CN112437236A - 像素曝光方法 - Google Patents

像素曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112437236A
CN112437236A CN202011328532.XA CN202011328532A CN112437236A CN 112437236 A CN112437236 A CN 112437236A CN 202011328532 A CN202011328532 A CN 202011328532A CN 112437236 A CN112437236 A CN 112437236A
Authority
CN
China
Prior art keywords
exposure
pixel
photodiode
floating diffusion
reset
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011328532.XA
Other languages
English (en)
Inventor
马成
王欣洋
刘洋
李扬
郭杨钰
李卓
谷建超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd
Original Assignee
Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd filed Critical Changchun Changguangchenxin Optoelectronics Technology Co ltd
Priority to CN202011328532.XA priority Critical patent/CN112437236A/zh
Publication of CN112437236A publication Critical patent/CN112437236A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/73—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明提供一种像素曝光方法，包括如下步骤：S1、采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第一帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第一曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中；S2、对光电二极管进行复位，再次采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第二帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第二曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中；S3、先后将全部的第一曝光电荷和全部的第二曝光电荷从存储二极管转移至浮动扩散节点，并逐行读出。本发明通过改变像素的控制时序，在不损失时间分辨率及空间分辨率的前提下，拍摄高速运动的物体时，可有效抑制图像的运动伪影。

Description

像素曝光方法
技术领域
本发明涉及图像处理技术领域，特别涉及一种实现高动态范围的像素曝光方法。
背景技术
人类的眼睛能够探测大于160dB的动态范围，然而如今大部分的图像传感器只能记录大约70dB的动态范围。所以人们对于高动态范围的图像传感器的需求从未停止过。如今有很多方案能够提高成像系统的动态范围。
常见的提高动态范围的方式是对同一个场景采集两张图像，然后进行合成，这两张图像的曝光时间一长一短，长短曝光时序如图1所示，先进行短曝光读出短曝光结果，再进行长曝光读出长曝光结果。对于短曝光的图像，光信号较弱的像素因读出噪音的原因，导致信息丢失。对于长曝光的图像，光信号比较强的像素因受到饱和满阱的限制，导致其信息丢失。因此，在进行图像合成时，高光照的区域使用短曝光图像中的信息，低光照的区域使用长曝光图像中的信息，合成后的高动态图像将光信号强和弱的像素信息都保留下来。这种方式的问题是两张图像的曝光速度是一张图像曝光速度的一倍，当拍摄高速运动的物体时，由于长短曝光时间间隔较长，易产生运动伪影。
为了抑制运动伪影，可以采用牺牲分辨率的方式来避免帧频的下降。如：在同一帧图像中对奇偶行像素采用不同的曝光时间，因为其曝光时间在同一帧中，奇偶行长短曝光的时间差比两帧之间进行长短曝光的时间间隔要小很多，对合成图像运动伪影现象的抑制有很大帮助。这种方式可以保持帧频不变，但空间分辨率会下降两倍。
因此，传统的提升图像传感器动态范围的方法，或损失空间分辨率(有效阵列大小)，或损失时间分辨率(帧频)，无做到两全其美。
发明内容
本发明旨在克服现有技术存在的缺陷，提出以一种像素曝光方法，通过改变像素的控制时序，在不损失时间分辨率及空间分辨率的前提下，可有效抑制图像的运动伪影。
具体地，本发明提供的像素曝光方法，包括如下步骤：
S1、采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第一帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第一曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中；
S2、对光电二极管进行复位，再次采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第二帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第二曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中；
S3、先后将全部的第一曝光电荷和全部的第二曝光电荷从存储二极管转移至浮动扩散节点，并逐行读出。
优选地，在步骤S2中，对光电二极管进行复位的过程如下：
通过脉冲信号控制像素复位晶体管的高低电平，对光电二极管进行复位。
优选地，通过寄存器对脉冲信号的脉冲宽度进行调节。
优选地，步骤S1包括如下步骤：
分别对光电二极管、浮动扩散节点、存储二极管进行复位，清除各自内部存储的电荷；
将第一电荷转移晶体管调节为高电平，使光电二极管存储的第一曝光电荷转移到存储二极管中。
优选地，步骤S2包括如下步骤：
再次将第一电荷转移晶体管调节为高电平，使光电二极管存储的第二曝光电荷转移到存储二极管中。
优选地，步骤S3包括如下步骤：
S310、将第二电荷转移晶体管调节为高电平，使存储二极管内存储的第一曝光电荷转移到浮动扩散节点中；
S320、控制选择晶体管的高低电平，通过读出电路逐行读出存储在浮动扩散节点的第一曝光电荷所对应的第一曝光结果电压；
S330、控制复位晶体管的高低电平，对浮动扩散节点进行复位，并通过读数电路读出浮动扩散节点的第一曝光复位电压；
S340、通过读出电路对第一曝光复位电压与第一曝光结果电压进行相减，将相减后的电压转换为数字信号输出；
S350、通过控制复位晶体管的高低电平，再次对浮动扩散节点进行复位，并控制选择晶体管的高低电平，通过读出电路逐行读出第二曝光复位电压；
S360、将第二电荷转移晶体管调节为高电平，使存储二极管内存储的第二曝光电荷转移到浮动扩散节点中；
S370、控制选择晶体管的高低电平，通过读出电路逐行读出存储在浮动扩散节点的第二曝光电荷所对应的第二曝光结果电压；
S380、通过读出电路对第二曝光复位电压与第二曝光结果电压进行相减，将相减后的电压转换为数字信号输出。
优选地，第一帧曝光时间长于或短于第二帧曝光时间。
优选地，在步骤S310中，第一曝光电荷的转移在第一帧曝光与第二帧曝光的间隔时间中进行或在第二帧曝光的开始阶段进行。
与现有技术相比，本发明能够取得以下技术效果：
1、采用全局快门曝光的长短曝光方式，未降低图像传感器的时间分辨率和空间分辨率。
2、通过改变像素的控制时序，在不损失时间分辨率及空间分辨率的前提下，拍摄高速运动的物体时，可有效抑制图像的运动伪影。
附图说明
图1是传统的长短曝光的时序示意图；
图2是根据本发明一个实施例的全局快门像素的结构示意图；
图3是根据本发明一个实施例的像素曝光方法的时序示意图；
图4是根据本发明一个实施例的像素曝光方法的流程示意图。
其中的附图标记包括：像素复位晶体管GRST、光电二极管PD、第一电荷转移晶体管TX1、第二电荷转移晶体管TX2、存储二极管MN、复位晶体管RST、浮动扩散节点FD、源极跟随器SF、选择晶体管SEL。像素输出节点A。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，而不构成对本发明的限制。
本发明为了在拍摄高速运动的物体时，抑制图像的运动伪影，在不损失图像传感器的时间分辨率及空间分辨率的前提下，通过改变像素的控制时序，在第一帧曝光后，先不读出电荷，而是将电荷存储后，立刻进行第二帧曝光，在第二帧曝光结束后，分别读出两次曝光产生的电荷，这样可以缩短两次曝光的时间间隔，从而抑制图像产生运动伪影。
本发明中，第一帧曝光为长曝光、第二帧曝光为短曝光，或者第一帧曝光为短曝光、第二帧曝光为长曝光。长短曝光是按照曝光时间的长短进行区分，长曝光的曝光时间长于短曝光的曝光时间。
本发明通过在全局快门曝光的基础上采用长短曝光的方式对像素进行曝光，未降低图像传感器的时间分辨率及空间分辨率，相较于一帧中奇偶行像素采用不同的曝光时间而言，在不损失时间分辨率及空间分辨率的情况下，即可实现高动态范围。
图2示出了根据本发明一个实施例的全局快门像素的结构。
如图2所示，全局快门像素包括像素复位晶体管GRST、光电二极管PD、第一电荷转移晶体管TX1、第二电荷转移晶体管TX2、存储二极管MN、复位晶体管RST、浮动扩散节点FD、源极跟随器SF和选择晶体管SEL，光电二极管PD用于累积光电效应产生的电荷，像素复位晶体管GRST用于对光电二极管PD进行复位，第一电荷转移晶体管TX1用于将光电二极管PD累积的电荷转移至存储二极管MN，第二电荷转移晶体管TX2用于将存储二极管MN存储的电荷转移至浮动扩散节点FD，复位晶体管RST用于对浮动扩散节点FD的电压进行复位，源极跟随器SF用于将浮动扩散节点FD的电压输出至像素输出节点A，选择晶体管SEL用于控制读出电路是否读取浮动扩散节点FD的电压。
当第一电荷转移晶体管TX1的栅极由低电平->高电平->低电平时，光电二极管PD曝光收集到的电荷转移到存储二极管MN中进行存储。当第二电荷转移晶体管TX2的栅极由低电平->高电平->低电平时，在存储二极管MN内存储的电荷转移到浮动扩散节点FD上。在复位晶体管RST的栅极为高电平时，浮动扩散节点FD的电压被复位到VDD电位。浮动扩散节点FD与源极跟随器SF的栅极相连接，源极跟随器SF将FD的电压输出到像素输出节点A，通过选择晶体管SEL的控制，读出电路是否读取浮动扩散节点FD的电压。
上述全局快门像素在曝光期间的时序如图3所示，结合图2，以第一帧进行短曝光，第二帧进行长曝光为例对本发明提供的像素曝光方法进行详述。
图4示出了本发明一个实施例提供的像素曝光方法的流程。
如图4所示，本发明实施例提供的像素曝光方法，包括如下步骤：
S1、采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第一帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第一曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中。
第一帧曝光为短曝光，在开始第一帧曝光之前，需要对各元件进行复位，首先通过全局信号控制像素复位晶体管GRST由低电平->高电平->低电平，对光电二极管PD进行复位，复位晶体管RST由低电平->高电平，将浮动扩散节点FD复位为VDD电平，第二电荷转移晶体管TX2由低电平->高电平->低电平，将存储二极管MN复位为VDD电平，清空光电二极管PD、浮动扩散节点FD和存储二极管MN的电荷。
在各元件复位结束后，全部像素开始短曝光(第一帧曝光)，控制第一电荷转移晶体管TX1由低电平->高电平->低电平，将所有短曝光电荷(即第一曝光电荷)从光电二极管PD转移到存储二极管MN中，短曝光结束。
S2、对光电二极管进行复位，再次采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第二帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第二曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中。
在全部像素进行长曝光时或在进行长曝光之前，需要将短曝光电荷从存储二极管MN转移至浮动扩散节点FD，以便清空存储二极管MN存储的电荷，腾出存储空间，为长曝光电荷的存储做准备。当全部像素进行长曝光(第二帧曝光)时，控制第一电荷转移晶体管TX1由低电平->高电平->低电平，将所有长曝光电荷(第二曝光电荷)从光电二极管PD转移到存储二极管MN中，长曝光结束。
由于本发明在短曝光之后直接进行长曝光，而不进行短曝光电荷的读取，因此长短曝光的间隔时间越短，对图像的运动伪影的抑制越有效。
在对光电二极管PD复位后，即可进行长曝光，所以长短曝光的间隔时间由光电二极管PD的复位时间决定，而光电二极管PD的复位由像素复位晶体管GRST进行控制，当像素复位晶体管GRST由低电平->高电平->低电平，对光电二极管PD进行复位。像素复位晶体管GRST的高低电平状态通过脉冲信号进行控制，而脉冲信号的脉冲宽度可通过寄存器进行调节，从而实现光电二极管PD的复位时间的调节。当脉冲宽度设为0时，光电二极管PD的复位时间最短，长短曝光的间隔时间也最短，最能有效抑制图像的运动伪影。
本发明在对像素进行短曝光之后，不立刻读出短曝光电荷，而是对像素进行长曝光，等待长曝光结束后，再依次读出短曝光电荷和长曝光电荷，通过对两次曝光时序的控制，缩短长短曝光的间隔时间，以此来抑制图像的运动伪影。
在改变曝光时序时，两次曝光产生的曝光电荷的存储及后续曝光电荷的读出也需要作出时序上的改变，也就是说，但通过像素复位晶体管GRST的高低电平状态，无法实现长短曝光的间隔时间的调整，还需要配合整体操作时序的调整，才能实现长短曝光的间隔时间的调整。
S3、先后将全部的第一曝光电荷和全部的第二曝光电荷从存储二极管转移至浮动扩散节点，并逐行读出。
在短曝光结束、长曝光开始之前，也就是在长短曝光的间隔时间内，控制第二电荷转移晶体管TX2由低电平->高电平->低电平，将所有短曝光电荷从存储二极管MN转移到浮动扩散节点FD，控制像素复位晶体管GRST由低电平->高电平->低电平，对光电二极管PD再次进行复位，然后开始全部像素的长曝光。
短曝光电荷的转移还可以移至长曝光的开始阶段，将短曝光电荷从存储二极管MN转移到浮动扩散节点FD，清空存储二极管MN的电荷。
虽然长短曝光为全部像素同时曝光，但曝光电荷的读取操作为逐行读取。本发明先逐行读取短曝光电荷，在短曝光电荷读取结束后，再逐行读取长曝光电荷。
逐行读取短曝光电荷的过程如下：
首先，控制像素复位晶体管GRST晶体管由低电平->高电平->低电平，对光电二极管PD进行复位，为下一次曝光做准备。
其次，控制每行像素的选择晶体管SEL由低电平->高电平，通过读出电路读出存储在浮动扩散节点FD的短曝光电荷对应的短曝光电压(即第一曝光结果电压)。
然后，控制每行像素的复位晶体管RST由低电平->高电平->低电平，将浮动扩散节点FD复位，通过读出电路读出短曝光复位电压(即第一曝光复位电压)。
最后，通过读出电路对短曝光复位电压与短曝光电压进行相减，将相减后的电压转换为数字信号输出。
短曝光复位电压与短曝光电压的相减，能够实现差分双采样，降低像素噪声。
逐行读取长曝光电荷的过程如下：
首先，控制复位晶体管RST由低电平->高电平->低电平，对浮动扩散节点FD再次进行复位。
其次，控制每行的选择晶体管SEL晶体管由高电平->低电平->高电平，通过读出电路读出长曝光复位电压(即第二曝光复位电压)。
然后，TX2由低电平->高电平->低电平，将所有长曝光电荷从存储二极管MN转移至浮动扩散节点FD，通过读出电路读出存储在浮动扩散节点FD的长曝光电荷对应的长曝光结果电压(第二曝光结果电压)。
最后，通过读出电路对长曝光复位电压与长曝光电压进行相减，将相减后的电压转换为数字信号输出。
长曝光复位电压与长曝光电压的相减，能够实现相关双采样，降低像素噪声。
相关双采样：是指复位信号电压与信号电压(也就是曝光结果电压)是相关的，即如果复位电压为V1，信号电压是在V1的基础(由于收集电荷)上降低得到的。
差分双采样：差分双采样的复位电压与信号电压无关，即信号电压不是在复位电压基础上获得的。
本发明在第一帧曝光后，不进行曝光电荷的读取，而是在较短的间隔时间后，进行第二帧曝光，两次曝光产生的电荷均从光电二极管PD转移至存储二极管MN，再从存储二极管MN转移至浮动扩散节点FD，通过对光电二极管PD、存储二极管MN的时序控制，实现电荷的转移，使两个曝光产生的电荷在不发生存储冲突的情况下，沿同一路径转移至浮动扩散节点FD，进行后续的读出操作。本发明通过对整个像素结构的时序(包括曝光时序和电荷存储时序)控制，实现像素复位晶体管GRST对长短曝光时间间隔的调整，从而缩短长短曝光时间间隔，抑制图像产生运动伪影。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
以上本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种像素曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第一帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第一曝光电荷从光电二极管转移到存储二极管中；
S2、对所述光电二极管进行复位，再次采用全局快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行第二帧曝光，并将每个像素曝光后产生的第二曝光电荷从所述光电二极管转移到所述存储二极管中；
S3、先后将全部的第一曝光电荷和全部的第二曝光电荷从所述存储二极管转移至浮动扩散节点，并逐行读出。
2.如权利要求1所述的像素曝光方法，其特征在于，在步骤S2中，对所述光电二极管进行复位的过程如下：
通过脉冲信号控制像素复位晶体管的高低电平，对所述光电二极管进行复位。
3.如权利要求2所述的像素曝光方法，其特征在于，通过寄存器对所述脉冲信号的脉冲宽度进行调节。
4.如权利要求1所述的像素曝光方法，其特征在于，步骤S1包括如下步骤：
分别对光电二极管、浮动扩散节点、存储二极管进行复位，清除各自内部存储的电荷；
将第一电荷转移晶体管调节为高电平，使所述光电二极管存储的第一曝光电荷转移到所述存储二极管中。
5.如权利要求1所述的像素曝光方法，其特征在于，步骤S2包括如下步骤：
再次将第一电荷转移晶体管调节为高电平，使所述光电二极管存储的第二曝光电荷转移到所述存储二极管中。
6.如权利要求1所述的像素曝光方法，其特征在于，所述步骤S3包括如下步骤：
S310、将第二电荷转移晶体管调节为高电平，使所述存储二极管内存储的第一曝光电荷转移到所述浮动扩散节点中；
S320、控制选择晶体管的高低电平，通过读出电路逐行读出存储在所述浮动扩散节点的第一曝光电荷所对应的第一曝光结果电压；
S330、控制复位晶体管的高低电平，对所述浮动扩散节点进行复位，并通过所述读数电路读出所述浮动扩散节点的第一曝光复位电压；
S340、通过所述读出电路对所述第一曝光复位电压与所述第一曝光结果电压进行相减，将相减后的电压转换为数字信号输出；
S350、通过控制复位晶体管的高低电平，再次对所述浮动扩散节点进行复位，并控制所述选择晶体管的高低电平，通过所述读出电路逐行读出第二曝光复位电压；
S360、将所述第二电荷转移晶体管调节为高电平，使所述存储二极管内存储的第二曝光电荷转移到所述浮动扩散节点中；
S370、控制所述选择晶体管的高低电平，通过读出电路逐行读出存储在所述浮动扩散节点的第二曝光电荷所对应的第二曝光结果电压；
S380、通过所述读出电路对所述第二曝光复位电压与所述第二曝光结果电压进行相减，将相减后的电压转换为数字信号输出。
7.如权利要求6所述的像素曝光方法，其特征在于，第一帧曝光时间长于或短于第二帧曝光时间。
8.如权利要求6所述的像素曝光方法，其特征在于，在步骤S310中，第一曝光电荷的转移在第一帧曝光与第二帧曝光的间隔时间中进行或在第二帧曝光的开始阶段进行。
CN202011328532.XA 2020-11-24 2020-11-24 像素曝光方法 Pending CN112437236A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011328532.XA CN112437236A (zh) 2020-11-24 2020-11-24 像素曝光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011328532.XA CN112437236A (zh) 2020-11-24 2020-11-24 像素曝光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112437236A true CN112437236A (zh) 2021-03-02

Family

ID=74693972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011328532.XA Pending CN112437236A (zh) 2020-11-24 2020-11-24 像素曝光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112437236A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113271419A (zh) * 2021-05-20 2021-08-17 上海韦尔半导体股份有限公司 低pls全局快门像素结构及其驱动时序控制方法
CN115334260A (zh) * 2022-08-17 2022-11-11 深圳市元视芯智能科技有限公司 图像传感器以及像素级曝光控制方法
CN116320796A (zh) * 2023-05-15 2023-06-23 脉冲视觉(北京)科技有限公司 图像传感器像素单元、信号处理电路和电子设备
CN116367007A (zh) * 2023-06-01 2023-06-30 苏州洞悉科技有限公司 一种像素结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105027558A (zh) * 2013-03-01 2015-11-04 苹果公司 图像传感器的曝光控制
CN105721783A (zh) * 2014-12-17 2016-06-29 佳能株式会社 摄像装置及图像传感器的驱动方法
CN107852473A (zh) * 2015-08-03 2018-03-27 特利丹E2V半导体简化股份公司 用于控制有源像素图像传感器的方法
CN108024075A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 原相科技股份有限公司 全局快门高动态范围像素及影像传感器
WO2018151498A1 (ko) * 2017-02-20 2018-08-23 (주)픽셀플러스 픽셀의 구동방법 및 이를 이용하는 cmos 이미지센서
CN111526303A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 长春长光辰芯光电技术有限公司 结构光成像中去除背景光的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105027558A (zh) * 2013-03-01 2015-11-04 苹果公司 图像传感器的曝光控制
CN105721783A (zh) * 2014-12-17 2016-06-29 佳能株式会社 摄像装置及图像传感器的驱动方法
CN107852473A (zh) * 2015-08-03 2018-03-27 特利丹E2V半导体简化股份公司 用于控制有源像素图像传感器的方法
CN108024075A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 原相科技股份有限公司 全局快门高动态范围像素及影像传感器
WO2018151498A1 (ko) * 2017-02-20 2018-08-23 (주)픽셀플러스 픽셀의 구동방법 및 이를 이용하는 cmos 이미지센서
CN111526303A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 长春长光辰芯光电技术有限公司 结构光成像中去除背景光的方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113271419A (zh) * 2021-05-20 2021-08-17 上海韦尔半导体股份有限公司 低pls全局快门像素结构及其驱动时序控制方法
CN115334260A (zh) * 2022-08-17 2022-11-11 深圳市元视芯智能科技有限公司 图像传感器以及像素级曝光控制方法
CN115334260B (zh) * 2022-08-17 2024-02-27 深圳市元视芯智能科技有限公司 图像传感器以及像素级曝光控制方法
CN116320796A (zh) * 2023-05-15 2023-06-23 脉冲视觉(北京)科技有限公司 图像传感器像素单元、信号处理电路和电子设备
CN116367007A (zh) * 2023-06-01 2023-06-30 苏州洞悉科技有限公司 一种像素结构
CN116367007B (zh) * 2023-06-01 2023-08-15 苏州洞悉科技有限公司 一种像素结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10771718B2 (en) Imaging device and imaging system
CN112437236A (zh) 像素曝光方法
US8569671B2 (en) Pixel array capable of performing pipelined global shutter operation including a first and second buffer amplifier
JP6267348B2 (ja) 複数の短時間露出を使用してデジタル画像をキャプチャするためのシステムおよび方法
US8174590B2 (en) Image pickup apparatus and image pickup method
US9118883B2 (en) High dynamic range imaging with multi-storage pixels
KR101152145B1 (ko) 고체촬상소자 및 그 구동방법
KR102612718B1 (ko) 복수의 슈퍼-픽셀(super-pixel)들을 포함하는 이미지 센서
JP2014090394A (ja) 動き検出用固体撮像装置および動き検出システム
KR20150084638A (ko) 고체 촬상 장치 및 카메라 시스템
JP2018182543A (ja) 撮像装置、撮像システム、及び撮像素子の制御方法
JP4419675B2 (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
US8975570B2 (en) CMOS time delay and integration image sensor
KR101570924B1 (ko) 고체 촬상 장치
TW202241116A (zh) 固態攝像裝置、固態攝像裝置的驅動方法、以及電子設備
JP5168319B2 (ja) 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP6574653B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
JP2001268451A (ja) 撮像装置
JP7277251B2 (ja) 撮像装置およびその制御方法
JP2000050174A (ja) 撮像装置とその駆動方法
CN116074649A (zh) 一种摄像机及其图像处理方法
KR20230015161A (ko) 촬영 장치
JP2009141417A (ja) 撮像素子及び該素子の信号読み出し方法
JP2005223798A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210302