CN112527202A - 闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及存储介质 - Google Patents
闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112527202A CN112527202A CN202011468550.8A CN202011468550A CN112527202A CN 112527202 A CN112527202 A CN 112527202A CN 202011468550 A CN202011468550 A CN 202011468550A CN 112527202 A CN112527202 A CN 112527202A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- data
- flash memory
- temperature
- temperature parameter
- read
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007726 management method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
- G06F3/0616—Improving the reliability of storage systems in relation to life time, e.g. increasing Mean Time Between Failures [MTBF]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0629—Configuration or reconfiguration of storage systems
- G06F3/0634—Configuration or reconfiguration of storage systems by changing the state or mode of one or more devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
本发明公开了一种闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及计算机存储介质，通过通过记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。本发明实现了基于记录flash存储器编写存储数据的温度，根据温度确定flash存储器在读取该数据时的配置项，从而使得flash读取的数据不会因为温度环境的变化而出现问题，避免了移动设备环境温度变化针对flash存储器所存储数据的稳定性产生影响，提高了温度变化环境中flash存储器编写存储的数据的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及计算机存储介质。
背景技术
时下，使用eMMC(Embedded Multi Media Card，针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格)的移动设备，如手机或者平板电脑，通常会在温度不断发生变化的环境当中使用。而flash(闪存)存储器因为其本身的特性，导致不同的环境温度会干扰flash存储器存储的数据的稳定性，即，flash存储器在高温(或者低温)环境下写入存储的数据，在相反的低温(或者高温)环境下进行读取时，该数据的稳定性将大大折扣。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及计算机存储介质，旨在避免移动设备环境温度变化针对flash存储器所存储数据的稳定性产生影响，提高温度变化环境中flash存储器编写存储的数据的稳定性。
为实现上述目的，本发明提供一种闪存存储器的管理方法，所述闪存存储器的管理方法包括：
记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
进一步地，所述记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数的步骤，包括：
在所述闪存存储器对所述数据进行编写存储时，获取预设温度传感器采集到的所述闪存存储器所处温度环境中当前时刻的温度参数；
将所述温度参数记录在所述数据的关键信息当中。
进一步地，在所述根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置的步骤之前，还包括：
检测所述闪存存储器是否读取所述数据；
所述数据读取配置至少包括：闪存页读取电压阈值，所述根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置的步骤，可以包括：
若检测到所述闪存存储器读取所述数据，从所述数据的所述关键信息中提取所述温度参数；
检测所述闪存存储器所处温度环境的当前温度；
根据所述温度参数和所述当前温度适配所述数据的闪存页读取电压阈值。
进一步地，所述闪存存储器的管理方法，还包括：
根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因。
进一步地，所述根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因的步骤，包括：
若检测到所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取的所述数据出错，则确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数；
检测所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据是否出错并得到检测结果；
根据所述检测结果确定所述数据出错的原因。
进一步地，所述确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数的步骤，包括：
确定所述数据在所述闪存存储器中前后关联的关联数据；
将所述关联数据的关键信息当中记录的温度参数，确定为所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数。
进一步地，所述数据出错的原因至少包括：数据读取配置错误，
所述根据所述检测结果确定所述数据出错的原因的步骤，包括：
若所述检测结果为所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据未出错，则确定所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取所述数据时的数据读取配置错误。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种闪存存储器的管理系统，所述闪存存储器的管理系统包括：
记录模块，用于记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
管理模块，用于根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
本发明闪存存储器的管理系统的各功能模块在运行时实现如上述的闪存存储器的管理方法的步骤。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种终端设备，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存存储器的管理程序，所述闪存存储器的管理程序被所述处理器执行时实现如上述中的闪存存储器的管理方法的步骤。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的闪存存储器的管理方法的步骤。
本发明提出的闪存存储器的管理方法、系统、终端设备以及计算机存储介质，通过记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
本发明通过将闪存存储器(即flash存储器，为便于表述和理解，后文中均使用该flash存储器统一代替闪存存储器进行方案阐述)针对数据进行编写存储时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数记录起来，从而，在后续该flash存储器读取该数据时，先基于该温度参数适配确定一个最优的数据读取配置，以供该flash存储器直接按照该数据读取配置来读取该数据。
本发明实现了基于记录flash存储器编写存储数据的温度，根据温度确定flash存储器在读取该数据时的配置项，从而使得flash读取的数据不会因为温度环境的变化而出现问题，避免了移动设备环境温度变化针对flash存储器所存储数据的稳定性产生影响，提高了温度变化环境中flash存储器编写存储的数据的稳定性。
此外，由于记录了flash存储器编写存储数据时的温度，从而，在flash存储器读取数据出现数据纠错—ecc(Error Correcting Code，ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术)时，能够基于该温度确定出现数据纠错的原因进而进行固件优化，能够有效的避免传统管理方式中flash存储器一旦出现数据纠错就转移搬运存储数据对flash存储器造成磨损，从而提高了flash存储器的整体使用寿命。
附图说明
图1是本发明实施例方案涉及终端设备的硬件运行的结构示意图；
图2是本发明一种闪存存储器的管理方法一实施例的流程示意图；
图3是本发明一种闪存存储器的管理系统的模块结构示意图。
本发明目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，图1是本发明实施例方案涉及终端设备的硬件运行环境的结构示意图。
需要说明的是，图1即可为终端设备的硬件运行环境的结构示意图。本发明实施例终端设备可以是使用eMMC的移动设备，数据存储控制终端，PC，便携计算机等终端设备。
如图1所示，该终端设备可以包括：处理器1001，例如CPU，网络接口1004，用户接口1003，存储器1005，通信总线1002。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。存储器1005可以是非易失性存储器(如，Flash存储器)、高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解，图1中示出的终端设备结构并不构成对终端设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
如图1所示，作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及分布式任务的处理程序。其中，操作系统是管理和控制样本终端设备硬件和软件资源的程序，支持分布式任务的处理程序以及其它软件或程序的运行。
在图1所示的终端设备中，用户接口1003主要用于与各个终端进行数据通信；网络接口1004主要用于连接后台服务器，与后台服务器进行数据通信；而处理器1001可以用于调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，并执行以下操作：
记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，还执行以下操作：
在所述闪存存储器对所述数据进行编写存储时，获取预设温度传感器采集到的所述闪存存储器所处温度环境中当前时刻的温度参数；
将所述温度参数记录在所述数据的关键信息当中。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，在执行根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置的步骤之前，还执行以下操作：
检测所述闪存存储器是否读取所述数据；
所述数据读取配置至少包括：闪存页读取电压阈值，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，还执行以下操作：
若检测到所述闪存存储器读取所述数据，从所述数据的所述关键信息中提取所述温度参数；
检测所述闪存存储器所处温度环境的当前温度；
根据所述温度参数和所述当前温度适配所述数据的闪存页读取电压阈值。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，还执行以下操作：
根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，还执行以下操作：
若检测到所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取的所述数据出错，则确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数；
检测所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据是否出错并得到检测结果；
根据所述检测结果确定所述数据出错的原因。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，还执行以下操作：
确定所述数据在所述闪存存储器中前后关联的关联数据；
将所述关联数据的关键信息当中记录的温度参数，确定为所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数。
进一步地，所述数据出错的原因至少包括：数据读取配置错误，处理器1001可以调用存储器1005中存储的闪存存储器的管理程序，还执行以下操作：
若所述检测结果为所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据未出错，则确定所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取所述数据时的数据读取配置错误。
基于上述的结构，提出本发明闪存存储器的管理方法的各个实施例。
请参照图2，图2为本发明闪存存储器的管理方法第一实施例的流程示意图。
本发明实施例提供了闪存存储器的管理方法的实施例，需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
本发明实施例闪存存储器的管理方法应用于上述对数据存储进行控制的终端设备中，与该终端设备进行通信连接的固态存储设备，本发明实施例终端设备可以是数据存储介质本身，数据存储控制终端，PC，便携计算机等终端设备，在此不做具体限制。
本实施例闪存存储器的管理方法包括：
步骤S100，记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
使用eMMC的移动设备在内置的flash存储器编写存储数据时，记录该flash存储器所处温度环境中的温度参数。
需要说明的是，在本实施例中，flash存储器内置于使用eMMC的移动设备当中，并通过主控与该移动设备进行通信连接，应当理解的是，基于实际应用的不同设计需要，在其他可行的实施方式当中，该flash存储器和使用eMMC的移动设备之间也可以是其他不同于本实施例所列举的设置关系，例如，flash存储器通过外接的形式与该移动设备相互通信连接，并且，本实施例中使用eMMC的移动设备也可以为其他类型的终端设备，例如，PC(个人计算机)等终端，本发明闪存存储器的管理方法，并不针对该flash存储器与终端设备之间的设置以及该终端设备的类型等进行具体地限定。
具体地，例如，本实施例中使用eMMC的移动设备具体可以为一个手机终端，从而，该手机终端在检测到内置的flash存储器接收到通过用户操作而触发的数据存储任务，并将该数据存储任务中携带的数据通过编程写入某一个物理页(physical page)进行存储时，该手机终端获取当前时刻该flash存储器所处的温度环境中的温度参数，然后将该温度参数与该数据进行关联存储。
进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S100，可以包括：
步骤S101，在所述闪存存储器对所述数据进行编写存储时，获取预设温度传感器采集到的所述闪存存储器所处温度环境中当前时刻的温度参数；
需要说明的是，在本实施例中，预设温度传感器可为使用eMMC的移动设备内置的温度传感器，使用eMMC的移动设备该内置的温度传感器以持续不间断的采集该移动设备中flash存储器所处温度环境中的温度参数。应当理解的是，基于实际应用的不同设计需要，在其它可行的实施方式当中，移动设备当然也可以采用不同于本实施例所列举的温度传感器来采集监控温度参数，本发明闪存存储器的管理方法并不针对移动设备获取得到温度参数的手段进行具体的限定。
使用eMMC的移动设备在检测到flash存储器开始对接收到的数据存储任务当中携带的数据进行编写存储时，该移动设备即时获取由温度传感器采集到的温度参数，并将该温度参数作为该flash存储器在当前时刻编写存储该数据的温度参数。
具体地，例如，在本实施例中，使用eMMC的移动设备—手机终端，在检测到内置的flash存储器接收到通过用户操作而触发的数据存储任务，并开始执行该数据数据存储任务以将该数据存储任务中携带的数据a通过编程写入flash存储器某一个物理块(block)上的物理页0上进行存储时，手机终端获取内置的温度传感器在当前时刻采集到温度参数—“6”，然后将该温度参数—“6”确定为该flash存储器将数据a编程写入到物理页0上时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数。
需要说明的是，在本实施例中，使用eMMC的移动设备所内置的温度传感器，持续采集或者监控到的flash存储器所处温度环境中的温度参数具体可以为一个与实际温度值或者实际温度区间相对应的数值，如，该温度传感器当前时刻采集到的flash存储器所处温度环境中的温度参数为数值“6”，则该数值“6”对应的实际温度区间可以为“30℃—50℃”。应当理解的是，基于实际应用的不同设计需要，在其他可行的实施方式当中，手机终端当然也可以设置上述数值与对应温度值或者温度区间之间，不同于本实施例所列举的数值“6”对应的实际温度区间“30℃—50℃”的其他对应关系，本发明闪存存储器的管理方法并不针对该数值与实际温度值或者温度区间之间的对应关系进行具体的限定。
步骤S102，将所述温度参数记录在所述数据的关键信息当中。
需要说明的是，在本实施例中，数据的关键信息为flash存储器在将该数据编写至物理页的同时，在该物理页的预留空间当中同步写入的该数据的长度、存写时间等信息，具体地，flash存储器将每一个物理页的最后4个或者8个比特位作为预留空间，并将编程写入到该物理页进行物理存储的数据的关键信息写入到该预留空间当中。应当理解的是，基于实际应用的不同设计需要，在其它可行的实施方式当中，该关键信息当然还可以包括不同于本实施例中所列举的其他信息，本发明闪存存储器的管理方法并不针对该数据的关键信息的类型、数量以及存写方式等进行具体地限定。
使用eMMC的移动设备在获取到flash存储器在编写存储数据时所处温度环境中的温度参数之后，直接将该温度参数作为该数据关键信息的一部分进行同步存储，从而完成针对该温度参数的记录。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端在通过内置的温度传感器获取得到flash存储器将数据a编程写入到物理页0上时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”之后，手机终端随即控制flash存储器的主控将该温度参数—“6”作为数据a关键信息当中的一部分，从而由flash存储器同步的将该温度参数—“6”写入到该物理页0最后专门作为存储数据a关键信息的预留空间的4个或者8个比特位上。
进一步地，在另一种可行的实施例中，使用e的移动终端还可以控制flash存储器的主控，另该主控将温度参数所对应的实际温度值或者温度区间作为数据的关键信息的一部分写入到物理页的预留空间当中。例如，使用eMMC的移动设备—手机终端在通过内置的温度传感器获取温度参数—“6”之后，手机终端随即控制flash存储器的主控将该温度参数—“6”对应的实际温度区间“30℃—50℃”作为数据a关键信息当中的一部分，从而由flash存储器同步的将该实际温度区间“30℃—50℃”写入到该物理页0最后专门作为存储数据a关键信息的预留空间的4个或者8个比特位上。
步骤S200，根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
使用eMMC的移动设备在检测到flash存储器读取或者使用该编写存储的数据时，根据记录的该flash存储器编写存储该数据时所处温度环境中的温度参数，适配出一个读取该数据时性能表现最优的数据读取配置，从而令该flash存储器直接按照该数据读取配置读取或者使用该数据。
需要说明的是，在本实施例中，读取数据时性能表现最优具体可以为读取数据的读取速度最快、读取得到的数据的出错率最低等，移动设备可以预先配置生成flash存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数，以及，flash存储器读取或者使用该数据时所处温度环境中的温度，与flash存储器读取或者使用该数据时性能表现最优的数据读取配置之间的“温度—配置对应关系”，然后在检测到该flash存储器开始读取或者使用该数据时，直接按照该“温度—配置对应关系”，适配得到flash存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数，以及flash存储器读取或者使用该数据时所处温度环境中的温度，所对应的性能表现最优的数据读取配置。需要说明的是，基于实际应用的不同设计需要，在不同的实施方式当中，该“温度—配置对应关系”当然可以有不同的配置，因此，本发明闪存存储器的管理方法并不针对该“温度—配置对应关系”以及该“温度—配置对应关系”的配置生成过程等进行具体的限定。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端在检测到flash存储器开始读取或者使用预先编程写入到物理页上进行存储的数据时，该手机终端通过控制该flash存储器的主控，提取该flash存储器关联存储的该数据被flash存储器编程存写时flash存储器所处温度环境的温度参数，以及获取该flash存储器读取或者使用该数据时所处温度环境中的温度，然后，该手机终端按照预先已经配置生成的“温度—配置对应关系”，适配得到该温度参数所对应的flash存储器读取或者使用该数据时性能表现最优的数据读取配置，并通过该flash存储器的主控另flash存储器直接按照该数据读取配置读取或者使用该数据。
进一步地，在一种可行的实施例中，在上述步骤S200之前，本发明闪存存储器的管理方法，还可以包括：
步骤S300，检测所述闪存存储器是否读取所述数据；
使用eMMC的移动设备检测是否传递有控制flash存储器读取或者使用数据的数据读取指令，若检测到传递了该数据读取指令，则确定该flash存储器当前需要读取该数据读取指令中指向的数据，反之，若未检测到传递该数据读取指令，则可以确定该flash存储器当前无需读取数据。
需要说明的是，在本实施例中，数据读取指令可以为使用eMMC的移动设备基于用户操作触发并传递至flash存储器的主控，或者该数据读取指令也可以为该移动设备基于正在运行的应用程序而自动触发后传递至该flash存储器的主控，并且，该数据读取指令中携带有待读取或者使用的数据标识，从而flash存储器可以在接收到该数据读取指令之后，根据该数据标识确定当前需要读取或者使用的数据。应当理解的是，基于实际应用的不同设计需要，在其它可行的实时方式当中，该数据读取指令当然也可以采用其它不同于本实施例所列举的方式进行触发，并且该数据读取指令当中的数据标识也可以是任意类型能够起到标识作用的信息，本发明闪存存储器的管理方法并不针对该数据读取指令进行具体地限定。
进一步地，在一种可行的实施例中，数据读取配置至少包括：闪存页读取电压阈值，上述步骤S200，可以包括：
步骤S201，若检测到所述闪存存储器读取所述数据，从所述数据的所述关键信息中提取所述温度参数；
使用eMMC的移动设备在检测到flash存储器当前需要读取或者使用数据读取指令所指向的数据时，该移动设备获取该数据的关键信息，并从该关键信息当中提取得到该flash存储器在存储该数据时所处温度环境当中的温度参数。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端在检测到有传递至flash存储器主控的数据读取指令，从而确定该flash存储器当前需要读取或者使用该数据读取指令中所封装数据标识—A指向的数据a时，手机终端通过该flash存储器的主控从flash编写存储该数据a的物理页0的预留空间当中，提取出该数据的关键信息，并解析该关键信息从而得到该flash存储器在将该数据a编写存储至物理页0时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”。
步骤S202，检测所述闪存存储器所处温度环境的当前温度；
使用eMMC的移动设备在通过flash存储器的主控，获取得到该flash存储器在编写存储数据读取指令指向的数据时，该flash存储器所处环境温度的温度参数之后，该移动设备进一步获取该flash存储器在读取或者使用该数据的当前时刻的当前温度。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端在得到flash存储器在将数据a编写存储至物理页0时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”之后，手机终端基于内置的温度传感器获取当前时刻，该flash存储器在读取或者使用该数据a时，该flash存储器所处温度环境中的当前温度—“70℃—80℃”。
步骤S203，根据所述温度参数和所述当前温度适配所述数据的闪存页读取电压阈值。
使用eMMC的移动设备根据得到的flash存储器编写存储数据读取指令指向的数据时，所处温度环境中的温度参数，以及获取得到该flash存储器读取或者使用该数据时所处温度环境中的当前温度之后，该移动设备随即按照该温度参数和当前温度，基于预先配置生成的“温度—配置对应关系”，适配得出一个读取该数据时性能表现最优的闪存页读取电压阈值，以供该flash存储器直接按照该闪存页读取电压阈值读取或者使用该数据。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端在得到flash存储器在将数据a编写存储至物理页0时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”，以及获取得到该flash存储器读取或者使用该数据a时所处温度环境中的当前温度—“70℃—80℃”之后，基于该温度参数—“6”对应的实际温度区间“30℃—50℃”，确定该flash存储器在当前时刻读取数据a属于“低温写高温度”的场景，从而，基于预先配置生成的“温度—配置对应关系”，适配得到一个适于该“低温写高温度”的场景，从而使该flash存储器在当前时刻读取或者使用数据a的性能表现最优的闪存页读取电压阈值—“1”，进而供该flash存储器的主控将当前时刻正在使用的闪存页读取电压阈值—“2”，调整至该闪存页读取电压阈值—“1”，以令该flash存储器直接按照该闪存页读取电压阈值—“1”在当前时刻读取或者使用数据a，进而获得最优的性能表现，也是数据a本身具有更高的稳定性。
在本实施例中，通过使用eMMC的移动设备在内置的flash存储器编写存储数据时，记录该flash存储器所处温度环境中的温度参数；然后，使用eMMC的移动设备在检测到flash存储器读取或者使用该编写存储的数据时，根据记录的该flash存储器编写存储该数据时所处温度环境中的温度参数，适配出一个读取该数据时性能表现最优的数据读取配置，从而令该flash存储器直接按照该数据读取配置读取或者使用该数据。
本发明通过将flash存储器针对数据进行编写存储时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数记录起来，从而，在后续该flash存储器读取该数据时，先基于该温度参数适配确定一个最优的数据读取配置，以供该flash存储器直接按照该数据读取配置来读取该数据。
本发明实现了基于记录flash存储器编写存储数据的温度，根据温度确定flash存储器在读取该数据时的配置项，从而使得flash读取的数据不会因为温度环境的变化而出现问题，避免了移动设备环境温度变化针对flash存储器所存储数据的稳定性产生影响，提高了温度变化环境中flash存储器编写存储的数据的稳定性。
进一步地，基于上述本发明闪存存储器的管理方法的第一实施例，提出本发明闪存存储器的管理方法的第二实施例，在本发明闪存存储器的管理方法的第二实施例中，本发明闪存存储器的管理方法，还可以包括：
步骤S400，根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因。
使用eMMC的移动设备在flash存储器于当前所处温度环境下读取或者使用数据时，若检测到该数据出错从而需要执行数据纠错策略，则该移动设备首先通过记录的该flash存储器编写存储该数据时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数来分析确定当前时刻该数据出错的原因，从而避免flash存储器错误触发执行数据纠错策略或者搬运转移该数据。
需要说明的是，在本实施例中，由于flash存储器基于自身的特点会导致flash存储器在读取或者使用预先存储的数据时，读取或者使用的该数据出错而需要执行数据纠错的策略，甚至需要将该数据进行搬运转移(如，flash存储器本身对于存储数据的擦写次数具有一定限制，因此，flash存储器在检测到某一个物理页的擦写次数已经达到或者即将达到最大擦写次数时，该flash存储器会将该物理页上的数据搬运转移到其他物理页上，如此，势必会造成对flash存储器的磨损)，如此，不仅会严重印象数据本身的稳定性更会造成flash存储器的磨损进而降低其使用寿命。而另一方面，由于温度环境的变化也会对flash存储器所存储数据的稳定性造成影响，即，在flash存储器于不准确的闪存页读取电压阈值进行数据读取或者使用时，该数据也会出现不稳定表现从而触发数据纠错。
进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S400，可以包括：
步骤S401，若检测到所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取的所述数据出错，则确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数；
使用eMMC的移动设备flash存储器读取或者使用数据读取指令所指向的数据的过程中，持续检测该flash存储器读取或者使用的数据是否出错，若该移动设备检测到该数据出错，则该移动设备获取预先记录的该flash存储器编写存储该数据时，flash存储器所处温度环境中的温度参数。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端内置的flash存储器读取或者使用数据读取指令中封装的数据标识A所指向的数据a时，若该手机终端在当前时刻检测到该数据a出现数据不完整等错误时，手机终端随即通过该flash存储器的主控从flash编写存储该数据a的物理页0的预留空间当中，提取出该数据a的关键信息，并解析该关键信息从而得到该flash存储器在将该数据a编写存储至物理页0时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”。
进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S401中，“确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数”的步骤，可以包括：
步骤S4011，确定所述数据在所述闪存存储器中前后关联的关联数据；
步骤S4012，将所述关联数据的关键信息当中记录的温度参数，确定为所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数。
使用eMMC的移动设备在flash存储器无法读取出数据读取指令所指向的数据时，该移动设备先通过该flash存储器在编写存储该数据时，编写存储在该数据所处物理页前后物理页上与该数据前后关联的关联数据，然后，获取预先记录的该flash存储器编写存储该关联数据时，flash存储器所处温度环境中的温度参数，并将该温度参数作为该flash存储器编写存储该数据时flash存储器所处温度环境中的温度参数。
需要说明的是，在本实施例中，若使用eMMC的移动设备检测到flash存储器读取或者使用数据读取指令所指向的数据时，该数据出现无法读取的错误，则该移动设备当前即已经无法获取得到同样记录在该数据关键信息当中的温度参数，而由于flash存储器在存储该数据所处物理页前后物理页上与该数据前后关联的关联数据时，flash存储器所处温度环境中的温度参数几乎无变化或者变化不大，因此可以通过记录的该flash存储器编写存储该关联数据时，flash存储器所处温度环境中的温度参数，来确定该flash存储器编写存储该数据时flash存储器所处温度环境中的温度参数。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端内置的flash存储器读取或者使用数据读取指令中封装的数据标识A所指向的数据a时，若该手机终端在当前时刻检测到该数据a出现数据无法读取的错误时，手机终端随即通过该flash存储器的主控从flash编写存储该数据a的物理页0的后一个物理页1的预留空间当中，提取出该数据a的关联数据b的关键信息，并解析该关键信息从而得到该flash存储器在将该数据b编写存储至物理页1时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”，然后，手机终端将该温度参数—“6”作为该flash存储器在将该数据a编写存储至物理页0时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数。
步骤S402，检测所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据是否出错并得到检测结果；
使用eMMC的移动设备将flash存储器读取或者使用数据读取指令所指向的数据出错时，该flash存储器所使用的数据读取配置调整为根据该flash存储器编写存储该数据时，flash存储器所处温度环境中的温度参与当前温度所适配得到的数据读取配置，然后，检测该flash存储器在按照该数据读取配置读取或者使用该数据时该数据是否也出现错误，并记录得到检测结果。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备—手机终端预先直接在当前时刻(flash存储器所处温度环境中的当前温度“70℃—80℃”)采用通用的“高温写高温读”的场景所对应的闪存页读取电压阈值—“2”读取或者使用数据a并检测到数据a出现无法读取的错误，然后，手机终端在确定出该flash存储器在将该数据a编写存储至物理页0时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数—“6”之后，基于该温度参数—“6”对应的实际温度区间“30℃—50℃”和当前温度—“70℃—80℃”确定该flash存储器在当前时刻读取数据a应当属于“低温写高温度”的场景，从而，基于预先配置生成的“温度—配置对应关系”，适配得到一个适于该“低温写高温度”的场景，从而使该flash存储器在当前时刻读取或者使用数据a的性能表现最优的闪存页读取电压阈值—“1”，进而控制该flash存储器的主控将当前时刻正在使用的闪存页读取电压阈值—“2”，调整至该闪存页读取电压阈值—“1”，以令该flash存储器直接按照该闪存页读取电压阈值—“1”在当前时刻重新读取或者使用数据a，并再次检测该数据a是否仍然出现错误。
步骤S403，根据所述检测结果确定所述数据出错的原因。
需要说明的是，在本实施例中，检测结果包括：数据仍然出错和数据为出错。数据出错的原因至少包括：数据读取配置错误。
进一步地，在一种可行的实施例中，上述步骤S403，可以包括：
步骤S4031，若所述检测结果为所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据未出错，则确定所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取所述数据时的数据读取配置错误。
具体地，例如，使用eMMC的移动设备在控制flash存储器的主控将当前时刻正在使用的闪存页读取电压阈值—“2”，调整至闪存页读取电压阈值—“1”，以令该flash存储器直接按照该闪存页读取电压阈值—“1”在当前时刻重新读取或者使用数据a之后，若手机终端再次检测到该数据a能够正常被读取出来，即数据a不再出现无法读取的错误，则手机终端即可确定flash存储器在之前读取该数据a出现无法读取的错误的原因是：该flash存储器的主控所使用的适于“高温写高温读”场景的闪存页读取电压阈值—“2”错误，而是在使用适于“低温写高温读”场景的闪存页读取电压阈值—“1”之后即可正常读取出该数据a，从而，避免flash存储器错误的触发数据纠错甚至将数据a搬运转运至其他物理页重新进行存储。
进一步地，在另一种可行的实施例中，若检测结果为闪存存储器按照温度参数对应的数据读取配置读取的数据仍然出错，则确定闪存存储器在当前所处温度环境下读取数据时的数据读取配置非为数据a出现无法读取的错误的原因。
在本实施例中，通过使用eMMC的移动设备在flash存储器于当前所处温度环境下读取或者使用数据时，若检测到该数据出错从而需要执行数据纠错策略，则该移动设备首先通过记录的该flash存储器编写存储该数据时，该flash存储器所处温度环境中的温度参数来分析确定当前时刻该数据出错的原因，从而避免flash存储器错误触发执行数据纠错策略或者搬运转移该数据。
如此，由于记录了flash存储器编写存储数据时的温度，从而，在flash存储器读取数据出现数据纠错—ecc时，能够基于该温度确定出现数据纠错的原因进而进行固件优化，有效的避免了传统管理方式中flash存储器一旦出现数据纠错就转移搬运存储数据对flash存储器造成磨损，从而提高了flash存储器的整体使用寿命。
此外，请参照图3，本发明实施例还提出一种闪存存储器的管理系统，本发明闪存存储器的管理系统包括：
记录模块，用于记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
管理模块，用于根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
优选地，所述记录模块，包括：
获取单元，用于在所述闪存存储器对所述数据进行编写存储时，获取预设温度传感器采集到的所述闪存存储器所处温度环境中当前时刻的温度参数；
记录单元，用于将所述温度参数记录在所述数据的关键信息当中。
优选地，本发明闪存存储器的管理系统，还包括：
检测模块，用于检测所述闪存存储器是否读取所述数据；
所述数据读取配置至少包括：闪存页读取电压阈值，所述管理模块，还包括：
提取单元，用于若检测到所述闪存存储器读取所述数据，从所述数据的所述关键信息中提取所述温度参数；
第一检测单元，用于检测所述闪存存储器所处温度环境的当前温度；
适配单元，用于根据所述温度参数和所述当前温度适配所述数据的闪存页读取电压阈值。
优选地，本发明闪存存储器的管理系统，还包括：
确定模块，用于根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因。
优选地，所述确定模块，还包括：
第一确定单元，用于若检测到所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取的所述数据出错，则确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数；
第二检测单元，用于检测所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据是否出错并得到检测结果；
第二确定单元，用于根据所述检测结果确定所述数据出错的原因。
优选地，所述第一确定单元，包括：
确定子单元，用于确定所述数据在所述闪存存储器中前后关联的关联数据；
将所述关联数据的关键信息当中记录的温度参数，确定为所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数。
优选地，所述数据出错的原因至少包括：数据读取配置错误，所述第二确定单元，还用于若所述检测结果为所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据未出错，则确定所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取所述数据时的数据读取配置错误。
其中，本发明闪存存储器的管理系统的各功能模块在运行时所实现的步骤，可参照上述本发明闪存存储器的管理方法的各个实施例，此处不再赘述。
此外，本发明实施例还提出一种终端设备，该终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存存储器的管理程序，该闪存存储器的管理程序被所述处理器执行时实现如上述中的闪存存储器的管理方法的步骤。
其中，在所述处理器上运行的闪存存储器的管理程序被执行时所实现的步骤可参照本发明闪存存储器的管理方法的各个实施例，此处不再赘述。
此外，本发明实施例还提出一种计算机存储介质，应用于计算机，该计算机存储介质可以为非易失性计算机可读计算机存储介质，该计算机存储介质上存储有闪存存储器的管理程序，所述闪存存储器的管理程序被处理器执行时实现如上所述的闪存存储器的管理方法的步骤。
其中，在所述处理器上运行的闪存存储器的管理程序被执行时所实现的步骤可参照本发明闪存存储器的管理方法的各个实施例，此处不再赘述。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个计算机存储介质(如Flash存储器、ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种闪存存储器的管理方法，其特征在于，所述闪存存储器的管理方法包括：
记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
2.如权利要求1所述的闪存存储器的管理方法，其特征在于，所述记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数的步骤，包括：
在所述闪存存储器对所述数据进行编写存储时，获取预设温度传感器采集到的所述闪存存储器所处温度环境中当前时刻的温度参数；
将所述温度参数记录在所述数据的关键信息当中。
3.如权利要求2所述的闪存存储器的管理方法，其特征在于，在所述根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置的步骤之前，还包括：
检测所述闪存存储器是否读取所述数据；
所述数据读取配置至少包括：闪存页读取电压阈值，所述根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置的步骤，可以包括：
若检测到所述闪存存储器读取所述数据，从所述数据的所述关键信息中提取所述温度参数；
检测所述闪存存储器所处温度环境的当前温度；
根据所述温度参数和所述当前温度适配所述数据的闪存页读取电压阈值。
4.如权利要求1所述的闪存存储器的管理方法，其特征在于，所述闪存存储器的管理方法，还包括：
根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因。
5.如权利要求1所述的闪存存储器的管理方法，其特征在于，所述根据所述温度参数确定所述闪存存储器读取的所述数据出错的原因的步骤，包括：
若检测到所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取的所述数据出错，则确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数；
检测所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据是否出错并得到检测结果；
根据所述检测结果确定所述数据出错的原因。
6.如权利要求5所述的闪存存储器的管理方法，其特征在于，所述确定所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数的步骤，包括：
确定所述数据在所述闪存存储器中前后关联的关联数据；
将所述关联数据的关键信息当中记录的温度参数，确定为所述闪存存储器在编写存储所述数据时所处温度环境中的温度参数。
7.如权利要求5所述的闪存存储器的管理方法，其特征在于，所述数据出错的原因至少包括：数据读取配置错误，
所述根据所述检测结果确定所述数据出错的原因的步骤，包括：
若所述检测结果为所述闪存存储器按照所述温度参数对应的数据读取配置读取的所述数据未出错，则确定所述闪存存储器在当前所处温度环境下读取所述数据时的数据读取配置错误。
8.一种闪存存储器的管理系统，其特征在于，所述闪存存储器的管理系统包括：
记录模块，用于记录闪存存储器编写存储数据时所处温度环境中的温度参数；
管理模块，用于根据所述温度参数适配所述数据的数据读取配置，以供所述闪存存储器按照所述数据读取配置进行所述数据的读取。
9.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的闪存存储器的管理程序，所述闪存存储器的管理程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的闪存存储器的管理方法的步骤。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的闪存存储器的管理方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011468550.8A CN112527202A (zh) | 2020-12-14 | 2020-12-14 | 闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011468550.8A CN112527202A (zh) | 2020-12-14 | 2020-12-14 | 闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112527202A true CN112527202A (zh) | 2021-03-19 |
Family
ID=74999643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011468550.8A Pending CN112527202A (zh) | 2020-12-14 | 2020-12-14 | 闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112527202A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113643746A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-11-12 | 深圳市宏旺微电子有限公司 | 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8514646B1 (en) * | 2012-05-09 | 2013-08-20 | Storart Technology Co. Ltd. | Method for improving performance when flash memory storage device works in wide temperature range |
| CN108630251A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | 东芝存储器株式会社 | 控制系统 |
| CN109284201A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-29 | 至誉科技（武汉）有限公司 | 温度均衡数据恢复方法以及系统、存储介质 |
| CN109614048A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 深圳市硅格半导体有限公司 | 基于闪存的数据读写方法、装置及计算机可读存储介质 |
| CN110928488A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-03-27 | 广州妙存科技有限公司 | 一种优化nand闪存高低温读写可靠性的方法 |
-
2020
- 2020-12-14 CN CN202011468550.8A patent/CN112527202A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8514646B1 (en) * | 2012-05-09 | 2013-08-20 | Storart Technology Co. Ltd. | Method for improving performance when flash memory storage device works in wide temperature range |
| CN108630251A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | 东芝存储器株式会社 | 控制系统 |
| CN109284201A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-29 | 至誉科技（武汉）有限公司 | 温度均衡数据恢复方法以及系统、存储介质 |
| CN109614048A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 深圳市硅格半导体有限公司 | 基于闪存的数据读写方法、装置及计算机可读存储介质 |
| CN110928488A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-03-27 | 广州妙存科技有限公司 | 一种优化nand闪存高低温读写可靠性的方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113643746A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-11-12 | 深圳市宏旺微电子有限公司 | 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质 |
| CN113643746B (zh) * | 2021-07-02 | 2023-09-26 | 深圳市宏旺微电子有限公司 | 闪存数据的分析方法、装置、终端设备及存储介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8181046B2 (en) | Transparent self-hibernation of non-volatile memory system | |
| US20100034042A1 (en) | Power consumption-oriented management of a storage system | |
| CN108509215B (zh) | 一种系统软件的更换方法、装置、终端设备及存储介质 | |
| CN108108261B (zh) | 数据存储装置及其操作方法 | |
| CN111949220B (zh) | 存储设备异常断电恢复方法及存储设备 | |
| CN110554999A (zh) | 基于日志式文件系统和闪存设备的冷热属性识别和分离方法、装置以及相关产品 | |
| GB2463809A (en) | Peripheral device operation method, peripheral device and host | |
| KR20200015000A (ko) | 메모리 누수 검출 방법 및 그 전자 장치 | |
| CN112527202A (zh) | 闪存存储器的管理方法、系统、终端设备及存储介质 | |
| CN103809502A (zh) | 控制器及程序 | |
| US10007449B2 (en) | Memory management method, memory control circuit unit, and memory storage apparatus | |
| US20080244173A1 (en) | Storage device using nonvolatile cache memory and control method thereof | |
| CN112445766A (zh) | 一种终端碎片整理方法、装置以及终端 | |
| JP2006085534A (ja) | 情報処理装置、情報処理装置のソフトウェア更新方法、プログラム | |
| JP2012216014A (ja) | 情報処理装置及びデータ保護方法 | |
| CN102811436A (zh) | 一种固件更新方法及装置 | |
| CN116820898B (zh) | 一种eMMC的运行状态监控方法、系统及计算机可读存储介质 | |
| CN109343800B (zh) | 存储设备管理方法、装置及可读存储介质 | |
| CN109753222B (zh) | 数据删除方法、服务器及计算机可读介质 | |
| WO2022242665A1 (zh) | 一种数据存储方法及相关装置 | |
| US11847032B2 (en) | Solid state drive, electronic device including solid state drive, and method of managing solid state drive | |
| CN112527203B (zh) | 闪存存储器的数据重写方法、系统、终端设备及存储介质 | |
| CN102023873B (zh) | 应用程序执行方法与系统、存储媒体控制器及存储装置 | |
| CN105630554A (zh) | 一种第三方应用的重装方法及用户终端 | |
| CN110618784B (zh) | 数据存储装置及其操作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210319 |