存储器MEM中存储的参考阈值电压Vth(ref)进行比较。

对至少一个驱动晶体管DRT的最小阈值电压Vth(Min)进行补偿的步骤S230是下述步骤：对在最小感测时间Tsen(Min)处感测的至少一个驱动晶体管DRT的数据电压Vdata进行补偿以与存储器MEM中存储的参考阈值电压Vth(ref)对应。

当在最小感测时间Tsen(Min)处感测到的电压Vsen(Min)大于(Vsen(+))参考阈值电压Vth(ref)时，可以执行数据电压Vdata补偿，其中感测电压Vsen(Min)对应于感测电压Vsen(Min)与参考阈值电压Vth(ref)之间的差。当在最小感测时间Tsen(Min)处感测到的电压Vsen(Min)小于(Vsen(-))参考阈值电压Vth(ref)时，可以执行数据电压Vdata补偿，其中感测电压Vsen(Min)对应于感测电压Vsen(Min)与参考阈值电压Vth(ref)之间的差。

通过增加感测时间Tsen来执行对至少一个驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测和补偿的步骤S240是下述步骤：在通过从最小感测时间Tsen(Min)起依次增加感测时间Tsen的每个感测时间Tsen处对应执行对驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测和补偿。

例如，最小感测时间Tsen(Min)被设定为10ms，可以在跟踪步骤TRACKING开始之后的10ms执行对驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测，并且可以根据存储在存储器MEM中的参考阈值电压Vth(ref)来执行相对应的补偿。此后，通过将感测时间Tsen增加到Tsen2(例如30ms)再次执行对驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测和补偿。可以重复该过程直到感测过程终止。

因此，只要感测过程继续进行，则由于针对驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测时间Tsen增加，并且驱动晶体管DRT进入稳定饱和状态，因此可以提高阈值电压Vth的感测和补偿的准确度。

确定感测过程是否终止的步骤S250是下述步骤：确定有机发光显示装置100是否终止对应的感测过程、以及电力供应是否关断或执行除感测过程外的其他过程。

如果感测过程被保持，则可以通过依次增加感测时间Tsen来重复感测阈值电压Vth并补偿阈值电压Vth的过程。

对于电力供应被终止或执行另一过程，在感测过程终止的情况下，可以通过依次增加感测时间Tsen来终止阈值电压Vth的感测和补偿过程。

因此，本文中的有机发光显示装置100能够通过依次增加感测时间Tsen在可获得具有最高准确度的补偿的最大感测时间Tsen(Max)处执行驱动晶体管DRT的特征值的感测和补偿。

在本文中，尽管已经基于有机发光显示装置对本公开内容的实施方式进行了讨论，但是应用本公开内容的实施方式的显示装置可以包括任何或所有类型的显示装置，例如电致发光装置(EL)、液晶显示装置(LCD)、真空荧光显示装置(VFD)、场发射显示装置(FED)和等离子显示面板(PDP)以及有机发光显示装置。

已经给出了前面的描述和附图，以便通过示例的方式说明本公开内容的某些原理。本公开内容的相关领域的普通技术人员可以在不脱离本公开内容的原理的情况下做出各种修改和变型。本文公开的前述实施方式应被解释为是说明性的，而不是限制本公开内容的原理和范围。应当理解，本公开内容的范围应由所附权利要求书限定，并且它们的所有等同形式均落入本公开内容的范围内。

附图标记

100：有机发光显示装置

110：显示面板

120：栅极驱动电路

130：数据驱动电路

140：定时控制器

210：功率管理集成电路

220：主功率管理电路

230：设定板

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

显示面板，其上布置有多个栅极线、多个数据线和多个子像素；

栅极驱动电路，其驱动所述多个栅极线；

数据驱动电路，其驱动所述多个数据线；以及

定时控制器，其控制所述栅极驱动电路和所述数据驱动电路，并且使得在最小感测时间处感测所述多个子像素的驱动晶体管的阈值电压，所述最小感测时间表示与参考阈值电压差对应的临界阈值电压差。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述参考阈值电压差对应于所述驱动晶体管的最大阈值电压与最小阈值电压的差。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述临界阈值电压差具有与所述参考阈值电压差相同或相似的值。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的至少一个子像素包括：

发光元件；

所述驱动晶体管中驱动所述发光元件的至少一个驱动晶体管；

开关晶体管，其电连接在所述至少一个驱动晶体管的栅极节点与所述多个数据线中的至少一个数据线之间；

感测晶体管，其电连接在所述至少一个驱动晶体管的源极节点或漏极节点与参考电压线之间；以及

存储电容器，其电连接在所述至少一个驱动晶体管的栅极节点与源极节点或漏极节点之间。

5.根据权利要求4所述的显示装置，

其中，对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测包括：

初始化步骤，在所述初始化步骤中，在所述开关晶体管导通的状态下，通过所述多个数据线中的所述至少一个数据线提供用于感测的数据电压，并且通过所述参考电压线提供用于感测的参考电压；

跟踪步骤，在所述跟踪步骤中，通过阻断用于感测的所述参考电压使所述参考电压线中的电压升高；以及

采样步骤，在所述采样步骤中，通过所述参考电压线感测所述至少一个驱动晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括补偿电路，所述补偿电路使用所述多个驱动晶体管中的至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测值来计算针对图像数据电压的补偿值，并且根据计算出的补偿值将改变后的图像数据电压施加至对应的子像素。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述补偿电路包括：

模数转换器，其测量电连接至所述至少一个驱动晶体管的参考电压线中的电压，并将所测量的电压转换为数字值；

开关电路，其电连接在所述至少一个驱动晶体管与所述模数转换器之间，并且控制用于感测所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的操作；

存储器，其存储从所述模数转换器输出的感测值或预先存储参考阈值电压；

补偿器，其在所述感测值与存储在所述存储器中的所述参考阈值电压之间进行比较，并且确定用于对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压差进行补偿的补偿值；

数模转换器，其将经由所述补偿器计算的所述补偿值改变的图像数据电压改变为模拟电压；以及

缓冲器，其将从所述数模转换器输出的模拟形式的图像数据电压输出至所述多个数据线中的指定数据线。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在通过所述补偿电路执行了在所述最小感测时间处的补偿的情况下，所述定时控制器通过从所述最小感测时间起依次增加感测时间来执行对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的附加感测和补偿。

9.一种驱动显示装置的方法，所述显示装置包括显示面板，在所述显示面板上布置有多个栅极线、多个数据线和多个参考电压线，所述显示面板包括多个子像素，所述多个子像素被布置在所述多个数据线与所述多个栅极线相交的区域中并且通过驱动晶体管使有机发光元件发光，所述方法包括：

感测所述显示面板的阈值电压；

得出具有最大阈值电压和最小阈值电压的参考驱动晶体管；

计算在参考感测时间处最大阈值电压与最小阈值电压之间的参考阈值电压差；

计算在小于所述参考感测时间的感测时间所述参考驱动晶体管的最大阈值电压与最小阈值电压之间的阈值电压差；

在所述阈值电压差与临界阈值电压差之间进行比较；

当所述阈值电压差小于所述临界阈值电压差时，将紧接在前的感测时间确定为最小感测时间；以及

在所述最小感测时间处执行针对至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测和补偿。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述临界阈值电压差具有与所述参考阈值电压差相同或相似的值。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测包括：

初始化步骤，在所述初始化步骤中，在电连接在所述至少一个驱动晶体管的栅极节点与所述多个数据线中的至少一个数据线之间的开关晶体管导通的状态下，通过所述至少一个数据线提供用于感测的数据电压，并且通过所述多个参考电压线中的至少一个参考电压线提供用于感测的参考电压；

跟踪步骤，在所述跟踪步骤中，通过阻断用于感测的所述参考电压使所述至少一个参考电压线中的电压升高；以及

采样步骤，在所述采样步骤中，通过所述至少一个参考电压线感测所述至少一个驱动晶体管的阈值电压。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，执行阈值电压的补偿，使得使用所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测值计算出针对图像数据电压的补偿值，并且根据计算出的补偿值将改变后的图像数据电压施加至对应的子像素。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括在执行最小感测时间处的补偿之后进行下述步骤：通过从所述最小感测时间起依次增加感测时间来执行对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的附加感测和补偿。

14.一种显示装置，包括：

显示面板，其上布置有多个栅极线、多个数据线和多个子像素；

栅极驱动电路，其用于驱动所述多个栅极线；

数据驱动电路，其用于驱动所述多个数据线；以及

定时控制器，其控制所述栅极驱动电路和所述数据驱动电路，并且在执行了在最小感测时间处针对所述多个子像素中的至少一个子像素的至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测和补偿之后，使得通过从所述最小感测时间起依次增加感测时间来执行对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的附加感测和补偿。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测包括：

初始化步骤，在所述初始化步骤中，在电连接在所述至少一个驱动晶体管的栅极节点与所述多个数据线中的至少一个数据线之间的开关晶体管导通的状态下，通过所述至少一个数据线提供用于感测的数据电压，并且通过参考电压线提供用于感测的参考电压；

跟踪步骤，在所述跟踪步骤中，通过阻断用于感测的所述参考电压使所述参考电压线中的电压升高；以及

采样步骤，在所述采样步骤中，通过所述参考电压线感测所述至少一个驱动晶体管的阈值电压。

16.根据权利要求14所述的显示装置，还包括补偿电路，所述补偿电路使用所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测值来计算针对图像数据电压的补偿值，并且根据计算出的补偿值将改变后的图像数据电压施加至对应的子像素。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述补偿电路包括：

模数转换器，其测量电连接至所述至少一个驱动晶体管的参考电压线中的电压，并将所测量的电压转换为数字值；

开关电路，其电连接在所述至少一个驱动晶体管与所述模数转换器之间并且控制用于感测所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的操作；

存储器，其存储从所述模数转换器输出的感测值或预先存储参考阈值电压；

补偿器，其在所述感测值与存储在所述存储器中的所述参考阈值电压之间进行比较，并且计算用于对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压差进行补偿的补偿值；

数模转换器，其将经由所述补偿器计算的所述补偿值改变的图像数据电压改变为模拟电压；以及

缓冲器，其将从所述数模转换器输出的模拟形式的图像数据电压输出至所述多个数据线中的对应数据线。

18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，随着时间流逝，所述感测时间的值越大。

19.一种驱动显示装置的方法，所述显示装置包括显示面板，在所述显示面板上布置有多个栅极线、多个数据线和多个参考电压线，所述显示面板包括多个子像素，所述多个子像素被布置在所述多个数据线与所述多个栅极线相交的区域中，并且通过驱动晶体管使有机发光元件发光，所述方法包括：

在最小感测时间处感测所述至少一个驱动晶体管的阈值电压；

将所述至少一个驱动晶体管的所述阈值电压与参考阈值电压进行比较；

对所述至少一个驱动晶体管的所述阈值电压进行补偿；

通过增加感测时间依次执行对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测和补偿；

确定针对所述至少一个驱动晶体管的阈值电压的感测过程是否终止，以及

当所述感测过程终止时，终止补偿过程。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，随着时间流逝，所述感测时间的值越大。

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