CN112505760A - 一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法。该断溶体储层刻画方法包括以下步骤:S100、选取基准井,在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井;S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井进行地震反演,以此建立反映地层格架的波阻抗模型;S300、以目标区内实钻井参与进行地震反演;S400、将S300得到的地震反演结果与所述反映地层格架的波阻抗模型做差,刻画所述断溶体储层。本发明可有效刻画断裂破碎带储层,解决了断溶体储层内部反射弱、地层界面反射影响大、储层预测难度大等问题,对指导深层断控储层的勘探开发具有重要意义。
Description
技术领域
本发明涉及油气勘探技术领域,具体涉及一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法。
背景技术
碳酸盐岩断溶体储层主要受控于走滑断裂,断裂破碎带为主要储集空间,在地震上主要表现为杂乱反射特征,其反射强度较弱,同时受地层界面影响,常规地震属性和地震反演难以对断溶体内幕储层进行有效刻画,现有的结构张量等地震结构类属性可刻画断溶体边界,但存在分辨率不足等问题,断溶体内幕储层结构难以有效刻画;常规的地震反演对以杂乱弱反射为主的断溶体储层预测效果不理想。
本发明通过在断裂破碎带两侧致密地层位置建立若干虚拟井,借助未钻遇储层井信息建立反映地层骨架的波阻抗模型,最后将实钻井参与的地震反演结果和地层格架阻抗求差,该残差突出断裂破碎带低阻抗信息,可有效刻画断裂破碎带储层,对指导深层断控储层的勘探开发具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法,以解决断溶体储层内部反射弱、地层界面反射影响大、储层预测难度大等问题,为断控缝洞油藏的勘探开发提供重要依据。
为了实现以上目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法,该断溶体储层刻画方法包括以下步骤:
S100、选取基准井,在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井;
S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井进行地震反演,以此建立反映地层格架的波阻抗模型;
S300、以目标区内所有已钻井参与进行地震反演;
S400、求取S300得到的地震反演结果和所述反映地层格架的波阻抗模型的残差,刻画所述断溶体储层。
本发明通过在断裂破碎带两侧致密地层位置建立若干虚拟井,借助未钻遇储层井信息建立反映地层骨架的波阻抗模型,最后将实际井参与的地震反演结果和地层格架阻抗求残差,突出断裂破碎带低阻抗信息,可有效刻画断裂破碎带储层,对指导深层断控储层的勘探开发具有重要意义。
以下针对每一步骤进行详细说明:
S100、选取基准井,在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井。
目标区内至少包括钻遇缝洞储层和未钻遇储层两种类型已钻井,根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,以未钻遇所述断溶体储层的已钻井为基准井。若存在多口未钻遇储层的已钻井,选取反映地层格架的典型井,例如电测曲线特征清楚、完整,井震关系优良的。
根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,根据断裂规模与长度,在断裂两侧非储层位置每10km各建立5~8口虚拟井。
根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,所述虚拟井均匀分布在断裂破碎带两侧,且垂直断裂破碎带距离大于200米,根据相干和不连续性属性所描述断裂及破碎带位置。
S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井进行地震反演,以此建立反映地层格架的波阻抗模型。
根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,S200中利用所述虚拟井的声波曲线进行地层格架地震反演,虚拟井含有非储层信息,由于受未钻遇储层虚拟井约束,反演的结果主要包含地层格架的波阻抗数据L。
S300、以目标区内所有已钻井参与进行地震反演。
此处参与进行地震反演的已钻井包括钻遇储层和未钻遇储层的已钻井。
根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,S S300中所述利用目标区内所有已钻井参与进行地震反演计算,获取包含地层格架和储层信息的波阻抗数据M。
S400、将S300得到的地震反演结果与所述反映地层格架的波阻抗模型做差,以残差刻画所述断溶体储层。
S300中反演的结果阻抗包含断溶体破碎带的阻抗信息和地层格架的波阻信息,断裂破碎带总体阻抗较低,但破碎带低阻抗信息淹没在地层格架阻抗中,很难进行有效刻画;与所述反映地层格架的波阻抗模型做差,消除致密地层格架波阻抗的影响,仅保留断裂破碎带低阻抗残余信息,突出断溶体储层。
根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,S400具体包括:将所述波阻抗数据M与波阻抗数据L做差,刻画所述断溶体储层。
根据本发明的断溶体储层刻画方法,优选的,所述断溶体储层刻画方法包括以下步骤:
S100、选取目标区内未钻遇所述断溶体储层的实钻井作为基准井,在断裂两侧的非储层位置分别建立若干虚拟井;
S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井的声波曲线进行地层格架地震反演,建立反映地层格架的波阻抗模型;
S300、以目标区内所有已钻井参与进行地震反演;反演的结果阻抗包含断溶体破碎带的阻抗信息和地层格架的波阻信息,断裂破碎带总体阻抗较低,但破碎带低阻抗信息淹没在地层格架阻抗中,很难进行有效刻画;
S400、将S300得到的地震反演结果与所述反映地层格架的波阻抗模型做差,消除致密地层格架波阻抗的影响,仅保留断裂破碎带低阻抗残余信息,突出断溶体储层,完成刻画所述断溶体储层。
优选的,S100中根据断裂规模与长度,在断裂两侧非储层位置每10km各建立5~8口虚拟井;所述虚拟井均匀分布在断裂破碎带两侧,与断裂破碎带垂直距离大于200米。
本发明提供的断溶体储层刻画方法包括:选取基准井在断裂两侧建立若干虚拟井作为控制点、利用虚拟井进行反演以建立地层格架波阻抗模型、实际井参与进行地震反演、地震反演与地层格架反演模型做差进行断溶体储层刻画四个关键步骤,解决了断溶体储层内部反射弱、地层界面反射影响大、储层预测难度大等问题,为断控缝洞油藏的勘探开发提供重要依据。
附图说明
图1为本发明应用例中布置的虚拟井平面示意图。
图2为本发明应用例中布置的虚拟井剖面示意图。
图3为本发明应用例中建立的反映断裂破碎带致密地层格架的波阻抗模型。
图4为本发明应用例中利用实钻井进行波阻抗反演结果图。
图5为本发明应用例中断溶体储层的刻画结果。
图6a为对比案例中过S102井地震剖面图。
图6b为对比案例中过S102井常规反演剖面。
图6c为对比案例中过S102井采用本发明的基于虚拟井反演剖面。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例对本发明做进一步的说明。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
应用实例:
采用本发明的刻画方法对塔里木盆地某区断控缝洞储层进行预测与刻画,具体包括以下步骤:
S100、选取基准井,在断裂两侧的非储层位置建立虚拟井。
断控缝洞储层具有沿走滑断裂局限发育的特征,根据地震属性可获得断溶体储层发育的平剖基本形态,实钻井C未钻遇缝洞储层,钻遇地层均为致密灰岩,测井曲线完整,典型曲线反映非储层地层结构,实钻井D在断裂破碎带钻遇缝洞储层。
选取实钻井C为基准井,如图1和图2所示,在断控储层两侧致密灰岩位置建立虚拟井A1-A7、B1-B6,利用实钻井D和虚拟井进行控制,为后续断控储层刻画做准备。
S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井进行地震反演,以此建立反映地层格架的波阻抗模型。
将未钻遇缝洞储层实钻井C声波曲线赋予虚拟井,利用虚拟井A1、A2、A3、A4、A5、A5、A6、A7以及B1、B2、B3、B4、B5、B6的声波曲线进行地层格架地震反演,建立反映断裂破碎带致密地层格架的波阻抗模型;如图3所示。
S300、以目标区内实钻井参与进行地震反演。
实钻井C和实钻井D参与进行地震反演,利用分形分维算法,建立适合碳酸盐岩缝洞储层非均质特征的地质模型,在此基础上进行波阻抗反演,结果如图4所示,反演的结果阻抗包含断溶体破碎带的阻抗信息和地层格架的波阻信息,断裂破碎带总体阻抗较低,但破碎带低阻抗信息淹没在地层格架阻抗中,很难进行有效刻画。
S400、将S300得到的地震反演结果与所述反映地层格架的波阻抗模型做差,刻画所述断溶体储层。
实钻井参与地震反演与地层格架反演模型做差,消除致密地层格架波阻抗的影响,仅保留断裂破碎带低阻抗残余信息,突出断溶体储层,完成断溶体储层的刻画,结果如图5所示,可见断溶体储层主要受控于断裂破碎带,边界轮廓比较清楚,且断溶体内幕储层强弱关系符合地质认识,主断裂储层相对较发育。
对比案例:
如图6a-图6c所示,其中图6a为过S106井地震剖面图,图6b为常规反演剖面,图6c为采用本发明的基于虚拟井反演剖面;断溶体内幕反射较弱,常规反演方法只能对强反射储层进行刻画,同时反演结果受地层界面影响,而本发明基于虚拟井反演方法可同时刻画断溶体边界及内幕储层特征。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (10)
1.一种基于虚拟井的断溶体储层刻画方法,其特征在于,所述断溶体储层刻画方法包括以下步骤:
S100、选取基准井,在断裂两侧非储层位置根据断裂长度建立若干虚拟井;
S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井进行地震反演,以此建立反映地层格架的波阻抗模型;
S300、以目标区内所有已钻井参与进行地震反演;
S400、求取S300得到的地震反演结果和所述反映地层格架的波阻抗模型的残差,刻画所述断溶体储层。
2.根据权利要求1所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,所述基准井为目标区内未钻遇所述断溶体储层的已钻井。
3.根据权利要求2所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,根据断裂规模与长度,在断裂两侧非储层位置每10km各建立5~8口虚拟井。
4.根据权利要求3所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,所述虚拟井均匀分布在断裂破碎带两侧,与断裂破碎带垂直距离大于200米。
5.根据权利要求1所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,S200中将目标区内未钻遇所述断溶体储层的已钻井作为基准井,并将其声波曲线赋予所有虚拟井,利用所述虚拟井的声波曲线进行井震标定,建立虚拟井井震关系。
6.根据权利要求5所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,S200利用虚拟井进行地层格架地震反演,由于受未钻遇储层虚拟井约束,反演的结果主要包含地层格架的波阻抗数据L。
7.根据权利要求6所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,S300中利用目标区内所有已钻井参与进行地震反演计算,获取包含地层格架和储层信息的波阻抗数据M。
8.根据权利要求7所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,S400具体包括:将所述波阻抗数据M与波阻抗数据L做差,刻画所述断溶体储层。
9.根据权利要求1所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,所述断溶体储层刻画方法包括以下步骤:
S100、选取目标区内未钻遇所述断溶体储层的实钻井作为基准井,在断裂两侧的非储层位置分别建立若干虚拟井;
S200、将所述基准井的声波曲线赋予所述虚拟井;利用所述虚拟井的声波曲线进行地层格架地震反演,建立反映地层格架的波阻抗模型;
S300、以目标区内所有已钻井参与进行地震反演;
S400、将S300得到的地震反演结果与所述反映地层格架的波阻抗模型做差,刻画所述断溶体储层。
10.根据权利要求9所述的断溶体储层刻画方法,其特征在于,S100中根据断裂规模与长度,在断裂两侧非储层位置每10km各建立5~8口虚拟井;所述虚拟井均匀分布在断裂破碎带两侧,与断裂破碎带垂直距离大于200米。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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