CN112582451A - 显示装置 - Google Patents

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CN112582451A
CN112582451A CN202011039005.7A CN202011039005A CN112582451A CN 112582451 A CN112582451 A CN 112582451A CN 202011039005 A CN202011039005 A CN 202011039005A CN 112582451 A CN112582451 A CN 112582451A
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李德珍
边炳勳
延济宣
金旻河
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本申请涉及显示装置。该显示装置包括衬底、设置在衬底上的电路部分以及设置在电路部分上的封装层。无机层设置在封装层上并且包括凹槽。抗反射层设置在无机层上。抗反射层包括与凹槽重叠的第一区域以及在第一区域外部的第二区域。第一区域的透射率和第二区域的透射率是彼此不同的。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月30日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0120591号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
包括显示器的便携式装置(诸如，移动电话、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机等)经常在包括大量外部光的环境条件中使用。然而，当外部光在显示表面上被反射或散射时，由显示装置产生的图像的可见性显著降低。因此，减少由外部光在显示表面上的反射和散射导致的问题是重要的。
近来，已经开发了具有除了显示图像之外的相机功能等的多种显示装置。由于诸如相机或红外传感器的光学构件被设置在显示装置的显示区域外部，因此显示装置的显示区域的尺寸通常会被减小。
发明内容
本发明构思致力于提供防止显示质量因反射而降低的显示装置。此外，已提出本发明构思来提供包括由显示区域围绕的透射区域的显示装置。
本发明构思的示例性实施方式包括显示装置，该显示装置包括衬底、设置在衬底上的电路部分以及设置在电路部分上的封装层。无机层设置在封装层上并且包括凹槽。抗反射层设置在无机层上。抗反射层包括与凹槽重叠的第一区域以及在第一区域外部的第二区域。第一区域的透射率和第二区域的透射率是彼此不同的。
第一区域的边缘可以与凹槽的最外边缘对准。
无机层可以包括硅氮氧化物(SiON)。
凹槽在平面图中可以具有圆形形状。
抗反射层可以包括第一钝化层、与第一钝化层重叠的第二钝化层以及设置在第一钝化层与第二钝化层之间的第一光学层。
第一光学层可以包括聚乙烯醇。
第一钝化层和第二钝化层中的每个可以包括三乙酰纤维素(TAC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环烯烃聚合物(COP)和丙烯酸聚合物中的至少一种。
抗反射层还可以包括设置在无机层与第一钝化层之间的第二光学层。
第一光学层可以包括I5 -、I3 -和I-，并且第一光学层的处于第一区域中的部分中包括的I5 -和I3 -的含量可以小于第一光学层的处于第二区域中的部分中包括的I5 -和I3 -的含量。
第一区域可以是透明的。
另一示例性实施方式包括具有衬底、设置在衬底上的电路部分和设置在电路部分上的封装层的显示装置。无机层设置在封装层上并且包括凹槽。无机层包括硅氮氧化物(SiON)。抗反射层设置在无机层上，并且包括与凹槽重叠的第一区域和在第一区域外部的第二区域。
衬底可以包括与第一区域重叠的通孔。
凹槽的最外边缘可以设置在第一区域的边缘的内侧。
封装层可以包括设置在电路部分上的第一层和设置在第一层上的第二层，并且无机层可以设置在第二层上。
显示装置可以包括设置在第二层与无机层之间的第三层。
显示装置可以包括设置在无机层与抗反射层之间的粘合剂层。
第一区域的透射率可以高于第二区域的透射率。
另一示例性实施方式包括用于制造显示装置的方法。该方法包括形成设置在衬底上的电路部分，该电路部分包括发光元件。在电路部分上形成封装层。在封装层上形成无机层。无机层包括硅氮氧化物(SiON)和多个凹槽。形成抗反射层，该抗反射层具有包括I5 -、I3 -和I-的第一光学层。通过在高温和高湿度下执行老化处理，将无机层结合到抗反射层。无机层的多个凹槽的硅氮氧化物(SiON)由于老化处理而进行释放NHz气体的反应。NHz气体导致第一光学层的与多个凹槽重叠的第一区域的脱色。
根据本发明构思的示例性实施方式，能够通过抗反射层降低显示装置的反射率，并且能够改善显示质量。此外，能够通过设置在显示区域中的透射区域来改善显示质量。此外，能够通过简单的工艺容易地提供设置在显示区域中并包括透明区域的抗反射层。
附图说明
图1示出了根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的俯视图。
图2示出了根据本发明构思的示例性实施方式的沿着图1的线II-II'截取的剖视图。
图3示出了根据本发明构思的示例性实施方式的无机层的俯视图。
图4示出了根据本发明构思的示例性实施方式的无机层、粘合剂层和抗反射层的剖视图。
图5示出了根据本发明构思的示例性实施方式的吸光率图。
图6示出了根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图7示出了根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图8示出了根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖视图。
图9、图10和图11分别示出了根据本发明构思的示例性实施方式的无机层的俯视图。
图12示出了根据本发明构思的示例性实施方式的电路部分的剖视图。
图13和图14分别示出了根据本发明构思的示例性实施方式的抗反射层的图像。
图15和图16分别示出了根据比较示例的抗反射层的图像。
具体实施方式
下文中将参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明构思的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到的，所描述的示例性实施方式可以以多种不同的方式修改，所有这些都不背离本公开的精神或范围。
与描述无关的部分将被省略以清楚地描述本发明构思，并且在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
此外，在附图中，为了便于描述，任意地示出了每个元件的尺寸和厚度，并且本发明构思不限于附图中所示的示例性实施方式。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反地，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在介于中间的元件。此外，在本说明书中，词语“上”或“上方”意为设置在目标部分上或设置在目标部分下方，并且不一定意为基于重力方向设置在目标部分的上侧上。
此外，除非明确相反地描述，否则词语“包括”和诸如“包含”或“包含有”的变型将被理解为暗指包括所陈述的元件但不排除任何其它元件。
此外，在整个说明书中，短语“在平面图中”意为从顶部观察特定部分，而短语“在剖视图中”意为观察通过从一侧竖直切割特定部分而形成的剖面。
在下文中，将参考图1至图5描述根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置。图1示出了根据示例性实施方式的显示装置的俯视图。图2示出了根据示例性实施方式的沿着图1的线II-II'截取的示意性剖视图。图3示出了根据示例性实施方式的无机层的俯视图。图4示出了无机层、粘合剂层和抗反射层的详细剖视图。图5示出了用于对根据示例性实施方式的抗反射层的脱色的原理进行说明的吸光率图。
首先，参考图1，显示装置1可以包括外部缓冲区域201、封装接合区域251、显示区域DA和透射区域TA。例如，如图1的示例性实施方式中所示，显示区域DA可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第二方向D2上延伸的相对较长的边以及在第一方向D1上延伸的相对较短的边。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，在其它示例性实施方式中，显示区域DA可以具有多种其它形状或取向。
如图1的示例性实施方式中所示，透射区域TA可以被显示区域DA围绕。外部缓冲区域201可以设置在显示区域DA的外围(例如，显示区域DA的在第一方向D1和/或第二方向D2上的外围)处。封装接合区域251可以在显示装置1的边缘上设置在外部缓冲区域201的外围(例如，外部缓冲区域201的在第一方向D1和/或第二方向D2上的外围)处。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此，并且在其它示例性实施方式中，显示区域DA、透射区域TA、外部缓冲区域201和封装接合区域251的布置可以变化。
显示区域DA是在其中布置有多个像素以显示图像的区域。每个像素可以包括至少一个晶体管以及通过从晶体管接收电流而发光的发光元件。
透射区域TA具有比显示区域DA的透光率或外部缓冲区域201的透光率相对更高的透光率。透射区域TA不包括设置在其中的像素，并且在透射区域TA中不显示图像。由于光在透射区域TA中透射，因此当至少一个光学构件10(参见图2)设置在透射区域TA下方(例如，在第三方向D3上设置在透射区域TA下方)时，外部光可以入射在光学构件10上或从光学构件10发射。在示例性实施方式中，光学构件10可以是相机、闪光灯、传感器等。
根据图1的示例性实施方式的透射区域TA可以设置在显示区域DA中。在图1中所示的示例性实施方式中，透射区域TA是圆形的，并且设置成靠近显示区域DA的顶部边缘(例如，在第二方向D2上的顶部边缘)。然而，在其它示例性实施方式中，透射区域TA可以具有多种不同的形状，并且可以定位在显示区域DA的不同部分中。虽然透射区域TA不包括任何像素，但是透射区域TA可以被在显示区域DA中包括的多个像素围绕(例如，在第一方向D1和/或第二方向D2上围绕)。
由于透射区域TA的尺寸大于一个像素的尺寸，因此透射区域TA与形成在像素中的光透射区不同，以实现透明显示器。例如，在其中在像素中形成像素电路的区域可以具有约25μm宽度(例如，在第一方向D1上的长度)和50μm高度(例如，在第二方向D2上的长度)的矩形形状。相反，透射区域TA可以具有大得多的圆形结构，其具有约3mm或更小的直径。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。
在下文中，将参考图2至图4描述根据本发明构思的示例性实施方式的显示装置的剖面结构。图2简要示出了设置在衬底110上的电路部分200。将参考图12详细描述包括在电路部分200中的晶体管和发光元件。
在图2中所示的示例性实施方式中，显示装置1包括衬底110。光学构件10可以沿着第三方向D3设置在衬底110下方，并且光学构件10可以是相机、闪光灯、传感器等。
在示例性实施方式中，衬底110可以包括塑料层和阻挡层，或者可以包括玻璃衬底。塑料层和阻挡层可以交替地堆叠。
在示例性实施方式中，塑料层可以包括选自聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)(PAES)及其组合的至少一种化合物。阻挡层可以包括选自硅氧化物、硅氮化物和铝氧化物的至少一种化合物。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，阻挡层可以包括任何无机材料。
电路部分200包括设置在衬底110上的多个晶体管和发光元件。如图2的示例性实施方式中所示，电路部分200可以直接设置在衬底110上(例如，在第三方向D3上直接设置在衬底110上)。
在电路部分200上设置有保护发光元件的封装层400。例如，如图2的示例性实施方式中所示，封装层400可以直接设置在电路部分200上(例如，在第三方向D3上直接设置在电路部分200上)。在示例性实施方式中，封装层400可以是有机膜和无机膜在其中堆叠的薄膜封装层。如图2的示例性实施方式中所示，封装层400可以包括第一层401、第二层402和第三层403。例如，第二层402可以直接设置在第一层401上(例如，在第三方向D3上直接设置在第一层401上)，并且第三层403可以直接设置在第二层402上(例如，在第三方向D3上直接设置在第二层402上)。在示例性实施方式中，第一层401和第三层403可以各自是无机膜，并且第二层402可以是有机膜。可选地，第一层401和第三层403可以各自是有机膜，并且第二层402可以是无机膜。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此。
此外，封装层400的形状不限于图2中所示的示例性实施方式，并且封装层400可以具有多种不同形状(例如，以对应于衬底110的形状等)。在示例性实施方式中，可以沿着第三方向D3在封装层400下方设置至少一个封盖层和至少一个功能层。
在封装层400上设置有无机层500。例如，如图2的示例性实施方式中所示，无机层500可以直接设置在封装层400上(例如，在第三方向D3上直接设置在封装层400上)。
无机层500可以包括无机材料，并且可以包括例如硅氮氧化物(SiON)。无机层500可以通过多种方法形成。例如，无机层500可以通过使用化学气相沉积(CVD)等形成。
无机层500可以包括与透射区域TA重叠(例如，在第三方向D3上与透射区域TA重叠)的至少一个凹槽510。每个凹槽510在无机层500的上表面上凹入。如图3的示例性实施方式中所示，凹槽510在平面图中(例如，当在第三方向D3上观察时)可以具有圆形形状，并且无机层500可以包括多个同心的圆形凹槽510。然而，本发明构思的示例性实施方式不限于此，并且每个凹槽510可以具有多种形状。
在无机层500上设置有粘合剂层600。例如，如图2的示例性实施方式中所示，粘合剂层600可以直接设置在无机层500上(例如，在第三方向D3上直接设置在无机层500上)。在示例性实施方式中，粘合剂层600可以包括树脂、光学透明粘合剂(OCA)和压敏粘合剂(PSA)中的至少一种。
在粘合剂层600上设置有抗反射层700。例如，如图2的示例性实施方式中所示，抗反射层700可以直接设置在粘合剂层600上(例如，在第三方向D3上直接设置在粘合剂层600上)。抗反射层700可以抑制外部光的反射，以改善在显示装置1的显示区域DA中显示的图像的可见性，并且使从电路部分200发射到外部的光的损失最小化。
抗反射层700与透射区域TA和显示区域DA重叠(例如，在第三方向D3上与透射区域TA和显示区域DA重叠)。抗反射层700包括第一区域R1和第二区域R2，其中，第一区域R1与透射区域TA重叠(例如，在第三方向D3上与透射区域TA重叠)，第二区域R2与显示区域DA重叠(例如，在第三方向D3上与显示区域DA重叠)且不与透射区域TA重叠。第一区域R1可以与无机层500的与透射区域TA重叠的至少一个凹槽510基本上重叠。第二区域R2可以基本上不与无机层500的至少一个凹槽510重叠(例如，在第三方向D3上基本上不与无机层500的至少一个凹槽510重叠)。与无机层500的凹槽510基本上重叠的第一区域R1还可以包括直接与多个凹槽510之间的、没有特别设置凹槽510的区域重叠的区域，诸如与多个凹槽510中的最外凹槽的内侧重叠的区域。如本文中将在图7中更详细地描述的那样，第一区域R1还可以包括与透射区域TA重叠的、与第一区域R1的直接与凹槽510重叠的区域相邻的区域。
第一区域R1的透射率和第二区域R2的透射率可以彼此不同。例如，第一区域R1的透射率可以高于第二区域R2的透射率。第一区域R1的透明度可以高于第二区域R2的透明度。例如，第一区域R1可以是基本上透明的。
将参考图4更详细地描述抗反射层700。
如图4的示例性实施方式中所示，抗反射层700可以包括第一钝化层720、与第一钝化层720重叠的第二钝化层740以及设置在第一钝化层720与第二钝化层740之间的第一光学层730。例如，第一光学层730可以直接设置在第一钝化层720上(例如，在第三方向D3上直接设置在第一钝化层720上)。第二钝化层740可以直接设置在第一光学层730上(例如，在第三方向D3上直接设置在第一光学层730上)。如图4的示例性实施方式中所示，抗反射层700还可以包括设置在第一钝化层720与粘合剂层600之间的第二光学层710。例如，第二光学层710可以直接设置在粘合剂层600上(例如，在第三方向D3上直接设置在粘合剂层600上)。
第一钝化层720和第二钝化层740可以分别设置在第一光学层730的一个表面上，以保护和支承第一光学层730。
在示例性实施方式中，第一钝化层720和第二钝化层740可以包括树脂。例如，第一钝化层720和第二钝化层740中的每个可以包括选自三乙酰纤维素(TAC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环烯烃聚合物(COP)和丙烯酸聚合物的至少一种化合物。
第一钝化层720和第二钝化层740中的每个可以另外具有诸如抗反射、低反射、抗眩光或硬涂层的特性。
第一光学层730是用于使从电路部分200发射的光线性地偏振的层。第一光学层730具有偏振轴，并且可以在与偏振轴垂直的方向上线性地偏振光。例如，第一光学层730可以吸收与偏振轴一致的光并且使与偏振轴垂直的光通过。因此，从电路部分200发射的光可以穿过第一光学层730并且在与第一光学层730的偏振轴垂直的方向上被线性地偏振。
在示例性实施方式中，第一光学层730可以包括聚乙烯醇(PVA)。例如，第一光学层730可以通过拉伸包括聚乙烯醇(其为聚合物材料)的薄膜并且通过在其中吸附和定向颜料(诸如，碘)来形成。在示例性实施方式中，第一光学层730可以包括I5 -、I3 -和I-。
在通过粘合剂层600使无机层500和抗反射层700结合的过程中，在高温和高湿度条件下执行老化处理。在示例性实施方式中，高温条件可以是例如在约60℃至约80℃的范围内，并且高湿度条件可以是例如在约60％至约90％的范围内。在该示例性实施方式中，诸如水蒸汽等的水分(H2O)通过具有高水分渗透性的粘合剂层600引入。水分(H2O)可以沿着粘合剂层600移动并流入到无机层500的凹槽510中。在已经经受高温和高湿度条件并且具有相对松散的原子结合结构的凹槽510中可以发生诸如下面的反应式1的化学反应。
<反应式1>
SiONx->SiOy+NHz
通过反应式1产生的气体NHz流入到抗反射层700中，诸如流入到第一光学层730中。例如，来自凹槽510的气体NHz可以流入到第一光学层730的与透射区域TA重叠的区域中。气体NHz可以与包括在第一光学层730中的I5 -和I3 -反应。流入到第一光学层730的气体NHz与第一光学层730的I5 -和I3 -可以在第一光学层730中导致如下面的反应式2中所示的化学反应。
<反应式2>
I5 -(或者I3 -+I2)+2NH4 +->2I2+I-+2NH3+H2
参照图5，作为第一材料的I5 -可以吸收约600纳米至约700纳米的波长范围的光，并且作为第二材料的I3 -可以吸收约500纳米的波长范围的光。第一光学层730的、在第一区域R1中的I5 -和I3 -(其吸收预定波长的光)通过与气体NHz的反应分解成I-。I-具有低的吸光率并且基本上是透射性的。因此，在第一区域R1中第一光学层730可以被视为被脱色。例如，在第一区域R1中脱色的第一光学层730可以是透明的。然而，来自凹槽510的气体NHz基本上不流入到第一光学层730的与第二区域R2对应的区域，并且因此包括在第二区域R2中的I5 -和I3 -不因与气体NHz的反应而分解。因此，与第一区域R1相比具有相对较大量的I5 -和I3 -的第二区域R2的透射率可以低于第一区域R1的透射率。
包括在第一区域R1中的I5 -和I3 -的浓度可以小于包括在第二区域R2中的I5 -和I3 -的浓度。此外，包括在第一区域R1中的I-的浓度可以大于包括在第二区域R2中的I-的浓度。在第一区域R1中，由于减少了I5 -和I3 -对光的吸收，因此可以改善光的透射率，并且第一区域R1可以是透明的。抗反射层的区域随着I5 -和I3 -的含量降低和I-的含量增加而变得透明的现象被称为脱色。
第一区域R1可以被预定的气体脱色，使得第一区域R1的透射率可以是高的，同时第一区域R1的偏振度是低的。第一区域R1的偏振度可以低于第二区域R2的偏振度。
总之，无机层500的凹槽510产生引起第一光学层730的一部分脱色的材料(例如，NHz气体)。相应的材料引起第一光学层730的与凹槽510重叠的一部分(例如，第一区域R1)的脱色，从而在不对抗反射层700进行物理去除过程的情况下，使基本上透明的区域与光学构件10重叠。
在示例性实施方式中，第二光学层710可以是延迟层。第二光学层710可以是在用于显示装置的抗反射层中使用的常规层，以提供延迟功能。
在示例性实施方式中，第二光学层710可以包括选自基于丙烯酸的膜、基于聚碳酸酯的膜、基于聚苯乙烯的膜、基于聚酰亚胺的膜、基于纤维素的膜、基于烯烃的膜、基于环烯烃聚合物的膜和其组合的至少一种。例如，第二光学层710可以包括基于丙烯酰基的膜、基于聚碳酸酯的膜或基于环烯烃聚合物的膜。
在下文中，将参考图6至图11描述根据示例性实施方式的显示装置。图6示出了根据示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图。图7示出了根据示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图。图8示出了根据示例性实施方式的显示装置的示意性剖视图。图9、图10和图11分别示出了根据示例性实施方式的无机层的俯视图。将省略与以上参考图1至图5描述的部件和内容相同或相似的部件和内容的描述。
如图6的示例性实施方式中所示，衬底110可以包括与透射区域TA重叠(例如，在第三方向D3上与透射区域TA重叠)的通孔110h。通孔110h可以根据所提供的光学构件10的尺寸或透射区域TA的尺寸来调节。例如，如图6的示例性实施方式中所示，通孔110h可以具有与透射区域TA的宽度近似相同的宽度(例如，在第一方向D1上的长度)。
根据图6的示例性实施方式的通孔110h可以与形成在无机层500中的凹槽510重叠(例如，在第三方向D3上与形成在无机层500中的凹槽510重叠)。此外，通孔110h可以与抗反射层700的第一区域R1重叠(例如，在第三方向D3上与抗反射层700的第一区域R1重叠)。
如图7的示例性实施方式中所示，形成在无机层500中的凹槽510的最外边缘(例如，在第一方向D1上的最外侧边缘)可以设置在透射区域TA的边缘的内侧。
当在显示装置的制造工艺期间提供高温和高湿度条件时，在凹槽510中产生的气体(例如，NHz)使得在抗反射层700的一部分中发生脱色(例如，透明化)。
由于在凹槽510中产生的气体的扩散，因而可以在具有比凹槽510所占据的面积大的面积的抗反射层700中进行脱色。因此，第一区域R1的平面区域(例如，在第一方向D1和/或第二方向D2上的平面区域)可以大于由凹槽510的最外边缘限定的平面区域。例如，如图7的示例性实施方式中所示，抗反射层700的第一区域R1的最外侧边缘延伸超过凹槽510的最外边缘(例如，抗反射层700的第一区域R1还包括在第一方向D1和/或第二方向D2上从凹槽510的最外边缘延伸的区域)，并且在第三方向D3上不与凹槽510的最外边缘重叠。
如图8的示例性实施方式中所示，封装层400可以包括第一层401和第二层402。第二层402可以直接设置在第一层401上(例如，在第三方向D3上直接设置在第一层401上)。第一层401可以直接设置在电路部分200上(例如，在第三方向D3上直接设置在电路部分200上)。例如，第一层401可以是有机层，并且第二层402可以是无机层，或者第一层401可以是无机层，并且第二层402可以是有机层。与图2中所示的示例性实施方式不同，无机层500可以直接设置在第二层402上(例如，在第三方向D3上直接设置在第二层402上)。第二层402可以直接接触无机层500。
根据图8的示例性实施方式，无机层500不仅可以通过包括凹槽510使抗反射层700的一部分脱色，而且还可以用作封装层400的一个层。
接下来，参考图9、图10和图11，根据示例性实施方式的无机层500可以包括多种类型的凹槽510。
如图9中所示，凹槽510可以具有与透射区域TA重叠的最外边缘(例如，在第一方向D1和/或第二方向D2上的横向边缘)，并且可以具有位于最外边缘内的网格图案。可选地，如图10的示例性实施方式中所示，凹槽510可以具有与透射区域TA重叠的最外边缘(例如，在第一方向D1和/或第二方向D2上的横向边缘)，并且具有位于最外边缘内的多个点状图案。多个点状图案可以布置成预定的几何图案或者可以是随机的。作为另一种选择，如图11中所示，凹槽510可以具有与透射区域TA重叠的最外边缘(例如，在第一方向D1和/或第二方向D2上的横向边缘)，并且具有位于最外边缘内的多个同心的矩形图案。然而，在其它示例性实施方式中，凹槽510可以具有多种不同的形状。例如，凹槽510不限于平坦的形状，并且可以具有多种不同的形状。
在下文中，将参考图12描述根据示例性实施方式的显示装置的电路部分。图12示出了根据示例性实施方式的电路部分200的示意性剖视图。
设置在衬底110上的电路部分200包括缓冲层120。例如，缓冲层120可以直接设置在衬底110上(例如，在第三方向D3上直接设置在衬底110上)。在示例性实施方式中，缓冲层120可以包括无机绝缘材料，诸如选自硅氧化物、硅氮化物和铝氧化物的至少一种化合物，或者可以包括诸如聚酰亚胺丙烯的有机绝缘材料。在一些示例性实施方式中，可以省略缓冲层120。缓冲层120可以使衬底110的表面平坦化，或者可以防止水分、杂质等流入到发光层370中。
在缓冲层120上设置有半导体层130。例如，如图12的示例性实施方式中所示，半导体层130可以直接设置在缓冲层120上(例如，在第三方向D3上直接设置在缓冲层120上)。在示例性实施方式中，半导体层130可以包括选自非晶半导体、多晶半导体和氧化物半导体的至少一种化合物。
半导体层130可以包括连接到源电极173的源区132、连接到漏电极175的漏区133以及设置在源区132与漏区133之间(例如，在第一方向D1上设置在源区132与漏区133之间)的沟道区131。
在半导体层130以及缓冲层120的未被半导体层130覆盖的部分上设置有栅极绝缘膜140。例如，如图12的示例性实施方式中所示，栅极绝缘膜140可以直接设置在半导体层130以及缓冲层120的未被半导体层130覆盖的部分上(例如，在第三方向D3上直接设置在半导体层130以及缓冲层120的未被半导体层130覆盖的部分上)。在示例性实施方式中，栅极绝缘膜140可以包括诸如硅氮化物或硅氧化物的无机材料，或者可以包括有机绝缘材料。硅氮化物可以包括例如SiNx或SiON，并且硅氧化物可以包括例如SiOx。
在设置于半导体层130上的栅极绝缘膜140上可以设置有栅电极124。例如，如图12的示例性实施方式中所示，栅电极124可以直接设置在栅极绝缘膜140上(例如，在第三方向D3上直接设置在栅极绝缘膜140上)。栅电极124可以与半导体层130的沟道区131重叠(例如，在第三方向D3上与半导体层130的沟道区131重叠)。
设置层间绝缘膜160以覆盖栅电极124和暴露的栅极绝缘膜140。例如，如图12的示例性实施方式中所示，层间绝缘膜160可以直接设置在栅电极124以及栅极绝缘膜140的未被栅电极124覆盖的暴露部分上。层间绝缘膜160可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
在层间绝缘膜160上可以设置有源电极173和漏电极175。例如，如图12的示例性实施方式中所示，源电极173和漏电极175可以直接设置在层间绝缘膜160上(例如，在第三方向D3上直接设置在层间绝缘膜160上)。源电极173和漏电极175通过层间绝缘膜160和栅极绝缘膜140的接触孔分别连接到半导体层130的源区132和漏区133。
在源电极173、漏电极175以及从源电极173和漏电极175暴露的层间绝缘膜160上可以设置有平坦化绝缘膜180。例如，如图12的示例性实施方式中所示，平坦化绝缘膜180可以直接设置在源电极173、漏电极175以及层间绝缘膜160的暴露部分上(例如，在第三方向D3上直接设置在源电极173、漏电极175以及层间绝缘膜160的暴露部分上)。平坦化绝缘膜180可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
在平坦化绝缘膜180上设置有作为第一电极的像素电极191。例如，如图12的示例性实施方式中所示，像素电极191可以直接设置在平坦化绝缘膜180上(例如，在第三方向D3上直接设置在平坦化绝缘膜180上)。像素电极191可以通过平坦化绝缘膜180的接触孔连接到漏电极175。
在像素电极191和平坦化绝缘膜180上可以设置有分隔壁360。例如，如图12的示例性实施方式中所示，分隔壁360可以直接设置在像素电极191和平坦化绝缘膜180上(例如，在第三方向D3上直接设置在像素电极191和平坦化绝缘膜180上)。分隔壁360可以与像素电极191的至少一部分重叠(例如，在第三方向D3上与像素电极191的至少一部分重叠)。分隔壁360具有与像素电极191重叠(例如，在第三方向D3上与像素电极191重叠)的开口361。发光层370设置在开口361中。在发光层370和分隔壁360上设置有公共电极270。例如，如图12的示例性实施方式中所示，公共电极270可以直接设置在发光层370和分隔壁360上(例如，在第三方向D3上直接设置在发光层370和分隔壁360上)。在示例性实施方式中，公共电极270可以延伸遍及多个像素(例如，在第一方向D1延伸遍及多个像素)。以上描述的封装层400设置在公共电极270上。例如，如图12的示例性实施方式中所示，封装层400可以直接设置在公共电极270上(例如，在第三方向D3上直接设置在公共电极270上)。像素电极191、发光层370和公共电极270形成发光二极管。
在一些示例性实施方式中，像素电极可以是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极可以是作为电子注入电极的阴极。相反，像素电极可以是阴极，并且公共电极可以是阳极。当空穴和电子分别从像素电极和公共电极注入到发光层中时，当被注入的空穴和电子在其中结合的激子从激发态进入基态时发光。
在下文中，将参考图13至图16描述根据示例性实施方式和比较示例的抗反射层的图像。图13和图14分别示出了根据本发明构思的示例性实施方式的抗反射层的图像。图15和图16分别示出了根据比较示例的抗反射层的图像。
首先，在玻璃上形成硅氮氧化物(SiON)的无机层之后，形成具有十字形的多个凹槽。然后，将抗反射层附接在无机层上，并在65℃和90％湿度下经受老化处理24小时。
图13是根据上述工艺的初始状态的抗反射层的图像。图14是经过24小时之后的抗反射层的图像。如图14的图像中所示，响应于老化处理的高温和高湿度条件，通过包括在无机层中的十字形的凹槽在抗反射层中引起脱色。
在比较示例中，在形成硅氮化物(SiNx)的无机层之后，在上述条件下执行上述工艺，并且然后在经过24小时之后对上述工艺进行检查以确定抗反射层是否脱色。图15是根据对比示例的初始状态的抗反射层的图像，并且图16是经过24小时之后根据对比示例的抗反射层的图像。
参照图15和图16，证实了即使在经过24小时的处理之后，也没有因包括在无机层中的图案而发生单独的脱色处理。
在透射区域在其中被显示区域围绕的显示装置中，应去除或透明地提供与透射区域重叠的抗反射层。然而，抗反射层在其中被去除的区域可以形成气隙，并且可以在在气隙与窗之间发生光折射。可选地，需要粘合剂层来将抗反射层与窗结合，并且当将抗反射层的一部分去除时，粘合剂层可以在所去除的区域中具有弯曲的形状，这会导致非预期的光折射。在部分去除抗反射层的实施方式中，可能由于非预期的光折射而发生显示质量的劣化。另外地，去除工艺可能导致诸如裂纹等的缺陷。
然而，在本发明构思的示例性实施方式中，其中无机层包括凹槽同时包括硅氮氧化物材料，在抗反射层的与凹槽重叠的部分中可能发生脱色。因此，可以在没有抗反射层去除工艺的情况下容易地提供在显示区域中包括透明区域的抗反射层，从而提供具有改善的显示质量的显示装置。
尽管已经结合示例性实施方式描述了本发明，但是应理解的是，本发明构思不限于所公开的示例性实施方式，而是相反地，本发明构思旨在覆盖多种修改和等同布置。

Claims (10)

1.显示装置，包括：
衬底；
电路部分，设置在所述衬底上；
封装层，设置在所述电路部分上；
无机层，设置在所述封装层上并且包括凹槽；以及
抗反射层，设置在所述无机层上，所述抗反射层包括与所述凹槽重叠的第一区域和在所述第一区域外部的第二区域，
其中，所述第一区域的透射率和所述第二区域的透射率是彼此不同的。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域的最外边缘与所述凹槽的最外边缘对准。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层包括硅氮氧化物。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凹槽在平面图中具有圆形形状。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述抗反射层还包括：
第一钝化层；
第二钝化层，与所述第一钝化层重叠；以及
第一光学层，设置在所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一光学层包括聚乙烯醇。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层中的每个包括选自三乙酰纤维素、聚对苯二甲酸乙二醇酯、环烯烃聚合物和丙烯酸聚合物的至少一种化合物。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述抗反射层还包括设置在所述无机层与所述第一钝化层之间的第二光学层。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中：
所述第一光学层包括I5 -、I3 -和I-；以及
所述第一光学层的处于所述第一区域中的部分中包括的I5 -和I3 -的浓度小于所述第一光学层的处于所述第二区域中的部分中包括的I5 -和I3 -的浓度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一区域是透明的。
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