CN112582882A - 一种940nm半导体激光夜视成像光源装置 - Google Patents

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CN112582882A CN202110101883.5A CN202110101883A CN112582882A CN 112582882 A CN112582882 A CN 112582882A CN 202110101883 A CN202110101883 A CN 202110101883A CN 112582882 A CN112582882 A CN 112582882A
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李再金
袁毅
杨云帆
杨隆杰
赵志斌
陈浩
李林
乔忠良
曾丽娜
曲轶
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Hainan Normal University
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Hainan Normal University
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Abstract

本发明公开了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，包括第一个940nm半导体激光阵列模块（1）、第二个940nm半导体激光阵列模块（2）、第一组准直镜（3）、第二组准直镜（4）、V型棱镜（5）、凹透镜（6）、凸透镜（7）。V型棱镜（5）包括上底面（5‑1）、第一下底面（5‑2）、第二下底面（5‑3）、第一外侧腰面（5‑4）、第二外侧腰面（5‑5）、第一内侧腰面（5‑6）和第二内侧腰面（5‑7）。940nm半导体激光阵列模块（1）和（2）分别经过准直镜（3）和（4）通过V型棱镜（5）两次全反射后再通过凹透镜（6）和凸透镜（7），实现940nm半导体激光激光夜视成像光源输出。

Description

一种940nm半导体激光夜视成像光源装置
技术领域
本发明涉及激光夜视成像技术领域，特别涉及一种940nm半导体激光夜视成像光源装置。
背景技术
激光夜视成像技术已经被广泛应用于激光夜视领域，但是目前无法实现远距离的清晰成像。边发射半导体激光以体积小、重量轻、电光转换高等优点，广泛应用于市场各个领域。半导体激光因其出光发散角大、成椭圆形高斯光束和光质量差等缺点，不能用于远距离激光夜视成像光源。为了在远距离较好的获得较高的激光夜视成像质量，提出了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，可有效地提高激光夜视成像系统的照明距离。
发明内容
本发明的目的在于提出一种940nm半导体激光夜视成像光源装置。
一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，包括第一个940nm半导体激光阵列模块（1）、第二个940nm半导体激光阵列模块（2）、第一组准直镜（3）、第二组准直镜（4）、V型棱镜（5）、凹透镜（6）、凸透镜（7）。
其特征在于：
第一个940nm半导体激光阵列模块（1），包括5个长度为20厘米的bar条，每个bar条发射半导体激光波长为940nm。
第二个940nm半导体激光阵列模块（2），包括5个长度为20厘米的bar条，每个bar条发射半导体激光波长为940nm。
第一组准直镜（3），前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nmSiO2的光学膜。
第二组准直镜（4），前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nmSiO2的光学膜。V型棱镜（5）包括上底面（5-1）、第一下底面（5-2）、第二下底面（5-3）、第一外侧腰面（5-4）、第二外侧腰面（5-5）、第一内侧腰面（5-6）和第二内侧腰面（5-7）。第一外侧腰面（5-4）和第一下底面（5-2）成45°角，第一内侧腰面（5-6）和第一下底面（5-2）成135°角，第二外侧腰面（5-5）和第二下底面（5-3）成45°角，第二内侧腰面（5-7）和第二下底面（5-3）成135°角，上底面（5-1）、第一下底面（5-2）和第二下底面（5-3）镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/ 109nm SiO2的光学膜。
凹透镜（6）前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nm SiO2的光学膜。
凸透镜（7）前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nm SiO2的光学膜。
附图说明
图1是本发明具体实施方式的装置图。
图2是V型棱镜的结构图。
具体实施方式
下面结合图1和图2对本发明进一步详细说明。
本发明公开了一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，包括第一个940nm半导体激光阵列模块（1）、第二个940nm半导体激光阵列模块（2）、第一组准直镜（3）、第二组准直镜（4）、V型棱镜（5）、凹透镜（6）、凸透镜（7）。
V型棱镜（5）包括上底面（5-1）、第一下底面（5-2）、第二下底面（5-3）、第一外侧腰面（5-4）、第二外侧腰面（5-5）、第一内侧腰面（5-6）和第二内侧腰面（5-7）。
第一个940nm半导体激光阵列模块（1）的每个半导体激光bar条光束通过第一组准直镜（3），经准直后垂直入射到V型棱镜（5）的第一下底面（5-2）上，在V型棱镜（5）的第一外侧腰面（5-4）发生全反射，全反射的光束再通过V型棱镜（5）的第一内侧腰面（5-6）发生全反射，接着通过V型棱镜（5）的上底面（5-1）输出第一部分光束。
第二个940nm半导体激光阵列模块（2）的每个半导体激光bar条光束通过第二组准直镜（4），经准直后垂直入射到V型棱镜（5）的第二下底面（5-3）上，在V型棱镜（5）的第二外侧腰面（5-5）发生全反射，全反射的光束再通过V型棱镜（5）的第二内侧腰面（5-7）发生全反射，接着通过V型棱镜（5）的上底面（5-1）输出第二部分光束。
第一部分光束和第二部分光束再通过凹透镜（6）和凸透镜（7）实现940nm半导体激光激光夜视成像光源输出。

Claims (1)

1.一种940nm半导体激光夜视成像光源装置，其特征在于，包括：第一个940nm半导体激光阵列模块（1）、第二个940nm半导体激光阵列模块（2）、第一组准直镜（3）、第二组准直镜（4）、V型棱镜（5）、凹透镜（6）、凸透镜（7）；第一组准直镜（3），前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nm SiO2的光学膜；第二组准直镜（4），前后表面镀有212nmTiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nm SiO2的光学膜；V型棱镜（5）包括上底面（5-1）、第一下底面（5-2）、第二下底面（5-3）、第一外侧腰面（5-4）、第二外侧腰面（5-5）、第一内侧腰面（5-6）和第二内侧腰面（5-7），第一外侧腰面（5-4）和第一下底面（5-2）成45°角，第一内侧腰面（5-6）和第一下底面（5-2）成135°角，第二外侧腰面（5-5）和第二下底面（5-3）成45°角，第二内侧腰面（5-7）和第二下底面（5-3）成135°角，上底面（5-1）、第一下底面（5-2）和第二下底面（5-3）都镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/ 109nm SiO2的光学膜；凹透镜（6）前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nm SiO2的光学膜；凸透镜（7）前后表面镀有212nm TiO2/112nm SiO2/183nm TiO2/109nm SiO2的光学膜。
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