CN112470286A - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112470286A
CN112470286A CN201980049644.0A CN201980049644A CN112470286A CN 112470286 A CN112470286 A CN 112470286A CN 201980049644 A CN201980049644 A CN 201980049644A CN 112470286 A CN112470286 A CN 112470286A
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
light emitting
organic light
display device
emitting display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980049644.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112470286B (zh
Inventor
赵承奂
崔钟炫
朴注灿
尹柱善
李政奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112470286A publication Critical patent/CN112470286A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112470286B publication Critical patent/CN112470286B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer

Abstract

一种有机发光显示装置，包括：基板，该基板具有包括驱动晶体管区域的子像素电路区域；有源图案，该有源图案在子像素电路区域中被布置在基板上，并且包括弯曲部分以及笔直部分，该弯曲部分在驱动晶体管区域中具有第一长度，该笔直部分在驱动晶体管区域中与弯曲部分邻近，并且在驱动晶体管区域中具有比第一长度短的第二长度；以及被布置在有源图案上的子像素结构。因此，当有机发光显示装置被以低灰度级驱动时，有机发光显示装置可以改进低灰度级斑点和串扰，同时相对减小功耗。

Description

有机发光显示装置
技术领域
示例性实施例通常涉及一种有机发光显示装置。更具体地，本发明构思的实施例涉及一种包括子像素的有机发光显示装置。
背景技术
平板显示装置由于其轻重量和薄的特性而用作用于替换阴极射线管显示装置的显示装置。作为这样的平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置和有机发光显示装置。在以上显示装置之中，当与液晶显示装置相比时，有机发光显示装置具有优良的亮度特性和优良的视角特性，并且不需要背光单元，以使有机发光显示装置可以以超薄类型实现。有机发光显示装置被配置为使得通过负电极和正电极注入到有机薄膜中的电子和空穴复合以形成激子，并且具有特定波长的光由来自所形成的激子的能量产生。
有机发光显示装置可以包括多个子像素。一个驱动晶体管可以被布置在子像素中的每一个中，并且驱动晶体管可以具有用于表示灰度级的驱动范围。在此情况下，当有机发光显示装置被配置为使得驱动晶体管的驱动范围被增大以便于改进低灰度级云纹(mura)和串扰时，可能增大功耗。
发明内容
本发明的目的是提供一种包括子像素的有机发光显示装置。
[要解决的问题]
然而，本发明构思的目的不限于此。因此，本发明构思的目的可以被扩展而不脱离本发明构思的精神和范围。
[用于解决该问题的手段]
为了实现上述本发明的目的，一种有机发光显示装置，包括：基板、有源图案和子像素结构。基板具有包括驱动晶体管区域的子像素电路区域。有源图案在子像素电路区域中被布置在基板上，并且包括弯曲部分和笔直部分。弯曲部分在驱动晶体管区域中具有第一长度。笔直部分在驱动晶体管区域中与弯曲部分邻近，并且在驱动晶体管区域中具有比第一长度短的第二长度。子像素结构被布置在有源图案上。
在示例性实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括栅电极，栅电极在驱动晶体管区域上被布置在基板上。
在示例性实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括第一驱动晶体管和第二驱动晶体管，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管在驱动晶体管区域中被布置在基板上，并且第一驱动晶体管和第二驱动晶体管彼此并联连接。栅电极可以与有源图案的弯曲部分一起构成第一驱动晶体管，并且栅电极可以与有源图案的笔直部分一起构成第二驱动晶体管。
在示例性实施例中，有源图案的弯曲部分可以与第一驱动晶体管的沟道相对应，并且有源图案的笔直部分可以与第二驱动晶体管的沟道相对应。
在示例性实施例中，有源图案可以包括多晶硅。
在示例性实施例中，笔直部分可以采用磷(P)或硼(B)掺杂。
在示例性实施例中，笔直部分可以包括源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区，并且笔直部分的沟道区采用磷(P)或硼(B)掺杂。
在示例性实施例中，其中，有源图案的笔直部分可以包括第一笔直部分和第二笔直部分。第一笔直部分可以采用磷(P)或硼(B)完全掺杂。第二笔直部分可以与第一笔直部分间隔开，并且可以采用磷(P)或硼(B)至少部分地掺杂。
在示例性实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括栅电极，以及第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第三驱动晶体管。栅电极可以在驱动晶体管区域上被布置在基板上。第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第三驱动晶体管可以在驱动晶体管区域中被布置在基板上，并且可以彼此并联连接。栅电极可以与有源图案的弯曲部分一起构成第一驱动晶体管。栅电极可以与有源图案的第一笔直部分一起构成第二驱动晶体管。栅电极可以与有源图案的第二笔直部分一起构成第三驱动晶体管。
在示例性实施例中，有源图案的弯曲部分可以与第一驱动晶体管的沟道相对应。有源图案的第一笔直部分可以与第二驱动晶体管的沟道相对应。有源图案的第二笔直部分的所掺杂的部分可以与第三驱动晶体管的沟道相对应。
在示例性实施例中，第三驱动晶体管的沟道的长度可以比第二驱动晶体管的沟道的长度短。
在示例性实施例中，可以由弯曲部分在平面方向上形成至少一个凹部。
在示例性实施例中，子像素电路区域可以进一步包括围绕驱动晶体管区域的开关晶体管区域。
在示例性实施例中，有源图案可以进一步包括第一延伸部分、第一突出部分以及第二突出部分。第一延伸部分可以在开关晶体管区域中被布置在基板上，并且可以与弯曲部分和笔直部分间隔开。第一延伸部分可以在第一方向上延伸。第一突出部分可以在与第一方向正交的第二方向上从第一延伸部分突出，并且可以连接到弯曲部分的第一端部。第二突出部分可以与第一突出部分间隔开，并且可以在第二方向上从第一延伸部分突出。第二突出部分可以连接到笔直部分的第一端部。第一延伸部分、第一突出部分、第二突出部分、弯曲部分的第一端部和笔直部分的第一端部可以一体形成
在示例性实施例中，有源图案可以进一步包括第二延伸部分、第三突出部分以及第四突出部分。第二延伸部分可以在开关晶体管区域中在第二方向上与弯曲部分和笔直部分间隔开，并且可以在第一方向上延伸。第三突出部分可以在与第二方向相对的第三方向上从第二延伸部分突出，并且可以连接到与弯曲部分的第一端部相对的第二端部。第四突出部分可以与第三突出部分间隔开，并且可以在第三方向上从第二延伸部分突出。第四突出部分可以连接到与笔直部分的第一端部相对的第二端部。第二延伸部分、第三突出部分、第四突出部分、弯曲部分的第二端部和笔直部分的第二端部可以一体形成。
在示例性实施例中，有源图案可以进一步包括第一延伸部分以及第一突出部分。第一延伸部分可以在开关晶体管区域中被布置在基板上，并且可以与弯曲部分和笔直部分间隔开。第一延伸部分可以在第一方向上延伸。第一突出部分可以在与第一方向正交的第二方向上从第一延伸部分突出，并且可以连接到弯曲部分的第一端部和笔直部分的第一端部。第一延伸部分、第一突出部分、弯曲部分的第一端部和笔直部分的第一端部可以一体形成。
在示例性实施例中，有源图案可以进一步包括第二延伸部分、第二突出部分以及第三突出部分。第二延伸部分可以在开关晶体管区域中在第二方向上与弯曲部分和笔直部分间隔开，并且可以在第一方向上延伸。第二突出部分可以在与第二方向相对的第三方向上从第二延伸部分突出，并且可以连接到与弯曲部分的第一端部相对的第二端部。第三突出部分可以与第二突出部分间隔开，并且可以在第三方向上从第二延伸部分突出。第三突出部分可以连接到与笔直部分的第一端部相对的第二端部。第二延伸部分、第二突出部分、第三突出部分、弯曲部分的第二端部和笔直部分的第二端部可以一体形成。
在示例性实施例中，有机发光显示装置可以进一步包括第一栅线。第一栅线可以在开关晶体管区域中被布置在基板上，并且可以在有源图案的第一延伸部分和第二延伸部分上在第二方向上延伸。
在示例性实施例中，第一开关晶体管可以被配置在第一栅线与第一延伸部分交叉的部分处，并且第二开关晶体管可以被配置在第一栅线与第二延伸部分交叉的部分处。
在示例性实施例中，子像素结构可以包括被布置在有源图案上的下电极、被布置在下电极上的发光层以及被布置在发光层上的上电极。
[本发明的效果]
因为根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置包括彼此并联连接并且相互具有不同沟道长度的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管，所以当有机发光显示装置被以低灰度级驱动时，有机发光显示装置可以改进低灰度级和串扰，同时相对减小功耗。
然而，本发明构思的效果不限于此。因此，本发明构思的效果可以被扩展而不脱离本发明构思的精神和范围。
附图说明
图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图。
图2是示出被布置在图1的子像素电路区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路图。
图3是用于描述包括在图1的有机发光显示装置中的基板的子像素电路区域的布局图。
图4是用于描述被布置在图3的驱动晶体管区域中的有源图案的布局图。
图5是用于描述图3的有源图案的布局图。
图6至图10是用于描述图1的有机发光显示装置的布局图。
图11是沿着图10的有机发光显示装置的线I-I’截取的截面图。
图12是示出根据比较示例的驱动晶体管的驱动范围的曲线图。
图13是示出图10的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的驱动范围的曲线图。
图14是用于描述根据包括在图13的第二驱动晶体管中的笔直部分是否掺杂的驱动范围的曲线图。
图15是示出图10的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的驱动范围以及比较示例的驱动晶体管的驱动范围的曲线图。
图16是示出根据示例性实施例的包括在有机发光显示装置中的有源图案的一个示例的布局图。
图17是用于描述包括在图16的有机发光显示装置中的驱动晶体管的驱动范围的曲线图。
图18是示出根据示例性实施例的包括在有机发光显示装置中的有源图案的另一示例的布局图。
图19是示出根据示例性实施例的包括在有机发光显示装置中的有源图案的又一示例的布局图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置。在附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的平面图。
参照图1，有机发光显示装置500可以包括基板50，并且基板50可以包括多个像素电路区域40。在此情况下，像素电路区域40可以在与基板50的顶表面平行的第一方向D1上以及与第一方向D1正交的第二方向D2上被设置在整个基板50之上。此外，像素电路区域40中的每一个可以包括第一子像素电路区域10、第二子像素电路区域20和第三子像素电路区域30，并且三个子像素电路区域可以被定义为一个像素电路区域40。
尽管根据本发明的一个像素电路区域40已经被描述为包括三个子像素电路区域，但是本发明的配置不限于此，并且一个像素电路区域40可以包括两个子像素电路区域或者至少四个子像素电路区域。
第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路可以分别被布置在第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30中。例如，被布置在第一子像素电路区域10中的第一子像素电路可以连接到用于发红光的第一子像素结构，被布置在第二子像素电路区域20中的第二子像素电路可以连接到用于发绿光的第二子像素结构，并且被布置在第三子像素电路区域30中的第三子像素电路可以连接到用于发蓝光的第三子像素结构。此外，布线可以被布置在基板50上的第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30中。例如，布线可以包括数据信号线、扫描信号线、发光信号线、初始化信号线、电源电压线等。换言之，有机发光显示装置500可以包括多个子像素电路、多个子像素结构、多条布线等。
在示例性实施例中，第一子像素结构可以与第一子像素电路区域10重叠，第二子像素结构可以与第二子像素电路区域20重叠，并且第三子像素结构可以与第三子像素电路区域30重叠。在一些实施例中，第一子像素结构可以与第一子像素电路区域10的一部分和除了第一子像素电路区域10之外的子像素电路区域的一部分重叠，第二子像素结构可以与第二子像素电路区域20的一部分和除了第二子像素电路区域20之外的子像素电路区域的一部分重叠，并且第三子像素结构可以与第三子像素电路区域30的一部分和除了第三子像素电路区域30之外的子像素电路区域的一部分重叠。
例如，第一子像素结构至第三子像素结构可以通过使用以下方案而被设置：其中具有相同尺寸的矩形被顺序地设置的RGB条带方案、包括具有相对大的面积的蓝色子像素结构的S条带方案、进一步包括白色子像素结构的WRGB方案、其中RG-GB图案被重复地设置的蜂窝状方案等。
此外，至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管以及至少一个电容器可以被布置在第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30中的每一个中。在示例性实施例中，彼此并联连接的两个驱动晶体管、八个开关晶体管以及一个存储电容器可以被布置在第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30中的每一个中。
尽管当在平面图中观看时，根据本发明的第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30以及像素电路区域40中的每一个已经被描述为具有矩形形状，但是形状不限于此。例如，当在平面图中观看时，第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30以及像素电路区域40中的每一个可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道形形状或椭圆形形状。
图2是示出被布置在图1的子像素电路区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路图。
参照图2，子像素电路SUB-PIXEL CIRCUIT、布线以及有机发光二极管OLED(例如，子像素结构)可以被布置在有机发光显示装置500的第一子像素电路区域至第三子像素电路区域10、20和30中的每一个中。在此情况下，子像素电路SUB-PIXEL CIRCUIT可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1_1、TR1_2、TR2、TR3_1、TR3_2、TR4_1、TR4_2、TR5、TR6和TR7、存储电容器CST等，并且布线可以包括高电源电压线、低电源电压线、初始化电压线、数据信号线、扫描信号线、数据初始化信号线、发射控制信号线、二极管初始化信号线等。在此情况下，第一晶体管TR1_1和TR1_2可以与驱动晶体管相对应，并且第二晶体管至第七晶体管TR2、TR3_1、TR3_2、TR4_1、TR4_2、TR5、TR6和TR7可以与开关晶体管相对应。此外，子像素电路SUB-PIXEL CIRCUIT可以进一步包括被配置为将第一晶体管至第七晶体管TR1_1、TR1_2、TR2、TR3_1、TR3_2、TR4_1、TR4_2、TR5、TR6和TR7连接到存储电容器CST的有源图案(例如，图3的有源图案100)。
有机发光二极管OLED(例如，与图11的子像素结构200相对应)可以基于驱动电流ID而输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以接收低电源电压ELVSS。例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。在一些实施例中，有机发光二极管的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的阳极端子可以与图11的下电极291相对应，并且有机发光二极管OLED的阴极端子可以与图11的上电极340相对应。
第一晶体管TR1_1和TR1_2中的每一个(例如，与图11中所示的第一晶体管TR1_1和TR1_2相对应)可以包括栅端子、第一端子和第二端子。在此情况下，第一晶体管TR1_1(下文中被称为“第一驱动晶体管TR1_1”)和第一晶体管TR1_2(下文中被称为“第二驱动晶体管TR1_2”)可以与驱动晶体管相对应，并且可以彼此并联连接。例如，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以具有相同的栅端子(例如，与图6的第一栅电极105相对应)、相同的第一端子(例如，与图6的第一区域相对应)和相同的第二端子(例如，与图6的第二区域相对应)。在示例性实施例中，第一驱动晶体管TR1_1的沟道的长度(例如，与图4的第一长度L1相对应)可以比第二驱动晶体管TR1_2的沟道的长度(例如，与图4的第二长度L2相对应)长。此外，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子可以是源端子，并且第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子可以是漏端子，并且第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第二端子可以是源端子。
第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以产生驱动电流ID。在示例性实施例中，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以在饱和区域中操作。在此情况下，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以基于栅端子和源端子之间的电压差而产生驱动电流ID。此外，可以基于供应到有机发光二极管OLED的驱动电流ID的幅度而表示灰度级。在一些实施例中，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以在线性区域中操作。在此情况下，可以基于在一个帧内驱动电流被供应到有机发光二极管期间的时间总和而表示灰度级。
第二晶体管TR2可以包括栅端子、第一端子和第二端子。第二晶体管TR2的栅端子可以从扫描信号线(与图6的第一栅线110相对应)接收扫描信号GW。第二晶体管TR2的第一端子可以从数据信号线(例如，与图8的数据线191相对应)接收数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1_1和TR1_2中的每一个的第一端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。
第二晶体管TR2可以在扫描信号GW的激活时段期间将数据信号DATA供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子。在此情况下，第二晶体管TR2可以在线性区域中操作。
第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个可以包括栅端子、第一端子和第二端子。在此情况下，第三晶体管TR3_1和第三晶体管TR3_2可以彼此串联连接，并且可以作为双晶体管而操作。例如，当双晶体管被关断时，可以减小泄漏电流。第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的栅端子可以接收扫描信号GW。第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的第一端子可以连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的第二端子可以连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第二端子。在示例性实施例中，第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的第一端子可以是源端子，并且第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的第一端子可以是漏端子，并且第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个的第二端子可以是源端子。
第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个可以在扫描信号GW的激活时段期间将第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第二端子。在此情况下，第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个可以在线性区域中操作。换言之，第三晶体管TR3_1和TR3_2中的每一个可以在扫描信号GW的激活时段期间二极管连接第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2。因为第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2二极管连接，所以与第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的阈值电压相对应的电压差可以在第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子与第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子之间产生。结果，通过将电压差(即，阈值电压)与在扫描信号GW的激活时段期间供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子的数据信号DATA的电压相加而获得的电压可以被供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。换言之，数据信号DATA可以被第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的阈值电压补偿，并且所补偿的数据信号DATA可以被供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。当执行阈值电压补偿时，可以解决由第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的阈值电压的偏差引起的驱动电流的不均匀。
初始化电压线(例如，与图8的初始化电压线140相对应)的输入端子可以连接到第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第一端子以及第七晶体管TR7的第一端子，并且初始化电压线的输出端子可以连接到第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第二端子以及存储电容器CST的第一端子。
第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个可以包括栅端子、第一端子和第二端子。在此情况下，第四晶体管TR4_1和第四晶体管TR4_2可以彼此串联连接，并且可以作为双晶体管而操作。例如，当双晶体管被关断时，可以减小泄漏电流。第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的栅端子可以从数据初始化信号线(例如，与图6的第二栅线115相对应)接收数据初始化信号GI。第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第一端子可以接收初始化电压VINT。第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第二端子可以连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。在示例性实施例中，第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第一端子可以是源端子，并且第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第一端子可以是漏端子，并且第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个的第二端子可以是源端子。
第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个可以在数据初始化信号GI的激活时段期间将初始化电压VINT供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。在此情况下，第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个可以在线性区域中操作。换言之，第四晶体管TR4_1和TR4_2中的每一个可以在数据初始化信号GI的激活时段期间初始化第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。在示例性实施例中，初始化电压VINT可以具有比在前一帧中由存储电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平充分低的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应到作为P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管的第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。在其他示例性实施例中，初始化电压可以具有比前一帧中由存储电容器维持的数据信号的电压电平充分高的电压电平，并且初始化电压可以被供应到作为N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的栅端子。
在示例性实施例中，数据初始化信号GI可以是与一个水平时间之前的扫描信号GW基本上相同的信号。例如，供应到包括在有机发光显示装置500中的多个子像素之中的第n行(其中，n是大于或等于2的整数)中的子像素的数据初始化信号GI可以是与供应到子像素之中的第(n-1)行中的子像素的扫描信号GW基本上相同的信号。换言之，激活的数据初始化信号GI可以通过将激活的扫描信号GW供应到子像素之中的第(n-1)行中的子像素而被供应到子像素之中的第n行中的子像素。结果，在数据信号DATA被供应到子像素之中的第(n-1)行中的子像素时，包括在子像素之中的第n行中的子像素中的第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子可以被初始化为初始化电压VINT。
第五晶体管TR5可以包括栅端子、第一端子和第二端子。栅端子可以从发射控制信号线(例如，图6的第三栅线120)接收发射控制信号EM。第一端子可以从高电源电压线(例如，与图10的高电源电压线290相对应)接收高电源电压ELVDD。第二端子可以连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。
第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子。相反，第五晶体管TR5可以在发射控制信号EM的非激活时段期间切断高电源电压ELVDD的供应。在此情况下，第五晶体管TR5可以在线性区域中操作。因为第五晶体管TR5在发射控制信号EM的激活时段期间将高电源电压ELVDD供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子，所以第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以产生驱动电流ID。此外，因为第五晶体管TR5在发射控制信号EM的非激活时段期间切断高电源电压ELVDD的供应，所以供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第一端子的数据信号DATA可以被供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。
第六晶体管TR6(例如，与图11中所示的第六晶体管TR6相对应)可以包括栅端子、第一端子和第二端子。栅端子可以接收发射控制信号EM。第一端子可以连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第二端子。第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。
第六晶体管TR6可以在发射控制信号EM的激活时段期间将由第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2产生的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED。在此情况下，第六晶体管TR6可以在线性区域中操作。换言之，因为第六晶体管TR6在发射控制信号EM的激活时段期间将由第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2产生的驱动电流ID供应到有机发光二极管OLED，所以有机发光二极管OLED可以输出光。此外，因为第六晶体管TR6在发射控制信号EM的非激活时段期间将第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2与有机发光二极管OLED电分离，所以供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的第二端子的数据信号DATA(确切地，已经经过阈值电压补偿的数据信号)可以被供应到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子。
第七晶体管TR7可以包括栅端子、第一端子和第二端子。栅端子可以接收二极管初始化信号GB。第一端子可以接收初始化电压VINT。第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。
第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将初始化电压VINT供应到有机发光二极管OLED的第一端子。在此情况下，第七晶体管TR7可以在线性区域中操作。换言之，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。
在一些实施例中，数据初始化信号GI和二极管初始化信号GB可以是基本上相同的信号。初始化第一晶体管TR1_1和TR1_2中的每一个的栅端子的操作与初始化有机发光二极管OLED的第一端子的操作可以彼此不影响。换言之，初始化第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子的操作与初始化有机发光二极管OLED的第一端子的操作可以彼此独立。因此，可以不单独产生二极管初始化信号GB，从而可以改进工艺的经济效率。
存储电容器CST(例如，图8的第一栅电极105和第二栅电极130)可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在高电源电压线与第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子，并且存储电容器CST的第二端子可以连接到高电源电压线。存储电容器CST可以在扫描信号GW的非激活时段期间维持第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的栅端子的电压电平。扫描信号GW的非激活时段可以包括发射控制信号EM的激活时段，并且由第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2产生的驱动电流ID可以在发射控制信号EM的激活时段期间被供应到有机发光二极管OLED。因此，由第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2基于由存储电容器CST维持的电压电平而产生的驱动电流ID可以被供应到有机发光二极管OLED。在一些实施例中，子像素电路SUB-PIXELCIRCUIT可以包括第一晶体管至第七晶体管TR1_1、TR1_2、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7(例如，八个晶体管)、至少一个存储电容器CST等。
图3是用于描述包括在图1的有机发光显示装置中的基板的子像素电路区域的布局图，图4是用于描述被布置在图3的驱动晶体管区域中的有源图案的布局图，并且图5是用于描述图3的有源图案的布局图。为了方便说明，在图3至图5中可以不示出包括在有机发光显示装置500中的所有部件。
参照图3、图4和图5，有机发光显示装置500可以包括基板(未示出)、有源图案100等。如上所述，基板可以具有包括驱动晶体管区域60的子像素电路区域10，并且有源图案100可以被布置在基板上。在示例性实施例中，有源图案100可以在驱动晶体管区域60中包括弯曲部分150和笔直部分170，并且第一凹部155_1和第二凹部155_2可以在平面方向上形成在弯曲部分150中。此外，有源图案100的弯曲部分150可以在驱动晶体管区域60中具有第一长度L1，并且有源图案100的笔直部分170可以在驱动晶体管区域60中具有第二长度L2。在此情况下，第二长度L2可以比第一长度L1短。
因为有机发光显示装置500的驱动晶体管彼此并联连接并且包括相互具有不同沟道长度的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管，所以当有机发光显示装置500被以低灰度级驱动时，有机发光显示装置500可以改进低灰度级斑点和串扰，同时相对减小功耗。
如图3中所示，有机发光显示装置500(或基板50)可以具有子像素电路区域10(例如，与图1的第一子像素电路区域、第二子像素电路区域或第三子像素电路区域相对应)。例如，子像素电路区域10可以与其中第一子像素电路和用于发红光的第一子像素结构被布置的区域、其中第二子像素电路和用于发绿光的第二子像素结构被布置的区域或者其中第三子像素电路和用于发蓝光的第三子像素结构被布置的区域相对应(参见图1)。子像素电路区域10可以包括驱动晶体管区域60，并且除了驱动晶体管区域60之外的区域(或围绕驱动晶体管区域60的区域)可以被定义为开关晶体管区域。有源图案100可以被布置在子像素电路区域10中。有源图案100的弯曲部分150和笔直部分170可以位于驱动晶体管区域60中。以下将被描述的开关晶体管可以被布置在开关晶体管区域中。
如图4中所示，在子像素电路区域10的驱动晶体管区域60中，弯曲部分150可以具有沿着基板的平面的弯曲形状(或凹进形状)。形成在弯曲形状的内侧上的空的空间可以被定义为凹部，并且在平面方向上形成的凹部的数量可以根据弯曲形状的数量而确定。例如，图4中所示的弯曲部分150可以具有两个弯曲形状，并且可以具有两个凹部(例如，第一凹部155_1和第二凹部155_2)。在一些实施例中，弯曲部分150可以具有一个弯曲形状或至少三个弯曲形状。同时，在子像素电路区域10的驱动晶体管区域60中，笔直部分170可以与弯曲部分150邻近，并且笔直部分170可以具有沿着基板的平面的直线形状。
图4中所示的第一长度L1可以与有源图案100的位于驱动晶体管区域60中的弯曲部分150的总长度相对应，并且图4中所示的第二长度L2可以与有源图案100的位于驱动晶体管区域60中的笔直部分170的总长度相对应。
有源图案100的弯曲部分150可以在驱动晶体管区域60中具有第一长度L1，并且第一长度L1可以相对长于第二长度L2，以使被布置在驱动晶体管区域60中的第一驱动晶体管TR1_1可以具有相对大的驱动范围。例如，以下将被描述的第一栅电极105可以在驱动晶体管区域60中被布置在有源图案100上，并且位于第一栅电极105之下以与第一栅电极105重叠的有源图案100可以用作以下将被描述的第一驱动晶体管TR1_1的沟道。换言之，位于第一栅电极105之下以与第一栅电极105重叠的有源图案100的长度可以与第一长度L1相对应。在一些实施例中，弯曲部分150的宽度可以相对减小以便于第一驱动晶体管TR1_1具有相对大的驱动范围。换言之，当弯曲部分150是薄的时，可以增大第一驱动晶体管TR1_1的驱动范围。同时，有源图案100的笔直部分170可以在驱动晶体管区域60中具有第二长度L2，并且第二长度L2可以相对短于第一长度L1，以使被布置在驱动晶体管区域60中的第二驱动晶体管TR1_2可以具有相对小的驱动范围。此外，为了改变第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围，可以额外地执行掺杂工艺以使仅第二驱动晶体管TR1_2的笔直部分170可以采用磷(P)或硼(B)掺杂。在示例性实施例中，第二驱动晶体管TR1_2的笔直部分170可以采用磷(P)掺杂。换言之，第二驱动晶体管TR1_2的阈值电压可以通过磷(P)掺杂被负向偏移，并且第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围可以被改变。在此情况下，因为第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2彼此并联连接，所以第一驱动晶体管TR1_1的驱动范围和第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围的平均值可以被定义为第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围。
例如，根据传统的有机发光显示装置，通过控制当形成驱动晶体管的接触孔时执行的退火工艺、调节栅绝缘层的厚度以及增大驱动晶体管的有源图案的长度以便于改进有机发光显示装置的低灰度级斑点和串扰，增大了驱动晶体管的驱动范围。然而，在此情况下，当有机发光显示装置被以低灰度级驱动时，可能增大黑色灰度级电压Vblack等，从而可能增大有机发光显示装置的功耗。
在示例性实施例中，因为有机发光显示装置500包括具有改变的驱动范围的第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2，所以有机发光显示装置500可以用作能够当有机发光显示装置500被以低灰度级驱动时改进低灰度级斑点和串扰同时相对减小功耗的有机发光显示装置。
如图5中所示，有源图案100可以进一步包括第一延伸部分158、第一突出部分156_1、第二突出部分156_2、第二延伸部分159、第三突出部分157_1以及第四突出部分157_2。
第一延伸部分158可以与弯曲部分150和笔直部分170间隔开，并且可以在第一方向D1上延伸。例如，第一延伸部分158可以位于弯曲部分150和笔直部分170的左侧。
第二延伸部分159可以在第二方向D2上与弯曲部分150和笔直部分170间隔开，并且可以在第一方向D1上延伸。例如，第二延伸部分159可以位于弯曲部分150和笔直部分170的右侧，并且第二延伸部分159可以基本上与第一延伸部分158平行。
第一突出部分156_1可以在与第一方向D1正交的第二方向D2上从第一延伸部分158突出，并且可以连接到弯曲部分150的第一端部。
第二突出部分156_2可以与第一突出部分156_1间隔开，可以在第二方向D2上从第一延伸部分158突出，并且可以连接到笔直部分170的第一端部。
第三突出部分157_1可以在与第二方向D2相对的第三方向D3上从第二延伸部分159突出，并且可以连接到与弯曲部分150的第一端部相对的第二端部。
第四突出部分157_2可以与第三突出部分157_1间隔开，可以在第三方向D3上从第二延伸部分159突出，并且可以连接到与笔直部分170的第一端部相对的第二端部。
弯曲部分150、笔直部分170、第一延伸部分158、第一突出部分156_1、第二突出部分156_2、第二延伸部分159、第三突出部分157_1和第四突出部分157_2可以一体形成。
如图5中所示，有源图案100可以进一步包括额外的延伸部分和突出部分，并且图5中所示的有源图案100的形状可以被额外的延伸部分和突出部分定义。
图6至图10是用于描述图1的有机发光显示装置的布局图，并且图11是沿着图10的有机发光显示装置的线I-I’截取的截面图。
参照图6和图11，有机发光显示装置500可以包括基板50、有源图案100、栅绝缘层160、第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115、第三栅线120等。
基板50可以包括透明材料或不透明材料。例如，基板50可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板(F掺杂石英基板)、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等。基板50可以具有包括驱动晶体管区域60的子像素电路区域10。在一些实施例中，基板50可以是具有柔性的透明树脂基板。
缓冲层(未示出)可以被布置在基板50上。缓冲层可以被布置在整个基板50之上。缓冲层可以防止金属原子或杂质从基板50扩散到晶体管和子像素结构200，并且可以在用于形成有源图案100的结晶工艺期间控制热传输速率以获得基本上均匀的有源图案100。此外，当基板50的表面不均匀时，缓冲层可以用于改进基板50的表面的平坦度。取决于基板50的类型，至少两个缓冲层可以被提供在基板50上，或者缓冲层可以不被提供。例如，缓冲层可以包括有机材料或无机材料。
有源图案100可以被布置在基板50上。有源图案100可以被布置在基板50上的子像素电路区域10中。有源图案100可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)、有机半导体等。在示例性实施例中，有源图案100可以由多晶硅形成。
例如，包括非晶硅的初级有源层可以形成在整个基板50之上，并且可以执行用于将初级有源层从非晶硅改变为多晶硅的结晶工艺。在此情况下，可以通过使用以下方案而执行结晶工艺：使用金属催化剂的结晶方案(诸如金属诱导结晶(MIC)方案、金属诱导横向结晶(MILC)方案或超晶粒硅(SG)方案)或使用低温激光的准分子激光退火(ELA)方案。在执行结晶工艺之后，初级有源层可以通过使用光致抗蚀剂而被图案化。图案化的初级有源层可以被定义为有源图案100。
在示例性实施例中，在执行图案化工艺之后，可以仅对有源图案100的笔直部分170执行使用磷(P)或硼(B)的掺杂工艺。例如，光致抗蚀剂可以形成在有源图案100的除了笔直部分170之外的剩余部分上，并且光致抗蚀剂可以暴露笔直部分170。换言之，可以仅对暴露的笔直部分170选择性地执行掺杂工艺。
有源图案100可以包括第一区域至第十区域a、b、c、d、e、f、g、h、i和j(例如，其中有源图案100不与第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120重叠的区域)。在以下将被描述的形成接触孔的步骤中，可以对第一区域至第十区域a、b、c、d、e、f、g、h、i和j执行离子掺杂，并且第一区域至第十区域a、b、c、d、e、f、g、h、i和j可以具有相对高的导电率。硼(B)离子、磷(P)离子等可以用作该离子。第一区域至第十区域a、b、c、d、e、f、g、h、i和j用于指示构成第一晶体管至第七晶体管TR1_1、TR1_2、TR2、TR3_1、TR3_2、TR4_1、TR4_2、TR5、TR6和TR7的源电极或漏电极的区域，其中，区域之间的边界可以不被清楚地区分，并且区域可以彼此电连接。在示例性实施例中，第一晶体管TR1_1和TR1_2可以与驱动晶体管相对应，并且第二晶体管至第七晶体管TR2、TR3_1、TR3_2、TR4_1、TR4_2、TR5、TR6和TR7可以与开关晶体管相对应。在此情况下，第一晶体管TR1_1和TR1_2可以分别被定义为第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2。
栅绝缘层160可以被布置在有源图案100上。栅绝缘层160可以被布置在整个基板50之上，以在基板50上的子像素电路区域10中覆盖有源图案100。例如，栅绝缘层160可以充分覆盖基板50上的有源图案100，并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在有源图案100周围生成台阶。在一些实施例中，栅绝缘层160可以被沿着有源图案100的轮廓以均匀厚度布置，以覆盖基板50上的有源图案100。栅绝缘层160可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅绝缘层160可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。
第一栅电极105、第一栅线100、第二栅线115和第三栅线120可以被布置在栅绝缘层160上。换言之，第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120可以被布置在同一层上。第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120中的每一个可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120可以通过使用相同材料而同时形成。在一些实施例中，第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
第一栅电极105可以被布置在子像素电路区域10的驱动晶体管区域60中。第一栅电极105可以与第一区域a和第二区域b一起构成第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2(例如，第一晶体管TR1_1和TR1_2)。在示例性实施例中，第一区域a可以是源区，并且第二区域b可以是漏区。在一些实施例中，第一区域a可以是漏区，并且第二区域b可以是源区。可以对第一区域a和第二区域b执行离子掺杂。同时，可以不对有源图案100的位于第一栅电极105之下的区域(例如，驱动晶体管区域60)执行离子掺杂。例如，第一区域a和第二区域b可以作为导体而操作，驱动晶体管区域60的弯曲部分150可以作为第一驱动晶体管TR1_1的沟道而操作，并且驱动晶体管区域60的笔直部分170可以作为第二驱动晶体管TR1_2的沟道而操作。因此，第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以产生供应到子像素结构200(例如，图2的有机发光二极管OLED)的图2的驱动电流ID，并且子像素结构200可以基于驱动电流ID而输出光。
第一栅线110可以包括：在有源图案100和栅绝缘层160上在第二方向D2上延伸的栅延伸部分；以及在第一方向D1上从栅延伸部分突出的栅突出部分。栅突出部分可以与第四区域d和第五区域e一起构成第三晶体管TR3_1。例如，栅突出部分可以用作第三晶体管TR3_1的栅电极。栅延伸部分可以包括与第二延伸部分159重叠的第一部分以及与第一延伸部分158重叠的第二部分(参见图5和图6)。栅延伸部分的第一部分可以与第二区域b和第五区域e一起构成第三晶体管TR3_2(例如，第二开关晶体管)，并且栅延伸部分的第二部分可以与第一区域a和第三区域c一起构成第二晶体管TR2(例如，第一开关晶体管)。在此情况下，第三晶体管TR3_1和第三晶体管TR3_2可以彼此串联连接，并且可以作为双栅晶体管而操作。例如，当双栅晶体管被关断时，可以减小泄漏电流。因此，第三晶体管TR3_1和第三晶体管TR3_2可以通过第五区域e彼此电连接。此外，第一晶体管TR1_1和TR1_2、第二晶体管TR2和第五晶体管TR5可以通过第一区域a彼此电连接，并且第一晶体管TR1_1和TR1_2、第三晶体管TR3_2和第六晶体管TR6可以通过第二区域b彼此电连接。
可以对第一区域a、第二区域b、第三区域c、第四区域d和第五区域e执行离子掺杂。同时，可以不对有源图案100的位于第一栅线110之下的区域执行离子掺杂。因此，第一区域a、第二区域b、第三区域c、第四区域d和第五区域e可以作为导体而操作，并且有源图案100的位于第一栅线110之下的区域可以分别作为第二晶体管TR2的沟道以及第三晶体管TR3_1和TR3_2的沟道而操作。在示例性实施例中，第一栅线110可以接收图2的扫描信号GW。
在示例性实施例中，第二晶体管TR2的第三区域c、第三晶体管TR3_1的第四区域d和第三晶体管TR3_2的第五区域e中的每一个可以是源区，并且第二晶体管TR2的第一区域a、第三晶体管TR3_1的第五区域e和第三晶体管TR3_2的第二区域b中的每一个可以是漏区。在一些实施例中，第二晶体管TR2的第三区域c、第三晶体管TR3_1的第四区域d和第三晶体管TR3_2的第五区域e中的每一个可以是漏区，并且第二晶体管TR2的第一区域a、第三晶体管TR3_1的第五区域e和第三晶体管TR3_2的第二区域b中的每一个可以是源区。
第二栅线115可以在有源图案100和栅绝缘层160上在第二方向D2上延伸。第二栅线115可以与第六区域f和第十区域j一起构成第七晶体管TR7，可以与第六区域f和第七区域g一起构成第四晶体管TR4_2，并且可以与第七区域g和第四区域d一起构成第四晶体管TR4_1。在此情况下，第四晶体管TR4_1和第四晶体管TR4_2可以彼此串联连接，并且可以作为双栅晶体管而操作。例如，当双栅晶体管被关断时，可以减小泄漏电流。因此，第四晶体管TR4_1和第四晶体管TR4_2可以通过第七区域g彼此电连接。此外，第七晶体管TR7和第四晶体管TR4_2可以通过第六区域f彼此电连接，并且第十区域j可以电连接到第九区域i。
可以对第四区域d、第六区域f、第七区域g和第十区域j执行离子掺杂。同时，可以不对有源图案100的位于第二栅线115之下的区域执行离子掺杂。因此，第四区域d、第六区域f、第七区域g和第十区域j可以作为导体而操作，并且有源图案100的位于第二栅线115之下的区域可以作为第四晶体管TR4_1的沟道、第四晶体管TR4_2的沟道和第七晶体管TR7的沟道而操作。在示例性实施例中，第二栅线115可以接收图2的数据初始化信号GI，并且第六区域f可以接收图2的初始化电压VINT。
在示例性实施例中，第七晶体管TR7的第十区域j、第四晶体管TR4_2的第六区域f和第四晶体管TR4_1的第七区域g中的每一个可以是源区，并且第七晶体管TR7的第六区域f、第四晶体管TR4_2的第七区域g和第四晶体管TR4_1的第四区域d中的每一个可以是漏区。在一些实施例中，第七晶体管TR7的第十区域j、第四晶体管TR4_2的第六区域f和第四晶体管TR4_1的第七区域g中的每一个可以是漏区，并且第七晶体管TR7的第六区域f、第四晶体管TR4_2的第七区域g和第四晶体管TR4_1的第四区域d中的每一个可以是源区。
第三栅线120可以与第一区域a和第八区域h一起构成第五晶体管TR5，并且可以与第二区域b和第九区域i一起构成第六晶体管TR6。可以对第一区域a、第二区域b、第八区域h和第九区域i执行离子掺杂。同时，可以不对有源图案100的位于第三栅线120之下的区域执行离子掺杂。因此，第一区域a、第二区域b、第八区域h和第九区域i可以作为导体而操作，并且有源图案100的位于第三栅线120之下的区域可以分别作为第五晶体管TR5的沟道和第六晶体管TR6的沟道而操作。在示例性实施例中，第三栅线120可以接收图2的发射控制信号EM。
在示例性实施例中，第五晶体管TR5的第八区域h和第六晶体管TR6的第九区域i中的每一个可以是源区，并且第五晶体管TR5的第一区域a和第六晶体管TR6的第二区域b中的每一个可以是漏区。在一些实施例中，第五晶体管TR5的第八区域h和第六晶体管TR6的第九区域i中的每一个可以是漏区，并且第五晶体管TR5的第一区域a和第六晶体管TR6的第二区域b中的每一个可以是源区。
参照图7、图8和图11，有机发光显示装置500可以进一步包括第一层间绝缘层190、第二栅电极130以及初始化电压线140。
第一层间绝缘层190可以被布置在第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120上。第一层间绝缘层190可以被布置在整个栅绝缘层160之上，以在栅绝缘层160上在子像素电路区域10中覆盖第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120。例如，第一层间绝缘层190可以在栅绝缘层160上充分覆盖第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120，并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120周围生成台阶。在一些实施例中，第一层间绝缘层190可以被沿着第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120的轮廓以均匀厚度布置，以在栅绝缘层160上覆盖第一栅电极105、第一栅线110、第二栅线115和第三栅线120。第一层间绝缘层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。
第二栅电极130和初始化电压线140可以被布置在第一层间绝缘层190上。换言之，第二栅电极130和初始化电压线140可以被布置在同一层上。第二栅电极130和初始化电压线140中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。第二栅电极130和初始化电压线140可以通过使用相同材料而同时形成。在一些实施例中，第二栅电极130和初始化电压线140中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
第二栅电极130可以在第一层间绝缘层190上在第二方向D2上延伸。第二栅电极130可以在子像素电路区域10的驱动晶体管区域60中与第一栅电极105重叠。因此，第二栅电极130可以在驱动晶体管区域60中与第一栅电极105一起构成图2的存储电容器CST。第二栅电极130可以接收图2的高电源电压ELVDD。此外，第二栅电极130可以具有第一开口，该第一开口暴露第一栅电极105的在驱动晶体管区域60中的一部分。第一栅电极105可以通过第一开口并且通过以下将被描述的第一连接图案而接收图2的初始化电压VINT。
初始化电压线140可以在第一层间绝缘层190上在第二方向D2上延伸。初始化电压线140可以与第六区域f重叠，并且可以通过以下将被描述的第二连接图案而将初始化电压VINT提供到子像素电路区域10的第六区域f。
参照图9、图10和图11，有机发光显示装置500可以进一步包括第二层间绝缘层195、高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388、第三连接图案390、平坦化层270、像素限定层310、子像素结构200和封装基板450。在此情况下，子像素结构200可以包括下电极291、发光层330和上电极340。
第二层间绝缘层195可以被布置在第二栅电极130和初始化电压线140上。第二层间绝缘层195可以被布置在整个第一层间绝缘层190之上，以在第一层间绝缘层190上在子像素电路区域10中覆盖第二栅电极130和初始化电压线140。例如，第二层间绝缘层195可以在第一层间绝缘层190上充分覆盖第二栅电极130和初始化电压线140，并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在第二栅电极130和初始化电压线140周围生成台阶。在一些实施例中，第二层间绝缘层195可以被沿着第二栅电极130和初始化电压线140的轮廓以均匀厚度布置，以在第一层间绝缘层190上覆盖第二栅电极130和初始化电压线140。第二层间绝缘层195可以包括硅化合物、金属氧化物等。
高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390可以被布置在第二层间绝缘层195上。换言之，高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390可以被布置在同一层上。高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390可以通过使用相同材料而同时形成。在一些实施例中，高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
数据线191可以在第二层间绝缘层195上在驱动晶体管区域60中在第一方向D1上延伸，并且可以通过接触孔210连接到有源图案100的第三区域c。数据线191可以接收图2的数据信号DATA。因此，数据线191可以通过接触孔210将数据信号DATA供应到有源图案100的第三区域c。在此情况下，数据信号DATA的电压电平可以被改变以表示灰度级。
高电源电压线290可以当在第二层间绝缘层195上在子像素电路区域10中与数据线191间隔开时在第一方向D1上延伸，可以通过接触孔355连接到有源图案100的第八区域h，并且可以通过接触孔360连接到位于子像素电路区域10中的第二栅电极130。高电源电压线290可以接收图2的高电源电压ELVDD。因此，高电源电压线290可以通过接触孔355将高电源电压ELVDD供应到有源图案100的第八区域h，并且可以通过接触孔360将高电源电压ELVDD供应到第二栅电极130。
第一连接图案230可以在第二层间绝缘层195上在子像素电路区域10中在第一方向D1上延伸，并且可以与有源图案100的第四区域d的一部分以及驱动晶体管区域60的一部分重叠。第一连接图案230可以通过接触孔250连接到有源图案100的第四区域d，并且可以通过接触孔271连接到第一栅电极105。有源图案100的第四区域d可以接收初始化电压VINT，并且初始化电压VINT可以通过第一连接图案230被施加到第一栅电极105。
第二连接图案388可以在第二层间绝缘层195上在子像素电路区域10中与初始化电压线140的一部分和有源图案100的第六区域f的一部分重叠。第二连接图案388可以连接到初始化电压线140和接触孔430，并且可以通过接触孔431连接到有源图案100的第六区域f。初始化电压VINT可以通过第二连接图案388被供应到有源图案100的第六区域f。
第三连接图案390可以在第二层间绝缘层195上在子像素电路区域10中与有源图案100的第九区域i重叠。第三连接图案390可以通过接触孔410连接到有源图案100的第九区域i，可以与下电极291接触，并且可以将驱动电流供应到下电极291。
平坦化层270可以被布置在第二层间绝缘层195、高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390上。平坦化层270可以具有第一接触孔，该第一接触孔暴露第三连接图案390的连接到被布置在子像素电路区域10中的第六晶体管TR6的一部分。平坦化层270可以具有相对厚的厚度，以在第二层间绝缘层195上充分覆盖高电源电压线290、数据线191、第一连接图案230、第二连接图案388和第三连接图案390。在此情况下，平坦化层270可以具有基本上平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的这样的平坦的顶表面，可以对平坦化层270额外地执行平坦化工艺。平坦化层270可以包括有机材料、无机材料等。在示例性实施例中，平坦化层270可以包括有机材料。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯基树脂、环氧基树脂等。
下电极291可以在子像素电路区域10中被布置在平坦化层270上。下电极291可以通过平坦化层270的第一接触孔与第三连接图案390直接接触，并且可以通过第三连接图案390电连接到被布置在子像素电路区域10中的第六晶体管TR6。因此，下电极291可以通过第三连接图案390接收图2的驱动电流ID。在示例性实施例中，下电极291可以是阳极电极。在一些实施例中，下电极291可以是阴极电极。下电极291可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。下电极291可以具有包括多个层的多层结构。
像素限定层310可以被布置在下电极291的一部分和平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖下电极291的两侧，并且可以具有暴露下电极291的顶表面的一部分的开口。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。
发光层330可以被布置在由像素限定层310暴露的下电极291上。发光层330可以通过使用用于根据子像素发出不同颜色光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种而形成。可替代地，发光层330可以通过堆叠用于产生不同颜色光(诸如红光、绿光和蓝光)的多个发光材料而形成，以整体发白光。在此情况下，滤色器可以被布置在发光层330上(例如，被布置在封装基板450的顶表面上以与发光层330重叠)。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一个。在一些实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂、彩色光致抗蚀剂等。
上电极340可以被布置在像素限定层310和发光层330上。上电极340可以被布置在整个基板50之上，以覆盖像素限定层310和发光层330。在示例性实施例中，上电极340可以是阴极电极，并且可以接收图2的低电源电压ELVSS。在一些实施例中，上电极340可以是阳极电极。上电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或者彼此组合使用。上电极340可以具有包括多个层的多层结构。
封装基板450可以被布置在上电极340上。封装基板450可以包括与基板50基本上相同的材料。例如，封装基板450可以包括石英基板、合成石英基板、采用氟化钙或氟掺杂的石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等。在其他示例性实施例中，封装基板450可以由透明无机材料或柔性塑料形成。例如，封装基板450可以包括具有柔性的透明树脂基板。在此情况下，为了改进有机发光显示装置500的柔性，封装基板450可以具有其中至少一个无机层和至少一个有机层可以交替地堆叠的结构。堆叠结构可以包括第一无机层、有机层和第二无机层。例如，具有柔性的第一无机层可以被沿着上电极340的轮廓布置，具有柔性的有机层可以被布置在第一无机层上，并且具有柔性的第二无机层可以被布置在有机层上。换言之，堆叠结构可以对应于与上电极340直接接触的薄膜封装结构。
因为根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置500包括彼此并联连接并且相互具有不同沟道长度的第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2，所以当有机发光显示装置500被以低灰度级驱动时，有机发光显示装置500可以改进低灰度级斑点和串扰，同时相对减小功耗。
图12是示出根据比较示例的驱动晶体管的驱动范围的曲线图。例如，曲线图710可以与包括在第一有机发光显示装置中的驱动晶体管的第一驱动范围710相对应，并且曲线图720可以与包括在第二有机发光显示装置中的驱动晶体管的第二驱动范围720相对应。
参照图12，在包括具有第一驱动范围710的驱动晶体管的第一有机发光显示装置中，当第一有机发光显示装置被以低灰度级驱动时可以产生低灰度级斑点和串扰。
为了防止低灰度级斑点和串扰的产生，可以制造包括具有第二驱动范围720的驱动晶体管的第二有机发光显示装置。例如，包括在第二有机发光显示装置中的驱动晶体管可以具有驱动栅源电压Vgs的驱动范围，其与包括在第一有机发光显示装置中的驱动晶体管的驱动栅源电压Vgs的驱动范围相比相对增大。因此，当第二有机发光显示装置被以低灰度级驱动时，可以不在第二有机发光显示装置中产生低灰度级斑点和串扰。然而，当驱动栅源电压Vgs的驱动范围增大时，黑色灰度级电压Vblack可能增大(例如，与最大灰度级相对应的驱动栅源电压Vgs和与最小灰度级相对应的驱动栅源电压Vgs之间的差可能增大)，从而可能增大第二有机发光显示装置的功耗。
图13是示出图10的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的驱动范围的曲线图，图14是用于描述根据包括在图13的第二驱动晶体管中的笔直部分是否掺杂的驱动范围的曲线图，并且图15是示出图10的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管的驱动范围以及比较示例的驱动晶体管的驱动范围的曲线图。例如，曲线图810可以与图10的第一驱动晶体管TR1_1的驱动范围相对应，曲线图820可以与图10的第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围相对应，并且曲线图830可以与第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围相对应。
参照图13，因为第一驱动晶体管TR1_1具有相对长的沟道长度，所以第一驱动晶体管TR1_1的驱动范围810可以相对增大。
因为第二驱动晶体管TR1_2具有相对短的沟道长度，所以第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围820可以相对减小。在此情况下，为了实现图13中所示的第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围820，与第二驱动晶体管TR1_2的沟道相对应的笔直部分170必须采用磷(P)掺杂。
例如，如图14中所示，曲线图825可以与在掺杂工艺之前包括笔直部分170的第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围相对应。当对笔直部分170执行掺杂工艺时，曲线图825可以被负向偏移。换言之，第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围可以通过掺杂工艺而被从曲线图825改变为曲线图820。
再次参照图13，因为第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2彼此并联连接，所以第一驱动晶体管TR1_1的驱动范围810和第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围820的平均值可以被定义为第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围830。
参照图15，当与包括具有第二驱动范围720的驱动晶体管的第二有机发光显示装置比较时，因为包括具有驱动范围830的第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2的有机发光显示装置500在低灰度级处具有与第二驱动范围720基本上相同的驱动范围，所以当有机发光显示装置500被以低灰度级驱动时，可以不产生低灰度级斑点和串扰。此外，因为有机发光显示装置500在高灰度级处具有相对减小的驱动范围，所以当驱动栅源电压Vgs的驱动范围相对减小时，黑色灰度级电压Vblack可以减小，从而可以相对减小有机发光显示装置500的功耗。
图16是示出根据示例性实施例的包括在有机发光显示装置中的有源图案的一个示例的布局图，并且图17是用于描述包括在图16的有机发光显示装置中的驱动晶体管的驱动范围的曲线图。例如，图16可以与用于描述被布置在图4的驱动晶体管区域中的有源图案的布局图相对应。除了有源图案100的掺杂部分之外，图16中所图示的有机发光显示装置可以具有与参照图1至图11所述的有机发光显示装置500的配置基本上等同或相似的配置。在图16中，将省略与参照图1至图11所述的部件基本上等同或相似的部件的冗余描述。
参照图16和图17，为了改变第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围，可以额外地执行掺杂工艺，以使第二驱动晶体管TR1_2的笔直部分170的至少一部分可以采用磷(P)或硼(B)掺杂。
例如，笔直部分170可以具有沟道区171以及围绕沟道区171的源区172和漏区173。在示例性实施例中，第二驱动晶体管TR1_2的笔直部分170的至少一部分可以采用磷(P)掺杂。换言之，第二驱动晶体管TR1_2的笔直部分170的沟道区171可以采用磷(P)掺杂，并且可以对源区172和漏区173执行离子掺杂，以使源区172和漏区173可以具有相对高的导电率。当第二驱动晶体管TR1_2的沟道长度相对减小时，如图17中所示，第二驱动晶体管TR1_2的驱动范围840可以在高灰度级处具有相对陡峭的倾角。第一驱动晶体管TR1_1和第二驱动晶体管TR1_2可以包括在使用相对大驱动电流的透明有机发光显示装置等中。
图18是示出根据示例性实施例的包括在有机发光显示装置中的有源图案的另一示例的布局图。例如，图18可以与用于描述被布置在图4的驱动晶体管区域中的有源图案的布局图相对应。除了有源图案100的形状之外，图18中所图示的有机发光显示装置可以具有与参照图16所述的有机发光显示装置的配置基本上等同或相似的配置。在图18中，将省略与参照图16所述的部件基本上等同或相似的部件的冗余描述。
参照图18，弯曲部分150的第一端部和笔直部分170的源区172可以一体形成。
例如，有源图案100可以包括第一延伸部分158、第一突出部分、第二延伸部分159、第二突出部分157_1和第三突出部分157_2(参见图5)。
第一延伸部分158可以与弯曲部分150和笔直部分170间隔开，并且可以在第一方向D1上延伸。例如，第一延伸部分158可以位于弯曲部分150和笔直部分170的左侧。
第二延伸部分159可以在第二方向D2上与弯曲部分150和笔直部分170间隔开，并且可以在第一方向D1上延伸。例如，第二延伸部分159可以位于弯曲部分150和笔直部分170的右侧，并且第二延伸部分159可以基本上与第一延伸部分158平行。
第一突出部分可以在第二方向D2上从第一延伸部分158突出，并且可以连接到弯曲部分150的第一端部以及笔直部分170的第一端部(例如，笔直部分170的源区172)。
第二突出部分157_1可以在第三方向D3上从第二延伸部分159突出，并且可以连接到弯曲部分150的第二端部。
第三突出部分157_2可以与第二突出部分157_1间隔开，可以在第三方向D3上从第二延伸部分159突出，并且可以连接到笔直部分170的第二端部(例如，笔直部分170的漏区173)。
弯曲部分150、笔直部分170、第一延伸部分158、第一突出部分、第二延伸部分159、第二突出部分157_1和第三突出部分157_2可以一体形成。在此情况下，弯曲部分150的第一端部可以在与第一方向D1相对的第四方向D4上延伸，以与笔直部分170的第一端部接触，以使弯曲部分150的总长度可以相对增大。
在其他示例性实施例中，弯曲部分150可以包括第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域可以被可替代地且重复地设置。第一区域可以用作第一驱动晶体管TR1_1的沟道，并且可以对第二区域执行离子掺杂。换言之，弯曲部分150可以被配置使得与沟道相对应的第一区域和具有相对高导电率的第二区域被可替代地且重复地设置。在此情况下，相对短的沟道可以彼此串联连接，从而可以减小第一驱动晶体管TR1_1的滞后。
在另外其他示例性实施例中，弯曲部分150的第一端部和笔直部分170的源区172可以一体形成，并且弯曲部分150的第二端部和笔直部分170的漏区173可以一体形成。在此情况下，弯曲部分150可以具有仅一个弯曲形状，并且弯曲部分150可以包括一个凹部。
图19是示出根据示例性实施例的包括在有机发光显示装置中的有源图案的又一示例的布局图。例如，图19可以与用于描述被布置在图4的驱动晶体管区域中的有源图案的布局图相对应。除了有源图案100的形状之外，图19中所图示的有机发光显示装置可以具有与参照图1至图11所述的有机发光显示装置500的配置基本上等同或相似的配置。在图19中，将省略与参照图1至图11所述的部件基本上等同或相似的部件的冗余描述。
参照图19，有源图案100可以包括位于驱动晶体管区域60中的弯曲部分150、第一笔直部分170和第二笔直部分1170。此外，第一栅电极105可以被布置在驱动晶体管区域60中，并且弯曲部分150、第一笔直部分170和第二笔直部分1170可以与第一栅电极105一起构成彼此并联连接的三个驱动晶体管。例如，第一栅电极105和弯曲部分50可以被定义为第一驱动晶体管TR1_1，第一栅电极105和第一笔直部分170可以被定义为第二驱动晶体管TR1_2，并且第一栅电极105和第二笔直部分1170可以被定义为第三驱动晶体管TR1_3。
在示例性实施例中，第一笔直部分170可以采用磷(P)完全掺杂，并且第二笔直部分1170的至少一部分可以采用磷(P)掺杂。换言之，
第二笔直部分1170可以具有沟道区171以及围绕沟道区171的源区172和漏区173，第三驱动晶体管TR1_3的第二笔直部分1170的沟道区171可以采用磷(P)掺杂，并且可以对源区172和漏区173执行离子掺杂，以使源区172和漏区173可以具有相对高的导电率。换言之，第三驱动晶体管TR1_3的沟道的长度可以比第二驱动晶体管TR1_2的沟道的长度短。因为有机发光显示装置包括彼此并联连接的至少三个驱动晶体管，所以驱动晶体管的驱动范围可以在拐点(例如，低灰度级和高灰度级之间的边界)处被逐渐地改变。换言之，第一驱动晶体管TR1_1、第二驱动晶体管TR1_2和第三驱动晶体管TR1_3可以包括在使用低灰度级、中灰度级和高灰度级的有机发光显示装置中。
在上文中，已经参照本发明的示例性实施例进行了描述，但是相关技术领域的普通技术人员将理解，在不脱离所附权利要求中所描述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修改和改变。
[工业实用性]
本发明可以适用于包括有机发光显示装置的各种电子装置。例如，本发明可以适用于多种显示装置，诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。
[附图标记的描述]
10、20、30：第一子像素电路区域至第三子像素电路区域
40：像素电路区域
50：基板
60：驱动晶体管区域
100：有源图案
105：第一栅电极
110：第一栅线
115：第二栅线
120：第三栅线
130：第二栅电极
140：初始化电压线
150：弯曲部分
155_1：第一凹部
155_2：第二凹部
156_1：第一突出部分
156_2：第二突出部分
157_1：第三突出部分
157_2：第四突出部分
158、159：第一延伸部分和第二延伸部分
190：第一层间绝缘层
160：栅绝缘层
170：笔直部分
191：数据线
230：第一连接图案
270：平坦化层
290：高电源电压线
291：下电极
310：像素限定层
330：发光层
340：上电极
388：第二连接图案
390：第三连接图案
450：封装基板
500：有机发光显示装置

Claims (20)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板，所述基板具有包括驱动晶体管区域的子像素电路区域；
有源图案，所述有源图案在所述子像素电路区域中被布置在所述基板上，并且包括：
弯曲部分，所述弯曲部分在所述驱动晶体管区域中具有第一长度，以及
笔直部分，所述笔直部分在所述驱动晶体管区域中与所述弯曲部分邻近，并且在所述驱动晶体管区域中具有比所述第一长度短的第二长度；以及
子像素结构，所述子像素结构被布置在所述有源图案上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括栅电极，所述栅电极在所述驱动晶体管区域上被布置在所述基板上。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，进一步包括第一驱动晶体管和第二驱动晶体管，所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管在所述驱动晶体管区域中被布置在所述基板上，并且彼此并联连接，
其中，所述栅电极与所述有源图案的所述弯曲部分一起构成所述第一驱动晶体管，并且
所述栅电极与所述有源图案的所述笔直部分一起构成所述第二驱动晶体管。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案的所述弯曲部分与所述第一驱动晶体管的沟道相对应，并且
所述有源图案的所述笔直部分与所述第二驱动晶体管的沟道相对应。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案包括多晶硅。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述笔直部分采用磷(P)或硼(B)掺杂。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述笔直部分包括源区和漏区以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区，并且
所述笔直部分的所述沟道区采用磷(P)或硼(B)掺杂。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案的所述笔直部分包括：
第一笔直部分，所述第一笔直部分采用磷(P)或硼(B)完全掺杂；以及
第二笔直部分，所述第二笔直部分与所述第一笔直部分间隔开，并且采用所述磷(P)或所述硼(B)至少部分地掺杂。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，进一步包括：
栅电极，所述栅电极在所述驱动晶体管区域上被布置在所述基板上；以及
第一驱动晶体管、第二驱动晶体管和第三驱动晶体管，所述第一驱动晶体管、所述第二驱动晶体管和所述第三驱动晶体管在所述驱动晶体管区域中被布置在所述基板上，并且彼此并联连接，
其中，所述栅电极与所述有源图案的所述弯曲部分一起构成所述第一驱动晶体管，
所述栅电极与所述有源图案的所述第一笔直部分一起构成所述第二驱动晶体管，并且
所述栅电极与所述有源图案的所述第二笔直部分一起构成所述第三驱动晶体管。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案的所述弯曲部分与所述第一驱动晶体管的沟道相对应，
所述有源图案的所述第一笔直部分与所述第二驱动晶体管的沟道相对应，并且
所述有源图案的所述第二笔直部分的所掺杂的部分与所述第三驱动晶体管的沟道相对应。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述第三驱动晶体管的所述沟道的长度比所述第二驱动晶体管的所述沟道的长度短。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，由所述弯曲部分在平面方向上形成至少一个凹部。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述子像素电路区域进一步包括围绕所述驱动晶体管区域的开关晶体管区域。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案进一步包括：
第一延伸部分，所述第一延伸部分在所述开关晶体管区域中被布置在所述基板上，与所述弯曲部分和所述笔直部分间隔开，并且在第一方向上延伸；
第一突出部分，所述第一突出部分在与所述第一方向正交的第二方向上从所述第一延伸部分突出，并且连接到所述弯曲部分的第一端部；以及
第二突出部分，所述第二突出部分与所述第一突出部分间隔开，在所述第二方向上从所述第一延伸部分突出，并且连接到所述笔直部分的第一端部，并且
所述第一延伸部分、所述第一突出部分、所述第二突出部分、所述弯曲部分的所述第一端部和所述笔直部分的所述第一端部一体形成。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案进一步包括：
第二延伸部分，所述第二延伸部分在所述开关晶体管区域中在所述第二方向上与所述弯曲部分和所述笔直部分间隔开，并且在所述第一方向上延伸；
第三突出部分，所述第三突出部分在与所述第二方向相对的第三方向上从所述第二延伸部分突出，并且连接到与所述弯曲部分的所述第一端部相对的第二端部；以及
第四突出部分，所述第四突出部分与所述第三突出部分间隔开，在所述第三方向上从所述第二延伸部分突出，并且连接到与所述笔直部分的所述第一端部相对的第二端部，并且
所述第二延伸部分、所述第三突出部分、所述第四突出部分、所述弯曲部分的所述第二端部和所述笔直部分的所述第二端部一体形成。
16.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案进一步包括：
第一延伸部分，所述第一延伸部分在所述开关晶体管区域中被布置在所述基板上，与所述弯曲部分和所述笔直部分间隔开，并且在第一方向上延伸；以及
第一突出部分，所述第一突出部分在与所述第一方向正交的第二方向上从所述第一延伸部分突出，并且连接到所述弯曲部分的第一端部和所述笔直部分的第一端部，并且
所述第一延伸部分、所述第一突出部分、所述弯曲部分的所述第一端部和所述笔直部分的所述第一端部一体形成。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其中，所述有源图案进一步包括：
第二延伸部分，所述第二延伸部分在所述开关晶体管区域中在所述第二方向上与所述弯曲部分和所述笔直部分间隔开，并且在所述第一方向上延伸；
第二突出部分，所述第二突出部分在与所述第二方向相对的第三方向上从所述第二延伸部分突出，并且连接到与所述弯曲部分的所述第一端部相对的第二端部；以及
第三突出部分，所述第三突出部分与所述第二突出部分间隔开，在所述第三方向上从所述第二延伸部分突出，并且连接到与所述笔直部分的所述第一端部相对的第二端部，并且
所述第二延伸部分、所述第二突出部分、所述第三突出部分、所述弯曲部分的所述第二端部和所述笔直部分的所述第二端部一体形成。
18.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，进一步包括第一栅线，所述第一栅线在所述开关晶体管区域中被布置在所述基板上，并且在所述有源图案的第一延伸部分和第二延伸部分上在第二方向上延伸。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其中，第一开关晶体管被配置在所述第一栅线与所述第一延伸部分交叉的部分处，并且
第二开关晶体管被配置在所述第一栅线与所述第二延伸部分交叉的部分处。
20.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述子像素结构包括：
被布置在所述有源图案上的下电极；被布置在所述下电极上的发光层；以及
被布置在所述发光层上的上电极。
CN201980049644.0A 2018-07-25 2019-06-25 有机发光显示装置 Active CN112470286B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0086679 2018-07-25
KR1020180086679A KR102653121B1 (ko) 2018-07-25 2018-07-25 유기 발광 표시 장치
PCT/KR2019/007680 WO2020022657A1 (ko) 2018-07-25 2019-06-25 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112470286A true CN112470286A (zh) 2021-03-09
CN112470286B CN112470286B (zh) 2024-04-30

Family

ID=

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115050307A (zh) * 2022-07-18 2022-09-13 惠科股份有限公司 像素驱动电路和显示面板
CN115064102A (zh) * 2021-11-30 2022-09-16 深圳荣耀智能机器有限公司 一种显示屏、电子设备和显示屏的制造方法
WO2023143032A1 (zh) * 2022-01-29 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040191970A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Au Optronics Corp. Dual gate layout for thin film transistor
CN103474449A (zh) * 2013-09-04 2013-12-25 友达光电股份有限公司 有机发光基板及有机发光显示装置
US20150380567A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor of display apparatus
US20160233281A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display
US20160254340A1 (en) * 2015-02-28 2016-09-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN106098728A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其修复方法
US20170278917A1 (en) * 2016-03-28 2017-09-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN107818755A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 三星显示有限公司 显示元件叠置减少的具有导电图案的显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040191970A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Au Optronics Corp. Dual gate layout for thin film transistor
CN103474449A (zh) * 2013-09-04 2013-12-25 友达光电股份有限公司 有机发光基板及有机发光显示装置
US20150380567A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor of display apparatus
US20160233281A1 (en) * 2015-02-10 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display
US20160254340A1 (en) * 2015-02-28 2016-09-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN106098728A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其修复方法
US20170278917A1 (en) * 2016-03-28 2017-09-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
CN107818755A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 三星显示有限公司 显示元件叠置减少的具有导电图案的显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115064102A (zh) * 2021-11-30 2022-09-16 深圳荣耀智能机器有限公司 一种显示屏、电子设备和显示屏的制造方法
WO2023098176A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 荣耀终端有限公司 一种显示屏、电子设备和显示屏的制造方法
WO2023143032A1 (zh) * 2022-01-29 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
CN115050307A (zh) * 2022-07-18 2022-09-13 惠科股份有限公司 像素驱动电路和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020022657A1 (ko) 2020-01-30
KR20200012062A (ko) 2020-02-05
US20210359058A1 (en) 2021-11-18
KR102653121B1 (ko) 2024-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106981499B (zh) 有机发光二极管显示装置
KR20240010737A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11800767B2 (en) Organic light emitting diode display device
CN110875335A (zh) 有机发光二极管显示装置
KR102653121B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11195898B2 (en) Organic light emitting diode display device
KR102560393B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11495652B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing organic light emitting diode display device
US20220102458A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device
CN112703606A (zh) 有机发光显示装置
US20200273940A1 (en) Organic light emitting diode display device
KR20200141548A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102607376B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20200111845A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102335112B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20210296407A1 (en) Organic light emitting diode display device
US20220415992A1 (en) Display device
US20220028963A1 (en) Organic light emitting display device
US11532689B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
CN112470286B (zh) 有机发光显示装置
US20220344424A1 (en) Display device and method of manufacturing display device
US20240074239A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant