CN112582348B - Oled显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法，制备方法包括步骤：提供一阵列驱动背板，包括第一显示区与第二显示区；在阵列驱动背板上形成第一形变层，第一形变层对应地形成于第二显示区中的非像素区域；在阵列驱动背板与第一形变层上形成第一膜层，其中，在形成第一膜层的过程中，还包括如下步骤：使用第一光照照射第一形变层，第一形变层体积膨胀，得到第二形变层，第二形变层在阵列驱动背板上的正投影与第二显示区的像素区域存在重合，使用第二光照照射第二形变层，第二形变层体积缩小；对第一膜层进行图案化工艺，形成阳极层；在阳极层上形成有机发光功能层、阴极层及封装层。即可使得第二显示区的阳极层厚度减薄，以满足此区域的透光需求。

Description

OLED显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的日益发展，全面屏手机凭借其超高的屏占比和极好的用户体验感，成为时下最热门的技术之一。为满足面板全面屏技术兼容屏下装置(如摄像头等)的需求，需要将如摄像头等装置放置在面板的下方，这些屏 下装置对应的面板区域定义为屏下装置区，为了同时满足屏 下装置区的正常显示以及屏下装置的正常工作，屏 下装置区需同时满足显示和透光的需求，因此通常将屏 下装置区设计为半透明的半显示区域，即在该区域内显示面板的公共电极层需要达到一定的透光率。
目前，通常将顶发光OLED显示面板应用于全面屏显示技术中，其结构由下至上包括衬底基板、阳极层、有机层、以及阴极层，封装层，其中，阳极层通常为氧化铟锡/银/氧化铟锡的叠层膜层构成，透光率极低，需将屏下装置区的阳极层的膜层减薄才可满足屏下装置的感光需求，使其正常工作。然后，在现有的制备工艺中，阳极层通常由物理气相沉积工艺整面溅射形成，无法实现屏 下装置区的阳极层的厚度小于正常显示区的阳极层的厚度，即，无法满足屏 下装置区的透光需求，对全面屏显示的实现造成阻碍。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法，通过特殊设计的制备工艺，可解决因屏 下装置区公共电极厚度过厚导致无法满足屏 下装置区的透光需求的问题。
为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种OLED显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S10:提供一阵列驱动背板，所述阵列驱动背板包括第一显示区与第二显示区；
S20:在所述阵列驱动背板上形成第一形变层，所述第一形变层对应地形成于所述第二显示区中的非像素区域；
S30:在所述阵列驱动背板与所述第一形变层上形成第一膜层，其中，在形成所述第一膜层的过程中，还包括如下步骤：
S301a：使用第一光照照射所述第一形变层，所述第一形变层体积膨胀，得到第二形变层，所述第二形变层在所述阵列驱动背板上的正投影与所述第二显示区的像素区域存在重合，
S301b：使用第二光照照射所述第二形变层，所述第二形变层体积缩小，得到第三形变层，所述第三形变层在所述阵列驱动背板上的正投影完全落入所述第二显示区的非像素区域；
S40:对所述第一膜层进行图案化工艺，形成阳极层；
S50:在所述阳极层上形成有机发光功能层；
S60:在所述有机发光功能层上形成阴极层；以及
S70:在所述阴极层上形成封装层。
进一步地，在开始形成所述第一膜层之前或在所述第一膜层形成的过程中，使用第一光照照射所述第一形变层；以及在所述第一膜层形成的过程中或所述第一膜层形成完成后，使用第二光照照射所述第二形变层。
进一步地，所述第一形变层的材料为含有偶氮苯基的化合物。
进一步地，所述第一形变层在在所述阵列驱动背板上的正投影呈网格型。
进一步地，在所述步骤S301a中，所述第一光照为紫外光，在所述步骤S301b 中，所述第二光照为绿光。
进一步地，在所述步骤S301a中，所述第二形变层在所述阵列驱动背板上的正投影的面积为所述第一形变层在所述阵列驱动背板上的正投影的面积的1.2 至1.5倍。
进一步地，在所述步骤S30中，所述第一形变层通过转印工艺形成。
进一步地，形成所述第一膜层包括，依次形成第一氧化铟锡膜层、银膜层以及第二氧化铟锡层，至少在形成所述银膜层的过程中，包括所述步骤S301a 以及步骤S301b。
进一步地，在形成所述第一氧化铟锡膜层的过程中，包括所述步骤S301a 以及步骤S301b，及/或在形成所述第一氧化铟锡膜层的过程中，包括所述步骤 S301a以及步骤S301b。
为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种OLED显示面板，所述OLED 显示面板由前述的OLED显示面板的制备方法制备而得。
有益效果：本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法，在该制备方法中，在阵列驱动背板的第二显示区上增设了第一形变层，所述第一形变层在不同光照的照射下，可发生体积的膨胀或缩小，利用此性质，在形成阳极层时，利用光照使得所述第一形变层体积膨胀，形成第二形变层，所述第二形变层在所述阵列驱动背板上的正投影与所述第二显示区的像素区域存在重合，即，第二形变层可阻挡所述阳极层溅射形成的部分路径，使得所述第二显示区的阳极层厚度减薄，以满足此区域的透光需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法中该OLED显示面板的平面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法中该OLED显示面板的第二显示区的平面结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法的文字流程示意图；
图4a-4h是本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备方法的截面结构流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种OLED显示面板的制备方法，如下结合图1提供的该制备方法中所制备的OLED显示面板的平面结构示意图，图2是提供的该OLED 显示面板的制备方法中所述OLED显示面板的第二显示区的平面结构示意图，图3是本发明实施例提供的该制备方法的文字流程示意图，以及图4a-4h提供的该制备方法的截面结构流程示意图，分别进行详细说明：
具体地，所述制备方法包括如下步骤：
S10:提供一阵列驱动背板11，所述阵列驱动背板11包括第一显示区AA1与第二显示区AA2，具体可参阅图1，其中，所述阵列驱动背板11的作用为驱动上层的发光器件按照需显示画面的实际图像进行显示，通常由基板以及形成于基板上的阵列排布的多个薄膜晶体管器件与其他信号走线构成，每一所述的薄膜晶体管器件的工作状态可单独控制，以实现每一子像素独立地发光，另外，所述阵列驱动背板11的显示区划分为第一显示区AA1与第二显示区AA2，分别对应正常的显示区与屏下装置区，所述屏下装置区用于放置如屏下摄像头等组件的屏下装置；
S20:在所述阵列驱动背板11上形成第一形变层121，即形成如图4a所示的结构，并且，请参阅2，所述第二显示区AA2上包括阵列排布的若干个像素区AA21 (图中仅示例性地示出15个)以及非像素区AA22，所述第一形变层121对应地形成于所述第二显示区AA2中的非像素区域AA22；
S30:在所述阵列驱动背板11与所述第一形变层121上形成第一膜层131，其中，在形成所述第一膜层131的过程中，还包括如下步骤：
S301a：使用第一光照照射所述第一形变层121，所述第一形变层121体积膨胀，得到第二形变层122，所述第二形变层122在所述阵列驱动背板11上的正投影与所述第二显示区AA2的像素区域AA21存在重合，
S301b：使用第二光照照射所述第二形变层122，所述第二形变层122体积缩小，得到第三形变层123，所述第三形变层123在所述阵列驱动背板11上的正投影完全落入所述第二显示区AA2的非像素区域AA22，
即，在形成所述第一膜层131的过程中，至少存在一段时间，第一形变层121 体积膨胀，得到第二形变层122，而所述第二形变层122在所述阵列驱动背板11 上的正投影与所述第二显示区AA2的像素区域AA21存在重合，意味着所述第二形变层122遮挡了部分所述第一膜层131在第二显示区AA2中的像素区域AA21 中的形成路径，使得沉积得到的第一膜层131在第二显示区AA2中的像素区域 AA21中的厚度较其他区域更薄，具体结构请参阅图4d；
S40:对所述第一膜层131进行图案化工艺，形成阳极层132，即形成如图4e 所示的结构，所述图案化工艺即为本领域常规使用的曝光蚀刻工艺，在图案化工艺中，对于所述第二显示区AA2，主要蚀刻去除所述第三形变层123上沉积的膜层，对于所述第一显示区AA1，需将整面的膜层图案化成多个与像素区一一对应的阳极，图中未具体示出，但本领域技术人员应当很容易理解，在所形成的阳极层132中，第二显示区AA2的膜层厚度小于所述第一显示区AA1的膜层厚度；
S50:在所述阳极层132上形成有机发光功能层14，即形成如图4f所示的结构，通常情况下，所述有机发光功能层14包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层，当然也可根据具体的工艺需求包括其他改善发光效率的功能层；
S60:在所述有机发光功能层14上形成阴极层15，即形成如图4g所示的结构；以及
S70:在所述阴极层15上形成封装层16，即形成如图4h所示的结构，即完成制备所述OLED显示面板，其中，所述封装层16用于阻隔外界的水氧入侵，从而避免因发光器件被水氧侵袭失效而导致显示异常的情况出现，为了实现最佳的阻隔效果，目前，所述封装层16通常采用无机膜层/有机膜层/无机膜层的堆叠膜层。
在本实施例中，通过上述特殊设计的制备工艺，可使得第二显示区的阳极层厚度小于第一显示区的阳极层厚度，从而可提升第二显示区的透光率，以满足设置于第二显示区的屏下装置的感光需求，从而实现全面屏显示。
补充说明的是，在所述步骤S301a中，所述第一形变层受到第一光照照射后，体积膨胀，形成第二膨胀层，图4b示出的所述第二膨胀层的截面形状为梯形，但实际上，所述第二膨胀层的形状为不规则形状，通过控制所述第一光照的照射方向以及光照强度，尽可能地使得所述第一膨胀层向各个方向规则地膨胀，另外，所述第一膨胀层与所述阵列驱动背板之间存在附着力，在此附着力的作用下，所述第一膨胀层的底面不会发生膨胀，即所述第一膨胀层沿侧面以及顶面的方向发生膨胀。
同样地，在所述步骤S301b中，所述第二膨胀层受到第二光照照射后，体积缩小，形成第三膨胀层，通过控制所述第二光照的照射方向以及光照强度，尽可能地使得所述第二膨胀层向各个方向规则地收缩，理论上，收缩形成的第三膨胀层的形状应与所述第一膨胀层的形状相同，但在实际的制备工艺中难以实现，只需保证收缩形成的第三膨胀层在所述阵列驱动背板上的正投影完全落入所述第二显示区的非像素区域即可。
在一些实施例中，在开始形成所述第一膜层之前或在所述第一膜层形成的过程中，使用第一光照照射所述第一形变层；以及在所述第一膜层形成的过程中或所述第一膜层形成完成后，使用第二光照照射所述第二形变层，具体包括以下四种具体的实施方式：
实施方式一，在开始形成所述第一膜层之前使用第一光照照射所述第一形变层，以及在所述第一膜层形成的过程中使用第二光照照射所述第二形变层；
实施方式二，在开始形成所述第一膜层之前使用第一光照照射所述第一形变层，以及在所述第一膜层形成完成后使用第二光照照射所述第二形变层；
实施方式三，在所述第一膜层形成的过程中，使用第一光照照射所述第一形变层，以及在所述第一膜层形成的过程中使用第二光照照射所述第二形变层；
实施方式四，在所述第一膜层形成的过程中，使用第一光照照射所述第一形变层，以及在所述第一膜层形成完成后使用第二光照照射所述第二形变层。
此处，仅以上述的实施方式二进行示例性地说明，开始形成所述第一膜层之前使用第一光照照射所述第一形变层，即由图4a所示的结构转变为图4b所示的结构，再在所述第一膜层形成完成后使用第二光照照射所述第二形变层，即图4c所示的结构转变为图4d所示的结构。其他实施方式本领域技术人员参照上述因当很容易理解，不再给出具体的示意图进行详细说明。
另外，在上述列举的实施方式中，在所述第一膜层形成的过程中，所述第一形变层仅膨胀收缩了一次，根据实际需求，也可膨胀收缩多次，本发明对此不作特殊限定。
在一些实施例中，所述第一形变层121的材料为含有偶氮苯基的化合物。其中，所含有的偶氮苯基为目前研究最为广泛的光响应基团，具有顺式/反式结构的两种同分异构体，因反式结构较为稳定，通常以反式结构存在，即，在所述第一形变层121中，所含有的偶氮苯基为反式结构，在所述第一光照的照射下，所含有的偶氮苯基逐渐由反式转变为顺式，并发生体积膨胀，即形成所述第二形变层122，相应地，使用所述第二光照照射所述第二形变层122，所含有的偶氮苯基逐渐由顺变转变为反式，体积缩小，即形成所述第三形变层123。
在一些实施例中，第一形变层121在在所述阵列驱动背板11上的正投影呈网格型，即如图2所示，如此设计，使得所述第一形变层121尽可能地占据所述第二显示区AA2的非像素区AA22，当其膨胀形成第二形变层时，则可更好地实现第二显示区的阳极层减薄。
在一些实施例中，在所述步骤S301a中，所述第一光照为紫外光，在所述步骤S301b中，所述第二光照为绿光。
在一些实施例中，在所述步骤S301a中，所述第二形变层122在所述阵列驱动背板11上的正投影的面积为所述第一形变层121在所述阵列驱动背板上的正投影的面积的1.2至1.5倍。根据实际的工艺需求，控制第二形变层122的大小以及第二形变层122保持的时间，将所述第二显示区的阳极层减薄至所需厚度。
在一些实施例中，在所述步骤S30中，所述第一形变层121通过转印工艺形成。
在一些实施例中，由于目前在OLED显示面板中，阳极层132通常为氧化铟锡/银/氧化铟锡的叠层结构，因此，形成所述第一膜层131包括，依次形成第一氧化铟锡膜层、银膜层以及第二氧化铟锡层，其中，第一氧化铟锡膜层以及第二氧化铟锡层厚度均较薄，通常为50-150埃，具有较高的透光性，而银膜层膜厚较厚，其厚度通常大于1000埃，透光性较差，因此，为了满足所述第二显示区AA2的透光率，至少在形成所述银膜层的过程中，包括所述步骤S301a以及步骤S301b，即通过前述实施例中所描述的方式，使得第二显示区AA2中阳极层中的银膜层的厚度减薄，以满足第二显示区A22的透光需求。
当然，在一些实施例中，为了进一步增加第二显示区A22的透光率，也可使用前述实施例中所描述的方式，使得第二显示区AA2中阳极层中的第一氧化铟锡层或第二氧化铟锡层的厚度减薄，即在形成所述第一氧化铟锡膜层的过程中，包括所述步骤S301a以及步骤S301b，及/或在形成所述第一氧化铟锡膜层的过程中，包括所述步骤S301a以及步骤S301b。
示例性地，若需使得第二显示区AA2中阳极层中的第一氧化铟锡层以及银膜层减薄，则可在形成所述第一氧化铟锡层的过程中，进行所述步骤S301a，在形成所述银膜层的过程中，进行所述步骤S301b，其他情形以次类推，以操作步骤最简为原则，本领域技术人员应当很容易理解。
本发明实施例还提供了一种OLED显示面板，由前述实施例所提供的OLED 显示面板的制备方法制备而得，其具体结构参阅前述实施例描述即可，本实施例对此不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种OLED显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10:提供一阵列驱动背板，所述阵列驱动背板包括第一显示区与第二显示区；
S20:在所述阵列驱动背板上形成第一形变层，所述第一形变层对应地形成于所述第二显示区中的非像素区域；
S30:在所述阵列驱动背板与所述第一形变层上形成第一膜层，其中，在形成所述第一膜层的过程中，还包括如下步骤：
S301a：使用第一光照照射所述第一形变层，所述第一形变层体积膨胀，得到第二形变层，所述第二形变层在所述阵列驱动背板上的正投影与所述第二显示区的像素区域存在重合，
S301b：使用第二光照照射所述第二形变层，所述第二形变层体积缩小，得到第三形变层，所述第三形变层在所述阵列驱动背板上的正投影完全落入所述第二显示区的非像素区域；
S40:对所述第一膜层进行图案化工艺，形成阳极层，所述图案化工艺包括去除所述第三形变层上沉积的所述第一膜层；
S50:在所述阳极层上形成有机发光功能层；
S60:在所述有机发光功能层上形成阴极层；以及
S70:在所述阴极层上形成封装层。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在开始形成所述第一膜层之前或在所述第一膜层形成的过程中，使用第一光照照射所述第一形变层；以及在所述第一膜层形成的过程中或所述第一膜层形成完成后，使用第二光照照射所述第二形变层。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一形变层的材料为含有偶氮苯基的化合物。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一形变层在在所述阵列驱动背板上的正投影呈网格型。
5.如权利要求3所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S301a中，所述第一光照为紫外光，在所述步骤S301b中，所述第二光照为绿光。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S301a中，所述第二形变层在所述阵列驱动背板上的正投影的面积为所述第一形变层在所述阵列驱动背板上的正投影的面积的1.2至1.5倍。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，所述第一形变层通过转印工艺形成。
8.如权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述第一膜层包括，依次形成第一氧化铟锡膜层、银膜层以及第二氧化铟锡层，至少在形成所述银膜层的过程中，包括所述步骤S301a以及步骤S301b。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在形成所述第一氧化铟锡膜层的过程中，包括所述步骤S301a以及步骤S301b，及/或在形成所述第一氧化铟锡膜层的过程中，包括所述步骤S301a以及步骤S301b。
10.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板由权利要求1-9任意一项所述的OLED显示面板的制备方法制备而得。
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