CN112420903A - 一种发光器件的封装结构 - Google Patents

Abstract

本申请是关于一种发光器件的封装结构。该封装结构包括：导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组；其中，第一电路固定设置在导热基板上，发光芯片固定设置在第一电路上，且发光芯片与第一电路电连接；光反射模组全部固定设置在第一电路上，光反射模组用于将发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去，尤其是使发光芯片侧面发出的光信号沿第一方向聚集，其中，第一方向为该发光器件的出光方向。本申请提供的方案，能够同时实现良好的光反射性和散热性。

Description

一种发光器件的封装结构

技术领域

本申请涉及封装技术领域，尤其涉及一种发光器件的封装结构。

背景技术

对发光元器件进行封装不仅要求能够保护发光芯片，而且还要能够透光，这样就需要具备良好的出光率和良好的散热性。以LED（Light Emitting Diode，发光二极管）封装为例，为了使LED具备较好的出光效率和散热环境，在LED封装中一般需要设置光反射和散热模块。然而，目前已有的LED封装结构要么反射性较好，散热性能较差，要么散热性能较好，反射性较差，从而还无法同时兼顾光反射性和散热性。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种发光器件的封装结构，能够同时实现良好的光反射性和散热性。

本申请第一方面提供一种发光器件的封装结构，包括：导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组；其中，

所述第一电路固定设置于所述导热基板上，所述发光芯片固定设置于所述第一电路上，且所述发光芯片与所述第一电路电连接；

所述光反射模组全部固定设置于所述第一电路上，所述光反射模组用于将所述发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去，其中，所述第一方向为所述发光器件的出光方向。

优选的，所述光反射模组为一中空且上下两端开口的立体结构，所述光反射模组的底部与所述第一电路固定连接，所述发光芯片被圈设在所述光反射模组内部，所述光反射模组的顶部开口朝向所述第一方向。

优选的，所述光反射模组为一中空且顶部开口的立体结构，所述光反射模组的底部与所述第一电路固定连接，所述发光芯片设置于所述光反射模组内，所述光反射模组的顶部开口朝向所述第一方向。

优选的，所述光反射模组的底部开设有至少两个第一通孔，所述发光芯片通过所述至少两个第一通孔与所述第一电路电连接。

优选的，所述封装结构还包括：第三电路，所述第三电路固定设置于所述第一电路上，且所述第三电路与所述第一电路电连接；

所述发光芯片固定设置于所述第三电路上，且所述发光芯片与所述第三电路电连接。

优选的，所述光反射模组的内侧壁下边缘与所述第三电路的侧面下边缘之间的距离小于或等于10微米。

优选的，所述光反射模组与所述发光芯片之间填充有透光材料。

优选的，所述透光材料包裹住所述光反射模组和所述发光芯片，形成一个半球形结构。

优选的，所述封装结构还包括：透光盖板，所述透光盖板盖设于填充了所述透光材料的所述光反射模组的顶部开口面。

优选的，所述光反射模组的顶部边缘处开设有至少一个沟道。

优选的，所述光反射模组的内侧壁为倾斜面，使得所述光反射模组的中空部分的底部面积小于顶部面积。

本申请提供的发光器件的封装结构，在导热基板上设置工作电路，将发光芯片和光反射模组全部设置在工作电路上，从而实现导热基板与光反射模组完全分开独立设置，消除彼此之间的影响，相较于传统的一体式设计，能够分别选用合适的材料制备，从而能够同时使该封装结构既具备良好的散热性，又具备良好的光反射性。光反射模组将发光芯片发出的光信号沿器件的出光方向反射，能够使光信号尽可能的沿出光方向聚集，尤其是使发光芯片侧面发出的光信号沿出光方向聚集，从而有利于侧面光的提取，进而提高整体出光率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

通过结合附图对本申请示例性实施方式进行更详细的描述，本申请的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本申请示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1是本申请实施例示出的一种发光器件的封装结构的立体图；

图2是本申请实施例图1示出的发光器件的封装结构中的光反射模组的结构示意图；

图3是本申请实施例图1示出的发光器件的封装结构除去光反射模组后的结构示意图；

图4是本申请实施例示出的一种发光器件的封装结构的剖面示意图；

图5是本申请实施例示出的另一种发光器件的封装结构的剖面示意图；

图6是本申请实施例示出的另一种发光器件的封装结构的剖面示意图；

图7是本申请实施例示出的又一种发光器件的封装结构的剖面示意图；

图8是本申请实施例示出的一种发光器件的封装方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请的优选实施方式。虽然附图中显示了本申请的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本申请更加透彻和完整，并且能够将本申请的范围完整地传达给本领域的技术人员。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

本申请实施例提供了一种发光器件的封装结构。

如图1所示，该封装结构100至少可以包括：导热基板10、第一电路20、发光芯片30以及光反射模组40；其中，第一电路20固定设置于导热基板10上，发光芯片30固定设置于第一电路20上，且发光芯片30与第一电路20电连接；光反射模组40全部固定设置于第一电路20上，光反射模组40用于将发光芯片30发出的光信号沿第一方向反射出去，其中，第一方向为发光器件的出光方向。

本申请实施例中，导热基板10可以是由绝缘且导热性能高的材料制成的，例如，导热基板10可以是由氮化铝、碳化硅、硅、氧化铝等其中一种或几种材料制备而成。优选的，导热基板10为氮化铝陶瓷基板，其厚度可以为500微米（μm）、长度可以为5毫米（mm）、宽度可以为5mm。第一电路20可以通过电镀的方式固定在导热基板10的表面，第一电路20可以为镍（Ni）层铜（Cu）层Ni层金（Au）层构成的多层结构，其总厚度可以优选为60μm。发光芯片30可以为LED芯片，发出的光信号可以为紫光、蓝光、绿光、红光等可见光，也可以是紫外光、红外光等不可见光中的其中一种或几种。

LED发光光源在近场上不能认为是点光源，而是属于面光源，光从芯片上下两个表面以及四周侧面都有光溢出。垂直于芯片量子阱为横电波（Transverse Electric wave，简称TE）模式，光主要从上下表面发出。平行于芯片量子阱为横磁波（Transverse Magneticwave，简称TM）模式，光主要从侧面发出。为了提高芯片侧面取光效率，本申请设置了独立的光反射模组40。而已有的传统封装结构通常将侧面反光模块与散热基板一体化设计，这样不能独立将散热基板做大，也不能将反光模块做小，且反射率不能兼容发光源的多样性。

光反射模组40可以通过粘合剂固定在第一电路20上，具体的，光反射模组40可以通过包含硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚酰胺和苯丙环丁烯等至少一种成分的粘合剂与第一电路20粘牢。整个光反射模组40全部位于第一电路20上，通过第一电路20使得光反射模组40与导热基板10完全分隔开，能够消除彼此之间的影响，从而使得光反射模组40仅需考虑光反射的问题，无需考虑散热的问题；而导热基板10仅需考虑散热的问题，无需考虑光反射的问题。这样，导热基板10和光反射模组40可以采用不同的材料进行制备。光反射模组40朝向发光芯片30的内侧壁具有光反射功能，可以将发光芯片30照射来的光信号沿整个器件的出光方向反射出去，从而使发光芯片30侧面发出的光沿出光方向聚集，提高整体出光率。光反射模组40朝向发光芯片30的内侧壁可以为向外倾斜的倾斜面，这样根据反射特性能够更好的收集发光芯片30侧面发出的光。另外，光反射模组40的高度对光的提取有影响，高度过高时，光在传输过程中会有损耗。因此，可以根据发光芯片30发出的光信号的空间分布对光反射模组40的高度进行适应性调整，例如，光反射模组40的顶部与发光芯片30的距离优选为不大于100μm。

具体的，光反射模组40可以根据发光光源（如LED光源）选择反射率较高的金属材料制成的铸件，例如可见光可以选用铝（Al）铸件、银（Ag）铸件等等。或者，光反射模组40可以是由玻璃基、树脂、塑料、硅基等至少一种材料制成的，在光反射模组40朝向发光芯片30的内侧壁上镀有对LED光源有较高反射率的金属，例如，Ag、Al、Au等中的至少一种；或，可以根据LED波长在光反射模组40朝向发光芯片30的内侧壁上镀上反射率较高的DBR薄膜。

可选的，如图2所示，光反射模组40可以为一中空且上下两端开口的立体结构，光反射模组40的底部与第一电路20固定连接，发光芯片30被圈设在光反射模组40内部，光反射模组40的顶部开口朝向第一方向。

其中，光反射模组40可以为中空且上下两端开口的方形结构或柱形结构。光反射模组40开口的底部可以通过粘合剂固定在第一电路20上，且将发光芯片30圈在其内部。当发光芯片30发出光信号时，通过光反射模组40的内侧壁可以将光信号朝顶部开口反射出去。可选的，图2所示的光反射模组40可以是由具备反射功能的金属材料制成的；或者，光反射模组40可以是由低反射率的金属材料或非金属材料制成，并在光反射模组40的内侧壁上镀有具备反射功能的金属层或镀有具备反射功能的DBR（Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜）薄膜等等。

可选的，光反射模组40可以为一中空且顶部开口的立体结构，光反射模组40的底部与第一电路20固定连接，发光芯片30设置于光反射模组40内，光反射模组40的顶部开口朝向第一方向。

其中，光反射模组40可以为中空且顶部开口的方形结构或柱形结构。光反射模组40的底面可以通过粘合剂固定在第一电路20上，发光芯片30可以设置在光反射模组40内部的底面上。发光芯片30可以通过焊线的方式从光反射模组40内引出连接到第一电路20上。此时，光反射模组40可以是由低反射率的金属材料或非金属材料制成，并在光反射模组40的内侧壁和底面上镀有具备反射功能的非金属层，如DBR薄膜等，发光芯片30通过DBR薄膜与光反射模组40的底面隔开。

可选的，光反射模组40的底部可以开设有至少两个第一通孔，发光芯片30通过上述至少两个第一通孔与第一电路20电连接。

具体的，由于通过焊线的方式将发光芯片30从光反射模组40内引出连接到第一电路20上不仅影响美观，而且裸露在外的线路容易损坏，导致发光芯片30无法正常工作，因此，可以在光反射模组40的底部开设通孔，使发光芯片30的正负电极通过通孔与第一电路20电连接。此时，光反射模组40可以是由非金属材料制成，并在光反射模组40的内侧壁和底面上镀有具备反射功能的非金属层，如DBR薄膜等。

另外，可以根据发光芯片30的光信号的出射方向和/或辐射范围，来调整光反射模组40的结构。例如，当发光芯片30的光信号的出射方向为两侧出光时，可以在两侧出光处分别设置一个光反射模组40，该光反射模组40可以为方形板或弧形板，其宽度可以根据光信号的辐射范围进行设定。又如，当发光芯片30的光信号的出射方向为四侧出光时，可以在四个侧面处均设置一个光反射模组40。

本申请实施例中，第一电路20可以用于连通其上分布的多个元器件，也可以用于将其上的元器件与外部元器件相连，例如，第一电路20可以通过焊线的方式与外部元器件连接。

可选的，图1所示的封装结构100还可以包括：第二电路50，第二电路50固定设置于导热基板10的下方，且第一电路20与第二电路50电连接。

为了尽可能的减少焊线，使电路更美观，可以在导热基板10的下方设置第二电路50，通过第二电路50与外部元器件连接。第二电路50可以通过电镀的方式固定在导热基板10的下表面，第二电路50的结构与第一电路20的结构可以相同，其厚度可以优选为60μm。第一电路20与第二电路50可以通过焊线的方式进行连接。

可选的，导热基板10上可以开设有至少两个第二通孔11，第一电路20与第二电路50通过上述至少两个第二通孔11电连接。

具体的，在贴片式封装形式上，可以在导热基板10上开设两个或两个以上的通孔，使第一电路20与第二电路50的正负电极通过通孔进行连接。

可选的，如图1和图3所示，第一电路20可以包括第一正极电路21和第一负极电路22，第二电路50可以包括第二正极电路51和第二负极电路52，第一正极电路21与第二正极电路51电连接，第一负极电路22与第二负极电路52电连接。

其中，第一正极电路21可以位于第二正极电路51的上方，两者通过导热基板10上的通孔进行电连接，第一负极电路22可以位于第二负极电路52的上方，两者同样通过导热基板10上的通孔进行电连接。当第一电路20与第二电路50上的电流较大时，用于连接两者正极电路和负极电路的通孔数量可以适当增加。优选的，两者正极电路和负极电路各通过两个通孔进行连接。另外，第一电路20的正负电路之间具有一固定间距，优选的，该间距可以为100μm。同样的，第二电路50的正负电路之间的间距也可以优选为100μm。可以理解的是，该间距可以根据实际需求进行适应性调整，这里不作唯一限定。

可选的，图1所示的封装结构100还可以包括：第三电路70，第三电路70固定设置于第一电路20上，且第三电路70与第一电路20电连接；发光芯片30固定设置于第三电路70上，且发光芯片30与第三电路70电连接。

其中，第三电路70的结构可以与第一电路20的结构相同，为Ni层Cu层Ni层Au层构成的多层结构。第三电路70的厚度可以为100μm~120μm。第三电路70可以与第一电路20为一体成型的，即第三电路70为第一电路20上的一块凸起电路。第三电路70也可以是有别于第一电路20的一块独立电路。如图3所示，第三电路70也可以分为正极电路和负极电路，其正极电路与第一正极电路21相连，其负极电路与第二正极电路22相连。发光芯片30设置于第三电路70上，发光芯片30的正负电极分别与第三电路70的正负电路电连接。

由于第三电路70具有一定高度，将发光芯片30设置在第三电路70上，这样，发光芯片30相对光反射模组40的底部也将有一定高度，从而使光反射模组40能够尽可能多地将发光芯片30侧面照射出的光信号进行反射，有利于侧面光的提取。

可选的，光反射模组40的内侧壁下边缘与第三电路70的侧面下边缘之间的距离小于或等于10微米。

为了使发光芯片30从侧面发出的光信号尽可能多的通过光反射模组40的内侧壁反射出去，发光芯片30与光反射模组40的内侧壁的距离应当适当。由于光反射模组40的内侧壁为向外倾斜的倾斜面，发光芯片30设置在具有一定高度的第三电路70上，且发光芯片30的尺寸与第三电路70相当，因此，第三电路30的侧面下边缘可以尽可能的靠近光反射模组40的内侧壁下边缘，且左右可以预留不超过10μm的空隙。例如，当第三电路70高100μm，光反射模组40的内侧壁的角度为60°时，发光芯片30的侧面与光反射模组40的内侧壁的距离大约为57μm。

可选的，如图4和图6所示，发光芯片30可以为倒装芯片，则发光芯片30的正负电极可以通过金锡共晶、锡膏或导电银胶等中的其中一种方式与第三电路70的正负电路连接。

可选的，如图5和图7所示，发光芯片30可以为正装芯片，则发光芯片30的正负电极可以通过焊线的方式与第三电路70的正负电路连接。

可以理解的是，当未设置第三电路70时，发光芯片30为倒装结构，则发光芯片30的正负电极可以通过金锡共晶、锡膏或导电银胶等中的其中一种方式与第一电路20的正负电路连接。发光芯片30为正装结构，发光芯片30的正负电极可以通过焊线的方式与第一电路20的正负电路连接。

可选的，光反射模组40与发光芯片30之间可以填充有透光材料80。

其中，透光材料80可以包括但不限于硅胶、环氧树脂、硅氧树脂、氟树脂、模压玻璃、有机玻璃溶液等中的至少一种。在光反射模组40与发光芯片30之间填充透光材料，能够起到密封作用，保护芯片。此外，由于透光材料的透光率较高，能够尽可能减小光损失。

可选的，如图4和图5所示，透光材料80可以包裹住光反射模组40和发光芯片30，形成一个半球形结构。

具体的，可以将透光材料80施加在半球模具上，固化后脱模，即可形成半球形结构。由于半球形结构聚光性能较好，可以将光反射模组40反射出的光信号集中在一个较小的角度范围内，从而提高整体器件的收光性。可以理解的是，也可以根据实际需求调整透光材料80的结构，例如，可以仅在光反射模组40与发光芯片30之间，以及光反射模组40顶部上填充透光材料80，使光反射模组40顶部上的透光材料80呈半球形结构，而不扩及其他部位。又如，在需要散光的应用场景下，可以将半球形结构替换为平面方形结构。

可选的，如图6和图7所示，该封装结构100还可以包括：透光盖板90，透光盖板90盖设于填充了透光材料80的光反射模组40的顶部开口面。

其中，透光盖板90可以是由具有较高透光率的材料制成的，如有机玻璃、塑料等。可以通过粘合剂将透光盖板90粘在填充了透光材料80的光反射模组40的顶部开口面。透光盖板90的作用在于，当透光材料80为液态的时，透光盖板90可以起到密封作用，防止液体溢出污染电路和其他元器件。可以理解的是，当透光材料80为固态的时，该透光盖板90可以无需设置。

可选的，光反射模组40的顶部边缘处可以开设有至少一个沟道41。

具体的，由于透光盖板90是通过粘合剂固定在光反射模组40的顶部，为防止粘合时多余的粘合剂挤入光反射模组40，污染透光材料80和光反射模组40的反射内壁，通过沿光反射模组40的顶部边缘一圈开设沟道41，可以将多余的粘合剂排入沟道41中。当只有一个沟道41时，沟道41设置于更靠近反射内壁处，用于涂抹粘合剂的粘合区域设置于远离反射内壁处。当有两个沟道41时，两个沟道41之间为粘合区域。

可选的，光反射模组40的内侧壁可以为倾斜面，使得光反射模组40的中空部分的底部面积小于顶部面积，即下窄上宽。可以根据实际需求调整内侧壁的倾斜角度，优选的，倾斜角度可以为50°~60°。通过控制光反射模组40的内侧壁的倾斜角度，可以实现器件出光角度的控制。

可选的，该封装结构100还可以包括齐纳芯片60，齐纳芯片60固定设置在第一电路20上，且齐纳芯片60与发光芯片30并联。

其中，齐纳芯片60的正负电极分别与第一电路20的正负极电路连接，使得齐纳芯片60与发光芯片30之间形成并联关系。具体的，当齐纳芯片60为倒装芯片时，其正负电极可以通过金锡共晶、锡膏或导电银胶等中的其中一种方式与第一电路20的正负电路连接。当齐纳芯片60为正装芯片时，其正负电极可以通过焊线的方式与第一电路20的正负电路连接。通过设置齐纳芯片60，可以起到稳压的作用，从而可以提高器件抗静电击穿和工作稳定性。

本申请实施例提供的封装结构可以适用于可见光，如LED封装等，还可以适用于不可见光，如红外探测器等的封装。根据不同的适用环境，可以适应性调整光反射模组上的反射材料、高度、角度等等。

综上，本申请实施例中的发光器件的封装结构，在导热基板上设置工作电路，将发光芯片和光反射模组全部设置在工作电路上，从而实现导热基板与光反射模组完全分开独立设置，消除彼此之间的影响，相较于传统的一体式设计，能够分别选用合适的材料制备，从而能够同时使该封装结构既具备良好的散热性，又具备良好的光反射性。光反射模组将发光芯片发出的光信号沿器件的出光方向反射，能够使光信号尽可能的沿出光方向聚集，尤其是使发光芯片侧面发出的光信号沿出光方向聚集，从而有利于侧面光的提取，进而提高整体出光率。导热基板可根据实际需求增大散热体积，能够提高器件的散热能力，进而提升器件的稳定性和使用寿命；另外，通过调整光反射模组的高度及反射面的角度，能够实现取光及出光角度的控制。将发光芯片设置于光反射模组内，还能够起到保护作用，提高芯片的寿命和稳定性。

本申请实施例还提供了一种发光器件的封装方法。

如图8所示，该方法至少可以包括以下步骤：

S1、设置一导热基板10，将第一电路20固定在导热基板10上。

S2、将发光芯片30固定在第一电路20上，且与第一电路20电连接。

S3、将光反射模组40全部固定在第一电路20上，用于将发光芯片30发出的光信号沿第一方向反射出去，其中，第一方向为发光器件的出光方向。

具体的，可以通过电镀的方式将第一电路20固定在导热基板10上。当发光芯片30为倒装芯片时，可以通过金锡共晶、锡膏或导电银胶等中的其中一种方式将发光芯片30固定在第一电路20上，以将发光芯片30的正负电极与第一电路20的正负电路相连。当发光芯片30为正装芯片时，可以通过焊线的方式将发光芯片30的正负电极与第一电路20的正负电路相连。可以通过粘合剂将整个光反射模组40全部固定在第一电路20上，以将发光芯片30发出的光信号沿器件的出光方向射出。

可选的，该方法还可以包括以下步骤：

将第二电路50固定在导热基板10的下方，并将第一电路20与第二电路50电连接。

同样的，可以通过电镀的方式将第二电路50固定在导热基板10的下方。可以通过焊线的方式将第一电路20的正负极电路与第二电路50的正负极电路相连；还可以在导热基板10上开设至少两个通孔11，通过通孔11实现第一电路20的正负极电路与第二电路50的正负极电路相连。

可选的，该方法还可以包括以下步骤：

将第三电路70固定在第一电路20上，且第三电路70与第一电路20电连接；

其中，步骤S2将发光芯片30固定在第一电路20上，且与第一电路20电连接的具体实施方式为：

将发光芯片30固定在第三电路70上，且与第三电路70电连接。

可选的，该方法还可以包括以下步骤：

在光反射模组40与发光芯片30之间填充透光材料80。

可选的，该方法还可以包括以下步骤：

将透光盖板90盖设于填充了透光材料80的光反射模组40的顶部开口面。

可选的，该方法还可以包括以下步骤：

将齐纳芯片60固定在第一电路20上，使得齐纳芯片60与发光芯片30并联。

本申请实施例中涉及的各组件的具体功能和组成结构可以参考前述实施例中所描述的相关内容，这里不再赘述。

本领域技术人员应该知悉，说明书中所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。另外，可以理解，本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减，本申请实施例结构中的模块可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

以上已经描述了本申请的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (18)

1.一种发光器件的封装结构，其特征在于，包括：导热基板、第一电路、发光芯片以及光反射模组；其中，

所述第一电路固定设置于所述导热基板上，所述发光芯片固定设置于所述第一电路上，且所述发光芯片与所述第一电路电连接；

所述光反射模组全部固定设置于所述第一电路上，所述光反射模组用于将所述发光芯片发出的光信号沿第一方向反射出去，其中，所述第一方向为所述发光器件的出光方向。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组为一中空且上下两端开口的立体结构，所述光反射模组的底部与所述第一电路固定连接，所述发光芯片被圈设在所述光反射模组内部，所述光反射模组的顶部开口朝向所述第一方向。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组为一中空且顶部开口的立体结构，所述光反射模组的底部与所述第一电路固定连接，所述发光芯片设置于所述光反射模组内，所述光反射模组的顶部开口朝向所述第一方向。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组的底部开设有至少两个第一通孔，所述发光芯片通过所述至少两个第一通孔与所述第一电路电连接。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：第二电路，所述第二电路固定设置于所述导热基板的下方，且所述第一电路与所述第二电路电连接。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述导热基板上开设有至少两个第二通孔，所述第一电路与所述第二电路通过所述至少两个第二通孔电连接。

7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一电路包括第一正极电路和第一负极电路，所述第二电路包括第二正极电路和第二负极电路，所述第一正极电路与所述第二正极电路电连接，所述第一负极电路与所述第二负极电路电连接。

8.根据权利要求1-7任一所述的封装结构，其特征在于，还包括：第三电路，所述第三电路固定设置于所述第一电路上，且所述第三电路与所述第一电路电连接；

所述发光芯片固定设置于所述第三电路上，且所述发光芯片与所述第三电路电连接。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组的内侧壁下边缘与所述第三电路的侧面下边缘之间的距离小于或等于10微米。

10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述发光芯片通过金锡共晶、锡膏或导电银胶中的其中一种方式与所述第三电路电连接；

或者，所述发光芯片通过焊线的方式与所述第三电路电连接。

11.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组是由具备反射功能的金属材料制成的；或者，所述光反射模组的内侧壁上镀有具备反射功能的金属层或镀有具备反射功能的分布式布拉格反射镜DBR薄膜。

12.根据权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组的内侧壁和底面上镀有具备反射功能的分布式布拉格反射镜DBR薄膜。

13.根据权利要求1-7任一所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组与所述发光芯片之间填充有透光材料。

14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述透光材料包裹住所述光反射模组和所述发光芯片，形成一个半球形结构。

15.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，还包括：透光盖板，所述透光盖板盖设于填充了所述透光材料的所述光反射模组的顶部开口面。

16.根据权利要求15所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组的顶部边缘处开设有至少一个沟道。

17.根据权利要求2-4任一所述的封装结构，其特征在于，所述光反射模组的内侧壁为倾斜面，使得所述光反射模组的中空部分的底部面积小于顶部面积。

18.根据权利要求1-7任一所述的封装结构，其特征在于，还包括：齐纳芯片，所述齐纳芯片固定设置在所述第一电路上，且所述齐纳芯片与所述发光芯片并联。

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