CN112467960B - 一种igbt均压电路及变频器 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种IGBT均压电路以及变频器，IGBT均压电路包括箝位电路以及拖尾均压电路；箝位电路用于与IGBT连接；拖尾均压电路与箝位电路连接，且用于与IGBT连接；箝位电路包括k个基本箝位单元，每个基本箝位单元对应一个箝位电压；若基本箝位单元两端的电压超过其对应的箝位电压，基本箝位单元导通以减缓所述IGBT的电压变化率，其中，k为整数，且k≥1；拖尾均压电路对应拖尾箝位电压；在IGBT关断后的电流拖尾阶段中，若拖尾均压电路两端的电压超过拖尾箝位电压，拖尾均压电路导通以限制IGBT电压上升并将其箝位在设定电压以下。本发明的技术方案具有拓展性强以及适用性广的特点，且可以避免IGBT在关断后的电流拖尾阶段中发生电压失衡。

Description

一种IGBT均压电路及变频器

技术领域

本发明涉及变频器技术领域，尤其涉及一种IGBT均压电路及变频器。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是中高压传动领域常用的功率半导体器件，以及调制和控制算法的执行单元，其耐压等级很大程度上影响了变频器功率拓扑选型、控制算法复杂度、整机成本体积以及运行效率等关键指标。近年来，中高压变频器朝着节能环保、国产化替代以及高可靠性的趋势快速发展。应用IGBT串联技术可以有效拓展变频器电压等级、取代国产率较低的高压IGBT器件、降低器件开关损耗、提升变频器载波频率、降低半导体器件成本占比和供货期等显著优势。此外，采用IGBT串联技术还可以简化中高压变频器的拓扑结构，调制和控制算法得以简化，变频器可靠性得到提升。

应用IGBT串联技术的中高压变频器包含1个直流母线电容、三相(u，v，w)逆变桥臂和三相输出电抗器(Lu，Lv，Lw)。其中，每相桥臂由上下开关单元构成，每个开关单元由N个IGBT(N为≥2的整数)的集电极和发射极首尾串联组成。每个IGBT通过一个或多个均压电路确保每个IGBT在截止时分得母线电压的1/N、在开关瞬态时电压均衡分配。根据均压电路与IGBT的连接关系不同，均压电路包含连接在集电极和发射极之间的被动均压方案和连接在集电极和栅极之间的主动均压方案。

在现有技术中，串联IGBT的均压电路有以下三种方式：

专利号为US5946178的美国专利“串联功率半导体器件保护电路”利用二极管限制缓冲电容完全放电，再利用箝位二极管决定电容的放电程度。但缓冲电容的工作电压较高，耐压要求高，寄生电阻大，损耗较大。

IEEE文献“Switching Voltage Transient Protection Schemes for HighCurrent IGBT Modules”直接采用箝位二极管对集电极-栅极电压进行箝位，超过箝位电压后向栅极注入电流主动调控集电极-发射极电压变化率。但箝位电压仅可设置单个等级，对不同工况和电压失衡度的适应性较差。

专利号为CN102931822B的中国发明专利“基于主电路脉冲的高压IGBT串联主动均压装置”利用高速采样电路检测串联IGBT的电压失衡度，通过驱动脉冲延迟调整进行主动均压控制。但高速采样电路对均压器件的精度和速度要求较高，增加了成本。

发明内容

本发明实施例提出一种IGBT均压电路及变频器，旨在解决现有均压电路箝位电压单一，拓展性差的问题。

为了解决上述问题，第一方面，本发明实施例提出一种IGBT均压电路，所述IGBT均压电路包括箝位电路以及拖尾均压电路；所述箝位电路用于与IGBT连接；所述拖尾均压电路与所述箝位电路连接，且用于与所述IGBT连接；所述箝位电路包括k个基本箝位单元，每个基本箝位单元对应一个箝位电压；若所述基本箝位单元两端的电压超过其对应的箝位电压，所述基本箝位单元导通以减缓所述IGBT的电压变化率，其中，k为整数，且k≥1；所述拖尾均压电路对应拖尾箝位电压；在所述IGBT关断后的电流拖尾阶段中，若所述拖尾均压电路两端的电压超过其对应的拖尾箝位电压，所述拖尾均压电路导通以限制所述IGBT的电压上升并将其箝位在设定电压以下。

其进一步的技术方案为，所述基本箝位单元包括箝位二极管、限流电阻、缓冲电容以及复位电阻；所述箝位二极管的正极与所述限流电阻连接，所述限流电阻与所述缓冲电容连接，所述复位电阻与所述缓冲电容并联。

其进一步的技术方案为，所述箝位电路包括多个依次连接的基本箝位单元；从第一个基本箝位单元开始，后一个基本箝位单元的箝位二极管的负极与前一个基本箝位单元的限流电阻连接；后一个基本箝位单元的缓冲电容与前一个基本箝位单元的缓冲电容连接。

其进一步的技术方案为，所述箝位电路包括多个依次连接的基本箝位单元；从第一个基本箝位单元开始，后一个基本箝位单元的箝位二极管的负极与前一个基本箝位单元的箝位二极管的正极连接；后一个基本箝位单元的缓冲电容与前一个基本箝位单元的缓冲电容连接。

其进一步的技术方案为，所述IGBT均压电路还包括整流二极管，所述整流二极管的正极与所述IGBT的集电极连接，所述整流二极管的负极与第一个基本箝位单元的箝位二极管的负极连接。

其进一步的技术方案为，各基本箝位单元的缓冲电容均与所述IGBT的发射极连接。

其进一步的技术方案为，各基本箝位单元的缓冲电容均与所述IGBT的栅极连接。

其进一步的技术方案为，所述拖尾均压电路包括拖尾二极管以及拖尾电阻，所述拖尾二极管的负极与最后一个基本箝位单元的限流电阻连接，所述拖尾二极管的正极与所述拖尾电阻连接，所述拖尾电阻与所述IGBT的发射极连接。

其进一步的技术方案为，所述拖尾均压电路包括拖尾二极管以及拖尾电阻，所述拖尾二极管的负极与最后一个基本箝位单元的箝位二极管的正极连接，所述拖尾二极管的正极与所述拖尾电阻连接，所述拖尾电阻与所述IGBT的发射极连接。

第二方面，本发明实施例提出一种变频器，所述变频器包括如第一方面所述的IGBT均压电路。

与现有技术相比，本发明实施例所能达到的技术效果包括：

本发明的技术方案应用在采用IGBT串联技术的中高压变频器中，IGBT均压电路可根据IGBT的实际工况灵活增加/减少基本箝位单元，调整箝位电压的数量，以满足不同工况下各串联IGBT的电压均衡，具有拓展性强以及适用性广的特点。通过拖尾均压电路还可以避免所述IGBT在关断后的电流拖尾阶段中发生电压失衡。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提出的一种IGBT均压电路的示意框图；

图2为本发明实施例1提出的一种IGBT均压电路的电路图；

图3为本发明实施例2提出的一种IGBT均压电路的电路图；

图4为本发明实施例3提出的一种IGBT均压电路的电路图；

图5为本发明实施例4提出的一种IGBT均压电路的电路图；

图6为本发明实施例提出的一种变频器的单相逆变器的电路图；

图7为图6所示的单相逆变器在关断时IGBT串联组件的电压电流波形图；

图8为本发明另一实施例提出的一种变频器的单相逆变器的电路图；

图9为图8所示的单相逆变器在关断时IGBT串联组件的电压电流波形图。

附图标记

IGBT10、箝位电路20、基本箝位单元21、拖尾均压电路30、GDU40以及IGBT均压电路100。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本发明实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明实施例。如在本发明实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

参见图1，本发明实施例提出一种IGBT均压电路，由图可知，所述IGBT均压电路包括箝位电路20以及拖尾均压电路30。

所述箝位电路20用于与IGBT10连接；所述箝位电路20包括k个基本箝位单元21。其中，k为整数，且k≥1。例如，k为2、3或者4等，对此，本发明不作具体限定。

本发明中，每个基本箝位单元21对应一个箝位电压，当基本箝位单元21两端的电压超过其对应的箝位电压时，所述基本箝位单元21导通以减缓所述IGBT10的电压变化率，使得IGBT10的电压更加均衡。

所述拖尾均压电路30与所述箝位电路20连接，且用于与所述IGBT10连接。所述拖尾均压电路30对应拖尾箝位电压。

IGBT10在关断后，电流先有一个迅速下降的阶段，然后接着有一个缓慢下降的阶段，上述电流缓慢下降的阶段即为电流拖尾阶段。电流拖尾阶段中，IGBT10容易产生电压失衡。

为了避免IGBT10在电流拖尾阶段中发生电压失衡，本发明的IGBT均压电路包括拖尾均压电路30。在所述IGBT10关断后的电流拖尾阶段中，若所述拖尾均压电路30两端的电压超过其对应的拖尾箝位电压，所述拖尾均压电路30导通以限制所述IGBT10的电压上升并将其箝位在设定电压以下。

本发明的技术方案应用在采用IGBT串联技术的中高压变频器中，IGBT均压电路可根据IGBT的实际工况灵活增加/减少基本箝位单元，调整箝位电压的数量，以满足不同工况下各串联IGBT的电压均衡，具有拓展性强以及适用性广的特点。通过拖尾均压电路还可以避免所述IGBT在关断后的电流拖尾阶段中发生电压失衡。

参见图2，在本发明的实施例1中，所述IGBT均压电路包括整流二极管Dp、箝位电路20以及拖尾均压电路30。

本实施例中，箝位电路20包括k个基本箝位单元21。其中，k为整数，且k≥1。

所述基本箝位单元21包括箝位二极管Zp、限流电阻Rp、缓冲电容Cp以及复位电阻Rrst；所述箝位二极管Zp的正极与所述限流电阻Rp连接，所述限流电阻Rp与所述缓冲电容Cp连接，所述复位电阻Rrst与所述缓冲电容Cp并联。复位电阻Rrst在IGBT10开通时为缓冲电容Cp放电，使缓冲电容Cp的电压复位。

本实施例中，基本箝位单元21的箝位二极管Zp和限流电阻Rp、缓冲电容Cp为串联连接，箝位二极管Zp限制缓冲电容Cp的充电范围，可有效降低缓冲电容Cp的电压应力，因此可选用电压等级较低、容值较小、寄生电阻较小的缓冲电容Cp，从而降低能量损耗。

在箝位电路20包括多个基本箝位单元21时，从第一个基本箝位单元21开始，后一个基本箝位单元21的箝位二极管Zp的负极与前一个基本箝位单元21的限流电阻Rp连接；后一个基本箝位单元21的缓冲电容Cp与前一个基本箝位单元21的缓冲电容Cp连接。即，后一个基本箝位单元21从前一个基本箝位单元21的缓冲电容Cp的两端引出。

进一步地，所述整流二极管Dp的正极与所述IGBT10的集电极连接，所述整流二极管Dp的负极与第一个基本箝位单元21的箝位二极管Zp的负极连接。整流二极管Dp为箝位电路20缓冲电容Cp提供单向充电路径，同时避免缓冲电容Cp与变频器主回路杂散电感发生谐振。

进一步地，各基本箝位单元21的缓冲电容Cp均与所述IGBT10的发射极连接。可见，在实施例1中，箝位电路20连接在IGBT10的集电极和发射极之间，其均压方式为被动均压。

进一步地，所述拖尾均压电路30包括拖尾二极管Ztail以及拖尾电阻Rtail，所述拖尾二极管Ztail的负极与最后一个基本箝位单元21的限流电阻Rp连接，所述拖尾二极管Ztail的正极与所述拖尾电阻Rtail连接，所述拖尾电阻Rtail与所述IGBT10的发射极连接。拖尾均压电路30亦有对应的箝位电压。

在应用IGBT串联技术的中高压变频器中，当串联IGBT10在电流拖尾阶段发生分压失衡，某个IGBT10两端电压超过拖尾阶段箝位电压时，拖尾均压电路30导通，以限制电压失衡进一步恶化。

可以理解地，在箝位电路20包括一个基本箝位单元21时，则该基本箝位单元21的箝位二极管Zp的负极与所述整流二极管Dp的负极连接；该基本箝位单元21的限流电阻Rp与所述拖尾二极管Ztail的负极连接。

进一步地，IGBT10与GDU40连接。GDU40(Gate Drive Unit，门极驱动单元)是一种用以驱动控制IGBT10的可编程印制电路板。

参见图3，在本发明的实施例2中，所述IGBT均压电路包括整流二极管Dp、箝位电路20以及拖尾均压电路30。

本实施例中，箝位电路20包括k个基本箝位单元21。其中，k为整数，且k≥1。

所述基本箝位单元21包括箝位二极管Zp、限流电阻Rp、缓冲电容Cp以及复位电阻Rrst；所述箝位二极管Zp的正极与所述限流电阻Rp连接，所述限流电阻Rp与所述缓冲电容Cp连接，所述复位电阻Rrst与所述缓冲电容Cp并联。复位电阻Rrst在IGBT10开通时为缓冲电容Cp放电，使缓冲电容Cp的电压复位。

本实施例中，基本箝位单元21的箝位二极管Zp和限流电阻Rp、缓冲电容Cp为串联连接，箝位二极管Zp限制缓冲电容Cp的充电范围，可有效降低缓冲电容Cp的电压应力，因此可选用电压等级较低、容值较小、寄生电阻较小的缓冲电容Cp，从而降低能量损耗。

在箝位电路20包括多个基本箝位单元21时，从第一个基本箝位单元21开始，后一个基本箝位单元21的箝位二极管Zp的负极与前一个基本箝位单元21的箝位二极管Zp的正极连接；后一个基本箝位单元21的缓冲电容Cp与前一个基本箝位单元21的缓冲电容Cp连接。即，后一个基本箝位单元21从前一个基本箝位单元21的限流电阻Rp与缓冲电容Cp组成的整体的两端引出。

进一步地，所述整流二极管Dp的正极与所述IGBT10的集电极连接，所述整流二极管Dp的负极与第一个基本箝位单元21的箝位二极管Zp的负极连接。整流二极管Dp为箝位电路20缓冲电容Cp提供单向充电路径，同时避免缓冲电容Cp与变频器主回路杂散电感发生谐振。

进一步地，各基本箝位单元21的缓冲电容Cp均与所述IGBT10的发射极连接。可见，在实施例2中，箝位电路20连接在IGBT10的集电极和发射极之间，其均压方式为被动均压。

进一步地，所述拖尾均压电路30包括拖尾二极管Ztail以及拖尾电阻Rtail，所述拖尾二极管Ztail的负极与最后一个基本箝位单元21的箝位二极管Zp的正极连接，所述拖尾二极管Ztail的正极与所述拖尾电阻Rtail连接，所述拖尾电阻Rtail与所述IGBT10的发射极连接。拖尾均压电路30亦有对应的箝位电压。

在应用IGBT串联技术的中高压变频器中，当串联IGBT10在电流拖尾阶段发生分压失衡，某个IGBT10两端电压超过拖尾阶段箝位电压时，拖尾均压电路30导通，以限制电压失衡进一步恶化。

可以理解地，在箝位电路20包括一个基本箝位单元21时，则该基本箝位单元21的箝位二极管Zp的负极与所述整流二极管Dp的负极连接；该基本箝位单元21的箝位二极管Zp的正极与所述拖尾二极管Ztail的负极连接。

进一步地，IGBT10与GDU40连接。GDU40(Gate Drive Unit，门极驱动单元)是一种用以驱动控制IGBT10的可编程印制电路板。

参见图4，在本发明的实施例3中，所述IGBT均压电路包括整流二极管Dp、箝位电路20以及拖尾均压电路30。

实施例3与实施例1的区别仅在于：各基本箝位单元21的缓冲电容Cp均与所述IGBT10的栅极连接。可见，在实施例3中，箝位电路20连接在IGBT10的集电极和栅极之间，其均压方式为主动均压。

参见图5，在本发明的实施例4中，所述IGBT均压电路包括整流二极管Dp、箝位电路20以及拖尾均压电路30。

实施例4与实施例2的区别仅在于：各基本箝位单元21的缓冲电容Cp均与所述IGBT10的栅极连接。可见，在实施例4中，箝位电路20连接在IGBT10的集电极和栅极之间，其均压方式为主动均压。

本发明实施例提出一种变频器，所述变频器包括上述任一实施例所述的IGBT均压电路。

具体地，参见图6，在一实施例中，所述变频器的单相逆变器包括母线电容Ct单相桥臂以及输出电抗器Lu。单相桥臂由上下两个开关单元构成，每个开关单元包含两个正向串联的IGBT10(第一个IGBT10的发射极与第二个IGBT10的集电极相连)。在每个IGBT10的集电极与发射极之间连接如图2或者图3所示的IGBT均压电路100，来实现被动均压。

参见图7，在图7中，Vce1为第一个IGBT的集电极的电压，Vce2为第二个IGBT的集电极的电压，Vclmp1为第一级箝位电压(即第一个基本箝位单元的箝位电压)，Vclmpk为k级箝位电压(即第k个基本箝位单元的箝位电压)、Vtail为拖尾箝位电压(即拖尾均压电路的箝位电压)、VDC为平衡分压、Ic为开关单元的电流。

在单相逆变器关断时，开关单元的两个串联的IGBT的电压以及电流的变化趋势分析如下：

由于Vce1先到达第一级箝位电压Vclmp1，其IGBT均压电路的第一个基本箝位单元的箝位二极管击穿，相应的缓冲电容开始充电，从而减缓Vce1的上升速度。此时，IGBT2未触发其IGBT均压电路，Vce2上升速度增加，两个IGBT的电压失衡得到控制。随着IGBT均压电路的第一个基本箝位单元的缓冲电容充电程度加深，到达k级箝位电压Vclmpk(此处k≥2)后，IGBT均压电路的第k个基本箝位单元的箝位二极管被击穿，相应的缓冲电容并入第一个IGBT的集电极-发射极两端，从而进一步限制Vce1的上升速度。此时由于Vce2的上升速度受限较少，两者的分压会进一步得到平衡。直到两个IGBT均进入电流拖尾阶段之前，Vce1和Vce2几乎达到平衡。但由于两者进入拖尾过程的时间不同步，先进入的IGBT拖尾电流在同一时刻会小于后进入的IGBT的拖尾电流，导致给电容的充电电流也存在差异。因此在拖尾阶段，Vce1会因结电容充电电流更大而重新快速上升，直到Vce1达到拖尾箝位电流Vtail时，拖尾均压电路中的拖尾二极管击穿，第一个IGBT两端的等效电阻被拖尾电阻拉低，电压开始回落直到最后两个IGBT的电压趋近平衡分压VDC。由此可见，通过箝位二极管可以限制缓冲电容的充电范围，对比现有方案电容应力较低，损耗相对较小。设置多个基本箝位单元可以根据电压失衡程度自动切入更大的缓冲电容，针对不同的工况都能达到较好的均压效果。在关断IGBT后的电流拖尾阶段，利用拖尾均压电路可以有效避免IGBT关断末期的电压失衡。

参见图8，在一实施例中，所述变频器的单相逆变器包括母线电容Ct单相桥臂以及输出电抗器Lu。单相桥臂由上下两个开关单元构成，每个开关单元包含两个正向串联的IGBT10(第一个IGBT10的发射极与第二个IGBT10的集电极相连)。在每个IGBT10的集电极与栅极之间连接如图2或者图3所示的IGBT均压电路100，来实现主动均压。

参见图9，在图9中，Vce1为第一个IGBT的集电极的电压，Vce2为第二个IGBT的集电极的电压，Vclmp1为第一级箝位电压(即第一个基本箝位单元的箝位电压)，Vclmpk为k级箝位电压(即第k个基本箝位单元的箝位电压)、Vtail为拖尾箝位电压(即拖尾均压电路的箝位电压)、VDC为平衡分压、Ic为开关单元的电流。

在单相逆变器关断时，开关单元的两个串联的IGBT的电压以及电流的变化趋势分析如下：

由于Vce1先到达第一级箝位电压Vclmp1，其IGBT均压电路的第一个基本箝位单元的箝位二极管击穿，相应的缓冲电容开始充电，实现往栅极注入电流导致第一个IGBT内部的MOS沟道电流回升，漂移区的电场建立趋缓，表现为Vce1上升率被栅极主动减缓。此时Vce2仍按正常关断速度快速上升，两个IGBT的分压失衡得到缓解。当IGBT均压电路的第一个基本箝位单元的缓冲电容充电到k级箝位电压Vclmpk时，Vce1达到k级箝位电压Vclmpk，IGBT均压电路的第k个基本箝位单元的缓冲电容开始充电(k≥2)，更大的电流注入到栅极进一步减缓漂移区的载流子抽取速度，Vce1的上升速度得到进一步的限制。两个IGBT的分压在关断拖尾过程前接近均衡。此时两个IGBT的栅极电压下降到负压可靠关断，IGBT均压电路往栅极注入的微弱电流不再影响器件关断过程。但随着Vce1上升，IGBT均压电路的第k个基本箝位单元的缓冲电容进一步充电直到拖尾二极管达到击穿电压，拖尾均压电路接入第一个IGBT的集电极与发射极之间，使得Vce1下降而与Vce2接近平衡。由此可见，对比被动均压电路，主动均压电路在达到箝位电压后向栅极注入电流来主动抑制IGBT漂移区电场的建立速度，从而遏制电压失衡的恶化。由于IGBT沟道电流对集电极-发射极电压的调制作用，主动均压方式的电流和损耗更小，且主动均压的响应更快、效果更好。保留的拖尾均压电路同样可以实现电流拖尾阶段的电压均衡。

由于本发明利用多级箝位的方式，对单个器件的精度要求较低，且器件的应力和损耗相对现有方案较小，在快速实现被动、主动均压的同时，成本得到有效的控制。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，尚且本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

以上所述，为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种IGBT均压电路，其特征在于，包括箝位电路以及拖尾均压电路；所述箝位电路用于与IGBT连接；所述拖尾均压电路与所述箝位电路连接，且用于与所述IGBT连接；所述箝位电路包括k个基本箝位单元，每个基本箝位单元对应一个箝位电压；若所述基本箝位单元两端的电压超过其对应的箝位电压，所述基本箝位单元导通以减缓所述IGBT的电压变化率，其中，k为整数，且k≥1；所述拖尾均压电路对应拖尾箝位电压；在所述IGBT关断后的电流拖尾阶段中，若所述拖尾均压电路两端的电压超过其对应的拖尾箝位电压，所述拖尾均压电路导通以限制所述IGBT的电压上升并将其箝位在设定电压以下；

所述基本箝位单元包括箝位二极管、限流电阻、缓冲电容以及复位电阻；所述箝位二极管的正极与所述限流电阻连接，所述限流电阻与所述缓冲电容连接，所述复位电阻与所述缓冲电容并联；

所述箝位电路包括多个依次连接的基本箝位单元；从第一个基本箝位单元开始，后一个基本箝位单元的箝位二极管的负极与前一个基本箝位单元的限流电阻连接；后一个基本箝位单元的缓冲电容与前一个基本箝位单元的缓冲电容连接，或者，从第一个基本箝位单元开始，后一个基本箝位单元的箝位二极管的负极与前一个基本箝位单元的箝位二极管的正极连接；后一个基本箝位单元的缓冲电容与前一个基本箝位单元的缓冲电容连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT均压电路，其特征在于，所述IGBT均压电路还包括整流二极管，所述整流二极管的正极与所述IGBT的集电极连接，所述整流二极管的负极与第一个基本箝位单元的箝位二极管的负极连接。

3.根据权利要求2所述的IGBT均压电路，其特征在于，各基本箝位单元的缓冲电容均与所述IGBT的发射极连接。

4.根据权利要求2所述的IGBT均压电路，其特征在于，各基本箝位单元的缓冲电容均与所述IGBT的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的IGBT均压电路，其特征在于，所述拖尾均压电路包括拖尾二极管以及拖尾电阻，所述拖尾二极管的负极与最后一个基本箝位单元的限流电阻连接，所述拖尾二极管的正极与所述拖尾电阻连接，所述拖尾电阻与所述IGBT的发射极连接。

6.根据权利要求1所述的IGBT均压电路，其特征在于，所述拖尾均压电路包括拖尾二极管以及拖尾电阻，所述拖尾二极管的负极与最后一个基本箝位单元的箝位二极管的正极连接，所述拖尾二极管的正极与所述拖尾电阻连接，所述拖尾电阻与所述IGBT的发射极连接。

7.一种变频器，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的IGBT均压电路。

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