CN112490229B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及显示装置，在所述显示面板中，衬底的显示区上设置的多个键合结构的电阻与所述键合结构与所述绑定区的距离负相关，即随着键合结构与所述绑定区之间距离的增加，键合结构的电阻随之减小，弥补发光单元随着与所述绑定区之间距离的增加，能接收到的工作电源随之降低的现象，从而使得显示面板的整个显示画面的亮度均一。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，用户和厂家对于显示面板的显示效果提出了更高的要求。
在实际应用过程中发现，显示面板的显示画面的亮度存在不均一的问题，这一问题随着显示面板的尺寸的增加而愈加明显，找出导致这一问题的原因并提出解决这一问题的方案成为本领域技术人员的研究方向之一。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板的显示亮度不均一的问题。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种显示面板，包括：
衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区；
位于所述显示区中阵列排布的多个键合结构，所述键合结构的电阻与所述键合结构与所述绑定区的距离负相关；
绑定于所述键合结构上的发光单元。
一种显示装置，包括如上述一项所述的显示面板。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，发明人研究发现在显示面板中导致显示画面的亮度不均一的问题的原因主要是随着发光单元与绑定区的距离的增加，为发光单元提供工作电源的走线上的阻抗随之增加，导致远端(即距离绑定区距离较远的一端)的发光单元接收的工作电源相较于近端(即距离绑定区距离较近的一端)的发光单元接收的工作电源下降明显，从而导致显示面板的显示画面的亮度不均一，特别体现为随着与绑定区距离的增加，显示画面的亮度随之降低，为了解决这一问题，在本申请实施例提供的显示面板中，衬底的显示区上设置的多个键合结构的电阻与所述键合结构与所述绑定区的距离负相关，即随着键合结构与所述绑定区之间距离的增加，键合结构的电阻随之减小，弥补发光单元随着与所述绑定区之间距离的增加，能接收到的工作电源随之降低的现象，从而使得显示面板的整个显示画面的亮度均一。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请的一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图2为图1中沿AA’线的剖面结构示意图；
图3为本申请的一个实施例提供的一种键合结构的剖面结构示意图；
图4为本申请的另一个实施例提供的一种键合结构的剖面结构示意图；
图5为本申请的一个实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图6为本申请的又一个实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图7为本申请的又一个实施例提供的一种键合结构的剖面结构示意图；
图8为本申请的再一个实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图9为本申请的一个可选实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图10为本申请的一个实施例提供的电源线传输给发光单元的电源电压的压降曲线示意图；
图11为本申请的另一个可选实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图12为本申请的又一个可选实施例提供的显示面板的剖面结构示意图；
图13为本申请的另一个实施例提供的显示面板的俯视结构示意图；
图14为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种显示面板，参考图1和图2，图1为显示面板的俯视结构示意图，图2为图1中沿AA’线的剖面结构示意图，显示面板包括：衬底10，衬底10包括显示区11和位于显示区11一侧的绑定区12，位于显示区11中阵列排布的多个键合结构20，键合结构20的电阻与键合结构20与绑定区12的距离负相关；绑定于键合结构20上的发光单元。
在本实施例中，键合结构20与绑定区12的距离是指键合结构20的边缘或几何中心与绑定区12之间的垂直直线的长度，例如仍然参考图1，与绑定区12最近的一行键合结构20与绑定区12之间的距离是指该行键合结构20的下边缘(即靠近绑定区12的边缘)与绑定区12之间的垂直直线的长度D。当然地，在本申请的一些实施例中，键合结构20与绑定区12的距离还可指绑定结构20的上边缘或几何中心与绑定区12之间的垂直直线的长度，本申请对此并不做限定，只要所有键合结构20与绑定区12的距离的定义相同即可。
在本实施例中，显示区11是指用于布置发光单元的区域，绑定区12是指用于布置驱动电路30等结构的区域，驱动电路30包括数据驱动电路、栅极驱动电路和电源驱动电路中的至少一种，数据驱动电路用于为发光单元提供数据驱动信号，栅极驱动电路用于为发光单元提供栅极扫描信号，电源驱动电路用于为发光单元提供工作电源，发光单元在工作电源、数据驱动信号和栅极扫描信号的驱动下进行发光，发明人通过研究发现，由于使发光单元和电源驱动电路电连接的电源线的宽度通常较大，导致电源线的阻抗通常不可忽略，并且随着电源线向远离绑定区12一侧延伸，电源线的阻抗随之增加，这导致了显示面板的显示画面随着与绑定区12距离的增加而变暗的主要问题。
在本实施例中，通过调整在显示区11中阵列排布的多个键合结构20的电阻大小，以弥补电源线的阻抗随与绑定区12的距离的增加而增加的问题，即键合结构20的电阻与键合结构20与绑定区12的距离负相关，使得键合结构20的电阻随着键合结构20与绑定区12的距离的增加而减小，使得在显示面板的各个区域上，电源线的阻抗与键合结构20的电阻之和基本保持一致，从而使得显示面板的整体显示画面的亮度基本均一。
参考图3，图3示出了单个键合结构20的剖面结构示意图，键合结构20包括层叠设置的第一导电层21和第二导电层22，第一导电层21的电阻率小于第二导电层22的电阻率。
第一导电层21位于第二导电层22背离衬底10一侧，在本申请的一些实施例中，第一导电层21又称为共晶层，可通过共晶反应获得，第二导电层22用于阻挡第一导电层21在共晶反应时金属渗透到其他膜层中，第一导电层21和第二导电层22共同构成了键合结构20，该键合结构20除了用于固定发光单元50之外，还用于将发光单元50与衬底10上的其他结构电连接。
图3中除了第一导电层21和第二导电层22之外，还示出了位于键合结构20与衬底之间的薄膜电极30以及粘合剂层40。
在图3中第一导电层21和第二导电层22均为整层结构，参考图4，图4示出了另一种可行的键合结构20的剖面结构示意图，在图4中，第一导电层21和第二导电层22均为两个分立的膜层分别层叠形成的结构，即键合结构20包括第一键合单元和第二键合单元，第一键合单元和第二键合单元分别电连接发光单元50的阴极和阳极。即在图3和图4中，发光单元50的绑定方式不同，在图3中，发光单元50直立设置，键合结构20与发光单元50的阳极电连接，发光单元50的阴极通过另外的电极与像素电路电连接，在图4中，发光单元50侧立设置，发光单元50的阳极和阴极均通过键合结构20与像素电路电连接。本申请对发光单元50的具体设置方式并不做限定，具体视实际情况而定。
在本实施例中，将第一导电层21的电阻率设置为小于第二导电层22的电阻率可以在保持键合结构20的整体高度不变的情况下，可通过调整第一导电层21和第二导电层22各自的厚度/沿平行于衬底10表面的面积/第一导电层和第二导电层的接触面积等多种方式实现键合结构20的整体电阻的调整，满足各种应用场景下对于键合结构20的设置要求，提高本实施例提供的显示面板的适应性。
在调整键合结构20整体的电阻时，可通过调整第一导电层21和第二导电层22的厚度和/或表面面积和/或接触面积的方式实现。
具体地，在本申请的一个实施例中，参考图5，图5为显示面板的剖面结构示意图，该剖面方向平行于发光单元50排布的列方向，且垂直于衬底10表面，第一导电层21的厚度与第一导电层21与绑定区12的距离正相关。
第二导电层22的厚度与第二导电层22与绑定区12的距离负相关，第一导电层21的厚度与第二导电层22的厚度之和为预设高度。
参考图5，所述键合结构沿垂直于衬底10表面方向上的厚度就是导通长度，将第一导电层21的厚度设为L1，将第二导电层22的厚度设为L2，则预设高度L3＝L1+L2，该预设高度为根据发光单元的尺寸、种类等参数事先确定的键合厚度的较优高度，该预设高度的具体取值可通过仿真等方式取得，本申请对仿真过程不做赘述。
在本实施例中，第一导电层21的厚度与第二导电层22的厚度之和保持预设高度不变，且由于第二导电层22的电阻率相较于第一导电层21的电阻率更高，因此可通过将第二导电层22的厚度与第二导电层22与绑定区12的距离的关系设置为负相关，从而使得键合结构20整体的电阻保持“键合结构20的电阻与键合结构20与绑定区12的距离负相关”的关系。
具体地，由电阻定律R＝ρL/S可知，在本实施例中，键合结构20的电阻R由以下公式确定：
同时由于第一导电层21的厚度与第二导电层22的厚度之和保持预设高度不变，可以保证各个区域的发光单元50在键合/绑定时的工艺保持一致，无需根据不同区域设置特定的键合/绑定工艺，有利于简化发光单元50的键合/绑定工艺，且有利于保持各个发光单元50的高度保持一致，避免由于发光单元50的高度不同而给显示效果带来不良影响。
在本申请的另一个实施例中，参考图6，图6为显示面板的剖面结构示意图，第一导电层21沿平行于衬底10表面方向上的面积与键合结构20与绑定区12的距离正相关。
第二导电层22沿平行于衬底10表面方向上的面积为预设面积，与绑定区12距离最大的第一导电层21的面积小于或等于预设面积。
在本实施例中，通过单独调整第一导电层21沿平行于衬底10表面方向上的面积来调整整个键合结构20沿平行于衬底10表面方向上的面积，从而实现调整整个键合结构20的电阻的目的。
类似的，根据电阻定律R＝ρL/S可知，在本实施例中，第一导电层和第二导电层的接触面积与键合结构20的整体电阻成反比关系，即在电阻率ρ和厚度L不变的情况下，通过调整电流通过截面的面积S可以调整整个结构的电阻，且电阻与截面面积S成反比，键合结构20的电阻R满足以下公式：
因此，在本实施例中，通过保持第二导电层22沿平行于衬底10表面方向上的面积不变，将第一导电层21沿平行于衬底10表面方向上的面积设置为与键合结构20与绑定区12的距离正相关，即可实现第一导电层21与第二导电层22的接触面积与该键合结构20与绑定区12之间的距离正相关的目的，进而实现保证“键合结构20的电阻与键合结构20与绑定区12的距离负相关”的目的。
且在本实施例中，键合结构20中只有第一导电层21沿平行于衬底10表面方向上的面积这一个变量，容易根据需求调各个键合结构20中的第一导电层21沿平行于衬底10表面方向上的面积，有利于简化键合结构20的设计难度。
另外，在本实施例中，预设面积需要设计的小于或等于发光单元50沿平行于衬底10方向上的面积，以避免过大的第一导电层21或第二导电层22沿平行于衬底10方向上的面积导致的浪费问题。
可选的，在本申请的又一个实施例中，参考图7，图7为键合结构20的剖面结构示意图，第一导电层21包括至少两类第一类金属形成的共晶层。
第二导电层22包括第二类金属形成的金属层。
第一类金属的电阻率小于第二类金属的电阻率。
如前文，第一导电层21为经过两类第一类金属共晶反应形成的共晶层，第一类金属包括但不限于金和铟等熔点较低(例如在170℃左右)，且导电性良好的金属，第二类金属包括但不限于金属铂等熔点较高，且导电性良好的金属。第一类金属的熔点较低可以利用共晶工艺进行键合/绑定，第二类金属的熔点较高可以保证在共晶过程中避免熔融的第一类金属渗透到衬底10的其他膜层中。
仍然参考图7，当第一类金属包括金和铟，第二类金属包括铂时，第一导电层21包括金与铟的共晶层；第二导电层22包括铂金属层。可选的，当发光单元50为Micor-LED单元时，发光单元50上包括金金属层211，衬底10上依次设置有铂金属层和铟金属层212，在键合/绑定时，金金属层211和铟金属层212在加热条件下进行共晶反应，相互融合形成第一导电层21，但在实际的应用中发现，金金属层211和铟金属层212共晶反应后并未完全融合，在解析图像中仍然可以比较清楚的看出来铟金属层212位于第一导电层21的下方(即朝向第二导电层22一侧)。
可选的，在本申请的再一个实施例中，参考图8，图8为显示面板的剖面结构示意图，多个键合结构20的高度相同。
键合结构20与发光单元50的接触面积与键合结构20与绑定区12的距离正相关。
在本实施例中，仍然保持键合结构20的高度不变，避免由于各个区域的键合结构20的高度不同而需要调整键合/绑定工艺的情况出现，也避免各个发光单元50高度不同而导致的显示效果不佳的问题。另外，在本实施例中，与图6所示的结构类似的，仍然依据电阻定律R＝ρL/S可知，本实施例中的键合结构20的电阻R由以下公式确定：
即在键合结构20的整体电阻率和高度不变的情况下，键合结构20的电阻与键合结构20与发光单元50的接触面积负相关，即键合结构20与发光单元50的接触面积越大，键合结构20的电阻越小，因此，在当键合结构20与发光单元50的接触面积与键合结构20与绑定区12的距离正相关时，可以保证“键合结构20的电阻与键合结构20与绑定区12的距离负相关”。
另外，在本实施例中，除了可以如图8所示的调整每个键合结构20沿平行于衬底10表面方向上的面积，来实现调整键合结构20与发光单元50的接触面积外，还可以如图9所示，图9为显示面板的剖面结构示意图，将各个键合结构20沿平行于衬底10表面方向上的面积保持一致，通过调节键合结构20与发光单元50的正对面积，来实现调整键合结构20与发光单元50的接触面积的目的，具体地，键合结构20与发光单元20的正对面积与该键合结构20和绑定区之间的距离正相关。即在本实施例中，调整键合结构20与发光单元50的接触面积的方式可以有多种，可根据实际的情况设计不同的具体实现方式。
仍然参考图8，当通过调整每个键合结构20沿平行于衬底10表面方向上的面积，来实现调整键合结构20与发光单元50的接触面积时，与绑定区12距离最近的键合结构20背离衬底10一侧表面的面积大于或等于第一面积阈值；与绑定区12距离最远的键合结构20背离衬底10一侧表面的面积小于第二面积阈值。
在本申请中，一般需要保证最小的键合结构20的面积不小于第一面积阈值，以避免过小的键合结构20导致发光单元50的发光异常的情况，另外，最大的键合结构20的面积不大于第二面积阈值，以避免键合结构20的面积过大超过发光单元50平行于衬底10方向上的面积而导致的浪费问题。
可选的，第一面积阈值大于或等于126μm2；第二面积阈值小于或等于600μm2。
可选的，在本申请的一个可选实施例中，相邻键合结构20的电阻差值随相邻键合结构20距绑定区12的距离的增加而增加。
在本实施例中，通过对电源线传输给发光单元50的电压曲线的仿真可以得知，随着发光单元50与绑定区12的距离的增加，电源线传输给发光单元50的电源电压的压降呈一个斜率上升的曲线，如图10所示，图10为电源电压V与发光单元50与绑定区12之间的距离L的曲线示意图，相应的，为了与图10所示的曲线相匹配，键合结构20的电阻也需要随着相邻键合结构20距绑定区12的距离的增加而增加，即键合结构20的电阻与键合结构20与绑定区12的距离的曲线与图10相似，这样可以基本保证显示面板各个位置处的发光单元50最终接收到的电源电压相近，提高显示面板的亮度均一性。
可选的，在本申请的另一个可选实施例中，参考图11，图11为显示面板的剖面结构示意图，显示面板还包括：
位于显示区11中阵列排布的多个薄膜晶体管61，多个薄膜晶体管61与键合结构20之间包括绝缘层60；贯穿绝缘层60的多个通孔，以及位于通孔中的搭接金属62，搭接金属62分别连接键合结构20与薄膜晶体管61，通孔与键合结构20一一对应；键合结构20与搭接金属62的接触面积与键合结构20与绑定区12的距离负相关。
通常情况下，所述薄膜晶体管61分为顶栅结构薄膜晶体管和底栅结构薄膜晶体管，顶栅结构薄膜晶体管的有源层设置于栅极的下方，有源层包括源极区、漏极区和沟道，栅极和有源层之间通过绝缘结构隔开，栅极上方设置有源极和漏极，源极和漏极与栅极之间通过绝缘结构隔开，源极和漏极分别通过过孔的方式与有源层的源极区和漏极区连接，源极和漏极上方即为本实施例中的绝缘层60，搭接金属62通过贯穿绝缘层60的过孔与薄膜晶体管的漏极连接。
类似的，底栅结构薄膜晶体管的有源层设置于栅极的上方，漏极和源极设置于有源层的上方，类似的，有源层和漏极之间，以及有源层和漏极、源极之间均设置有绝缘结构，漏极和源极通过过孔的方式与有源层的漏极区和源极区连接，源极和漏极的上方即为绝缘层60，搭接金属62通过贯穿绝缘层60的过孔与薄膜晶体管的漏极连接。
在本实施例中，多个薄膜晶体管61构成了多个像素电路，每个像素电路用于控制一个发光单元50，键合结构20与像素电路中直接连接的薄膜晶体管61的接触面积可调整键合结构20与薄膜晶体管61的接触电阻以及电流密度，进而实现对发光单元50的亮度的调整。
类似的，参考图12，图12为显示面板的剖面结构示意图，显示面板还包括：
位于显示区11中阵列排布的多个薄膜晶体管61，多个薄膜晶体管61与键合结构20之间包括绝缘层60。
贯穿绝缘层60的多个通孔，以及位于通孔中的搭接金属62，搭接金属62分别连接键合结构20与薄膜晶体管61，多个通孔分为多个通孔组合，每个通孔组合包括至少两个通孔，各通孔组合与键合结构20一一对应。
通孔组合中包括的通孔数量和与通孔组合对应的键合结构20距离绑定区12的距离正相关。
在本实施例中，通过调整与每个键合结构20对应的通孔数量来调节键合结构20与薄膜晶体管61的接触电阻以及电流密度，从而实现对发光单元50的亮度的调整。
可选的，在本申请的再一个可选实施例中，如图13所示，图13为显示面板的俯视结构示意图，发光单元50包括红光发光单元51、绿光发光单元52和蓝光发光单元53；与绑定区12的距离相同的同一行发光单元50中，与红光发光单元51绑定的键合结构20的电阻大于与绿光发光单元52绑定的键合结构20的电阻，且大于与蓝光发光单元53绑定的键合结构20的电阻。
当发光单元50为主动发光的发光单元50时，由于不同颜色的发光材料寿命以及开启电压的不同，各个发光单元50平行于衬底10方向上的面积各不相同，为了弥补这一面积以及开启电压的不同，通常情况下显示面板中各个颜色的发光单元50按照特定的方式排列，为了示意清楚，图13中以RGBRGB(即红绿蓝三色发光单元50依次排列)的排列方式示意，在同一行发光单元50中，通常情况下蓝光发光单元53的开启电压最大，绿光发光单元52的开启电压次之，红光发光单元51的开启电压最小，因此，可以将与绑定区12的距离相同的同一行发光单元50中，与红光发光单元51绑定的键合结构20的电阻大于与绿光发光单元52绑定的键合结构20的电阻，且大于与蓝光发光单元53绑定的键合结构20的电阻的方式，解决由于各个颜色的发光单元50的开启电压之间的差异而导致的亮度不同的问题。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，如图14所示，图14为显示装置A100的结构示意图，显示装置A100包括上述任一实施例的显示面板。
综上，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，发明人研究发现在显示面板中导致显示画面的亮度不均一的问题的原因主要是随着发光单元与绑定区的距离的增加，为发光单元提供工作电源的走线上的阻抗随之增加，导致远端(即距离绑定区距离较远的一端)的发光单元接收的工作电源相较于近端(即距离绑定区距离较近的一端)的发光单元接收的工作电源下降明显，从而导致显示面板的显示画面的亮度不均一，特别体现为随着与绑定区距离的增加，显示画面的亮度随之降低，为了解决这一问题，在本申请实施例提供的显示面板中，衬底的显示区上设置的多个键合结构的电阻与键合结构与绑定区的距离负相关，即随着键合结构与绑定区之间距离的增加，键合结构的电阻随之减小，弥补发光单元随着与绑定区之间距离的增加，能接收到的工作电源随之降低的现象，从而使得显示面板的整个显示画面的亮度均一。
本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或者组合，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (15)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区；
位于所述显示区中阵列排布的多个键合结构，所述键合结构的电阻与所述键合结构与所述绑定区的距离负相关；
绑定于所述键合结构上的发光单元。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述键合结构包括层叠设置的第一导电层和第二导电层；
所述第一导电层的电阻率小于所述第二导电层的电阻率。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层的厚度与所述第一导电层与所述绑定区的距离正相关；
所述第二导电层的厚度与所述第二导电层与所述绑定区的距离负相关，所述第一导电层的厚度与所述第二导电层的厚度之和为预设高度。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层沿平行于所述衬底表面方向上的面积与所述键合结构与所述绑定区的距离正相关；
所述第二导电层沿平行于所述衬底表面方向上的面积为预设面积，与所述绑定区距离最大的第一导电层的面积小于或等于所述预设面积。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层包括至少两类第一类金属形成的共晶层；
所述第二导电层包括第二类金属形成的金属层；
所述第一类金属的电阻率小于所述第二类金属的电阻率。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层包括金与铟的共晶层；
所述第二导电层包括铂金属层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个键合结构的高度相同；
所述键合结构与所述发光单元的接触面积与所述键合结构与所述绑定区的距离正相关。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，与所述绑定区距离最近的键合结构背离所述衬底一侧表面的面积大于或等于第一面积阈值；
与所述绑定区距离最远的键合结构背离所述衬底一侧表面的面积小于第二面积阈值。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一面积阈值大于或等于126μm2；
所述第二面积阈值小于或等于600μm2。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻所述键合结构的电阻差值随相邻所述键合结构距所述绑定区的距离的增加而增加。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述显示区中阵列排布的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管与所述键合结构之间包括绝缘层；
贯穿所述绝缘层的多个通孔，以及位于所述通孔中的搭接金属，所述搭接金属分别连接所述键合结构与所述薄膜晶体管，所述通孔与所述键合结构一一对应；
所述键合结构与所述搭接金属的接触面积与所述键合结构与所述绑定区的距离负相关。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述显示区中阵列排布的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管与所述键合结构之间包括绝缘层；
贯穿所述绝缘层的多个通孔，以及位于所述通孔中的搭接金属，所述搭接金属分别连接所述键合结构与所述薄膜晶体管，所述多个通孔分为多个通孔组合，每个所述通孔组合包括至少两个通孔，各所述通孔组合与所述键合结构一一对应；
所述通孔组合中包括的通孔数量和与所述通孔组合对应的键合结构距离所述绑定区的距离正相关。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括红光发光单元、绿光发光单元和蓝光发光单元；
与所述绑定区的距离相同的同一行发光单元中，与所述红光发光单元绑定的键合结构的电阻大于与所述绿光发光单元绑定的键合结构的电阻，且大于与所述蓝光发光单元绑定的键合结构的电阻。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括Micro-LED发光单元。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的显示面板。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107819016A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-20 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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|---|---|---|---|---|
| CN107819016A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-03-20 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN108735790A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置和像素驱动方法 |
| CN109326549A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法 |
| CN111045543A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 三星显示有限公司 | 触摸传感器和显示装置 |
| US10680035B1 (en) * | 2019-03-12 | 2020-06-09 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro light-emitting diode display device and micro light-emitting diode driving circuit |
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