CN112532206A - 一种双工器 - Google Patents
一种双工器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112532206A CN112532206A CN202011485700.6A CN202011485700A CN112532206A CN 112532206 A CN112532206 A CN 112532206A CN 202011485700 A CN202011485700 A CN 202011485700A CN 112532206 A CN112532206 A CN 112532206A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- duplexer
- end filter
- layer
- acoustic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PILOURHZNVHRME-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ba] Chemical compound [Na].[Ba] PILOURHZNVHRME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
Abstract
本发明涉及射频滤波器和双工器技术，具体涉及一种双工器，包括衬底基板以及位于衬底基板上的不同频带的接收端滤波器和发射端滤波器；接收端滤波器和发射端滤波器均包括多个堆叠式体声波谐振器，堆叠式体声波谐振器包括衬底、声反射层、底电极、多层压电材料层、多层中间电极层和顶电极。堆叠式体声波谐振器通过压电材料层和各电极层形成多层压电振荡堆串联结构，可以提高谐振器的谐振频率，本发明通过对堆叠式体声波谐振器的堆叠层数进行调整，从而对单个谐振器的谐振频率进行调频，使接收滤波器和发射滤波器的谐振器的谐振频率进行匹配，从而实现双工器的集成。
Description
技术领域
本发明属于射频滤波器和双工器技术领域，尤其涉及一种双工器。
背景技术
在移动通信设备中，滤波器是其能够进行通信交流的核心部件。伴随着5G时代的到来，移动通信领域朝着更高频率、更宽频带的目标不断发展，智能通讯设备以小型化、轻薄化为发展趋势。然而，由于数据通讯和传输的频带越来越高，移动通信要求覆盖的频率范围越来越大，这意味着需要越来越多的滤波器来实现数据的选择和传输以实现全频段通讯的要求，使移动通讯设备小型化受到了阻碍。双工器的目的是在蜂窝无线电的天线上分离调制的发射信号和接收信号。因此，越来越多的双工器被运用到移动通信设备中，实现宽频带通讯功能的同时保持移动通讯设备的轻薄化、小型化。
双工器的作用是在频分系统中，通过一个天线共享信号的发射和接收，通过内部的发射端滤波器(TX)和接收端滤波器(RX)进行信号的过滤选择等处理。传统的双工器以体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,以下简称FBAR)、声表面波(SurfaceAcoustic Wave,以下简称SAW)谐振器为基础，分别构造了用FBAR滤波器搭建的双工器和用SAW滤波器搭建的双工器。然而，随着通讯频率的不断提高，SAW滤波器由于本身结构和声表面波性质的限制，中心频率只能到达2GHz左右，满足不了5G通讯频率的要求。体声波谐振频率由压电层的厚度决定，FBAR滤波器的中心频率能达到5G频带，但是在满足5G甚至6G以上的超高频段的同时，自身的压电薄膜层降低至几百甚至几十纳米，这必然造成薄膜缺陷严重降低压电材料的性能，带来伪模式和其他寄生模态，降低器件性能，而且极大增加工艺难度。
传统的体声波谐振器通过减小压电材料层和电极的厚度来提高谐振器的频率，但是材料过薄时会增加加工的工艺难度同时还会带来缺陷降低压电材料的性能，产生伪模式和寄生模式。
发明内容
针对背景技术存在的问题，本发明提供一种以堆叠式体声波谐振器为基础的双工器。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种双工器，包括衬底基板以及位于衬底基板上的不同频带的接收端滤波器和发射端滤波器；接收端滤波器和发射端滤波器均包括多个堆叠式体声波谐振器。
在上述的双工器中，堆叠式体声波谐振器包括衬底、声反射层、底电极、多层压电材料层、多层中间电极层和顶电极。
在上述的双工器中，衬底为硅衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底或SOI衬底中任一种。
在上述的双工器中，底电极、顶电极和中间电极层为金属电极，选用金属钼、铂、金、银、铝、钨、钛、铜、钌和铬中的一种或多种组合；压电材料层选择氮化铝、氧化锌、铌酸锂、PZT、铌酸钡钠中的一种或多种组合。
在上述的双工器中，声反射层为空气、高声学阻抗材料与低声学阻抗材料交替构成的布拉格反射层或声子晶体结构。
与现有技术相比，本发明在不改变每层材料厚度的情况下通过对压电材料层和中间电极层的层数进行调整，来提高体声波谐振器的谐振频率，在不减小各层材料厚度的情况下，改变谐振器的谐振频率，更容易地进行谐振频率的匹配，实现双工器的集成，减小双工器的尺寸。在不改变各层薄膜厚度的情况下，降低了工艺难度，可以实现双工器的单片集成和小型化。
附图说明
图1为本发明实施例1的双工器的框图；
图2为本发明实施例1双工器发射端(接收端)带通滤波器的拓扑结构图；
图3为本发明实施例1双工器的截面图；
图4为本发明实施例1双工器发射端(接收端)带通滤波器的截面图。
图5为本发明实施例1堆叠式体声波谐振器的截面图；
图6为本发明实施例2的双工器发射端(接收端)带通滤波器截面图；
图7为本发明实施例1不同堆叠层数堆叠式体声波谐振器阻抗曲线图；
其中，101-天线、102-移相器、103-发射端带通滤波器、104-接收端带通滤波器、105-串联体声波谐振器、106-并联体声波谐振器、110-双工器、201-衬底基板、202-声反射层、203-底电极、204-第一压电材料层、205第一中间电极层、206-第二压电材料层、207-顶电极、208-第二中间电极层、209-第三压电材料层、210-两层压电层堆叠式体声波谐振器、211-第三中间电极层、212-第四压电材料层、220-三层压电层堆叠式体声波谐振器、230-四层压电层堆叠式体声波谐振器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
堆叠式体声波谐振器通过压电材料层和各电极层形成多层压电振荡堆串联结构，可以提高谐振器的谐振频率，本实施例通过对堆叠式体声波谐振器的堆叠层数进行调整，从而对单个谐振器的谐振频率进行调频，使接收滤波器和发射滤波器的谐振器的谐振频率进行匹配，从而实现双工器的集成。
本实施例是通过以下技术方案来实现的，一种双工器，包括衬底基板以及位于衬底基板上的接收端滤波器和发射端滤波器；接收端滤波器和发射端滤波器均包括多个堆叠式体声波谐振器。堆叠式体声波谐振器包括衬底、声反射层、底电极、多层压电材料层、多层中间电极层和顶电极。
堆叠式体声波谐振器的压电材料层数至少为两层。
不同的堆叠式体声波谐振器具有不同层数的压电材料层和中间电极层。
声反射层可以是空气也可以是由高声学阻抗材料与低声学阻抗材料交替构成的布拉格反射层或声子晶体结构。
所用衬底为非柔性衬底且适用于体声波谐振器，选用硅衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底或SOI衬底中任一种。
实施例1：如图1所示，实施例1公开的双工器110的框图，该双工器可以将发射信号和接收信号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作，双工器包括101-天线、102-移相器、不同频带的发射端口滤波器103和接收端口滤波器104。
如图2所示，堆叠式体声波谐振器的带通滤波器的框图。该滤波器由一个串联体声波谐振器105和一个并联体声波谐振器106组成，该滤波器为一阶L型拓扑结构，同时也可以增加串联谐振器和并联谐振器的数目组成不同阶数的不同拓扑结构的带通滤波器，本实施例1以一阶L型拓扑结构为例。
图3所示，是实施例1双工器的截面图。图4是本实施例1双工器中发射端(接收端)带通滤波器的截面图，包括衬底基板201、声反射层202、在衬底基板201和声反射层202上部依次为底电极203、第一压电材料层204、第一中间电极层205、第二压电材料层206、第二中间电极层208、第三压电材料层209、顶电极207。
组成带通滤波器的堆叠式体声波谐振器可以由任意多层压电材料组成，本实施例1以2、3、4层压电材料层为例。
压电材料层具有压电特性可以是氮化铝、氧化锌、铌酸锂、PZT、铌酸钡钠中的一种或多种组合，本实施例1以氮化铝为例。
底电极、顶电极和中间电极层为金属电极，可以选用金属钼、铂、金、银、铝、钨、钛、铜、钌和铬中的一种或多种组合，本实施例1以钼电极为例。
如图5所示，是4层压电材料层堆叠式体声波谐振器的截面图，4层压电材料层堆叠式体声波谐振器包括衬底基板201、声反射层202、在衬底基板201和声反射层202上部依次为底电极203、第一压电材料层204、第一中间电极层205、第二压电材料层206、第二中间电极层208、第三压电材料层209、第三中间电极层211、第四压电材料层212、顶电极207。
实施例2：如图6所示，为以布拉格反射层作为声反射层202的滤波器截面图。
如图7所示，为2、3、4层堆叠式体声波谐振器的阻抗曲线图，从图中可以看出在不改变每层材料层厚度的情况下，随着堆叠层数的增加，谐振器的谐振频率逐步增加，针对目前越来越高的频段要求本实施例可以在不改变压电薄膜层厚度的情况下实现频率的提升，在双工器的搭建过程中也更容易实现谐振频率的匹配，降低加工工艺难度。
以上仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (5)
1.一种双工器，其特征是，包括衬底基板以及位于衬底基板上的不同频带的接收端滤波器和发射端滤波器；接收端滤波器和发射端滤波器均包括多个堆叠式体声波谐振器。
2.如权利要求1所述双工器，其特征是，堆叠式体声波谐振器包括衬底、声反射层、底电极、多层压电材料层、多层中间电极层和顶电极。
3.如权利要求2所述双工器，其特征是，衬底为硅衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底或SOI衬底中任一种。
4.如权利要求2所述双工器，其特征是，底电极、顶电极和中间电极层为金属电极，选用金属钼、铂、金、银、铝、钨、钛、铜、钌和铬中的一种或多种组合；压电材料层选择氮化铝、氧化锌、铌酸锂、PZT、铌酸钡钠中的一种或多种组合。
5.如权利要求2所述双工器，其特征是，声反射层为空气、高声学阻抗材料与低声学阻抗材料交替构成的布拉格反射层或声子晶体结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011485700.6A CN112532206A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 一种双工器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011485700.6A CN112532206A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 一种双工器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112532206A true CN112532206A (zh) | 2021-03-19 |
Family
ID=75000619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011485700.6A Pending CN112532206A (zh) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | 一种双工器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112532206A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113381782A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-09-10 | 清华大学 | 一种射频前端模组、制备天线和滤波器的方法及装置 |
| CN113810014A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 叉指型体声波谐振器及滤波器 |
| CN116032233A (zh) * | 2023-03-29 | 2023-04-28 | 武汉敏声新技术有限公司 | 谐振器的制备方法及谐振器 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020153965A1 (en) * | 2001-04-23 | 2002-10-24 | Ruby Richard C. | Controlled effective coupling coefficients for film bulk acoustic resonators |
| US20030218518A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) device and method for fabricating the same |
| US20050030126A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Tdk Corporation | Filter device and branching filter using same |
| US20060158283A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Mitsutaka Hikita | Piezoelectric thin film resonators |
| US20070176710A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Tiberiu Jamneala | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
| JP2008048276A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Fujifilm Corp | 超音波トランスデューサ及び超音波トランスデューサアレイ |
| JP2011023485A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Honda Motor Co Ltd | 積層型圧電アクチュエータの製造方法及び積層型圧電アクチュエータ |
| US20110131774A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing stacked thin film piezoelectric filter |
| US20150263697A1 (en) * | 2012-08-30 | 2015-09-17 | Zte Corporation | Piezoelectric Acoustic Resonator with Adjustable Temperature Compensation Capability |
| CN110417371A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-11-05 | 武汉大学 | 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 |
| CN110635778A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-31 | 武汉大学 | 单片集成的双工器 |
| CN111384907A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器 |
-
2020
- 2020-12-16 CN CN202011485700.6A patent/CN112532206A/zh active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020153965A1 (en) * | 2001-04-23 | 2002-10-24 | Ruby Richard C. | Controlled effective coupling coefficients for film bulk acoustic resonators |
| US20030218518A1 (en) * | 2002-05-21 | 2003-11-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) device and method for fabricating the same |
| US20050030126A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Tdk Corporation | Filter device and branching filter using same |
| US20060158283A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-20 | Mitsutaka Hikita | Piezoelectric thin film resonators |
| US20070176710A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Tiberiu Jamneala | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
| JP2008048276A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Fujifilm Corp | 超音波トランスデューサ及び超音波トランスデューサアレイ |
| JP2011023485A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Honda Motor Co Ltd | 積層型圧電アクチュエータの製造方法及び積層型圧電アクチュエータ |
| US20110131774A1 (en) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing stacked thin film piezoelectric filter |
| US20150263697A1 (en) * | 2012-08-30 | 2015-09-17 | Zte Corporation | Piezoelectric Acoustic Resonator with Adjustable Temperature Compensation Capability |
| CN111384907A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器 |
| CN110417371A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-11-05 | 武汉大学 | 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器 |
| CN110635778A (zh) * | 2019-09-17 | 2019-12-31 | 武汉大学 | 单片集成的双工器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113381782A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-09-10 | 清华大学 | 一种射频前端模组、制备天线和滤波器的方法及装置 |
| CN113810014A (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 叉指型体声波谐振器及滤波器 |
| CN116032233A (zh) * | 2023-03-29 | 2023-04-28 | 武汉敏声新技术有限公司 | 谐振器的制备方法及谐振器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112532206A (zh) | 一种双工器 | |
| US7616079B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator and circuit comprising same | |
| US8902020B2 (en) | Resonator filter with multiple cross-couplings | |
| US8508315B2 (en) | Acoustically coupled resonator filter with impedance transformation ratio controlled by resonant frequency difference between two coupled resonators | |
| US9236848B2 (en) | Filter, duplexer, communication module and communication device | |
| CN104253592B (zh) | 双工器 | |
| US8164398B2 (en) | Resonator, filter and electronic device | |
| EP1455447A2 (en) | Ladder filter, branching filter, and communications apparatus | |
| US20210344321A1 (en) | Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device | |
| CN110635778A (zh) | 单片集成的双工器 | |
| GB2479240A (en) | A coupled resonator filter having a relatively low insertion loss | |
| US10658998B2 (en) | Piezoelectric film transfer for acoustic resonators and filters | |
| US7075214B2 (en) | Piezoelectric resonator and electronic component provided therewith | |
| JP2005260915A (ja) | 分波器、通信機 | |
| KR20020029922A (ko) | 사다리형 필터, 무선 주파수 대역 통과 필터, 무선 주파수수신기 및/또는 송신기 장치 | |
| WO2021203761A1 (zh) | 滤波器和多工器以及通信设备 | |
| US10069478B2 (en) | Acoustic wave filter, duplexer, and module | |
| US8228138B2 (en) | Filter element, duplexer and electronic device having piezoelectric thin-film resonators stacked vertically | |
| US20050128027A1 (en) | Air-gap type FBAR, method for fabricating the same, and filter and duplexer using the same | |
| CN110995199B (zh) | 双工器 | |
| JP2009182368A (ja) | 送受切換器 | |
| Schmidhammer et al. | Design flow and methodology on the design of BAW components | |
| CN115996039B (zh) | 多工器 | |
| JP2005176333A (ja) | 音響共振器装置、フィルタ装置、音響共振器装置の製造方法および通信機器 | |
| JP2019121874A (ja) | フィルタおよびマルチプレクサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220408 Address after: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Applicant after: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) Address before: 430072 Hubei Province, Wuhan city Wuchang District of Wuhan University Luojiashan Applicant before: WUHAN University |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220825 Address after: No.01, 4th floor, building D7, phase 3, Wuhan Software New Town, No.9 Huacheng Avenue, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province, 430000 Applicant after: Wuhan Minsheng New Technology Co.,Ltd. Address before: 315832 e2025, zone a, Room 401, building 1, No. 88, Meishan Qixing Road, Beilun District, Ningbo, Zhejiang Province Applicant before: Ningbo Huazhang enterprise management partnership (L.P.) |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |