CN112542501A - 量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 - Google Patents
量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112542501A CN112542501A CN202011412520.5A CN202011412520A CN112542501A CN 112542501 A CN112542501 A CN 112542501A CN 202011412520 A CN202011412520 A CN 202011412520A CN 112542501 A CN112542501 A CN 112542501A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- light
- conductive matrix
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 315
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 133
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 25
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 23
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 21
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 235000009537 plain noodles Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请提供一种量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置，所述量子点光转换片包括衬底基板、导电层、量子点层和钝化层，通过在所述衬底基板上设置所述导电层，利用所述导电层通电产生的电场作用诱导量子点进行图案化沉积，形成所述量子点层，相较于现有技术，简化了量子点层图案化工艺，提高了生产效率，改善了量子点层中的量子点的稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点光转换片、量子点光转换片制作方法及量子点显示装置。
背景技术
随着科技的发展，量子点显示技术在色域覆盖率、色彩控制精准性、红绿蓝色彩纯净度等各个维度已经全面升级，被视为全球显示技术的制高点，也被视为影响全球的显示技术革命。量子点显示技术可以革命性的实现全色域显示，最真实的还原图像色彩。
量子点(Quantum Dots，简称QD)是肉眼看不到的，极其微小的无机纳米晶体。每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，一般小颗粒的量子点较易吸收长波光，大颗粒的量子点较易吸收短波光。量子点在吸收短波光之后，如吸收蓝光之后会受激发而发射长波段光色，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。因此，在显示装置中，量子点多被用作光转变材料。
在量子点显示装置中，如何高效地实现量子点的图案化一直是本领域的技术难题。目前普遍采用喷墨打印技术或光刻技术对显示装置中的量子点进行图案化操作，但这两种图案化技术都具有明显的缺陷。其中，喷墨打印技术对量子点墨水的要求非常高，实际喷涂过程中很容易出现堵塞喷嘴的现象，严重影响生产的连续性；而光刻技术用到的曝光、显影等操作会严重影响量子点的稳定性，进而导致量子点显示装置出现显示品质问题。
发明内容
基于上述现有技术中的不足，本申请提供一种量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置，提出在衬底基板上设置导电层，通过导电层通电产生的电场作用诱导量子点进行图案化沉积，解决现有技术中因量子点图案化工艺而导致的生产效率低和量子点性能稳定性差的问题。
本申请提供一种量子点光转换片，包括：
衬底基板；
导电层，设置于所述衬底基板上；
量子点层，设置于所述导电层上，所述量子点层具有受光线照射而发光的特性；
钝化层，设置于所述衬底基板上，并覆盖所述导电层和所述量子点层。
根据本申请一实施例，所述导电层包括第一导电矩阵和第二导电矩阵，所述量子点层包括负电性量子点层和正电性量子点层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；
所述负电性量子点层设置于所述第一导电矩阵上，所述第一钝化层覆盖所述第一导电矩阵和所述负电性量子点层；
所述正电性量子点层设置于所述第二导电矩阵上，所述第二钝化层覆盖所述第二导电矩阵和所述正电性量子点层。
根据本申请一实施例，所述量子点层由半导体纳米晶材料制作而成。
本申请还提供一种量子点显示装置，包括：
发光模组，包括多个发光单元；以及
量子点光转换片，设置于所述发光模组的出光面上，所述量子点光转换片包括：
设置于所述发光模组出光面上的衬底基板；
设置于所述衬底基板上的导电层，所述导电层在所述发光模组上的垂直投影对应所述发光单元；
设置于所述导电层上的量子点层，所述量子点层具有受所述发光单元发出的光线照射而发光的特性；以及
设置于所述量子点层上的钝化层。
根据本申请一实施例，所述发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述导电层包括第一导电矩阵和第二导电矩阵，所述量子点层包括负电性量子点层和正电性量子点层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；
所述第一导电矩阵在所述发光模组上的垂直投影对应所述第一发光单元，所述负电性量子点层设置于所述第一导电矩阵上，所述第一钝化层覆盖所述第一导电矩阵和所述负电性量子点层；
所述第二导电矩阵在所述发光模组上的垂直投影对应所述第二发光单元，所述正电性量子点层设置于所述第二导电矩阵上，所述第二钝化层覆盖所述第二导电矩阵和所述正电性量子点层。
根据本申请一实施例，在所述量子点光转换片上，所述第一导电矩阵与所述第二导电矩阵之间设置有空白矩阵，所述空白矩阵在所述发光模组上的垂直投影对应所述第三发光单元。
根据本申请一实施例，所述发光单元为蓝光发光器；
所述负电性量子点层为红光量子点层，用于将蓝光转变为红光；
所述正电性量子点层为绿光量子点层，用于将蓝光转变为绿光；
所述空白矩阵为蓝光透光区。
本申请还提供一种量子点光转换片制作方法，所述量子点光转换片应用于量子点显示装置中，所述量子点显示装置包括具有多个发光单元的发光模组，所述量子点光转换片制作方法包括以下步骤：
根据所述发光单元在所述发光模组上的分布特征，在一衬底基板上制作与所述发光单元的分布特征相同的导电层；
将包含量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板上，并覆盖所述导电层；
对所述导电层通电，所述量子点分散液中的量子点在电场作用下沉积于所述导电层上；
去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述导电层上的量子点层；
制作覆盖所述量子点层和所述导电层的钝化层。
根据本申请一实施例，所述发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
制作所述导电层的方法包括：在所述衬底基板上制作与所述第一发光单元的分布特征相同的第一导电矩阵，以及与所述第二发光单元的分布特征相同的第二导电矩阵；
制作所述量子点层及所述钝化层的方法包括：将包含负电性量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板上，并覆盖所述第一导电矩阵和所述第二导电矩阵；对所述第一导电矩阵通正电，所述第二导电矩阵通负电，所述负电性量子点在电场作用下沉积于所述第一导电矩阵上；去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述第一导电矩阵上的负电性量子点层；制作覆盖所述负电性量子点层和所述第一导电矩阵的第一钝化层；将包含正电性量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板上，并覆盖所述第二导电矩阵；对所述第一导电矩阵通正电，所述第二导电矩阵通负电，所述正电性量子点在电场作用下沉积于所述第二导电矩阵上；去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述第二导电矩阵上的正电性量子点层；制作覆盖所述正电性量子点层和所述第二导电矩阵的第二钝化层。
根据本申请一实施例，制作所述导电层时，在所述衬底基板上设置与所述第三发光单元的分布特征相同的空白矩阵。
本申请的有益效果是：本申请提供的量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置，通过设置导电层，利用导电层通电产生的电场作用诱导量子点进行图案化沉积，相较于现有技术，简化了量子点层图案化工艺，提高了生产效率，改善了量子点层中的量子点的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的量子点光转换片的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的量子点显示装置的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的量子点光转换片的制作方法流程图；
图4是在衬底基板上制作完成导电层后的结构示意图；
图5是在第一导电矩阵上制作完成负电性量子点层后的结构示意图；
图6是制作完成第一钝化层后的结构示意图；
图7是在第二导电矩阵上制作完成正电性量子点层后的结构示意图；
图8是使用本申请实施例提供的量子点光转换片的制作方法制作而成的量子点光转换片的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请实施例提供一种量子点光转换片，包括设置于衬底基板与量子层之间的导电层，通过该导电层的设置，促使量子点层形成以导电层为基准的图案化分布，在简化制程工艺的同时，保证了量子点层中的量子点性能的稳定。
如图1所示，是本申请实施例提供的量子点光转换片10的结构示意图。所述量子点光转换片10包括衬底基板11、设置于所述衬底基板11上的导电层12、设置于所述导电层12上的量子点层13、以及覆盖所述导电层12和所述量子点层13的钝化层14。其中，所述衬底基板11为透明基板，例如可以是聚酰亚胺等柔性基板，也可以是玻璃等硬质基板；所述导电层12可以是透明金属导电层，也可以是透明非金属导电层；所述量子点层13是量子点材料聚集层，所述量子点层13具有受光线照射而发光的特性，例如在受到蓝光照射时发出红光或绿光；所述钝化层14为电性绝缘层，其可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、有机硅氧烷聚合物等无机或有机绝缘材料制作而成。需要说明的是，在本实施例中，设置于所述衬底基板11上的所述导电层12，可以连接外部电源而使其产生电场，该电场可促使所述量子点层13以所述导电层12为基准分布，在所述导电层12具有特定图案的条件下，所述量子点层13也形成图案化分布；相较于现有技术，简化了量子点层的图案化工艺，并使量子点层中的量子点免受紫外光照、高温和化学腐蚀的作用，有利于保证量子点层性能的稳定性。
可选地，所述量子点层13的厚度为10纳米至10微米之间，所述量子点层13由半导体纳米晶材料制作而成，所述半导体纳米晶材料可以是III-V族化合物或II-VI族化合物或钙钛矿类或CuInZnS等多元材料。
可选地，所述导电层12包括第一导电矩阵121和第二导电矩阵122，所述量子点层13包括负电性量子点层131和正电性量子点层132，所述钝化层14包括第一钝化层141和第二钝化层142。所述负电性量子点层131设置于所述第一导电矩阵121上，所述第一钝化层141覆盖所述第一导电矩阵121和所述负电性量子点层131。所述正电性量子点层132设置于所述第二导电矩阵122上，所述第二钝化层142覆盖所述第二导电矩阵122和所述正电性量子点层132。需要说明的是，量子点光转换片通常具有多种光色转化能力，因而在本实施例中设置了所述负电性量子点层131和所述正电性量子点层132；可选地，所述负电性量子点层131可以是红光量子点层，具有将蓝光转变为红光的能力；所述正电性量子点层132可以是绿光量子点层，具有将蓝光转变为绿光的能力。所述负电性量子点层131是由本身具有负电性或在电场作用下极化而产生负电性的量子点材料制作而成；所述正电性量子点层132是由本身具有正电性或在电场作用下极化而产生正电性的量子点材料制作而成。
应当理解的是，在制作所述量子点层13时，所述第一导电矩阵121接通正电，所述第二导电矩阵122接通负电，所述第一导电矩阵121与所述第二导电矩阵122之间产生电场作用，促使所述负电性量子点层131形成于所述第一导电矩阵121上，所述正电性量子点层132形成于所述第二导电矩阵122上，从而使所述负电性量子点层131和所述正电性量子点层132分别实现图案化分布。本实施例中，所述量子点层13的图案化制程中，不需要使用喷墨打印和光刻技术，因而该量子点光转换片10具有较高的生产效率和品质。
可选地，所述第二导电矩阵122与所述第一导电矩阵121之间还设置有空白矩阵15，在所述空白矩阵15中不设置导电材料，因而在该区域中不形成量子点层。需要说明的是，所述空白矩阵15可作为透光区，当该量子点光转换片10应用于以蓝光为背光的显示装置中时，所述负电性量子点层131将蓝光转变为红光，所述正电性量子点层132将蓝光转变为绿光，所述空白矩阵15内蓝光正常穿过，从而实现显示装置的红、绿、蓝三色光出光。
综上所述，本申请实施例提供的量子点光转换片，通过设置于衬底基板上的导电层，可容易地实现量子点层的图案化，在简化其制程工艺的同时，保证了量子点层中的量子点性能的稳定。
本申请实施例还提供一种量子点显示装置，如图2所示，所述量子点显示装置包括发光模组20和设置于所述发光模组20的出光面上的量子点光转换片10，所述量子点光转换片10用于转变所述发光模组20发出光线的颜色，以实现所述量子点显示装置的全彩显示。
发光模组20包括多个发光单元21，所述发光单元21可以是蓝光发光器，例如可以是蓝光有机发光二极管。需要说明的是，一个所述发光单元21对应所述量子点显示装置的一个像素单元，多个所述发光单元21的组合发光可实现所述量子点显示装置的画面显示。
所述量子点光转换片10包括衬底基板11、设置于所述衬底基板11上的导电层12、设置于所述导电层12上的量子点层13、以及覆盖所述导电层12和所述量子点层13的钝化层14。其中，所述导电层12在所述发光模组20上的垂直投影对应所述发光单元21，即所述导电层12在所述量子点光转换片10上分布位置与所述发光单元21在所述发光模组20上的分布位置一致，二者之间存在垂直对应关系。所述衬底基板11为透明基板；所述量子点层13是量子点材料聚集层，所述量子点层13具有受光线照射而发光的特性；所述钝化层14为电性绝缘层。需要说明的是，在本实施例中，所述导电层12具有与所述发光单元21的分布形态一致的图案化形态，所述导电层12可以连接外部电源而使其产生电场，该电场可促使所述量子点层13以所述导电层12为基准分布，从而使所述量子点层13同样具有与所述发光单元21的分布形态一致的图案化形态，由所述发光单元21发出的光激发所述量子点层13发光，从而实现光线的色彩转变。相较于现有技术，本实施例可简化量子点层的图案化工艺，并使量子点层中的量子点免受紫外光照、高温和化学腐蚀的作用，有利于保证量子点层性能的稳定性。
可选地，所述发光单元21包括第一发光单元211、第二发光单元212和第三发光单元213，所述导电层12包括第一导电矩阵121和第二导电矩阵122，所述量子点层13包括负电性量子点层131和正电性量子点层132，所述钝化层14包括第一钝化层141和第二钝化层142。所述第一导电矩阵121在所述发光模组20上的垂直投影对应所述第一发光单元211，所述负电性量子点层131设置于所述第一导电矩阵121上，所述第一钝化层141覆盖所述第一导电矩阵121和所述负电性量子点层131。所述第二导电矩阵122在所述发光模组20上的垂直投影对应所述第二发光单元212，所述正电性量子点层132设置于所述第二导电矩阵122上，所述第二钝化层142覆盖所述第二导电矩阵122和所述正电性量子点层132。
需要说明的是，量子点光转换片通常具有多种光色转化能力，因而在本实施例中设置了所述负电性量子点层131和所述正电性量子点层132；可选地，所述负电性量子点层131可以是红光量子点层，具有将蓝光转变为红光的能力；所述正电性量子点层132可以是绿光量子点层，具有将蓝光转变为绿光的能力。所述负电性量子点层131是由本身具有负电性或在电场作用下极化而产生负电性的量子点材料制作而成；所述正电性量子点层132是由本身具有正电性或在电场作用下极化而产生正电性的量子点材料制作而成。
应当理解的是，在制作所述量子点层13时，所述第一导电矩阵121接通正电，所述第二导电矩阵122接通负电，所述第一导电矩阵121与所述第二导电矩阵122之间产生电场作用，促使所述负电性量子点层131形成于所述第一导电矩阵121上，所述正电性量子点层132形成于所述第二导电矩阵122上，从而使所述负电性量子点层131形成对应所述第一发光单元211的图案化分布，使所述正电性量子点层132形成对应所述第二发光单元212的图案化分布。本实施例中，所述量子点层13的图案化制程中，不需要使用喷墨打印和光刻技术，因而该量子点显示装置具有较高的生产效率和品质。
可选地，在所述量子点光转换片10上，所述第一导电矩阵121与所述第二导电矩阵122之间设置有空白矩阵15，所述空白矩阵15在所述发光模组20上的垂直投影对应所述第三发光单元213，即所述第三发光单元213发出的光线会垂直穿过所述空白矩阵15。需要说明的是，在所述空白矩阵15中不设置导电材料，因而在该区域中不形成量子点层，所述第三发光单元213发出的光穿过所述空白矩阵15时，不会发生光色转变。
进一步地，所述第一发光单元211、所述第二发光单元212和所述第三发光单元213均为蓝光发光器；所述第一发光单元211发出的光线经所述负电性量子点层131后转变为红光；所述第二发光单元212发出的光线经所述正电性量子点层132后转变为绿光；所述第三发光单元213发出的光线穿过所述空白矩阵15后仍表现为蓝光。进而实现所述量子点显示装置的红、绿、蓝三色光显示。
综上所述，本申请实施例提供的量子点显示装置，可容易地实现量子点层的图案化分布，在简化其制程工艺的同时，保证了量子点层中的量子点性能的稳定。
本申请实施例还提供一种量子点光转换片制作方法，如图2和图3所示，所述量子点光转换片应用于上述实施例所述的量子点显示装置中，所述量子点显示装置包括具有多个发光单元21的发光模组20。所述量子点光转换片制作方法包括以下步骤：
步骤S1、参考图2和图4所示，根据所述发光单元21在所述发光模组20上的分布特征，在一衬底基板11上制作与所述发光单元21的分布特征相同的导电层12。需要说明的是，制作形成的所述导电层12的分布特征需满足：将最终制成的所述量子点光转换片与所述发光模组20组装后，所述导电层12在所述发光模组20上的垂直投影的位置与所述发光单元21的位置相对应。
具体地，所述发光单元21包括第一发光单元211、第二发光单元212和第三发光单元213；制作所述导电层12的方法包括：在所述衬底基板11上制作与所述第一发光单元211的分布特征相同的第一导电矩阵121，以及与所述第二发光单元212的分布特征相同的第二导电矩阵122。
进一步地，制作所述导电层12时，在所述第二导电矩阵122与所述第一导电矩阵121之间保留空白区域形成空白矩阵15，所述空白矩阵15在所述衬底基板上的分布特征与所述第三发光单元213的分布特征相同。
步骤S2、参考图5至图8所示，将包含量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板11上，并覆盖所述导电层12。
步骤S3、对所述导电层12通电，所述量子点分散液中的量子点在电场作用下沉积于所述导电层12上。
步骤S4、去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述导电层12上的量子点层13。
步骤S5、制作覆盖所述量子点层13和所述导电层12的钝化层14。
可选地，所述步骤S2至所述步骤S5具体包括以下操作步骤：将包含负电性量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板11上，并覆盖所述第一导电矩阵121和所述第二导电矩阵122；对所述第一导电矩阵121通正电，所述第二导电矩阵122通负电，所述负电性量子点在电场作用下沉积于所述第一导电矩阵121上；去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述第一导电矩阵121上的负电性量子点层131；制作覆盖所述负电性量子点层131和所述第一导电矩阵121的第一钝化层141；将包含正电性量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板11上，并覆盖所述第二导电矩阵122；对所述第一导电矩阵121通正电，所述第二导电矩阵122通负电，所述正电性量子点在电场作用下沉积于所述第二导电矩阵122上；去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述第二导电矩阵122上的正电性量子点层132；制作覆盖所述正电性量子点层132和所述第二导电矩阵122的第二钝化层142，进而完成所述量子点光转换片的制作。
需要说明的是，所述负电性量子点是本身具有负电性或在电场作用下极化而产生负电性的量子点，所述正电性量子点是本身具有正电性或在电场作用下极化而产生正电性的量子点。
可选地，去除所述量子点分散液中的液体成分的方法包括对所述量子点分散液加热或在真空条件下烘干，其中加热和烘干的温度在50℃至300℃之间；在所述第一导电矩阵121和所述第二导电矩阵122上通电后，二者之间产生的电场强度在1V/μm至200V/μm之间；所述量子点层13的厚度为10纳米至10微米之间，所述量子点层13中的量子点可以是半导体纳米晶，所述半导体纳米晶可以是III-V族化合物或II-VI族化合物或钙钛矿类或CuInZnS等多元晶体材料；制作所述钝化层14的方法是化学气相沉积法，所述钝化层14可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、有机硅氧烷聚合物等无机或有机绝缘材料制作而成。
综上所述，本申请实施例提供的量子点光转换片制作方法，通过在衬底基板上设置导电层，利用导电层通电产生的电场作用诱导量子点进行图案化沉积，相较于现有技术，简化了量子点层图案化工艺，提高了生产效率，改善量子点层中的量子点的稳定性。
需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种量子点光转换片，其特征在于，包括：
衬底基板；
导电层，设置于所述衬底基板上；
量子点层，设置于所述导电层上，所述量子点层具有受光线照射而发光的特性；
钝化层，设置于所述衬底基板上，并覆盖所述导电层和所述量子点层。
2.根据权利要求1所述的量子点光转换片，其特征在于，所述导电层包括第一导电矩阵和第二导电矩阵，所述量子点层包括负电性量子点层和正电性量子点层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；
所述负电性量子点层设置于所述第一导电矩阵上，所述第一钝化层覆盖所述第一导电矩阵和所述负电性量子点层；
所述正电性量子点层设置于所述第二导电矩阵上，所述第二钝化层覆盖所述第二导电矩阵和所述正电性量子点层。
3.根据权利要求1所述的量子点光转换片，其特征在于，所述量子点层由半导体纳米晶材料制作而成。
4.一种量子点显示装置，其特征在于，包括：
发光模组，包括多个发光单元；以及
量子点光转换片，设置于所述发光模组的出光面上，所述量子点光转换片包括：
设置于所述发光模组出光面上的衬底基板；
设置于所述衬底基板上的导电层，所述导电层在所述发光模组上的垂直投影对应所述发光单元；
设置于所述导电层上的量子点层，所述量子点层具有受所述发光单元发出的光线照射而发光的特性；以及
设置于所述量子点层上的钝化层。
5.根据权利要求4所述的量子点显示装置，其特征在于，所述发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，所述导电层包括第一导电矩阵和第二导电矩阵，所述量子点层包括负电性量子点层和正电性量子点层，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；
所述第一导电矩阵在所述发光模组上的垂直投影对应所述第一发光单元，所述负电性量子点层设置于所述第一导电矩阵上，所述第一钝化层覆盖所述第一导电矩阵和所述负电性量子点层；
所述第二导电矩阵在所述发光模组上的垂直投影对应所述第二发光单元，所述正电性量子点层设置于所述第二导电矩阵上，所述第二钝化层覆盖所述第二导电矩阵和所述正电性量子点层。
6.根据权利要求5所述的量子点显示装置，其特征在于，在所述量子点光转换片上，所述第一导电矩阵与所述第二导电矩阵之间设置有空白矩阵，所述空白矩阵在所述发光模组上的垂直投影对应所述第三发光单元。
7.根据权利要求6所述的量子点显示装置，其特征在于，所述发光单元为蓝光发光器；
所述负电性量子点层为红光量子点层，用于将蓝光转变为红光；
所述正电性量子点层为绿光量子点层，用于将蓝光转变为绿光；
所述空白矩阵为蓝光透光区。
8.一种量子点光转换片制作方法，所述量子点光转换片应用于量子点显示装置中，所述量子点显示装置包括具有多个发光单元的发光模组，其特征在于，包括以下步骤：
根据所述发光单元在所述发光模组上的分布特征，在一衬底基板上制作与所述发光单元的分布特征相同的导电层；
将包含量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板上，并覆盖所述导电层；
对所述导电层通电，所述量子点分散液中的量子点在电场作用下沉积于所述导电层上；
去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述导电层上的量子点层；
制作覆盖所述量子点层和所述导电层的钝化层。
9.根据权利要求8所述的量子点光转换片制作方法，其特征在于，所述发光单元包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；
制作所述导电层的方法包括：在所述衬底基板上制作与所述第一发光单元的分布特征相同的第一导电矩阵，以及与所述第二发光单元的分布特征相同的第二导电矩阵；
制作所述量子点层及所述钝化层的方法包括：将包含负电性量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板上，并覆盖所述第一导电矩阵和所述第二导电矩阵；对所述第一导电矩阵通正电，所述第二导电矩阵通负电，所述负电性量子点在电场作用下沉积于所述第一导电矩阵上；去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述第一导电矩阵上的负电性量子点层；制作覆盖所述负电性量子点层和所述第一导电矩阵的第一钝化层；将包含正电性量子点的量子点分散液涂布于所述衬底基板上，并覆盖所述第二导电矩阵；对所述第一导电矩阵通正电，所述第二导电矩阵通负电，所述正电性量子点在电场作用下沉积于所述第二导电矩阵上；去除所述量子点分散液中的液体成分，得到固化于所述第二导电矩阵上的正电性量子点层；制作覆盖所述正电性量子点层和所述第二导电矩阵的第二钝化层。
10.根据权利要求9所述的量子点光转换片制作方法，其特征在于，制作所述导电层时，在所述衬底基板上设置与所述第三发光单元的分布特征相同的空白矩阵。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011412520.5A CN112542501A (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-04 | 量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 |
| PCT/CN2020/139421 WO2022116319A1 (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-25 | 量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011412520.5A CN112542501A (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-04 | 量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112542501A true CN112542501A (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=75016132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011412520.5A Pending CN112542501A (zh) | 2020-12-04 | 2020-12-04 | 量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112542501A (zh) |
| WO (1) | WO2022116319A1 (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105353554A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板的制作方法及液晶显示装置 |
| CN106611826A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩膜显示面板及其制作方法 |
| CN110148675A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-20 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点发光单元、量子点发光器件及显示装置 |
| CN111607234A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种量子点组合物及其制备方法、量子点图案化方法以及图案化量子点固态膜 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103227189B (zh) * | 2013-04-09 | 2015-12-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置 |
| CN105388660B (zh) * | 2015-12-17 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型阵列基板的制备方法 |
| CN108008565B (zh) * | 2017-12-04 | 2020-08-07 | 福州大学 | 一种基于自组装的量子点滤色膜的制备方法 |
| CN112820190B (zh) * | 2019-11-18 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 量子点基板制作方法 |
| CN111427111A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-07-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 量子点图案化方法、装置及系统 |
-
2020
- 2020-12-04 CN CN202011412520.5A patent/CN112542501A/zh active Pending
- 2020-12-25 WO PCT/CN2020/139421 patent/WO2022116319A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105353554A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板的制作方法及液晶显示装置 |
| US20180217439A1 (en) * | 2015-12-04 | 2018-08-02 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Manufacturing method for color film substrate and lcd apparatus |
| CN106611826A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子点彩膜显示面板及其制作方法 |
| CN110148675A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-20 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点发光单元、量子点发光器件及显示装置 |
| CN111607234A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种量子点组合物及其制备方法、量子点图案化方法以及图案化量子点固态膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022116319A1 (zh) | 2022-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11362148B2 (en) | Quantum dot display panel and manufacturing method thereof | |
| CN100493277C (zh) | 全色有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN108933153A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| US11335874B2 (en) | Quantum dot color filter substrate, fabricating method thereof, and display panel | |
| CN104538351B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| US20030222577A1 (en) | Full color organic light-emitting display device | |
| CN108258140A (zh) | 有机发光装置 | |
| CN111508989B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板及其制备方法 | |
| CN105242442A (zh) | 量子点彩膜的制备方法 | |
| WO2019001183A1 (zh) | 微型发光二极管显示器件及其制备方法 | |
| CN109216590B (zh) | 一种柔性彩色micro-LED显示器件制备方法 | |
| CN105355726A (zh) | 量子点层图形化的方法及量子点彩膜的制备方法 | |
| CN110061151A (zh) | 一种有机发光二极管面板及其制作方法和显示设备 | |
| WO2023071911A1 (zh) | 波长转换矩阵及其制作方法 | |
| CN107994124A (zh) | 发光二极管及其制备方法、阵列基板、电子装置 | |
| CN112542501A (zh) | 量子点光转换片及其制作方法、量子点显示装置 | |
| US20220336712A1 (en) | Display device using micro led, and method for manufacturing same | |
| CN114551495A (zh) | 显示器件及其制备方法 | |
| US20050259049A1 (en) | Organic electroluminescent display structure | |
| CN110993826B (zh) | Oled显示面板及显示面板、显示装置 | |
| CN111552148B (zh) | 一种光罩结构 | |
| CN112820190B (zh) | 量子点基板制作方法 | |
| CN107527941A (zh) | 一种有机发光显示屏及其制造方法 | |
| TW444235B (en) | Method of fabricating and patterning oleds | |
| CN110379930A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210323 |