CN112548817A - 一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法 - Google Patents

一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，对通用粒径的氧化铈抛光粉按照氧化铈颗粒的粒径做初次和二次晒晒筛选，得到具有较优粒径的氧化铈颗粒，在使其与水混合制成抛光液，利用双面胶保护住单抛硅片的已抛光面，再利用研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘与选取的新抛光盘配合，将搅拌均匀的抛光液利用滴管全面地滴至且覆盖新抛光盘的上表面，最终不断调整抛磨夹持盘的转动速度、转动时间以及研磨压强来对单抛硅片的粗糙面做研磨，从而利用抛光液内的氧化铈颗粒去摩擦单抛硅片的粗糙面，降低利用传统抛光砂纸在单抛硅片表面滑动摩擦产生的长条状且深浅不一致类似于山脉的磨砂表面，实现单抛硅片表面光界面比较规整。

Description

一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法
技术领域
本发明涉及红外光谱椭偏测量的基片处理领域，尤其涉及一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法。
背景技术
椭圆偏振技术是研究介质界面或者薄膜中所发生现象及其特性的一种光学方法，其具有无损、快速以及高灵敏度的优点，已经被广泛用在光学薄膜结构、光学常量及块体材料光学常量的检测与测量中。
随着技术进步，单波长的椭偏仪发展越来越精细，宽光谱的光谱型椭偏仪也获得长足发展，测试范围能够覆盖深紫外到太赫兹范围的椭偏仪产品也相继被推出。
对于光谱范围宽广的红外椭偏仪，其基底(或者称基片)背部反射回来的光将会严重干扰探测器所获得的偏振信息。因此，为了降低基底背部所反射回来光对偏振信息获取的不利影响，必须降低基底背部反射的光，甚至消除基底背部反射的光。
目前，对于石英片等透红外波长较短且折射率在1.5左右的材料可以通过粘贴磨砂胶带、折射率匹配或打磨的方法消除，而对于单抛硅片这种具有长范围透红外光及高折射率(约为3.4)的衬底，由于折射率不匹配等原因无法使用粘贴胶带的方法消除背部反射回来光。因此，如何对单抛硅片这种基片做出处理，以满足红外光谱椭偏仪的测试需求，降低基片背部反射的光，实现低背反测试，具有重要的意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，制备抛光液
选取通用粒径的氧化铈抛光粉，用目数为270的不锈钢漏网筛去所述氧化铈粉末内的粒径超过53μm的氧化铈颗粒，得到初次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述通用粒径的氧化铈抛光粉为既含有粒径超过53μm的氧化铈颗粒、粒径小于38μm的氧化铈颗粒以及粒径位于38μm～53μm范围内氧化铈颗粒的氧化铈抛光粉；
再用目数为400的不锈钢漏网筛对所述初次筛选后的氧化铈粉末做筛除，筛去粒径小于38μm的氧化铈颗粒，得到二次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述二次筛选后的氧化铈粉末为粒径位于38μm～53μm范围内的氧化铈颗粒；
将所述二次筛选后的氧化铈粉末与水按照预设质量比例制成抛光用的抛光悬浊液，将该抛光悬浊液作为抛光液备用；其中，所述预设质量比例介于1:2到1:4之间；
步骤二，处理单抛硅片
取出作为基片的单抛硅片，选用缓冲层厚度为1mm的双面胶，将该双面胶的一面覆盖该单抛硅片的已抛光面且压牢，使该双面胶与单抛硅片紧密粘结；其中，所述单抛硅片具有已抛光面和粗糙面；
选取可调速的研磨抛光机，剥离该双面胶的保护层，将所述研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘的下底面朝上，然后再将该单抛硅片的粘有双面胶的面向下粘贴在该抛磨夹持盘的下底面上，且用力均匀压实，使单抛硅片、双面胶和抛磨夹持盘紧密地粘贴在一起，且令该单抛硅片的粗造面暴露出来；其中，该单抛硅片的粗糙面为待加工面；所述研磨抛光机具有所述原装的抛磨夹持盘和原装的抛光盘；所述原装的抛磨夹持盘尺寸小于所述原装的抛光盘尺寸；原装的抛光盘为上表面带沟槽的铸铁抛光盘，该原装的抛光盘具有定位安装杆；所述原装的抛磨夹持盘和原装的抛光盘均为圆形盘；
选用与该研磨抛光机的原装的抛光盘尺寸相符的新抛光盘，提前用清水将该新抛光盘清洗干净，并沥干；其中，所述新抛光盘为铝制的且上表面光滑的抛光盘，其具有与原装抛光盘的定位安装杆相同的定位安装杆，所述研磨抛光机具有定位孔；
将清洗且沥干后的所述新抛光盘的定位安装杆与所述研磨抛光机的定位孔重合后，将该新抛光盘平放在所述研磨抛光机上；
搅拌所述抛光液至均匀，利用滴管吸取经搅拌后的抛光液，并用该滴管按照1cm2/滴的滴液量将抛光液滴在该新抛光盘的上表面，以使得抛光液完全覆盖该新抛光盘的上表面；
将所述单抛硅片的待加工面与滴有抛光液的该新抛光盘的上表面接触，且控制抛磨夹持盘不随该新抛光盘转动；
启动所述研磨抛光机，转动该研磨抛光机的调速旋钮，使得该研磨抛光机以50r/min的转速匀速转动，控制所述单抛硅片的待加工面与所述新抛光盘的上表面之间的压强为0.1MPa；其中，所述单抛硅片的待加工面与所述新抛光盘的上表面之间的压强为研磨压强；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，且保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，研磨2min；
将所述研磨抛光机所对应的研磨压强由0.1MPa增加至0.2MPa，并使该研磨抛光机以30r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，继续保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，研磨2min；
将所述研磨抛光机所对应的研磨压强再由0.2MPa降低至0.1MPa，并使该研磨抛光机仍以30r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，研磨1min；
步骤三，得到磨抛完毕的单抛硅片样品
将所述抛磨夹持盘取下，并用清水清洗掉该抛磨夹持盘上的抛光液，再将该抛磨夹持盘转移到有机溶剂中，利用该有机溶剂去掉位于抛磨夹持盘表面上的双面胶，实现抛磨夹持盘、双面胶与经磨抛完毕的单抛硅片样品的分离，得到磨抛完毕的单抛硅片样品。
改进地，在所述适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法中，所述单抛硅片的直径≤4英寸，且该单抛硅片的厚度≥0.5mm。
再改进地，在所述适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法中，所述抛磨夹持盘通过加减重物实现所述研磨压强的大小调整。
优选地，在所述适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法中，所述有机溶剂为酒精或丙酮。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
首先，该发明使用含有氧化铈颗粒的氧化铈抛光粉替代传统抛光砂纸作为研磨抛光介质，并且对氧化铈颗粒的粒径也做出了限定，然后再与水一起按质量比例制成抛光液，从而实现利用抛光液内的氧化铈颗粒去滚动研磨单抛硅片的待加工面(即单抛硅片的粗糙面)，降低利用传统抛光砂纸在单抛硅片表面滑动研磨产生的长条状且深浅不一致类似于山脉的磨砂表面；
其次，由于抛光液内真正起研磨作用的是氧化铈颗粒，基于氧化铈颗粒为近乎是球形的颗粒，氧化铈颗粒在研磨单抛硅片表面时，其所产生的研磨为滚动研磨，这样，利用滚动研磨所处理后的单抛硅片表面光界面比较规整；
另外，在整个研磨过程中，单抛硅片的待加工面与新抛光盘的上表面之间的研磨压强经历了从小变大、再从大变小的过程，而且，抛磨夹持盘与新抛光盘之间也对应着存在转速差，该转速差可以使抛磨夹持盘与新抛光盘产生相对滑动，同时保持二者不同心(即不共轴)转动，就可以有效地将单抛硅片的待加工面原本没有被研磨到的点不断切换转动至外围，从而被氧化铈颗粒研磨，实现了针对单抛硅片的待加工面的全覆盖，既可以实现充分研磨，又不会发生过度研磨；
再者，用液态的抛光液代替气压推动粉末状固体抛光砂，可消除传统抛光工艺过程中产生的大量粉尘，从而避免粉尘污染环境；
而通过对氧化铈抛光粉内氧化铈颗粒做粒径筛选，得到粒径较优的氧化铈颗粒，可以避免宝石加工工艺中使用砂轮或砂纸研磨工艺中的长划痕及不均匀研磨，大幅降低作为基片的单抛硅片的背面反射，从而满足红外光学椭偏测试的需求；
最后，由于利用了柔软的双面胶对单抛硅片的原有抛光面进行保护，可以最大限度的保护硅片原有抛光面的光洁，这样可以对后续镀膜和测试带来方便。
附图说明
图1为本发明实施中针对单抛硅片的研磨状态示意图；
图2为图1中的A部放大示意图；
图3为本发明实施例中新抛光盘与抛磨夹持盘分别转动过程示意图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
本实施例提供一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，包括如下步骤：
步骤一，制备抛光液
选取通用粒径的氧化铈抛光粉，用目数为270的不锈钢漏网筛去该氧化铈粉末内的粒径超过53μm的氧化铈颗粒，得到初次筛选后的氧化铈粉末；其中，这里所说的“通用粒径的氧化铈抛光粉”是指既含有粒径超过53μm的氧化铈颗粒、粒径小于38μm的氧化铈颗粒以及粒径位于38μm～53μm范围内氧化铈颗粒的氧化铈抛光粉；
再用目数为400的不锈钢漏网筛对上述初次筛选后的氧化铈粉末做筛除，筛去粒径小于38μm的氧化铈颗粒，得到二次筛选后的氧化铈粉末；其中，该二次筛选后的氧化铈粉末为粒径位于38μm～53μm范围内的氧化铈颗粒；
将该二次筛选后的氧化铈粉末与水按照预设质量比例制成抛光用的抛光悬浊液，将该抛光悬浊液作为抛光液备用；例如，该预设质量比例介于1:2到1:4之间；当然，可以以1:3作为二次筛选后的氧化铈粉末与水混合的最佳质量比例；
步骤二，处理单抛硅片
取出作为基片的单抛硅片1，该单抛硅片的直径≤4英寸且该单抛硅片的厚度≥0.5mm，然后选用缓冲层厚度为1mm的双面胶2，将该双面胶2的一面覆盖该单抛硅片1的已抛光面且压牢，使该双面胶与单抛硅片紧密粘结；其中，该单抛硅片1具有已抛光面和粗糙面；需要说明的是，此处该单抛硅片1的粗糙面就是需要作研磨处理的待加工面；
选取可调速的研磨抛光机，剥离该双面胶2的保护层，将研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘31的下底面朝上，然后再将该单抛硅片1的粘有双面胶2的面向下粘贴在该抛磨夹持盘31的下底面上，且用力均匀压实，使单抛硅片1、双面胶2和抛磨夹持盘31紧密地粘贴在一起，且令该单抛硅片1的粗造面暴露出来；其中，研磨抛光机具有原装的抛磨夹持盘31和原装的抛光盘，该原装的抛磨夹持盘31尺寸小于该原装的抛光盘尺寸；其中，该抛磨夹持盘31上可以有以45°角等角度的间隔设置有多个刻度线；原装的抛光盘31为上表面带沟槽的铸铁抛光盘，该原装的抛光盘31具有定位安装杆；原装的抛磨夹持盘31和原装的抛光盘均为圆形盘；
选用与该研磨抛光机的原装的抛光盘尺寸相符的新抛光盘32，提前用清水将该新抛光盘32清洗干净，并沥干；其中，该新抛光盘32为铝制的且上表面光滑的抛光盘，其具有定位安装杆，该定位安装杆与原装抛光盘31的定位安装杆相同；研磨抛光机具有定位孔；定位安装杆可以与定位孔配合安装在一起；
将清洗且沥干后的新抛光盘32的定位安装杆与研磨抛光机的定位孔重合后，将该新抛光盘32平放在该研磨抛光机上；此时，如果研磨抛光机转动，该新抛光盘就也可以随着该研磨抛光机一起做同步、同向转动；
搅拌上述备用的抛光液至均匀，利用滴管吸取经搅拌后的抛光液，并用该滴管按照1cm2/滴的滴液量将抛光液滴在该新抛光盘32的上表面，以使得抛光液完全覆盖该新抛光盘的上表面；其中，图1和图2示出了双面胶2、原装的抛磨夹持盘31、新抛光盘32以及含有若干氧化铈颗粒4的抛光液在配合研磨单抛硅片1时的状态情况；
将单抛硅片1的待加工面与滴有抛光液的该新抛光盘32的上表面接触，且控制抛磨夹持盘31不随该新抛光盘32随意转动；
首先，启动研磨抛光机，转动该研磨抛光机的调速旋钮，使得该研磨抛光机以50r/min的转速匀速转动，控制单抛硅片1的待加工面与新抛光盘32的上表面之间的压强为0.1MPa；同时，按照2r/min的顺时针匀速转动该抛磨夹持盘，带动单抛硅片1的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，且保持抛磨夹持盘31与新抛光盘32之间做不共轴转动，研磨2min；其中，研磨抛光机与抛磨夹持盘31的转动方向相同，也即，新抛光盘32与抛磨夹持盘31的转动方向相同；单抛硅片1的待加工面与新抛光盘32的上表面之间的压强为研磨压强；抛磨夹持盘31可以通过加减重物实现针对该研磨压强的大小调整；针对此处需要说明的是，新抛光盘32上的点绕圆心做的是等角速度的旋转运动，在同一圆环上的点具有相同的线速度，离圆心距离不同的点具有不同的线速度，即离圆心越近的点，线速度越小；离圆心越远的点，线速度越大；如果固定单抛硅片1的待加工面不转动，将导致离新抛光盘32的圆心远的点被过度研磨，那么离该新抛光盘32圆心近的点就得不到充分研磨，于是会出现沟壑状长划痕。因此必须改变该单抛硅片的待加工面的点处于离新抛光盘圆心不同的位置，于是，使抛磨夹持盘31带动单抛硅片的待加工面与新抛光盘32都是做同向的顺时针方向的匀速转动，抛磨夹持盘31与新抛光盘32这二者之间转速差可以产生相对滑动，同时保持二者不同心(即不共轴)，位于单抛硅片1的待加工面上且离新抛光盘32远的点会逐渐变换为离新抛光盘圆心近的点，而原来处于离新抛光盘近的点则随着转动，会转动到离新抛光盘圆心远的位置，从而实现变速研磨，可以实现单抛硅片1的待加工面上的点不断切换离新抛光盘32圆心的位置，既可以实现充分研磨，又不会过度研磨；
另外，在实际处理情况中，单抛硅片1的待加工面在初始状态时存在一定较为规整的刻蚀划痕，此处采用以较低压强0.1MPa和较高的转速50r/min去控制研磨，可以实现快速加深该单抛硅片1的待加工面上的研磨划痕深度，该50r/min的转速可以防止抛光液中的氧化铈颗粒4因高速旋转时的离心作用而甩出新抛光盘32，进而避免导致单抛硅片1的待加工面上的某些位置无法研磨；另外，由于新抛光盘32是随着研磨抛光机以50r/min的转速匀速转动，而抛磨夹持盘31是以2r/min的转速转动，这样，就会在新抛光盘32与抛磨夹持盘31之间产生转速差，而又因新抛光盘32与抛磨夹持盘31之间尺寸不同(即新抛光盘32尺寸大于抛磨夹持盘31的尺寸)，这样，参见图3所示，抛磨夹持盘31带动单抛硅片1所转过的轨迹S1与新抛光盘32所转动轨迹S2是复杂的曲线运动，单抛硅片1的待加工面除了圆心以外的地方，该待加工面上的每个点都将经历高、低速变化的相对运动研磨，从而就可以将单抛硅片1的待加工面上原来没有被研磨到的区域(该区域通常是靠近新抛光盘圆心位置)再次转至外围，经历高速研磨，使得此区域可以被新抛光盘32上的抛光液内的氧化铈颗粒4研磨到，实现了氧化铈颗粒4对单抛硅片1的待加工面的全覆盖研磨效果；参见图3所示，新抛光盘32上离圆心O1越远的地方，线速度越大。其中，在抛磨夹持盘31带动单抛硅片1所转过的轨迹S1上，位置A11处的线速度标记为V11，位置A12处的线速度标记为V12，位置A13处的线速度标记为V13，位置A11、位置A12和位置A13依次远离轨迹S1的圆心O1，可知，线速度V13>线速度V12>线速度V11；在新抛光盘32所转过的轨迹S2上，位置B21处的线速度标记为V21，位置B22处的线速度标记为V22，位置B23处的线速度标记为V23，位置B24处的线速度标记为V24，位置B25处的线速度标记为V25，位置B21、位置B22、位置B23、位置B24和位置B25依次远离轨迹S2的圆心O2，可知，线速度V21>线速度V22>线速度V23>线速度V24>线速度V25；由于抛磨夹持盘31转速与新抛光盘32转速之间的叠加，将使单抛硅片1的待加工面做复杂的变速曲线运动；
然后，将研磨抛光机所对应的研磨压强由0.1MPa增加至0.2MPa，并使该研磨抛光机以30r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min顺时针匀速转动所述的抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘顺时针匀速转动，保持抛磨夹持盘31与新抛光盘32之间做不共轴转动，研磨2min；其中，经过上述加工工艺过程，获得了比较深的划痕，但是还不够充分，因此该处需要加大研磨压强(即由0.1MPa增加至0.2MPa)，但过大的压强容易压破单抛硅片，所以最优值为0.2MPa；由于此时的研磨压强增大，氧化铈颗粒与单抛硅片的待加工面之间的摩擦力随之增大，此时需降低研磨抛光机的转速，降低研磨过程中抛磨夹持盘及单抛硅片控制的难度，以获得较好的加工效果；
再然，将研磨抛光机所对应的研磨压强再由0.2MPa降低至0.1MPa，并使该研磨抛光机仍以30r/min的转速匀速转动；同时，再次按照2r/min的顺时针匀速转动抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，保持抛磨夹持盘31与新抛光盘32之间做不共轴转动，研磨1min；其中，经过上述顺时针转动研磨后，获得的深度基本满足测试要求，但是此时单抛硅片1的加工面上还存在一些由于大压强研磨产生的峡谷沟壑状的划痕，需要消除这些划痕，因此需降低压强(即将研磨压强再由0.2MPa降低至0.1MPa)，同时维持低速(2r/min)，以保护已存在的粗糙面；因此，此处再经过低速、低压强以及旋转均匀的研磨抛光，可以基本消除抛硅片的待加工面上的峡谷沟壑状划痕，形成类似山峰状的，尺寸差异较为明显的研磨面。
步骤三，得到磨抛完毕的单抛硅片样品
将抛磨夹持盘31取下，并用清水清洗掉该抛磨夹持盘31上的抛光液，再将该抛磨夹持盘转移到有机溶剂中，例如，该有机溶剂选用酒精或丙酮，利用该有机溶剂去掉位于抛磨夹持盘表面上的双面胶，此时单抛硅片样品与抛磨夹持盘31之间不在存在粘贴关系，实现了抛磨夹持盘、双面胶与经磨抛完毕的单抛硅片样品的分离，得到磨抛完毕的单抛硅片样品。
尽管以上详细地描述了本发明的优选实施例，但是应该清楚地理解，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，制备抛光液
选取通用粒径的氧化铈抛光粉，用目数为270的不锈钢漏网筛去所述氧化铈粉末内的粒径超过53μm的氧化铈颗粒，得到初次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述通用粒径的氧化铈抛光粉为既含有粒径超过53μm的氧化铈颗粒、粒径小于38μm的氧化铈颗粒以及粒径位于38μm～53μm范围内氧化铈颗粒的氧化铈抛光粉；
再用目数为400的不锈钢漏网筛对所述初次筛选后的氧化铈粉末做筛除，筛去粒径小于38μm的氧化铈颗粒，得到二次筛选后的氧化铈粉末；其中，所述二次筛选后的氧化铈粉末为粒径位于38μm～53μm范围内的氧化铈颗粒；
将所述二次筛选后的氧化铈粉末与水按照预设质量比例制成抛光用的抛光悬浊液，将该抛光悬浊液作为抛光液备用；其中，所述预设质量比例介于1:2到1:4之间；
步骤二，处理单抛硅片
取出作为基片的单抛硅片，选用缓冲层厚度为1mm的双面胶，将该双面胶的一面覆盖该单抛硅片的已抛光面且压牢，使该双面胶与单抛硅片紧密粘结；其中，所述单抛硅片具有已抛光面和粗糙面；
选取可调速的研磨抛光机，剥离该双面胶的保护层，将所述研磨抛光机的原装的抛磨夹持盘的下底面朝上，然后再将该单抛硅片的粘有双面胶的面向下粘贴在该抛磨夹持盘的下底面上，且用力均匀压实，使单抛硅片、双面胶和抛磨夹持盘紧密地粘贴在一起，且令该单抛硅片的粗造面暴露出来；其中，该单抛硅片的粗糙面为待加工面；所述研磨抛光机具有所述原装的抛磨夹持盘和原装的抛光盘；所述原装的抛磨夹持盘尺寸小于所述原装的抛光盘尺寸；原装的抛光盘为上表面带沟槽的铸铁抛光盘，该原装的抛光盘具有定位安装杆；所述原装的抛磨夹持盘和原装的抛光盘均为圆形盘；
选用与该研磨抛光机的原装的抛光盘尺寸相符的新抛光盘，提前用清水将该新抛光盘清洗干净，并沥干；其中，所述新抛光盘为铝制的且上表面光滑的抛光盘，其具有与原装抛光盘的定位安装杆相同的定位安装杆，所述研磨抛光机具有定位孔；
将清洗且沥干后的所述新抛光盘的定位安装杆与所述研磨抛光机的定位孔重合后，将该新抛光盘平放在所述研磨抛光机上；
搅拌所述抛光液至均匀，利用滴管吸取经搅拌后的抛光液，并用该滴管按照1cm2/滴的滴液量将抛光液滴在该新抛光盘的上表面，以使得抛光液完全覆盖该新抛光盘的上表面；
将所述单抛硅片的待加工面与滴有抛光液的该新抛光盘的上表面接触，且控制抛磨夹持盘不随该新抛光盘转动；
启动所述研磨抛光机，转动该研磨抛光机的调速旋钮，使得该研磨抛光机以50r/min的转速匀速转动，控制所述单抛硅片的待加工面与所述新抛光盘的上表面之间的压强为0.1MPa；其中，所述单抛硅片的待加工面与所述新抛光盘的上表面之间的压强为研磨压强；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，且保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，研磨2min；
将所述研磨抛光机所对应的研磨压强由0.1MPa增加至0.2MPa，并使该研磨抛光机以30r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，继续保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，研磨2min；
将所述研磨抛光机所对应的研磨压强再由0.2MPa降低至0.1MPa，并使该研磨抛光机仍以30r/min的转速匀速转动；同时，按照2r/min的转速顺时针匀速转动所述抛磨夹持盘，使单抛硅片的待加工面随该抛磨夹持盘做顺时针匀速转动，保持抛磨夹持盘与新抛光盘之间做不共轴转动，研磨1min；
步骤三，得到磨抛完毕的单抛硅片样品
将所述抛磨夹持盘取下，并用清水清洗掉该抛磨夹持盘上的抛光液，再将该抛磨夹持盘转移到有机溶剂中，利用该有机溶剂去掉位于抛磨夹持盘表面上的双面胶，实现抛磨夹持盘、双面胶与经磨抛完毕的单抛硅片样品的分离，得到磨抛完毕的单抛硅片样品。
2.根据权利要求1所述的适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，所述单抛硅片的直径≤4英寸，且该单抛硅片的厚度≥0.5mm。
3.根据权利要求1所述的适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，所述抛磨夹持盘通过加减重物实现所述研磨压强的大小调整。
4.根据权利要求1所述的适于红外光谱椭偏测量的单抛硅片基片处理方法，其特征在于，所述有机溶剂为酒精或丙酮。
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