CN112528496A - 窑炉内电极砖侵蚀量计算方法和计算装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种窑炉内电极砖侵蚀量计算方法和计算装置,属于玻璃基板生产技术领域。所述窑炉内有至少一组相对设置的电极砖,所述方法包括:获取电极砖间的初始加载电流以及电极砖两侧的初始对地电压;获取窑炉运行预设时长后电极砖间的运行电流以及电极砖两侧的实际对地电压;基于所述初始加载电流、所述初始对地电压、所述运行电流和所述实际对地电压,计算出电极砖总侵蚀量;基于所述初始对地电压、所述实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算出电极砖的单侧的侵蚀量。本发明能够精确计算出两个相对设置的电极砖各自的侵蚀量,为单侧电极砖的推进提供依据。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃基板生产技术领域,具体地涉及一种窑炉内电极砖侵蚀量计算方法和一种窑炉内电极砖侵蚀量计算装置。
背景技术
OLED及LTPS高温平板显示玻璃基板窑炉采用电加热为主,燃气加热为辅的熔制方式,窑炉的池壁两侧成对布置板状电极砖,通过对成对电极砖进行通电,使成对电极砖之间的熔融玻璃产生焦耳热,从而对配合料进行熔制。随着玻璃窑炉运行时间的推移,与玻璃液接触的板状电极砖不断被侵蚀,电极砖间距不断增大,电助熔能耗随之不断增加,各区域功率变化量的不同,导致窑炉工艺产生偏移,不利于窑炉的稳定生产,因此,需要及时进行板状电极砖的推进。
在沿窑炉液流的流向方向上,由于各区温度不同及距离玻璃液流出口位置的不同,窑内不同位置的电极砖侵蚀量也不同;各电极砖由于外部环境及所处的位置不同,即使是一组相对设置的电极砖,其各单侧电极砖亦存在一定程度的侵蚀差异性,如果只是简单的计算电极砖整体的推进量,再将推进量进行平均得到单侧电极砖大概的推进量,同样可能导致窑炉工艺产生偏移,不利于窑炉的稳定生产,因此,尚需一种对电极砖单侧的侵蚀量分别进行计算的方法,通过电极砖单侧的侵蚀量为单侧电极砖制定不同推进量,使推进量更加精确。
发明内容
本发明实施方式的目的是提供一种窑炉内电极砖侵蚀量计算方法和装置,以至少解决上述的无法精确获取单侧电极砖侵蚀量,无法为单侧电极砖制定不同推进量,不利于窑炉的稳定生产的问题。
为了实现上述目的,本发明第一方面提供一种窑炉内电极砖侵蚀量计算方法,所述窑炉内有至少一组相对设置的第一电极砖和第二电极砖,所述方法包括:
获取所述第一电极砖与所述第二电极砖间的初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压以及所述第二电极砖的初始对地电压;
获取窑炉运行预设时长后所述第一电极砖与所述第二电极砖间的运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压以及所述第二电极砖的实际对地电压;
基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量;
基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量。
可选的,所述基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量,包括:
获取窑炉的基本结构参数,包括:窑炉深度、窑炉宽度、窑炉长度和窑炉长度方向上电极砖累计对数;
基于所述基本结构参数得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的初始长度、所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度;
基于所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度,计算得到第一电极砖和第二电极砖之间玻璃导体的截面积;
基于所述玻璃导体的截面积、所述玻璃导体的初始长度、所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,根据电阻定律和欧姆定律,计算得到窑炉运行预设时长后所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的实际长度;
计算所述玻璃导体的初始长度与所述玻璃导体的实际长度之间的差值作为所述电极砖总侵蚀量。
可选的,所述基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量,包括:
基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值、所述第二电极砖的单侧电压差值和所述第一电极砖与所述第二电机砖之间的总电压变化差值,并计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值、所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值;
计算所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第一电极砖的侵蚀量;
计算所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第二电极砖的侵蚀量。
本发明第二方面提供一种窑炉内电极砖侵蚀量计算装置,所述窑炉内有至少一组相对设置的第一电极砖和第二电极砖,所述装置包括:
第一获取模块,用于获取所述第一电极砖与所述第二电极砖间的初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压以及所述第二电极砖的初始对地电压;
第二获取模块,用于获取窑炉运行预设时长后所述第一电极砖与所述第二电极砖间的运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压以及所述第二电极砖的实际对地电压;
第一计算模块,用于基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量;
第二计算模块,用于基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量
可选的,所述第一计算模块包括:
参数获取模块,用于获取窑炉的基本结构参数,包括:窑炉深度、窑炉宽度、窑炉长度和窑炉长度方向上电极砖累计对数;
基础计算模块,用于基于所述基本结构参数得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的初始长度、所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度;
中间计算模块,用于基于所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度,计算得到第一电极砖和第二电极砖之间玻璃导体的截面积;
结果计算模块,用于基于所述玻璃导体的截面积、所述玻璃导体的初始长度、所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,根据电阻定律和欧姆定律,计算得到窑炉运行预设时长后所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的实际长度;计算所述玻璃导体的初始长度与所述玻璃导体的实际长度之间的差值作为电极砖总侵蚀量。
可选的,所述第二计算模块包括:
比例计算模块,用于基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值、所述第二电极砖的单侧电压差值和所述第一电极砖与所述第二电机砖之间的总电压变化差值,并计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值、所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值;
第一单侧侵蚀量计算模块,用于计算所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第一电极砖的侵蚀量;
第二单侧侵蚀量计算模块,用于计算所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第二电极砖的侵蚀量。
本发明还提供一种机器可读存储介质,该机器可读存储介质上存储有指令,该指令用于使得机器执行上述的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法。
本发明通过获取窑炉运行初期和运行一段时间后板状电极砖之间的加载电流和板状电极砖的对地电压,利用电阻定律和欧姆定律之间的等式换算,求出窑炉运行一段时间后电极砖之间玻璃导体的实际长度,并与玻璃导体的初始长度进行差值计算,得到电极砖总侵蚀量,再根据电压变化比值,精确计算出两个相对设置的电极砖各自的侵蚀量,为每一侧电极砖的精准推进提供依据,从而能够保证窑炉内各区域功率变化量相同,避免窑炉工艺产生偏移,保证窑炉的稳定生产。
本发明实施方式的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明实施方式的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施方式,但并不构成对本发明实施方式的限制。在附图中:
图1是本发明提供的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法的流程图;
图2是本发明提供的窑炉内电极砖侵蚀量计算装置的结构示意图;
图3是本发明提供的计算装置的第一计算模块的结构示意图;
图4是本发明提供的计算装置的第二计算模块的结构示意图;
图5是本发明提供的窑炉电助熔结构示意图;
图6是本发明提供的窑炉结构俯视图;
图7是本发明提供的窑炉结构侧视图。
附图标记说明
10-第一获取模块; 20-第二获取模块; 30-第一计算模块;
40-第二计算模块; 301-参数获取模块; 302-基础计算模块;
303-中间计算模块; 304-结果计算模块; 401-比例计算模块;
402-第一单侧侵蚀量计算模块; 403-第二单侧侵蚀量计算模块。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
图1是本发明提供的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法的流程图。如图1所示,本发明实施方式提供一种窑炉内电极砖侵蚀量计算方法,所述窑炉内有至少一组相对设置的第一电极砖和第二电极砖,所述方法包括:
步骤101、获取所述第一电极砖与所述第二电极砖间的初始加载电流I0、所述第一电极砖的初始对地电压U0以及所述第二电极砖的初始对地电压U′0;
步骤102、获取窑炉运行预设时长后所述第一电极砖与所述第二电极砖间的运行电流I1、所述第一电极砖的实际对地电压U1以及所述第二电极砖的实际对地电压U′1;
步骤103、基于所述初始加载电流I0、所述第一电极砖的初始对地电压U0、所述第二电极砖的初始对地电压U'0、所述运行电流I1、所述第一电极砖的实际对地电压U1和所述第二电极砖的实际对地电压U′1,计算得到电极砖总侵蚀量ΔW;
步骤104、基于所述第一电极砖的初始对地电压U0、所述第二电极砖的初始对地电压U'0、所述第一电极砖的实际对地电压U1、所述第二电极砖的实际对地电压U′1和所述电极砖总侵蚀量ΔW,计算得到第一电极砖的侵蚀量ΔW1和第二电极砖的侵蚀量ΔW2。
具体地,在窑炉刚开始运行时,根据此时设定的所需温度值,施加相应的电压和电流值,因此初始加载电流I0为预设的电流值,在窑炉运行一段时间后,由于电极砖被侵蚀,导致电极砖之间的玻璃导体的长度增加,窑炉内的温度会产生一定的变化,电助熔功率增大,窑炉工艺产生偏移,此时,需要增加施加在电极砖两侧电压和电流,才能保证窑炉达到出事的设定值,可以得到此时的设定的运行电流I1,并可以直接通过电压互感器检测出此时相对应的电压值,或者通过电压互感器的降压作用后,再利用电压表等仪表进行数据的电压值得测量。
进一步地,所述方法还包括:
基于所述初始加载电流I0、所述第一电极砖的初始对地电压U0和所述第二电极砖的初始对地电压U'0得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间的初始电阻值R0;
基于所述运行电流I1、所述第一电极砖的实际对地电压U1和所述第二电极砖的实际对地电压U′1得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间的实测电阻值R1。
进一步地,所述基于所述初始加载电流I0、所述第一电极砖的初始对地电压U0、所述第二电极砖的初始对地电压U'0、所述运行电流I1、所述第一电极砖的实际对地电压U1和所述第二电极砖的实际对地电压U′1,计算得到电极砖总侵蚀量ΔW,包括:
获取窑炉的基本结构参数,包括:窑炉深度H、窑炉宽度W、窑炉长度B和窑炉长度方向上电极砖累计对数n;
基于所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度H和宽度计算得到第一电极砖和第二电极砖之间玻璃导体的截面积S,且由于板状电极砖均匀布置于窑体两侧池壁上,在工作时,电极砖所对的截面上会产生一定的辐射范围,因此,在计算所述第一电极砖和所述第二电极砖之间的玻璃导体的宽度时,忽略未设置电极砖的窑炉侧壁的宽度,直接将电极砖所对的玻璃导体的宽度表示为
基于所述玻璃导体的截面积S、所述玻璃导体的初始长度W、所述初始加载电流I0、所述第一电极砖的初始对地电压U0、所述第二电极砖的初始对地电压U'0、所述运行电流I1、所述第一电极砖的实际对地电压U1和所述第二电极砖的实际对地电压U′1,根据电阻定律和欧姆定律,计算得到窑炉运行预设时长后所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的实际长度W';
计算所述玻璃导体的初始长度与所述玻璃导体的实际长度之间的差值作为所述电极砖总侵蚀量。
具体地,在电极砖产生侵蚀后,电极砖之间的玻璃导体长度后增加,与初始时的玻璃导体长度的差值为电极砖总侵蚀量,计算方式如下:
计算出的电极砖总侵蚀量可以直接进行平均,得到对称设置的电极砖中两个单侧电极砖的侵蚀量,此处计算得到的侵蚀量只是总侵蚀量的平均值,不能得出精确的单侧电极的侵蚀量。
进一步地,所述基于所述第一电极砖的初始对地电压U0、所述第二电极砖的初始对地电压U'0、所述第一电极砖的实际对地电压U1、所述第二电极砖的实际对地电压U′1和所述电极砖总侵蚀量ΔW,计算得到第一电极砖的侵蚀量ΔW1和第二电极砖的侵蚀量ΔW2,包括:
基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值、所述第二电极砖的单侧电压差值和所述第一电极砖与所述第二电机砖之间的总电压变化差值,并计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值、所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值;
计算所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第一电极砖的侵蚀量;
第一电极砖的侵蚀量的计算公式为:
计算所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第二电极砖的侵蚀量。
第二电极砖的侵蚀量的计算公式为:
图2是本发明提供的窑炉内电极砖侵蚀量计算装置的结构示意图。如图2所示,本发明实施方式提供一种窑炉内电极砖侵蚀量计算装置,所述窑炉内有至少一组相对设置的第一电极砖和第二电极砖,所述装置包括:
第一获取模块10,用于获取所述第一电极砖与所述第二电极砖间的初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压以及所述第二电极砖的初始对地电压;
第二获取模块20,用于获取窑炉运行预设时长后所述第一电极砖与所述第二电极砖间的运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压以及所述第二电极砖的实际对地电压;
第一计算模块30,用于基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量;
第二计算模块40,用于基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量。
进一步地,图3是本发明提供的计算装置的第一计算模块的结构示意图,如图3所示,所述第一计算模块30包括:
参数获取模块301,用于获取窑炉的基本结构参数,包括:窑炉深度、窑炉宽度、窑炉长度和窑炉长度方向上电极砖累计对数;
基础计算模块302,用于基于所述基本结构参数得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的初始长度、所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度;
中间计算模块303,用于基于所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度,计算得到第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的截面积;
结果计算模块304,用于基于所述玻璃导体的截面积、所述玻璃导体的初始长度、所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,根据电阻定律和欧姆定律,计算得到窑炉运行预设时长后所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的实际长度;计算所述玻璃导体的初始长度和所述玻璃导体的实际长度的差值,所述差值为电极砖总侵蚀量。
进一步地,图4是本发明提供的计算装置的第二计算模块的结构示意图,如图4所示,所述第二计算模块40包括:
比例计算模块401,用于基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值、所述第二电极砖的单侧电压差值和所述第一电极砖与所述第二电机砖之间的总电压变化差值,并计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值、所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值;
第一单侧侵蚀量计算模块402,用于计算所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第一电极砖的侵蚀量;
第二单侧侵蚀量计算模块403,用于计算所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第二电极砖的侵蚀量。
本发明实施方式还提供一种机器可读存储介质,其上存储有计算机程序指令,所述计算机程序指令被处理器执行时实现上述的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法。
实施例1:
在本实施例中,图5是本发明提供的窑炉电助熔结构示意图,如图5所示,电力系统三相接入隔离开关后连接主变压器1一次侧,主变压器1二次侧单相输出,连接数台独立回路的可控硅调功器及开关装置2,再由调功器及开关装置2连接次变压器3一次侧,次变压器3二次侧设置无载换挡开关4并分别连接成对电极砖的两侧6。此外次变压器3二次侧还设置连接有电压互感器5用于测量各电极砖6对地电压,后转换为0~10Vdc信号输出显示。运行初期通过设定电助熔电极砖6间加载电流I0,使电极砖6、熔融玻璃液、次级变压器3形成一个闭合回路,熔融玻璃液由此产生焦耳热进而对新入窑的配合料进行熔制,如图6和图7所示,平板显示玻璃基板窑炉长期运行温度在1550℃~1650℃,窑炉自入口至玻璃液流出口8的两侧池壁砖7均匀布置有成对的板状电极砖6,电极砖6底部设置有垫砖9,电极砖6、池壁砖7、垫砖9的内表面齐平,池壁砖7、垫砖9的厚度、材质一致,电极砖6、垫砖9的宽度一致、垫砖9垫砖高度50mm~150mm,电极砖6上沿距窑内玻璃液面50mm~150mm。板状电极的这种布置方式,使得电极砖会辐射到一定的范围,因此,可以将电极砖间整体的导体长度近似为窑炉的长度,导体截面积近似为窑炉流向方向的截面积。单对电极间的玻璃导体长度与电极砖6间整体玻璃导体长度一致,截面积为整体导体截面积的电极砖6的对数中的一份,设置垫砖能够减小推进过程中电极砖所受阻力。
本实施方式中以窑炉宽度为3500mm的窑炉为例,其热点处热电偶实测温度按1630℃±5℃运行6个月,在窑炉运行初期,热点附近对应的第一电极砖与第二电极砖间的初始加载电流设定为I0=200A,该对电极砖回路上的电压互感器实测第一电极砖的初始对地电压为U0=560V、第二电极砖的初始对地电压为U'0=580V。为维持热电温度稳定,运行期间适时调整电极砖间电流设定值,以改变其间加载功率。至窑期结束时,最终运行电流的设定值为I1=210A,第一电极砖的实际对地电压为U1=605V、所述第二电极砖的实际对地电压为U′1=615V;
窑炉运行初期电助熔功率为:
P0=(U0+U'0)×I0=1140×200=228(KW)
窑炉运行6个月后电助熔功率为:
P1=(U1+U′1)×I1=1200×210=256(KW)
电助熔功率升高值为:
ΔP=P1-P0=256-228=28(KW)
可以计算出电极砖的总侵蚀量为:
则单侧电极砖侵蚀量近似等于33.5mm。
进一步的精确到单侧电极侵蚀量的计算:
第一电极砖的电极侵蚀量为:
第二电极砖的电极侵蚀量为:
窑内玻璃液泄出待凉窑后对电极砖的实际侵蚀量进行测量,与直接将电极砖总侵蚀量ΔW进行均分作为两侧电极砖的侵蚀量相比,单侧侵蚀误差最大值为4.2mm,一对电极总体误差约为3mm。后续实际生产期间应定期根据侵蚀情况进行电极砖推进,推进的间隔周期根据运行时间不同可适当调整,推进时确保电极砖内表面与原始位置接近。
本领域技术人员可以理解实现上述实施方式的方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,该程序存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得单片机、芯片或处理器(processor)执行本发明各个实施方式所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上结合附图详细描述了本发明的可选实施方式,但是,本发明实施方式并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明实施方式的技术构思范围内,可以对本发明实施方式的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明实施方式的保护范围。另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复,本发明实施方式对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明实施方式的思想,其同样应当视为本发明实施方式所公开的内容。
Claims (7)
1.一种窑炉内电极砖侵蚀量计算方法,所述窑炉内有至少一组相对设置的第一电极砖和第二电极砖,其特征在于,所述方法包括:
获取所述第一电极砖与所述第二电极砖间的初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压以及所述第二电极砖的初始对地电压;
获取窑炉运行预设时长后所述第一电极砖与所述第二电极砖间的运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压以及所述第二电极砖的实际对地电压;
基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量;
基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量。
2.根据权利要求1所述的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法,其特征在于,所述基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量,包括:
获取窑炉的基本结构参数,包括:窑炉深度、窑炉宽度、窑炉长度和窑炉长度方向上电极砖累计对数;
基于所述基本结构参数得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的初始长度、所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度;
基于所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度,计算得到第一电极砖和第二电极砖之间玻璃导体的截面积;
基于所述玻璃导体的截面积、所述玻璃导体的初始长度、所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,根据电阻定律和欧姆定律,计算得到窑炉运行预设时长后所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的实际长度;
计算所述玻璃导体的初始长度与所述玻璃导体的实际长度之间的差值作为所述电极砖总侵蚀量。
3.根据权利要求2所述的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法,其特征在于,所述基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量,包括:
基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值、所述第二电极砖的单侧电压差值和所述第一电极砖与所述第二电机砖之间的总电压变化差值,并计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值、所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值;
计算所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第一电极砖的侵蚀量;
计算所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第二电极砖的侵蚀量。
4.一种窑炉内电极砖侵蚀量计算装置,所述窑炉内有至少一组相对设置的第一电极砖和第二电极砖,其特征在于,所述装置包括:
第一获取模块,用于获取所述第一电极砖与所述第二电极砖间的初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压以及所述第二电极砖的初始对地电压;
第二获取模块,用于获取窑炉运行预设时长后所述第一电极砖与所述第二电极砖间的运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压以及所述第二电极砖的实际对地电压;
第一计算模块,用于基于所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到电极砖总侵蚀量;
第二计算模块,用于基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压、所述第二电极砖的实际对地电压和所述电极砖总侵蚀量,计算得到第一电极砖的侵蚀量和第二电极砖的侵蚀量。
5.根据权利要求4所述的窑炉内电极砖侵蚀量计算装置,其特征在于,所述第一计算模块包括:
参数获取模块,用于获取窑炉的基本结构参数,包括:窑炉深度、窑炉宽度、窑炉长度和窑炉长度方向上电极砖累计对数;
基础计算模块,用于基于所述基本结构参数得到所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的初始长度、所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度;
中间计算模块,用于基于所述第一电极砖和所述第二电极砖的高度和宽度,计算得到第一电极砖和第二电极砖之间玻璃导体的截面积;
结果计算模块,用于基于所述玻璃导体的截面积、所述玻璃导体的初始长度、所述初始加载电流、所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述运行电流、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,根据电阻定律和欧姆定律,计算得到窑炉运行预设时长后所述第一电极砖和所述第二电极砖之间玻璃导体的实际长度;计算得到所述玻璃导体的初始长度与所述玻璃导体的实际长度之间的差值作为所述电极砖总侵蚀量。
6.根据权利要求5所述的窑炉内电极砖侵蚀量计算装置,其特征在于,所述第二计算模块包括:
比例计算模块,用于基于所述第一电极砖的初始对地电压、所述第二电极砖的初始对地电压、所述第一电极砖的实际对地电压和所述第二电极砖的实际对地电压,计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值、所述第二电极砖的单侧电压差值和所述第一电极砖与所述第二电机砖之间的总电压变化差值,并计算得到所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值、所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值;
第一单侧侵蚀量计算模块,用于计算所述第一电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第一电极砖的侵蚀量;
第二单侧侵蚀量计算模块,用于计算所述第二电极砖的单侧电压差值与所述总电压变化差值的比值和所述电极砖总侵蚀量之间的乘积,得到第二电极砖的侵蚀量。
7.一种机器可读存储介质,该机器可读存储介质上存储有指令,该指令用于使得机器执行权利要求1-3中任一项所述的窑炉内电极砖侵蚀量计算方法。
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