CN106981499B - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管显示装置。所述有机发光二极管显示装置包括基底、像素结构和布线图案。基底包括均具有子像素区域和透明区域的多个像素区域。像素结构设置在基底上的子像素区域中。布线图案设置在基底上的透明区域和子像素区域中，并且电连接到像素结构。布线图案沿从透明区域到子像素区域的第一方向延伸，并且在透明区域中具有至少一个开口。

Description

有机发光二极管显示装置
本申请要求于2016年1月15日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2016-0005165号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
示例实施例总体上涉及有机发光二极管显示装置。更具体地，本发明构思的实施例涉及包括透明区域的有机发光二极管显示装置。
背景技术
因为与阴极射线管(CRT)显示装置相比，平板显示(FPD)装置质轻且薄，所以FPD装置被广泛地用作电子设备的显示装置。FPD装置的典型示例是液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置。与LCD装置相比，OLED显示装置具有诸如较高的亮度和较宽的视角的多个优点。另外，因为OLED显示装置不需要背光，所以OLED显示装置可以被制作得更薄。在OLED显示装置中，电子和空穴通过阴极和阳极被注入到有机薄层中，然后在有机薄层中复合以产生激子，从而可以发射特定波长的光。
最近，已经开发了通过包括子像素区域和透明区域能够透射位于OLED显示装置的后面(例如，背面)的物体(或目标物)的图像的透明OLED显示装置。这里，能够减少透明OLED显示装置的透射率的不透明金属布线不设置在透明OLED显示装置的透明区域中。例如，金属布线(例如，电源电压布线、扫描信号布线、数据信号布线、发射信号布线等)可以设置在围绕透明区域的部分中，所述围绕透明区域的部分可以是不透明的。在这种情况下，会由于所述围绕透明区域的部分而产生光的衍射现象，并且会减少透明的OLED显示装置的可见度。
发明内容
一些示例实施例提供了一种能够减少光的衍射现象的有机发光二极管显示装置。
根据示例实施例的一些方面，有机发光二极管(OLED)显示装置包括基底、像素结构和布线图案。基底包括均具有子像素区域和透明区域的多个像素区域。像素结构设置在基底上的子像素区域中。布线图案设置在基底上的透明区域和子像素区域中，并且电连接到像素结构。布线图案沿从透明区域到子像素区域的第一方向延伸，并在透明区域中具有至少一个开口。
在示例实施例中，布线图案可以具有透明区域中的第一宽度和子像素区域中的小于第一宽度的第二宽度。
在示例实施例中，像素区域可以沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向布置在整个基底上。多个像素区域中的沿第二方向布置的像素区域中包括的透明区域可以在基底上沿第二方向延伸，并且可以具有沿第二方向延伸的条形的平面形状。
在示例实施例中，像素区域可以沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向布置在整个基底上。多个像素区域中的沿第二方向布置的像素区域可以对应于一个透明区域。
在示例实施例中，像素区域可以沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向布置在整个基底上。布线图案可以设置在多个像素区域中的沿第一方向布置的像素区域中。
在示例实施例中，布线图案可以在透明区域中具有多个开口，并且可以被开口空间地划分开。
在示例实施例中，开口可以规则地布置。
在示例实施例中，开口可以不规则地布置。
在示例实施例中，开口的形状均可以具有四边形开口、三角形开口、菱形开口、多边形开口、圆形开口、跑道形开口或椭圆形开口的平面形状。
在示例实施例中，基底还包括围绕子像素区域的不透明区域。不透明区域可以不与子像素区域和透明区域叠置。
在示例实施例中，OLED显示装置还可以包括像素限定层。像素限定层可以在不透明区域中，并且可以暴露子像素区域和透明区域。像素限定层可以围绕子像素区域，并且可以沿垂直于第一方向的第二方向延伸。像素限定层可以具有沿第二方向延伸的条形的平面形状。
在示例实施例中，布线图案包括第一布线延伸部和第二布线延伸部。第一布线延伸部可以在透明区域中沿第一方向延伸，并且可以具有包括多个开口的网状结构。第二布线延伸部可以在子像素区域和不透明区域中沿第一方向延伸。
在示例实施例中，第一布线延伸部和第二布线延伸部可以一体地形成。
在示例实施例中，布线图案还可以包括第三布线延伸部。第三布线延伸部可以置于第一布线延伸部与第二布线延伸部之间，并且可以在不透明区域中沿第一方向延伸。第三布线延伸部可以具有比第二布线延伸部的宽度大的宽度。
在示例实施例中，第三布线延伸部的第一侧可以与第一布线延伸部接触，并且第三布线延伸部的第二侧可以与第二布线延伸部接触。第一布线延伸部、第二布线延伸部和第三布线延伸部可以一体地形成。
在示例实施例中，像素限定层可以具有不透明的颜色，第三布线延伸部可以设置在像素限定层下面。
在示例实施例中，OLED显示装置还可以包括半导体元件。半导体元件可以设置在基底上的子像素区域中，并且可以电连接到像素结构。半导体元件可以包括有源层、栅电极、导电图案、源电极和漏电极。有源层可以设置在基底上，并且可以包括源区和漏区。栅电极可以设置在有源层上。导电图案可以设置在栅电极上。源电极可以设置在导电图案上，并且可以与有源层的源区接触。漏电极可以与源电极分隔开，并且可以与有源层的漏区接触。
在示例实施例中，布线图案和导电图案可以位于同一水平处，并且可以使用相同的材料同时地形成。
在示例实施例中，OLED显示装置还可以包括第三布线延伸部。第三布线延伸部可以在不透明的区域中沿第一方向延伸，并且可以具有比第二布线延伸部的宽度大的宽度。设置在透明区域中的第一布线延伸部和设置在不透明区域中的第三布线延伸部可以一体地形成，第一布线延伸部和第三布线延伸部可以设置在被设置于子像素区域中的第二布线延伸部上。
在示例实施例中，第三布线延伸部可以与第二布线延伸部的至少一部分叠置，并且可以通过位于叠置部分中的接触孔与第二布线延伸部接触。
因为根据示例实施例的OLED显示装置包括布线图案，所以OLED显示装置可以减少光透过透明区域的衍射现象。因此，可以改善OLED显示装置的可见度。
附图说明
通过下面结合附图进行的描述，可以更详细地理解示例实施例，在附图中：
图1是示出根据示例实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置的平面图；
图2是用于描述包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的平面图；
图3A是沿图1的线I-I'截取的剖视图；
图3B是用于描述包括在图1的OLED显示装置中的OLED和晶体管的电路图；
图4、图5、图6、图7、图8和图9是示出根据示例实施例的制造OLED显示装置的方法的剖视图；
图10是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的示例的平面图；
图11是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的另一示例的平面图；
图12是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的又一示例的平面图；
图13是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的再一示例的平面图；
图14是示出包括图13的布线图案的OLED显示装置的示例的剖视图；
图15是示出根据一些示例实施例的OLED显示装置的剖视图；以及
图16是示出根据示例实施例的OLED显示装置的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地解释本发明构思的实施例。
图1是示出根据示例实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置100的平面图。
参照图1，有机发光二极管(OLED)显示装置100可以包括多个像素区域10。多个像素区域中的一个像素区域10可以包括第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25、透明区域30的一部分以及不透明区域35的一部分。例如，像素区域10可以沿第一方向D1和第二方向D2布置在包括在OLED显示装置100中的整个基底上，将在下面描述基底。这里，第一方向D1(例如，从透明区域30到子像素区域的方向)平行于基底的上表面，第二方向D2垂直于第一方向D1。在示例实施例中，在多个像素区域10中的沿第二方向D2布置的像素区域10中包括的透明区域30可以在基底上沿第二方向D2延伸，并且可以具有沿第二方向D2延伸的条形的平面形状。例如，在多个像素区域10中沿第二方向D2布置的像素区域10可以与一个透明区域30对应。
另外，不透明区域35可以围绕第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25，并且可以沿第二方向D2延伸。例如，在第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25中沿第二方向D2重复地布置的第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25可以与一个不透明区域35对应，并且所述不透明区域35可以不与第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及透明区域30叠置。
第一子像素可以设置在第一子像素区域15中，第二子像素可以设置在第二子像素区域20中，第三子像素可以设置在第三子像素区域25中。例如，第一子像素可以发射红颜色的光，第二子像素可以发射绿颜色的光。另外，第三子像素可以发射蓝颜色的光。第一子像素、第二子像素和第三子像素可以设置在基底上的同一水平处。
在透明区域30中，从外部入射的光可以经由透明区域30透射。
在不透明区域35中，可以设置包括在OLED显示装置100中的像素限定层，将在下面描述像素限定层。例如，第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25可以基本上由像素限定层围绕。即，第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25可以由像素限定层限定，像素限定层可以暴露第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及透明区域30。像素限定层可以围绕第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25，并且可以沿第二方向D2延伸。另外，像素限定层可以具有沿第二方向D2延伸的条形的平面形状。换言之，像素限定层可以设置在除了第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及透明区域30之外的部分中。可选择地，像素限定层可以暴露第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25，并且可以设置在透明区域30中。
在示例实施例中，布线图案200可以沿第一方向在像素区域中连续地延伸。布线图案200可以设置在基底上的第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25、透明区域30以及不透明区域35中。例如，布线图案200可以设置在多个像素区域10之中的沿第一方向布置的那些个像素区域10中。换言之，布线图案200可以在基底上沿第一方向D1延伸。另外，布线图案200可以在透明区域30中具有第一宽度，并且可以在第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及不透明区域35中具有第二宽度。这里，第二宽度可以小于第一宽度。
布线图案200可以是金属布线或导电布线(例如，电源电压布线、扫描信号布线、数据信号布线、发射信号布线等)。例如，布线图案200可以是发射信号布线，并且可以将发射信号提供到包括在OLED显示装置100中的至少一个半导体元件，将在下面描述半导体元件。与根据示例实施例的OLED显示装置相比，包括在传统OLED显示装置中的导电布线可以设置在围绕透明区域30的像素限定层的下面，因为导电布线是不透明的，所以围绕透明区域30的部分可以是不透明的。因此，由于不透明的部分而会在传统的OLED显示装置中产生光透过透明区域30的衍射现象。即，导电布线会在像素区域10中具有包括多个缝隙(例如，开口)的网状(或格子)结构。这里，当从外部入射的外部光穿过缝隙时，光被衍射。当根据示例实施例的OLED显示装置100包括布线图案200时，可以去除围绕透明区域30的不透明的部分(例如，沿第一方向D1贯穿透明区域30的不透明的部分)。因此，可以改善OLED显示装置100的可见度。另外，布线图案200可以在透明区域30中具有至少一个开口，从外部入射的光可以经由开口被透射。例如，尽管布线图案200设置在透明区域30中，但是位于OLED显示装置100的背面处的物体的图像可以经由开口被透射。因此，OLED显示装置100可以用作透明的OLED显示装置。
在示例实施例中，三个布线图案200可以设置在一个像素区域10中，但是不限于此。
图2是用于描述包括在图1的OLED显示装置中的布线图案200的平面图。
参照图1和图2，布线图案200可以设置在基底上的第一子像素区域15、透明区域30和不透明区域35中。布线图案200可以在基底上沿第一方向D1延伸。布线图案200可以在透明区域30中具有第一宽度W1，第一宽度W1可以是沿第二方向D2延伸的预定的宽度。布线图案200可以在第一子像素区域15和不透明区域35中具有第二宽度W2，第二宽度W2可以是沿第二方向D2延伸的预定的宽度。另外，第二宽度W2可以小于第一宽度W1。在示例实施例中，布线图案200可以包括第一布线延伸部203和第二布线延伸部205。第一布线延伸部203可以具有第一宽度W1，并且可以位于透明区域30中。第二布线延伸部205可以具有第二宽度W2，并且可以位于第一子像素区域15和不透明区域35中。第一布线延伸部203可以具有包括多个开口55的网状结构，第二布线延伸部205可以具有沿第一方向D1延伸的条形的平面形状。第一布线延伸部203和第二布线延伸部205可以一体地形成。换言之，可以在透明区域30中通过开口55空间地划分布线图案200。在示例实施例中，第一布线延伸部203可以具有基本X形状的布线沿第一方向D1和第二方向D2重复地设置的结构。可以在下方大约2.0微米处形成围绕开口55的网状结构(例如，构成第一布线延伸部203的每条线的宽度)，使得网状结构不被OLED显示装置的用户观察到(例如，识别到)。开口55可以规则地布置在透明区域30中。开口55的形状均可以具有菱形开口的平面形状。可选择地，开口55的形状均可以具有四边形开口、三角形开口、多边形开口、圆形开口、跑道形开口(athletic track opening)或椭圆开口的平面形状。可以使用相同的材料同时形成第一布线延伸部203和第二布线延伸部205。可选择地，开口55可以不规则地布置。在示例实施例中，布线图案200可以设置在基底上的透明区域30、第一子像素区域15和不透明区域35中。可选择地，第二布线延伸部205可以仅设置在不透明区域35中。
图3A是沿图1的线I-I'截取的剖视图，图3B是用于描述包括在图1的OLED显示装置100中的有机发光二极管和晶体管的电路图。
参照3A和图3B，OLED显示装置100可以包括基底110、平坦化层270、第一半导体元件250、第二半导体元件255、布线图案200、像素结构、像素限定层310、包封基底350等。这里，像素结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，第一半导体元件250可以包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210、第一漏电极230、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195。另外，第二半导体元件255可以包括第二有源层135、第二栅电极175、导电图案180、第二源电极215、第二漏电极235、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195。
如上所述，OLED显示装置100可以包括多个像素区域。多个像素区域之中的一个像素区域可以包括子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV。第一半导体元件250、第二半导体元件255、下电极290和发光层330可以设置在子像素区域II中，像素限定层310可以设置在不透明区域IV中。上电极340可以设置在子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中。在示例实施例中，布线图案200可以设置在透明区域III、不透明区域IV和子像素区域II中。布线图案200可以电连接到第一半导体元件250和/或第二半导体元件255。
例如，子像素区域II中可以显示显示器图像，透明区域III中可以透射位于OLED显示装置100的背面中的物体的图像。因为OLED显示装置100包括布线图案200，所以OLED显示装置100可以用作可见度得到改善的透明的OLED显示装置。
第一半导体元件250、第二半导体元件255、像素结构和布线图案200可以设置在基底110上。基底110可以由透明材料或不透明材料形成。例如，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、氟化物掺杂的石英基底、钠钙基底、无碱基底等。可选择地，基底110可以由诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料形成。例如，聚酰亚胺基底可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以可以将聚酰亚胺基底设置在刚性玻璃基底上以帮助支撑第一半导体元件250和第二半导体元件255以及像素结构的形成。即，基底110可以具有第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在刚性玻璃基底上的结构。在OLED显示装置100的制造中，在聚酰亚胺基底的第二聚酰亚胺层上设置绝缘层(例如，缓冲层)之后，可以在绝缘层上设置第一半导体元件250和第二半导体元件255以及像素结构。在绝缘层上形成第一半导体元件250和第二半导体元件255以及像素结构之后，可以去除其下设置有聚酰亚胺基底的刚性玻璃基底。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以会难以在聚酰亚胺基底上直接形成第一半导体元件250和第二半导体元件255以及像素结构。因此，在聚酰亚胺基底和刚性玻璃基底上形成第一半导体元件250和第二半导体元件255以及像素结构，然后在去除刚性玻璃基底之后，聚酰亚胺基底可以用作OLED显示装置100的基底110。因为OLED显示装置100包括子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV，所以基底110也可以包括子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV。
缓冲层(未示出)可以设置在基底110上。缓冲层可以设置在整个基底110上。缓冲层可以防止金属原子和/或杂质从基底110扩散到第一半导体元件250和第二半导体元件255中。此外，缓冲层可以控制在用于形成第一有源层130和第二有源层135的结晶工艺中的热传递速率，从而获得基本上均匀的有源层。此外，当基底110的表面相对不均匀时，缓冲层可以改善基底110的表面平坦度。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不设置缓冲层。例如，缓冲层可以包括有机材料或无机材料。在示例实施例中，缓冲层可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。
第一半导体元件250可以由第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210、第一漏电极230、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195形成，第二半导体元件255可以由第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215、第二漏电极235、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195形成。这里，第二半导体元件255还可以包括导电图案180。例如，第一有源层130和第二有源层135可以彼此分隔开预定的距离，并且可以由氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成。
栅极绝缘层150可以设置在第一有源层130和第二有源层135上。栅极绝缘层150可以在子像素区域II和不透明的区域IV中覆盖的第一有源层130和第二有源层135，并且可以在基底110上沿第一方向D1延伸。这里，第一方向D1从透明区域III到子像素区域II。即，栅极绝缘层150可以设置在整个基底110上。在示例实施例中，栅极绝缘层150可以足以覆盖第一有源层130和第二有源层135，并且可以具有基本上均匀的表面，而没有围绕第一有源层130和第二有源层135的台阶。可选择地，栅极绝缘层150可以覆盖第一有源层130和第二有源层135，并且可以沿第一有源层130和第二有源层135的轮廓设置为基本上均匀的厚度。栅极绝缘层150可以由硅化合物、金属氧化物等形成。例如，栅极绝缘层150可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。在示例实施例中，栅极绝缘层150可以包括无机材料。
第一栅电极170和第二栅电极175中的每个可以设置在栅极绝缘层150的下面设置有第一有源层130和第二有源层135中的每个的部分上，以在平面图中与第一有源层130和第二有源层135叠置。第一栅电极170和第二栅电极175中的每个可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
第一绝缘中间层190可以设置在第一栅电极170和第二栅电极175上。第一绝缘中间层190可以在子像素区域II和不透明区域IV中覆盖第一栅电极170和第二栅电极175，并且可以在栅极绝缘层150上沿第一方向D1延伸。即，第一绝缘中间层190可以设置在整个栅极绝缘层150上。在示例实施例中，第一绝缘中间层190可以足以覆盖第一栅电极170和第二栅电极175，并且可以具有基本上均匀的表面，而没有围绕第一栅电极170和第二栅电极175的台阶。可选择地，第一绝缘中间层190可以覆盖第一栅电极170和第二栅电极175，并且可以沿第一栅电极170和第二栅电极175的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第一绝缘中间层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。
导电图案180和布线图案200可以设置在第一绝缘中间层190上。导电图案180可以设置在第一绝缘中间层190的下面设置有第二栅电极175的部分上以在平面图中与第二栅电极175叠置。这里，第二栅电极175和导电图案180可以用作OLED显示装置100的存储电容器。例如，第二栅电极175可以是存储电容器的第一电极，导电图案180可以是存储电容器的第二电极。
布线图案200可以在第一绝缘中间层190上设置在子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中。在示例实施例中，布线图案200可以包括第一布线延伸部203和第二布线延伸部205。如图2中示出的，第一布线延伸部203可以具有第一宽度W1，并且可以位于透明区域III中。第二布线延伸部205可以具有比第一宽度W1小的第二宽度W2，并且可以位于不透明区域IV和子像素区域II中。第一布线延伸部203可以具有包括多个开口55的网状结构，第二布线延伸部205可以具有沿第一方向D1延伸的条形的平面形状。第一布线延伸部203和第二布线延伸部205可以彼此电连接，并且可以一体地形成。第二布线延伸部205可以设置在子像素区域II中，并且可以电连接到第一半导体元件250和/或第二半导体元件255。可选择地，第二布线延伸部205可以仅设置在不透明区域IV中。
在示例实施例中，布线图案200可以是金属布线(例如，电源电压布线、扫描信号布线、数据信号布线、发射信号布线等)。
例如，如图3B中示出的，OLED显示装置100可以包括OLED(例如，图3A的像素结构)和晶体管(例如，如图3A的半导体元件)。
OLED可以基于驱动电流ID而发射光。OLED可以包括第一端子和第二端子。在示例实施例中，OLED的第二端子接收第一电源电压ELVSS。例如，OLED的第一端子是阳极端子，OLED的第二端子是阴极端子。可选择地，OLED的第一端子可以是阴极端子，OLED的第二端子可以是阳极端子。
第一晶体管TR1可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。在示例实施例中，第一晶体管TR1的第一端子是源极端子，并且第一晶体管TR1的第二端子是漏极端子。可选择地，第一晶体管TR1的第一端子可以是漏极端子，第一晶体管TR1的第二端子可以是源极端子。
驱动电流ID可以由第一晶体管TR1产生。在示例实施例中，第一晶体管TR1在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅极端子和源极端子的电压差而产生驱动电流ID，灰度可以基于由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID的量而实现。在一些示例实施例中，第一晶体管TR1在线性区域中操作。在这种情况下，可以基于一帧内第一晶体管TR1将驱动电流ID提供到OLED的时间的量而实现灰度。
第二晶体管TR2可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。扫描信号GW可以被施加到第二晶体管TR2的栅极端子。第二晶体管TR2的第一端子可以接收数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第一端子。在示例实施例中，第二晶体管TR2的第一端子是源极端子，并且第二晶体管TR2的第二端子是漏极端子。在一些示例实施例中，第二晶体管TR2的第一端子是漏极端子，并且第二晶体管TR2的第二端子是源极端子。
当扫描信号GW被激活时，第二晶体管TR2可以将数据信号DATA提供到第一晶体管TR1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管TR2在线性区域中操作。
第三晶体管TR3可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第三晶体管TR3的栅极端子可以接收扫描信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。在示例实施例中，第三晶体管TR3的第一端子是源极端子，并且第三晶体管TR3的第二端子是漏极端子。可选择地，第三晶体管TR3的第一端子可以是漏极端子，并且第三晶体管TR3的第二端子可以是源极端子。
当扫描信号GW被激活时，第三晶体管TR3可以将第一晶体管TR1的栅极端子连接到第一晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管TR3可以在线性区域中操作。即，当扫描信号GW被激活时，第三晶体管TR3可以形成第一晶体管TR1的二极管连接。由于二极管连接，会发生第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅极端子之间的电压差，所述电压差的量与第一晶体管TR1的阈值电压对应。结果，当扫描信号GW被激活时，提供到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA和所述电压差(即，阈值电压)的总和电压可以被施加到第一晶体管TR1的栅极端子。因此，数据信号DATA可以被补偿像第一晶体管TR1的阈值电压那么多。补偿的数据信号DATA可以被施加到第一晶体管TR1的栅极端子。因为减少了第一晶体管TR1的阈值电压的影响，所以可以改善驱动电流ID的均匀性。
初始化电压VINT的输入端子连接到第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子，初始化电压VINT的输出端子连接到第四晶体管TR4的第二端子和存储电容器CST的第一端子。
第四晶体管TR4可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第四晶体管TR4的栅极端子可以接收数据初始化信号GI。初始化电压VINT可以被施加到第四晶体管TR4的第一端子。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子。在示例实施例中，第四晶体管TR4的第一端子是源极端子，并且第四晶体管TR4的第二端子是漏极端子。可选择地，第四晶体管TR4的第一端子可以是漏极端子，并且第四晶体管TR4的第二端子可以是源极端子。
当数据初始化信号GI被激活时，第四晶体管TR4可以将初始化电压VINT施加到第一晶体管TR1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管TR4可以在线性区域中操作。因此，当数据初始化信号GI被激活时，第四晶体管TR4可以将第一晶体管TR1的栅极端子初始化为初始化电压VINT。在示例实施例中，初始化电压VINT的电压电平足够低于在前一帧中由存储电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平。初始化电压VINT可以被施加到作为P沟道金属氧化物半导体(PMOS)型晶体管的第一晶体管TR1的栅极端子。在一些示例实施例中，初始化电压VINT的电压电平足够高于在前一帧中由存储电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平。初始化电压VINT可以被施加到作为N沟道金属氧化物半导体(NMOS)型晶体管的第一晶体管TR1的栅极端子。
在示例实施例中，数据初始化信号GI等同于领先一个水平时间段的扫描信号GW。例如，被施加到位于显示面板中包括的多个像素之中第n行的像素(其中，n是2或更大的整数)的数据初始化信号GI与被施加到位于多个像素之中第n-1行中的像素的扫描信号GW实质上相同。因此，可以通过将被激活的扫描信号GW施加到位于像素之中的第n-1行的像素来将被激活的数据初始化信号GI施加到位于像素之中的第n行的像素。结果，当数据信号DATA被施加到位于像素中的第n-1行的像素时，位于像素中的第n行的像素中包括的第一晶体管TR1的栅极端子可以被初始化为初始化电压VINT。
当发射信号EM被激活时，第五晶体管TR5可以将第二电源电压ELVDD施加到第一晶体管TR1的第一端子。在一些示例实施例中，当发射信号EM被去激活时，第五晶体管TR5不施加第二电源电压ELVDD。在这种情况下，第五晶体管TR5可以在线性区域中操作。当发射信号EM被激活时，第五晶体管TR5可以将第二电源电压ELVDD施加到第一晶体管TR1的第一端子，使得第一晶体管TR1产生驱动电流ID。另外，在一些实施例中，当发射信号EM被去激活时，第五晶体管TR5不施加第二电源电压ELVDD，使得施加到第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA被施加到第一晶体管TR1的栅极端子。
第六晶体管TR6可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。发射信号EM可以被施加到第六晶体管TR6的栅极端子。第六晶体管TR6的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以连接到OLED的第一端子。在示例实施例中，第六晶体管TR6的第一端子是源极端子，并且第六晶体管TR6的第二端子是漏极端子。在一些实施例中，第六晶体管TR6的第一端子是漏极端子，并且第六晶体管TR6的第二端子是源极端子。
当发射信号EM被激活时，第六晶体管TR6可以将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID提供到OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区域中操作。因此，当发射信号EM被激活时，第六晶体管TR6可以将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID提供到OLED，使得OLED发光。另外，当发射信号EM被去激活时，第六晶体管TR6可以使第一晶体管TR1与OLED断开，使得施加到第一晶体管TR1的第一端子的补偿的数据信号DATA被施加到第一晶体管TR1的栅极端子。
第七晶体管TR7可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。二极管初始化信号(例如，数据初始化信号GI)可以被施加到第七晶体管TR7的栅极端子。初始化电压VINT可以被施加到第七晶体管TR7的第一端子。第七晶体管TR7的第二端子可以连接到OLED的第一端子。在示例实施例中，第七晶体管TR7的第一端子是源极端子，并且第七晶体管TR7的第二端子是漏极端子。在一些实施例中，第七晶体管TR7的第一端子是漏极端子，并且第七晶体管TR7的第二端子是源极端子。
当二极管初始化信号被激活时，第七晶体管TR7可以将初始化电压VINT施加到OLED的第一端子。在这种情况下，第七晶体管TR7可以在线性区域中操作。因此，当二极管初始化信号被激活时，第七晶体管TR7可以使OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。
在示例实施例中，数据初始化信号GI和二极管初始化信号是实质上相同的信号。第一晶体管TR1的栅极端子的初始化操作可以不影响OLED的第一端子的初始化操作。即，第一晶体管TR1的栅极端子的初始化操作和OLED的第一端子的初始化操作可以是彼此独立的。因此，数据初始化信号GI被用作二极管初始化信号，从而改善制造效率。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子，并且可以连接在第二电源电压ELVDD布线与第一晶体管TR1的栅极端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接到第一晶体管TR1的栅极端子，并且存储电容器CST的第二端子可以连接到第二电源电压ELVDD布线。当扫描信号GW被去激活时，存储电容器CST可以维持第一晶体管TR1的栅极端子的电压电平。当扫描信号GW被去激活时，发射信号EM可以被激活。当发射信号EM被激活时，由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以被提供到OLED。因此，由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以基于由存储电容器CST维持的电压电平而被提供到OLED。
在示例实施例中，OLED的阳极端子可以是下电极290，并且OLED的阴极端子可以是上电极340。另外，第一半导体元件250可以是第六晶体管TR6，第二半导体元件255可以是第一晶体管TR1。此外，布线图案200可以是提供发射信号EM的发射信号布线。
在图1的另一剖视图中，第三晶体管TR3可以在图3A的OLED显示装置100中被示出。在这种情况下，布线图案200可以是提供扫描信号GW的扫描信号布线。
参照图1、图2和图3A，布线图案200可以经由透明区域III中的开口55透射从外部入射的光。例如，尽管布线图案200的第一布线延伸部203设置在透明区域III中，但是可以经由开口55透射位于OLED显示装置100的背面的物体的图像。然而，构成第一布线延伸部203的每条线的宽度W3可以形成为大约2.0微米以下，使得第一布线延伸部203不被OLED显示装置100的用户识别到。因此，因为不存在传统OLED显示装置中的沿像素区域10的第一方向D1延伸的不透明部分(例如，设置有不透明的导电布线的部分)，所以根据示例实施例的OLED显示装置可以具有比传统OLED显示装置相对少的缝隙的数目。因此，可以改善OLED显示装置100的衍射现象。因为包括布线图案200的OLED显示装置100改善了光透射透明区域III的衍射现象，所以具有改善的可见度的OLED显示装置100可以用作透明的OLED显示装置。
第一布线延伸部203的开口55可以规则地布置在透明区域III中。开口55的形状均可以具有四边形开口、菱形开口、三角形开口、多边形开口、圆形开口、跑道形开口或椭圆形开口的平面形状。第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和导电图案180可以使用相同材料同时形成。可选择地，布线图案200、第一栅电极170和第二栅电极175可以使用相同的材料同时地形成，或者布线图案200、第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235可以使用相同的材料同时地形成。
在示例实施例中，布线图案200和导电图案180中的每个可以具有沿垂直于基底110的上表面的第三方向D3延伸的相同的高度。可选择地，第一布线延伸部203和第二布线延伸部205可以具有沿第三方向D3延伸的相同的高度。布线图案200和导电图案180中的每个可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，布线图案200和导电图案180中的每个可以包括铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、银的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或以其合适的组合使用。在示例实施例中，布线图案200和导电图案180中的每个可以具有多层结构。多层结构可以是Ti/Al/Ti或Mo/Al。可选择地，布线图案200和导电图案180中的每个可以形成为单层。
第二绝缘中间层195可以设置在第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和导电图案180上。第二绝缘中间层195可以覆盖透明区域III中的第一布线延伸部203、不透明区域IV中的第二布线延伸部205和子像素区域II中的导电图案180，并且可以在第一绝缘中间层190上沿第一方向D1延伸。即，第二绝缘中间层195可以设置在整个第一绝缘中间层190上。在示例实施例中，第二绝缘中间层195可以足以覆盖第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和导电图案180，并且可以具有基本平坦的表面，而没有围绕第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和导电图案180的台阶。可选择地，第二绝缘中间层195可以覆盖第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和导电图案180，并且可以沿第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和导电图案180的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第二绝缘中间层195可以包括硅化合物、金属氧化物等。
第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235可以设置在第二绝缘中间层195上。第一源电极210和第二源电极215中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的一部分形成的接触孔与第一有源层130和第二有源层135的第一侧(例如，源区)接触。第一漏电极230和第二漏电极235中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的一部分形成的接触孔与第一有源层130和第二有源层135的第二侧(例如，漏区)接触。第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235中的每个可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或以其合适的组成使用。可选择地，第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235中的每个可以具有多层结构。因此，包括第一有源层130、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230的第一半导体元件250(例如，开关晶体管)以及包括第二有源层135、第二栅电极175、第二源电极215和第二漏电极235的第二半导体元件255(例如，驱动晶体管)可以设置在子像素区域II和不透明区域IV中。另外，包括第二栅电极175和导电图案180的存储电容器可以设置在子像素区域II和不透明区域IV中。
在示例实施例中，OLED显示装置100的半导体元件可以具有顶栅结构，但是不限于此。在一些示例实施例中，例如，半导体元件可以具有底栅结构。
另外，OLED显示装置100的半导体元件可以设置在子像素区域II中，但是不限于此。例如，半导体元件可以设置在不透明区域IV中。
平坦化层270可以设置在第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235(或者，第一半导体元件250和第二半导体元件255)上。平坦化层270可以在子像素区域II和不透明区域IV中覆盖第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235，并且可以在第二绝缘中间层195上沿第一方向D1延伸。即，平坦化层270可以设置在整个基底110上。例如，平坦化层270可以设置为相对大的厚度以便足以覆盖第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本上均匀的上表面，还可以在平坦化层270上执行的平坦化工艺以实现平坦化层270的均匀的上表面。可选择地，平坦化层270可以覆盖第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235，并且可以沿第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235的轮廓设置为基本均匀的厚度。平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。
下电极290可以在平坦化层270上设置在子像素区域II中。下电极290可以经由通过去除平坦化层270的一部分形成的接触孔与第一半导体元件250的第一漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到第一半导体元件250。下电极290可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。可选择地，下电极290可以具有多层结构。
像素限定层310可以在平坦化层270上设置在不透明区域IV中，使得像素限定层310暴露透明区域III以及子像素区域II中下电极290的一部分。发光层330可以设置在下电极290的由像素限定层310暴露的部分上。像素限定层310可以具有不透明的颜色，使得从外部入射的光不能从设置在像素限定层310下面的布线图案200反射。可选择地，像素限定层310可以具有基本上透明的颜色。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，像素限定层310可以包括诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等的有机材料。
发光层330可以设置在下电极290的被像素限定层310暴露的部分上。发光层330可以具有包括发射层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的多层结构。发光层330的EL可以使用能够根据图1中示出的第一子像素、第二子像素和第三子像素产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光和绿颜色的光等)的至少一种发光材料来形成。可选择地，发光层330的EL可以通过堆叠能够产生诸如红颜色的光、绿颜色的光、蓝颜色的光等的不同颜色的光的多种有机发光材料来大致产生白色的光。在一些实施例中，除了EL之外的HIL、HTL、ETL、EIL等可以设置在透明区域III中。
上电极340可以设置在像素限定层310、平坦化层270在透明区域III中的部分以及发光层330上。上电极340可以在子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中覆盖像素限定层310、平坦化层270在透明区域III中的部分以及发光层330，并且可以在像素限定层310、平坦化层270在透明区域III中的部分以及发光层330上沿第一方向D1延伸。即，上电极340可以设置在整个基底110上。上电极340可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或以其合适的组合使用。因此，可以设置包括下电极290、发光层330和上电极340的像素结构。可选择地，上电极340可以不设置在透明区域III中以增大OLED显示装置100的透射率。
包封基底350可以设置在上电极340上。包封基底350和基底110可以包括基本上相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英、人造石英、氟化钙、氟化物掺杂的石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等。在一些示例实施例中，包封基底350可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，包封基底350可以包括柔性透明树脂基底。在这种情况下，为了增加OLED显示装置100的柔性，包封基底350可以包括其中至少一个无机层和至少一个有机层交替地堆叠的堆叠结构。
因为根据示例实施例的OLED显示装置100包括具有开口55的布线图案200，所以OLED显示装置100可以去除围绕透明区域III的不透明的部分(例如，像素限定层310)。因此，OLED显示装置100可以用作可见度得到改善的透明的OLED显示装置。
图4、图5、图6、图7、图8和图9是示出根据示例实施例的制造OLED显示装置的方法的剖视图。
参照图4，可以在基底510上的子像素区域II中形成第一有源层530和第二有源层535。可以使用石英、人造石英、氟化钙、氟化物掺杂的石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等形成基底510。可选择地，可以在基底510上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可以在基底510上沿从透明区域III到子像素区域II的第一方向延伸。即，可以在基底510上整体地形成缓冲层。缓冲层可以防止来自基底510的金属原子和/或杂质的扩散。可以使用氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等形成第一有源层530和第二有源层535。可以在基底510上形成栅极绝缘层550。栅极绝缘层550可以覆盖第一有源层530和第二有源层535，并且可以在基底510上沿第一方向延伸。可以在基底510上的子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中整体地形成栅极绝缘层550。可以使用硅化合物、金属氧化物等形成栅极绝缘层550。可以在其下设置有第一有源层530的栅极绝缘层550上形成第一栅电极570，可以在其下设置有第二有源层535的栅极绝缘层550上形成第二栅电极575。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一栅电极570和第二栅电极575中的每个。
参照图5，可以在第一栅电极570和第二栅电极575上形成第一绝缘中间层590。第一绝缘中间层590可以覆盖第一栅电极570和第二栅电极575，并且可以在栅极绝缘层550上沿第一方向延伸。可以在栅极绝缘层550上的子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中整体地形成第一绝缘中间层590。可以使用硅化合物、金属氧化物等形成第一绝缘中间层590。可以在第一绝缘中间层590上形成金属层577。可以在整个第一绝缘中间层590上形成金属层577。
参照图6，可以通过使金属层577(见图5)图案化来形成布线图案600和导电图案580。例如，可以在第一绝缘中间层590的下面设置有第二栅电极575的部分上形成导电图案580。
可以在第一绝缘中间层590上的子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中形成布线图案600。在示例实施例中，布线图案600可以包括第一布线延伸部603和第二布线延伸部605。如图2和图6共同所示，第一布线图案603可以具有第一宽度W1，可以位于透明区域III中。第二布线延伸部605可以具有比第一宽度W1小的第二宽度W2，并且可以位于不透明区域IV和子像素区域II中。第一布线延伸部603可以具有包括多个开口455的网状结构，并且第二布线延伸部605可以具有沿第一方向D1延伸的条形的平面形状。第一布线延伸部603和第二布线延伸部605可以彼此电连接，并且可以一体地形成。第二布线延伸部605可以设置在子像素区域II中，并且可以电连接到第一半导体元件650和/或第二半导体元件655(在图7中示出)。
布线图案600可以是金属布线(例如，电源电压布线、扫描信号布线、数据信号布线、发射信号布线等)。布线图案600可以经由透明区域III中的开口455透射从外部入射的光。构成第一布线延伸部603的每条线的宽度W3可以形成为大约2.0微米以下，使得第一布线延伸部603不被OLED显示装置的用户识别到。
可以在透明区域III中规则地布置第一布线延伸部603的开口455。开口455的形状均可以具有四边形开口、菱形开口、三角形开口、多边形开口、圆形开口、跑道形开口或椭圆形开口的平面形状。可以使用相同的材料同时地形成第一布线延伸部603、第二布线延伸部605和导电图案580。在示例实施例中，布线图案600和导电图案580中的每个可以具有沿垂直于基底510的上表面的第三方向D3延伸的相同的高度。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成布线图案600和导电图案580中的每个。例如，布线图案600和导电图案580中的每个可以包括Al、铝的合金、AlNx、Ag、银的合金、W、WNx、Cu、铜的合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼的合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、SnOx、InOx、GaOx、ITO、IZO等。这些可以单独使用或以其合适的组合使用。在示例实施例中，布线图案600和导电图案580中的每个可以具有多层结构。所述多层结构可以是Ti/Al/Ti或Mo/Al。
参照图7，可以在第一布线延伸部603、第二布线延伸部605和导电图案580上形成第二绝缘中间层595。第二绝缘中间层595可以在透明区域III、子像素区域II和不透明区域IV中覆盖第一布线延伸部603、第二布线延伸部605和导电图案580，并且可以在第一绝缘中间层590上沿第一方向D1延伸。即，可以在整个第一绝缘中间层590上形成第二绝缘中间层595。可以使用硅化合物、金属氧化物等形成第二绝缘中间层595。
可以在第二绝缘中间层595上形成第一源电极610和第二源电极615以及第一漏电极630和第二漏电极635。第一源电极610和第二源电极615中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层550、第一绝缘中间层590和第二绝缘中间层595的一部分形成的接触孔与第一有源层530和第二有源层535的第一侧(例如，源区)接触。第一漏电极630和第二漏电极635中的每个可以经由通过去除栅极绝缘层550、第一绝缘中间层590和第二绝缘中间层595的一部分形成的接触孔与第一有源层530和第二有源层535的第二侧(例如，漏区)接触。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一源电极610和第二源电极615以及第一漏电极630和第二漏电极635中的每个。这些材料可以单独使用或以其合适的组合使用。因此，可以形成包括第一有源层530、第一栅电极570、第一源电极610、第一漏电极630、栅极绝缘层550、第一绝缘中间层590和第二绝缘中间层595的第一半导体元件650，并且可以形成包括第二有源层535、第二栅电极575、第二源电极615、第二漏电极635、栅极绝缘层550、第一绝缘中间层590和第二绝缘中间层595的第二半导体元件655。另外，可以形成包括第二栅电极575和导电图案580的存储电容器。
参照图8，可以在第二绝缘中间层595上形成平坦化层670。平坦化层670可以覆盖第一源电极610和第二源电极615以及第一漏电极630和第二漏电极635，并且可以在第二绝缘中间层595上沿第一方向D1延伸。可以在基底510上的子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中整体地形成平坦化层670。可以使用有机材料或无机材料形成平坦化层670。可以在平坦化层670上形成下电极690。下电极690可以经由通过去除平坦化层670的一部分形成的接触孔与第一半导体元件650的第一漏电极630接触。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成下电极690。可以在平坦化层670的一部分和下电极690的一部分上形成像素限定层710。可以在平坦化层670上形成像素限定层710，使得像素限定层710暴露下电极690的一部分和透明区域III。可以使用有机材料或无机材料形成像素限定层710。
参照图9，可以在下电极690的由像素限定层710暴露的部分上形成发光层730。可以使用能够根据图1中示出的第一子像素、第二子像素和第三子像素产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光和绿颜色的光等)的至少一种发光材料形成发光层730。可以在像素限定层710和发光层730上形成上电极740。上电极740可以在子像素区域II、透明区域III和不透明区域IV中覆盖像素限定层710、平坦化层670的在透明区域III中的部分和发光层730，并且可以在像素限定层710、平坦化层670在透明区域III中的部分和发光层730上沿第一方向D1延伸。即，可以在整个基底510上形成上电极740。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成上电极740。这些材料可以单独使用或以其合适的组合使用。
可以在上电极740上形成包封基底750。包封基底750和基底510可以包括基本上相同的材料。例如，可以使用石英、人造石英、氟化钙、氟化物掺杂的石英、钠钙玻璃、无碱玻璃等来形成包封基底750。通过在上电极740上执行包封工艺来使包封基底750与基底510结合。因此，可以制造图9中的OLED显示装置。
图10是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的示例的平面图。除了第一布线延伸部209之外，包括在图10中示出的OLED显示装置中的布线图案300可以具有与包括在参照图2描述的OLED显示装置100中的布线图案200的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图10中，将省略对与参照图2描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图1和图10，布线图案300可以设置在基底上的第一子像素区域15、透明区域30和不透明区域35中。在示例实施例中，布线图案300可以包括第一布线延伸部209和第二布线延伸部205。第一布线延伸部209可以具有第一宽度W1，并且可以位于透明区域30中。第二布线延伸部205可以具有第二宽度W2，并且可以位于第一子像素区域15和不透明区域35中。第一布线延伸部209可以具有包括多个开口60的网状结构，第二布线延伸部205可以具有沿从透明区域30到第一子像素区域15的第一方向D1延伸的条形的平面形状。第一布线延伸部209和第二布线延伸部205可以一体地形成。换言之，可以在透明区域30中通过开口60空间地划分布线图案300。可选择地，第二布线延伸部205可以仅设置在不透明区域35中。
围绕开口60的网状结构(例如，构成第一布线延伸部209的每条线的宽度)可以形成为大约2.0微米以下，使得网状结构不被OLED显示装置的用户观察到(识别到)。开口60可以规则地布置在透明区域30中。开口60的形状均可以具有四边形开口或正方形开口的平面形状。可选择地，开口60的形状均可以具有三角形开口、菱形开口、多边形开口、圆形开口、跑道形开口或椭圆形开口的平面形状。第一布线延伸部209和第二布线延伸部205可以使用相同的材料同时地形成。可选择地，开口60可以不规则地布置。
图11是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的另一示例的平面图。除了第一布线延伸部211之外，包括在图11中示出的OLED显示装置中的布线图案400可以具有与包括在参照图2描述的OLED显示装置100中的布线图案200的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图11中，将省略对与参照图2描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图1和图11，布线图案400可以包括第一布线延伸部211和第二布线延伸部205。第一布线延伸部211可以具有第一宽度W1，并且可以位于透明区域30中。第二布线延伸部205可以具有第二宽度W2，并且可以位于第一子像素区域15和不透明区域35中。第一布线延伸部211可以具有基本上H形状的布线沿第一方向D1重复地设置的结构。另外，第二布线延伸部205可以具有沿第一方向D1延伸的条形的平面形状。第一布线延伸部211和第二布线延伸部205可以一体地形成。
所述结构(例如，构成第一布线延伸部211的每条线的宽度)可以形成为大约2.0微米以下，使得网状结构不被OLED显示装置的用户观察到。
图12是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的又一示例的平面图。除了第三布线延伸部207之外，包括在图12中示出的OLED显示装置中的布线图案500可以具有与包括在参照图2描述的OLED显示装置100中的布线图案200的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图12中，将省略对与参照图2描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图1和图12，布线图案500可以设置在基底上的第一子像素区域15、透明区域30和不透明区域35中。在示例实施例中，布线图案500可以包括第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和第三布线延伸部207。第一布线延伸部203可以具有沿第二方向D2延伸的第一宽度，并且可以位于透明区域30中。第二布线延伸部205可以具有第二宽度W2，并且可以位于第一子像素区域15和不透明区域35中。第三布线延伸部207可以具有沿第二方向D2延伸的第四宽度，并且可以位于不透明区域35中。这里，第四宽度可以大于第二宽度W2。可选择地，第三布线延伸部207可以形成为第一宽度W1。第三布线延伸部207可以设置在第一布线延伸部203与第二布线延伸部205之间，并且可以在不透明区域35中沿第一方向D1延伸。第一布线延伸部203、第二布线延伸部205和第三布线延伸部207可以一体地形成。在示例实施例中，第三布线延伸部207的第一侧可以与第一布线延伸部203接触，并且第三布线延伸部207的第二侧可以与第二布线延伸部205接触。因为第三布线延伸部207是不透明的，所以第三布线延伸部207可以位于设置在不透明区域35中的像素限定层的下面。这里，像素限定层可以具有不透明的颜色。第三布线延伸部207可以具有沿第二方向D2延伸的条形的平面形状。因为具有第四宽度的第三布线延伸部207的第一侧与具有第一宽度W1的第一布线延伸部203接触，所以可以相对地增大接触面积。即，可以减小布线图案500的布线电阻。
图13是示出包括在图1的OLED显示装置中的布线图案的又一示例的平面图。除了第二布线延伸部206和第三布线延伸部208之外，包括在图13中示出的OLED显示装置中的布线图案700可以具有与参照图2描述的OLED显示装置100中的布线图案200的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图13中，将省略对与参照图2描述的元件基本上相同或基本上相似的详细描述。
参照图1和图13，布线图案700可以设置在基底上的第一子像素区域15、透明区域30和不透明区域35中。在示例实施例中，布线图案700可以包括第一布线延伸部203、第二布线延伸部206和第三布线延伸部208。第一布线延伸部203可以具有沿第二方向D2延伸第一宽度W1，并且可以位于透明区域30中。第二布线延伸部206可以具有第二宽度W2，并且可以位于第一子像素区域15和不透明区域35中。第三布线延伸部208可以具有沿第二方向D2延伸的第四宽度，并且可以位于不透明区域35中。这里，第四宽度可以大于第二宽度W2。可选择地，第三布线延伸部208可以形成为第一宽度W1。
第一布线延伸部203和第三布线延伸部208可以一体地形成，并且可以设置在第二布线延伸部206上。例如，第三布线延伸部208可以与第二布线延伸部206的至少一部分叠置，并且可以通过穿过位于叠置部分的接触孔与第二布线延伸部206接触。因为具有第四宽度的第三布线延伸部208的第一侧与具有第一宽度W1的第一布线延伸部203接触，所以可以相对地增大接触面积。即，可以减小布线图案700的布线电阻。
图14是示出包括图13的布线图案700的OLED显示装置的示例的剖视图。除了布线图案700之外，图14中示出的OLED显示装置可以具有与参照图3A描述的OLED显示装置100的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图14中，将省略对与参照图3A描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图14，OLED显示装置可以包括基底110、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、平坦化层270、第一半导体元件250、第二半导体元件255、布线图案700、像素结构、像素限定层310、包封基底350等。这里，像素结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，第一半导体元件250可以包括第一有源层310、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230。另外，第二半导体元件255可以包括第二有源层135、第二栅电极175、导电图案180、第二源电极215和第二漏电极235。
在示例实施例中，布线图案700可以设置在透明区域III、不透明区域IV和子像素区域II中。布线图案700可以电连接到第一半导体元件250和/或第二半导体元件255。
例如，子像素区域II中可以显示显示器图像，透明区域III中可以透射位于OLED显示装置的背面中的物体的图像。因为OLED显示装置包括布线图案700，所以OLED显示装置可以用作可见度得到改善的透明的OLED显示装置。
布线图案700可以包括第一布线延伸部203、第二布线延伸部206和第三布线延伸部208。在示例实施例中，第二布线延伸部206可以设置在栅极绝缘层150上的子像素区域II和不透明区域IV中。第二布线延伸部206可以与第一栅电极170和第二栅电极175处于同一水平处，第二布线延伸部206以及第一栅电极170和第二栅电极175可以使用相同的材料同时地形成。第二布线延伸部206以及第一栅电极170和第二栅电极175中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
第一布线延伸部203和第三布线延伸部208可以设置在第一绝缘中间层190上。第一布线延伸部203和第三布线延伸部208可以一体地形成。第三布线延伸部208可以在不透明区域IV中与第二布线延伸部206的至少一部分叠置。第三布线延伸部208可以通过穿过接触孔与第二布线延伸部206接触，其中，所述接触孔通过去除第一绝缘中间层190在叠置部分中的至少一部分而形成。第一布线延伸部203、第三布线延伸部208和导电图案180可以设置在同一水平处，并且可以使用相同的材料同时地形成。可选择地，第一布线延伸部203和第三布线延伸部208可以与第一有源层130和第二有源层135设置在同一水平处，第一布线延伸部203和第三布线延伸部208以及第一有源层130和第二有源层135可以使用相同的材料同时地形成。在一些示例实施例中，第一布线延伸部203和第三布线延伸部208、第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235可以设置在同一水平处，并且可以使用相同的材料同时地形成。第一布线延伸部203、第三布线延伸部208和导电图案180中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可选择地，第二布线延伸部206可以仅设置在不透明区域IV中。
图15是示出根据一些示例实施例的OLED显示装置的剖视图。除了布线图案650之外，图15中示出的OLED显示装置可以具有与参照图3A描述的OLED显示装置100的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图15中，将省略对与参照图3A描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图15，OLED显示装置可以包括基底110、栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、平坦化层270、第一半导体元件250、第二半导体元件255、布线图案650、像素结构、像素限定层310、包封基底350等。这里，像素结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，第一半导体元件250可以包括第一有源层310、第一栅电极170、第一源电极210和第一漏电极230。另外，第二半导体元件255可以包括第二有源层135、第二栅电极175、导电图案180、第二源电极215和第二漏电极235。
在示例实施例中，布线图案650可以设置在透明区域III、不透明区域IV和子像素区域II中。布线图案650可以电连接到第一半导体元件250和/或第二半导体元件255。
布线图案650可以包括第一布线延伸部203、第二布线延伸部211和第三布线延伸部209。在示例实施例中，第二布线延伸部211可以与第一有源层130和第二有源层135位于同一水平处，第二布线延伸部211以及第一有源层130和第二有源层135可以使用相同的材料同时地形成。第二布线延伸部211以及第一有源层130和第二有源层135中的每个可以由氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成。在形成第二布线延伸部211以及第一有源层130和第二有源层135之后，通过执行杂质注入工艺，第二布线延伸部211以及第一有源层130和第二有源层135的源区和漏区均可以用作金属。
第一布线延伸部203和第三布线延伸部209可以设置在第一绝缘中间层190上。第一布线延伸部203和第三布线延伸部209可以一体地形成。第三布线延伸部209可以在不透明区域IV中与第二布线延伸部211的至少一部分叠置。第三布线延伸部209可以通过穿过接触孔与第二布线延伸部211接触，其中，所述接触孔通过去除第一绝缘中间层190和栅极绝缘层150在叠置区域中的至少一部分而形成。第一布线延伸部203、第三布线延伸部209和导电图案180可以设置在同一水平处，并且可以使用相同的材料同时地形成。可选择地，第一布线延伸部203和第三布线延伸部209可以与第一栅电极170和第二栅电极175设置在同一水平处，第一布线延伸部203和第三布线延伸部209以及第一栅电极170和第二栅电极175可以使用相同的材料同时地形成。在一些示例实施例中，第一布线延伸部203和第三布线延伸部209、第一源电极210和第二源电极215以及第一漏电极230和第二漏电极235可以设置在同一水平处，并且可以使用相同的材料同时地形成。第一布线延伸部203、第三布线延伸部209和导电图案180中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可选择地，第二布线延伸部211可以仅设置在不透明区域IV中。
图16是示出根据示例实施例的OLED显示装置的平面图。图16中示出的OLED显示装置可以具有与参照图1描述的OLED显示装置的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图16中，将省略对与参照图1描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图16，OLED显示装置可以包括多个像素区域10。多个像素区域中的一个像素区域10可以包括第一子像素区域15、第二子像素区域20、第三子像素区域25、透明区域30的一部分和不透明区域35的一部分。例如，像素区域10可以在包括在OLED显示装置中的整个基底上沿第一方向D1和第二方向D2布置。这里，第一方向D1是行方向，第二方向D2是列方向。在示例实施例中，包括在多个像素区域10之中的沿第一方向D1布置的像素区域10中的透明区域30可以在基底上沿第一方向D1延伸，并且可以具有沿第一方向D1延伸的条形的平面形状。例如，在多个像素区域10中的沿第一方向D1布置的像素区域10可以对应于一个透明区域30。
另外，不透明区域35可以围绕第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25，并且可以沿第一方向D1延伸。例如，在第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25中沿第一方向D1重复地布置的第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25可以对应于一个不透明区域35，不透明区域35可以不与第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及透明区域30叠置。
第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分别设置在第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25中。例如，第一子像素可以发射红颜色的光，第二子像素可以发射绿颜色的光。另外，第三子像素可以发射蓝颜色的光。第一子像素、第二子像素和第三子像素可以设置在基底上的同一水平处。
在透明区域30中，从外部入射的光可以经由透明区域30透射。
在不透明区域35中，可以设置包括在OLED显示装置中的像素限定层。例如，第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25可以基本由像素限定层围绕。即，第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25可以由像素限定层限定，像素限定层可以暴露第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及透明区域30。像素限定层可以围绕第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25，并且可以沿第一方向D1延伸。另外，像素限定层可以具有沿第一方向D1延伸的条形的平面形状。换言之，像素限定层可以设置在除了第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及透明区域30之外的部分中。可选择地，像素限定层可以暴露第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25，并且可以设置在透明区域30中。
在示例实施例中，布线图案200可以设置在基底上的第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25、透明区域30以及不透明区域35中。例如，布线图案200可以设置在多个像素区域10之中的沿第二方向D2布置的像素区域10中。换言之，布线图案200可以在基底上沿第二方向D2延伸。另外，布线图案200可以在透明区域30中具有第一宽度，并且可以在第一子像素区域15、第二子像素区域20和第三子像素区域25以及不透明区域35中具有第二宽度。这里，第二宽度可以小于第一宽度。
布线图案200可以是金属布线或导电布线(例如，电源电压布线、扫描信号布线、数据信号布线、发射信号布线等)。例如，布线图案200可以是发射信号布线，并且可以将发射信号提供到包括在OLED显示装置中的至少一个半导体元件。与根据示例实施例的OLED显示装置相比，包括在传统的OLED显示装置中的导电布线可以设置在围绕透明区域30的像素限定层下面，因为导电布线是不透明的，所以围绕透明区域30的部分会是不透明的。因此，由于不透明的部分而会在传统的OLED显示装置中产生光透过透明区域30的衍射现象。因为根据示例实施例的OLED显示装置包括布线图案200，所以可以去除围绕透明区域30的不透明的部分(例如，沿第二方向D2穿过透明区域30的不透明的部分)。因此，可以改善OLED显示装置的可见度。另外，布线图案200可以在透明区域30中具有至少一个开口，从外部入射的光可以经由开口透射。例如，尽管布线图案200设置在透明区域30中，但是可以经由开口透射位于OLED显示装置的背面处的物体的图像。因此，OLED显示装置可以用作透明的OLED显示装置。
在示例实施例中，三个布线图案200可以设置在一个像素区域10中，但是不限于此。
本申请可以应用于包括有机发光二极管显示器件的各种显示装置。例如，本申请可以应用于车辆显示装置、船显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或信息传递的显示装置、医疗显示装置等。
前述是示例实施例的解释，且不解释为其的限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域的技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖性教导和特征的情况下，示例实施例中可以存在许多修改。因此，所有这样的修改意图包括在权利要求所限定的本发明构思的范围内。因此，将理解的是，前述是各种示例实施例的解释，而非解释为被限制于公开的具体示例实施例，对公开的示例实施例进行的修改以及其他示例实施例意图包括在所附权利要求的范围内。

Claims (22)

1.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：
基底，包括均具有子像素区域和透明区域的多个像素区域；
像素结构，在所述基底上的所述子像素区域中；以及
布线，在所述基底上的所述透明区域和所述子像素区域中，所述布线电连接到所述像素结构，所述布线沿第一方向在所述像素区域中连续地延伸，所述布线在所述透明区域中具有至少一个开口。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述布线沿从所述透明区域到所述子像素区域的所述第一方向延伸。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述布线具有所述透明区域中的第一宽度和所述子像素区域中的比所述第一宽度小的第二宽度。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述像素区域沿所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向布置在整个所述基底上；并且
其中，在所述多个像素区域中的沿所述第二方向布置的像素区域中包括的所述透明区域在所述基底上沿所述第二方向延伸，并且具有沿所述第二方向延伸的条形的平面形状。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述像素区域沿所述第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向布置在整个所述基底上，并且
其中，在所述多个像素区域中的沿所述第二方向布置的像素区域对应于一个透明区域。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述像素区域沿所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向布置在整个所述基底上，并且
其中，所述布线设置在所述多个像素区域中的沿所述第一方向布置的所述像素区域中。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述布线在所述透明区域中具有多个开口，并且被所述开口空间地划分开。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开口规则地布置。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开口不规则地布置。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开口的形状均具有三角形开口、多边形开口、圆形开口、跑道形开口或椭圆形开口的平面形状。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开口的所述形状均具有四边形开口的平面形状。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开口的所述形状均具有菱形开口的平面形状。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述基底还包括围绕所述子像素区域的不透明区域，其中，所述不透明区域不与所述子像素区域和所述透明区域叠置，以及
其中，所述有机发光二极管显示装置还包括：
像素限定层，位于所述不透明区域中，所述像素限定层暴露所述子像素区域和所述透明区域；
其中，所述像素限定层围绕所述子像素区域，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，以及
其中，所述像素限定层具有沿所述第二方向延伸的条形的平面形状。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述布线包括：
第一布线延伸部，在所述透明区域中沿所述第一方向延伸，所述第一布线延伸部具有包括多个开口的网状结构；以及
第二布线延伸部，在所述子像素区域和所述不透明区域中沿所述第一方向延伸。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一布线延伸部和所述第二布线延伸部一体地形成。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述布线还包括：
第三布线延伸部，置于所述第一布线延伸部与所述第二布线延伸部之间，所述第三布线延伸部在所述不透明区域中沿所述第一方向延伸，所述第三布线延伸部具有比所述第二布线延伸部的宽度大的宽度。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第三布线延伸部的第一侧与所述第一布线延伸部接触，所述第三布线延伸部的第二侧与所述第二布线延伸部接触，以及
其中，所述第一布线延伸部、所述第二布线延伸部和所述第三布线延伸部一体地形成。
18.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述像素限定层具有不透明的颜色，所述第三布线延伸部设置在所述像素限定层下面。
19.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括：
半导体元件，位于所述基底上的所述子像素区域中，所述半导体元件电连接到所述像素结构，
其中，所述半导体元件包括：在所述基底上的有源层，所述有源层包括源区和漏区；在所述有源层上的栅电极；在所述栅电极上的导电图案；在所述导电图案上的源电极，所述源电极与所述有源层的所述源区接触；与所述源电极分隔开的漏电极，所述漏电极与所述有源层的所述漏区接触。
20.根据权利要求19所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述布线和所述导电图案位于同一水平处，所述布线和所述导电图案使用相同的材料同时地形成。
21.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括：
第三布线延伸部，在所述不透明区域中沿所述第一方向延伸，所述第三布线延伸部具有比所述第二布线延伸部的宽度大的宽度，
其中，设置在所述透明区域中的所述第一布线延伸部和设置在所述不透明区域中的所述第三布线延伸部一体地形成，所述第一布线延伸部和所述第三布线延伸部设置在被设置于所述子像素区域中的所述第二布线延伸部上。
22.根据权利要求21所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第三布线延伸部与所述第二布线延伸部的至少一部分叠置，并且通过位于所述叠置部分中的接触孔与所述第二布线延伸部接触。
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