CN112420772A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112420772A
CN112420772A CN202010799140.5A CN202010799140A CN112420772A CN 112420772 A CN112420772 A CN 112420772A CN 202010799140 A CN202010799140 A CN 202010799140A CN 112420772 A CN112420772 A CN 112420772A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
light emitting
electrode
area
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010799140.5A
Other languages
English (en)
Inventor
郑镇九
金星民
崔凡洛
朴泳曙
兪智娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112420772A publication Critical patent/CN112420772A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/88Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • H10K50/828Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3031Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置,该显示装置包括:第一显示区域,包括第一像素区域;第二显示区域,包括第二像素区域和与第二像素区域相邻的透射区域;第一像素,位于第一像素区域中;第二像素,位于第二像素区域中;以及虚设像素,位于透射区域中,其中,虚设像素包括在两侧上发射光的发光部。

Description

显示装置
本申请要求于2019年8月20日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0101909号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一些示例实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置可以包括诸如传感器或相机的光学器件。为了避免干扰屏幕,光学器件可以位于显示装置的边框区域(例如,围绕屏幕的区域)中。
如果显示装置的边框在尺寸上减小,则显示装置的屏幕与主体的比例(即,当从正面观看显示装置时屏幕所占据的比例)可以增大。屏幕与主体的比例通常可以被消费者感知为显示装置的技术品质的指标,并且同时可以影响消费者在决定要购买或使用产品时的选择。然而,当显示装置的边框相对小时,会难以将光学器件设置在边框区域中。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于加强对发明的背景技术的理解,并且因此其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一些示例实施例的方面可以在将光学器件(例如,相机或传感器)设置在显示装置的屏幕或显示区域中的同时改善显示装置的显示质量和寿命。
根据一些示例实施例的显示装置包括:第一显示区域,包括第一像素区域;第二显示区域,包括第二像素区域和与第二像素区域相邻的透射区域;第一像素,位于第一像素区域中;第二像素,位于第二像素区域中;以及虚设像素,位于透射区域中,其中,虚设像素包括在两侧上发射光的发光部。
根据一些示例实施例,第二显示区域的像素密度可以比第一显示区域的像素密度小。
根据一些示例实施例,虚设像素可以电连接到第二像素。
根据一些示例实施例,虚设像素可以表现与第二像素的颜色相同的颜色。
根据一些示例实施例,多个第二像素可以位于第二像素区域中,并且与多个第二像素对应的多个虚设像素可以位于透射区域中。
根据一些示例实施例,第二像素可以包括晶体管和第一发光元件,虚设像素可以包括第二发光元件,并且第二发光元件可以电连接到第二像素的晶体管。
根据一些示例实施例,显示装置还可以包括覆盖第一发光元件和第二发光元件的盖层。盖层可以包括与第一发光元件叠置的第一部分和与第二发光元件叠置的第二部分,并且第一部分的厚度可以比第二部分的厚度大。
根据一些示例实施例,第一发光元件可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光构件,第二发光元件可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发光构件,并且第二发光元件的第一电极可以电连接到第一发光元件的第一电极。
根据一些示例实施例,第一发光元件的第二电极和第二发光元件的第二电极可以遍及第二像素区域和透射区域连续地延伸。
根据一些示例实施例,第一发光元件的发光构件和第二发光元件的发光构件可以遍及第二像素区域和透射区域连续地延伸。
根据一些示例实施例,第一发光元件的第一电极可以是反射电极,第二发光元件的第一电极可以是透明电极。
根据一些示例实施例,第一发光元件的第一电极可以包括第一层和第二层,并且第二层可以与第二发光元件的第一电极一体地形成。
根据一些示例实施例,第一层可以是反射性的,并且第二层可以是透射性的。
根据一些示例实施例,第一像素的发光部的平面形状和第二像素的发光部的平面形状可以彼此不同。
根据一些示例实施例,显示装置还可以包括与第二显示区域叠置的光学器件,并且第二显示区域可以具有比第一显示区域的透射率高的透射率。
根据一些示例实施例的显示装置包括:像素区域,包括像素,所述像素包括第一发光元件和晶体管;以及透射区域,与像素区域相邻并且包括虚设像素,所述虚设像素包括第二发光元件。第一发光元件和第二发光元件中的每者包括第一电极、位于第一电极上的发光构件以及位于发光构件上的第二电极,并且第二发光元件的第一电极和第二电极是透明电极。
根据一些示例实施例,第一发光元件的第一电极和第二发光元件的第一电极可以电连接到晶体管。
根据一些示例实施例,第一发光元件的第一电极可以包括第一层和位于第一层上的第二层,并且第二层可以与第二发光元件的第一电极一体地形成。
根据一些示例实施例,显示装置还可以包括覆盖第一发光元件和第二发光元件的盖层,并且盖层可以包括与第一发光元件叠置并且具有第一厚度的部分以及与第二发光元件叠置并且具有比第一厚度小的第二厚度的部分。
根据一些示例实施例,像素区域与透射区域的面积比可以是1:n、1:2n-1或1:2n-1,其中,n是自然数。
根据实施例,包括光学器件的显示装置可以在将光学器件(例如,相机)设置在显示装置的屏幕或显示区域中的同时改善显示质量和寿命。然而,示例实施例的特性不限于此,在下面的描述中示出和描述根据本公开的实施例的进一步细节和特性。
附图说明
图1是根据一些示例实施例的显示装置的示意性俯视图。
图2是根据一些示例实施例的显示装置的示意性剖视图。
图3和图4是根据一些示例实施例的显示装置的第一显示区域和第二显示区域的示意性布局图。
图5是根据一些示例实施例的显示装置中的第二显示区域的像素和虚设像素的视图。
图6是示出根据一些示例实施例的显示装置中的第二显示区域的一部分的示意性俯视图。
图7是根据一些示例实施例的沿着图6中的线A-A'截取的剖视图。
图8是根据一些示例实施例的沿着图6中的线A-A'截取的剖视图。
图9是根据一些示例实施例的沿着图6中的线A-A'截取的剖视图。
图10是示出根据一些示例实施例的显示装置中的第二显示区域的一部分的示意性俯视图。
图11是根据一些示例实施例的沿图10中的线B-B'截取的剖视图。
图12是示出根据一些示例实施例的显示装置中的第二显示区域的一部分的示意性俯视图。
图13是示出根据一些示例实施例的显示装置中的第二显示区域的一部分的示意性俯视图。
图14是示出根据一些示例实施例的显示装置中的第二显示区域的一部分的示意性俯视图。
图15是根据一些示例实施例的显示装置的一个像素的电路图。
图16是根据一些示例实施例的显示装置的显示区域的布局图。
图17是根据一些示例实施例的沿着图16中的线C-C'截取的剖视图。
具体实施方式
如本领域技术人员将认识到的,在全部不脱离根据本发明的实施例的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式修改描述的示例实施例的各个方面。
如本领域技术人员将认识到的,在全部不脱离根据本发明的实施例的精神或范围的情况下,可以以各种不同的方式修改描述的示例实施例。
此外,为了更好的理解和易于描述,任意地给出了附图中示出的组成构件的尺寸和厚度。
将理解的是,当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元件被称为“直接在”另一元件“上”时,则不存在中间元件。
贯穿说明书,相同或相似的构成元件被赋予相同的附图标号或附图标记。
另外,除非明确相反地描述,否则词语“包括”和变型将被理解为意在包含所陈述的元件,但是不排除任何其他元件。
此外,在说明书中,短语“在平面图中”表示从顶部(例如,在与平面(例如,显示表面的平面)垂直的方向或法向于平面的方向上)观看物体部分,短语“在剖视图中”表示从侧面观看物体部分被竖直地切割的剖面。
在附图中,标号x用于指示第一方向,y是与第一方向垂直的第二方向,z是与第一方向和第二方向垂直的第三方向。
参照附图将发射显示装置描述为根据示例实施例的显示装置的示例。
图1是根据一些示例实施例的显示装置1的示意性俯视图,图2是根据一些示例实施例的显示装置1的示意性剖视图。
参照图1和图2,显示装置1可以包括显示面板10、连接到显示面板10的柔性印刷电路膜20、包括集成电路芯片30等的驱动器件以及光学器件40。
显示面板10可以包括用于显示图像的显示区域DA和其中不显示图像的非显示区域NA。为了显示静态图像或视频图像,显示区域DA可以与包括多个像素PX的显示屏幕或显示面板对应,所述多个像素PX被构造为发射各种颜色的光。
在显示区域DA中,像素PX以矩阵排列(例如,以行和列)布置。这里,每个像素PX是构成用于显示图像的屏幕的最小单元,并且每个像素PX可以根据输入图像信号以各种亮度显示特定颜色中的一种,例如,红色、绿色和蓝色中的一种。在非显示区域NA中,可以设置各种电路、组件和/或信号线以产生和/或传输施加到显示区域DA中的组件(例如,像素PX)的各种信号。信号线(诸如栅极线、数据线、驱动电压线等)连接到每个像素PX,并且像素PX可以从这些信号线接收栅极信号、数据电压、驱动电压等。
根据一些示例实施例,显示区域DA包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。根据一些示例实施例,第二显示区域DA2具有比第一显示区域DA1高的透射率,使得第二显示区域DA2可以执行除了显示图像的独特功能之外的其他功能。这里,透射率指光在第三方向z上穿过显示面板10的透射率。光可以是可见光和/或除了可见光之外的波长的光,例如红外光。与第一显示区域DA1相比,第二显示区域DA2可以具有小的像素PX的密度(即,每单位面积的像素PX的数量)。
在显示区域DA中,第二显示区域DA2可以以各种方式布置。在示出的示例实施例中,第二显示区域DA2完全位于第一显示区域DA1内并且被第一显示区域DA1围绕。然而,根据一些示例实施例,第二显示区域DA2可以布置为使得第二显示区域DA2与非显示区域NA叠置或接触。即,根据一些示例实施例,第二显示区域DA2可以至少部分地延伸到第一显示区域DA1的外部,使得第二显示区域DA2在其边缘或多个边缘的部分上被第一显示区域DA1仅部分地围绕。根据各种实施例,第二显示区域DA2可以相对于第一显示区域DA1位于各种位置处,例如,沿着第一方向x位于第一显示区域DA1的左侧、右侧和/或中心区域处,并且还可以沿着第二方向y位于第一显示区域DA1的上端、下端或中心区域处。第二显示区域DA2可以形成为使得其被划分为两个或更多个区域或者位于两个或更多个区域处。例如,根据一些示例实施例,可以存在多个第二显示区域DA2。第二显示区域DA2可以与第一显示区域DA1的上端完全交叉,然后沿着第一方向x布置。第二显示区域DA2可以跨第一显示区域DA1的左端和/或右端沿着第二方向y布置。第二显示区域DA2可以具有各种形状(例如,诸如四边形、三角形的多边形形状、圆形和椭圆形)。
根据一些示例实施例,用于产生和/或处理用于驱动显示面板10的各种信号的驱动器件(驱动单元)可以设置在显示面板10的非显示区域NA中。驱动器件可以包括将数据电压施加到数据线的数据驱动器、将栅极信号施加到栅极线的栅极驱动器以及控制数据驱动器和栅极驱动器的信号控制器。栅极驱动器可以集成在显示面板10中,并且可以位于显示区域DA的左侧和右侧或者一侧处。数据驱动器和信号控制器可以包括集成电路芯片(称为驱动IC芯片)30,集成电路芯片30可以安装在柔性印刷电路膜20上并且电连接到显示面板10。集成电路芯片30可以安装在显示面板10的非显示区域NA中。
显示面板10包括基底SB,像素PX形成或设置在基底SB上。基底SB可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之上连续地(例如,作为连续层)延伸。显示面板10可以包括作为一个整体的覆盖像素PX的封装层EC。
封装层EC使第一显示区域DA1和第二显示区域DA2密封以防止或减少湿气、氧或其他污染物渗透到显示面板10中的情况。当封装层EC为基底的形式时,基底SB和封装层EC可以通过密封构件或密封材料结合。抗反射层AR可以布置在封装层EC上以减少外部光反射,并且抗反射层AR可以包括偏振层和/或相位延迟层。
光学器件40可以设置或安装在显示面板10的背面处(例如,在显示面板10的与显示面板10的显示表面相对的一侧处)。光学器件40可以是例如传感器、相机、闪光灯等。当光学器件40是传感器时,光学器件40可以是接近传感器或照度传感器。处于由光学器件40使用的波长的光可以通过第二显示区域DA2以较高透射率穿过显示面板10。除了光学器件40之外,多种电子器件可以设置在显示面板10的背面处。
光学器件40可以朝向位于显示面板10前方的对象OB(例如,诸如用户的外部对象)发射具有波长范围(例如,设定或预定波长范围)的光L,或者接收从对象OB反射的光L。该波长范围(例如,设定或预定波长范围)中的光L是处于可以在光学器件40中处理的波长的光,并且可以是可见光和/或红外光。所述波长(例如,设定或预定波长)的光可以主要穿过位于第二显示区域DA2处的透射区域。当光学器件40使用红外光时,所述波长(例如,设定或预定波长)的光可以具有在约900nm至1000nm的范围内的波长。光学器件40可以接收照射到显示面板10的前面的波长(例如,设定或预定波长)的光。光学器件40可以位于与整个第二显示区域DA2对应的位置处,或者可以位于与第二显示区域DA2的一部分对应的位置处。多个光学器件40可以位于第二显示区域DA2处。
现在参照图3和图4以及上述附图更详细地描述根据一些示例实施例的显示装置1的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
图3和图4是根据一些示例实施例的显示装置1的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的布局图。图3示出了像素区域PA1和PA2以及透射区域TA的示意性布置,图4更详细地示出了可以包括在像素区域PA1和PA2以及透射区域TA中的像素PX和虚设像素dPX。
参照图3,第一显示区域DA1包括第一像素区域PA1,第二显示区域DA2包括第二像素区域PA2和透射区域TA。一个第一像素区域PA1的尺寸和一个第二像素区域PA2的尺寸可以相同或者不同。
在第一显示区域DA1中,第一像素区域PA1可以以矩阵排列(例如,第一像素区域PA1在作为不同方向的第一方向x和第二方向y上延伸的行和列)来布置。在第二显示区域DA2中,第二像素区域PA2和透射区域TA可以以矩阵排列(例如,沿着在第一方向x和第二方向y上延伸的行和列交替)来布置。根据一些示例实施例,第二像素区域PA2和透射区域TA可以以棋盘图案布置,使得第二像素区域PA2和透射区域TA可以均匀地混合。即,多个透射区域TA可以在第一方向x和第二方向y上在一个第二像素区域PA2周围相邻,并且多个第二像素区域PA2可以在一个透射区域TA周围相邻。至少一个第二像素区域PA2和至少一个透射区域TA可以在第一方向x和/或第二方向y上交替地布置。根据本公开的实施例不限于交替的第二像素区域PA2和透射区域TA,然而,根据一些示例实施例,针对每个透射区域TA可以在列和/或行方向上存在一个以上的第二像素区域PA2,或者反之亦然。
一个第二像素区域PA2的尺寸和一个透射区域TA的尺寸可以相同或不同。每个透射区域TA的尺寸可以相同或不同。第二像素区域PA2和透射区域TA的布置和尺寸可以改变。例如,根据一些示例实施例,在第二显示区域DA2中,第二像素区域PA2与透射区域TA的面积比是约1:1,并且透射区域TA可以以各种面积比(诸如约1:2、1:3、1:7、1:8、1:15等)形成。例如,第二像素区域PA2与透射区域TA的面积比可以是约1:n、约1:(2n-1)或约1:(2n-1)(这里,n是自然数)。
每个像素区域PA1和PA2可以包括至少一个像素PX。像素PX可以包括像素电路和发光部。像素电路可以包括晶体管、电容器等作为用于驱动发光元件(诸如发光二极管)的组件。发光部是其中发射从发光元件发射的光的区域。图4中示出的像素PX可以与发光部对应。像素PX可以在一个方向(即,第三方向z)上发光。
透射区域TA可以包括至少一个虚设像素dPX。与包括在像素区域PA1和PA2中的像素PX不同,虚设像素dPX可以仅包括发光部而不包括像素电路。图4中示出的虚设像素dPX可以与发光部对应。虚设像素dPX可以在两个方向(即,第三方向z和与第三方向z相反的方向-z)上发射光或透射光。
像素PX的发光部的形状和虚设像素dPX的发光部的形状可以相同(或者基本上相同)或不同。根据一些示例实施例,像素PX的发光部的形状是菱形,虚设像素dPX的发光部的形状是矩形。
因为虚设像素dPX不包括可能另外阻碍或阻挡光透射的像素电路,所以虚设像素dPX的透射率可以比像素PX的透射率高。虚设像素dPX的发光元件可以电连接到相邻的像素PX的像素电路。因此,虚设像素dPX可以与包括电连接到虚设像素dPX的像素电路的像素PX一起被驱动。至少一个透射区域TA可以不包括虚设像素dPX。因此,根据一些示例实施例,透射区域TA中的一个或更多个可以包括虚设像素dPX而不包括像素电路,虚设像素dPX可以包括电连接到相邻的第二像素区域PA2的像素电路的一个或更多个发光元件,使得虚设像素dPX的发光元件(例如,OLED)可以由相邻的第二像素区域PA2的像素电路驱动。通过不将像素电路包括在虚设像素dPX中,可以使虚设像素dPX能够在原本将另外设置像素电路的位置处透射光。此外,根据一些示例实施例,虚设像素dPX可以不包括发光元件,使得可以使虚设像素dPX能够在原本将另外设置发光元件的位置处透射光。
因为虚设像素dPX位于透射区域TA中,所以即使第二显示区域DA2具有比第一显示区域DA1的像素密度小的像素密度,第二显示区域DA2也可以具有比第一显示区域DA1大的开口率。这里,开口率指发光部在显示区域中占据的比例。
因为第二显示区域DA2具有比第一显示区域DA1的像素密度小的像素密度,所以当图像遍及包括第二显示区域DA2的整个显示区域DA显示时,会在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间发生失调或不一致。例如,第二显示区域DA2可以被显示为比第一显示区域DA1暗。通过增大第二像素区域PA2的像素PX的亮度,失调可以通过使第二显示区域DA2的亮度与第一显示区域DA1的亮度相似或基本上相同来改善(例如,抵消或减小)。然而,在这种情况下,第二像素区域PA2的像素PX的寿命会减少。根据一些示例实施例,因为虚设像素dPX位于第二显示区域DA2的透射区域TA中以与第二像素区域PA2的像素PX一起发射,所以即使第二像素区域PA2中的像素PX的亮度未增大或过度增大,第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的失调也可以被改善(例如,抵消或减小)。
根据一些示例实施例,如图3和图4中所示,每个第一像素区域PA1包括一个红色像素R、两个绿色像素G和一个蓝色像素B。每个第二像素区域PA2包括一个红色像素R、两个绿色像素G和一个蓝色像素B。每个透射区域TA包括一个虚设红色像素dR、两个虚设绿色像素dG和一个虚设蓝色像素dB。与示出的示例不同,第一像素区域PA1的像素排列和第二像素区域PA2的像素排列可以不同,并且第二像素区域PA2的像素排列可以与透射区域TA的虚设像素排列不同。
包括在每个像素区域PA1和PA2中的像素R、G和B的组可以被称为单元像素,包括在每个透射区域TA中的虚设像素dR、dG和dB的组可以被称为单元虚设像素。第一像素区域PA1的单元像素的构造和第二像素区域PA2的单元像素的构造可以相同或不同。单元像素可以包括一个红色像素R、一个绿色像素G和一个蓝色像素B。单元像素可以包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B之中的至少一个,并且可以包括白色像素。
包括在第一显示区域DA1中的像素R、G和B可以布置在沿着第一方向x延伸的像素行中。包括在第二显示区域DA2中的像素R、G和B以及包括在透射区域TA中的虚设像素dR、dG和dB也可以布置在沿着第一方向x延伸的像素行中。图3和图4示出了16个像素行,然而,显示区域DA可以根据显示装置1的设计而包括与期望的图像分辨率(例如,设定或预定分辨率)对应的任何合适的数量的像素行。
在第一显示区域DA1中,像素R、G和B在每个像素行中在第一方向x上近似地布置成一条线。在每个像素行中,像素R、G和B可以在第一方向x上以红色像素R、绿色像素G、蓝色像素B和绿色像素G的顺序重复地布置。包括在一个像素行中的像素R、G和B的排列可以进行各种改变。例如,像素R、G和B可以以蓝色像素B、绿色像素G、红色像素R和绿色像素G的顺序在第一方向x上重复地布置,或者可以以红色像素R、蓝色像素B、绿色像素G和蓝色像素B的顺序在第一方向x上重复地布置。然而,根据本公开的实施例不限于此,像素R、G和B的顺序或排列可以根据各种实施例的设计而进行改变。
在第二显示区域DA2中,像素R、G和B以及虚设像素dR、dG和dB在每个像素行中在第一方向x上近似地布置成一条线。在每个像素行中,像素R、G和B以及虚设像素dR、dG和dB可以在第一方向x上以红色像素R、绿色像素G、蓝色像素B、绿色像素G、虚设红色像素dR、虚设绿色像素dG、虚设蓝色像素dB和虚设绿色像素dG的顺序重复地布置。包括在一个像素行中的像素R、G和B的排列可以进行各种改变。
第一像素区域PA1和第二像素区域PA2的像素R、G和B以及透射区域TA的虚设像素dR、dG和dB也可以在第二方向y上沿着像素列布置。图3和图4示出了8个像素列,然而,显示区域DA可以根据期望的图像分辨率(例如,设定或预定分辨率)而包括任何合适的数量的像素列。在每个像素列中,像素R、G和B以及虚设像素dR、dG和dB在第二方向y上近似地布置成一条线。在每个像素列中,在第二方向y上的两种或更多种颜色的像素PX可以在第一显示区域DA1中沿着第二方向y交替地布置,同一颜色的像素PX和虚设像素dPX可以在第二显示区域DA2中沿着第二方向y交替地布置。例如,在图4中,在最左侧示出的像素列中,蓝色像素B和红色像素R可以在第一显示区域DA1中沿着第二方向y交替地布置,红色像素R和虚设红色像素dR可以在第二显示区域DA2中沿着第二方向y交替地布置。包括在一个像素列中的像素R、G和B以及虚设像素dR、dG和dB的排列可以进行各种改变。
图5是根据一些示例实施例的显示装置1中的第二显示区域DA2的像素PX和虚设像素dPX的示意图。图5示出了第二显示区域DA2中的在第二方向y上相邻的第二像素区域PA2和透射区域TA。
参照图5,第二像素区域PA2依次包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B,透射区域TA依次包括虚设红色像素dR、虚设绿色像素dG和虚设蓝色像素dB。用于驱动第二像素区域PA2的像素R、G和B的发光元件的像素电路PC可以位于第二像素区域PA2中。像素电路PC可以不位于透射区域TA处或位于透射区域TA附近。像素电路PC可以包括反射性的金属层,并且该金属层可以阻挡光。然而,因为像素电路PC不位于透射区域TA处或透射区域TA附近,所以透射区域TA可以具有比第二像素区域PA2的透射率高的透射率。
透射区域TA的虚设像素dR、dG和dB可以电连接到位于第二像素区域PA2中的像素电路PC。例如,透射区域TA的每个虚设像素dR、dG和dB的发光元件的一个电极(例如,阳极)可以电连接到第二像素区域PA2的对应的像素R、G和B的像素电路PC。因此,透射区域TA的每个虚设像素dR、dG和dB的发光元件可以与第二像素区域PA2的对应的像素R、G和B一起(例如,同时)发射。透射区域TA的虚设像素dR、dG和dB可以被认为将第二像素区域PA2的像素R、G和B延伸到透射区域TA中。每个虚设像素dR、dG和dB的发光部可以与对应的像素R、G和B的发光部分开,并且可以彼此连接。
透射区域TA中的虚设像素dR、dG和dB是双侧发射型。即,虚设像素dR、dG和dB的发光部可以在第三方向z和与第三方向z相反的方向-z上发光。因此,双侧发射型的虚设像素dR、dG和dB的构造将增大透射区域TA的透射率。对于双侧发射,虚设像素dR、dG和dB的发光元件的两个电极(例如阳极和阴极)必须是透明的,使得虚设像素dR、dG和dB的透射率可以增大,并且因此透射区域TA的透射率可以增大。
第二像素区域PA2的像素R、G和B可以具有剖面发射型,例如,如示出的在第三方向z上发射光的顶发射型。第二像素区域PA2的像素R、G和B可以是底发射型或双侧发射型。
图6是示出根据一些示例实施例的显示装置1中的第二显示区域DA2的一部分的示意性俯视图,图7是根据一些示例实施例的沿着图6中的线A-A'截取的剖视图。
图6示出了在第二显示区域DA2中相邻的四个第二像素区域PA2和四个透射区域TA。图7示出了位于第二像素区域PA2中的像素电路PC的构造之中的仅一个晶体管TR和一个电容器CP。
参照图6和图7,在第二显示区域DA2中,第二像素区域PA2和透射区域TA彼此相邻,第二像素区域PA2包括像素R、G和B,透射区域TA包括虚设像素dR、dG和dB。每个虚设像素dR、dG和dB电连接到对应的像素R、G和B。现在描述在显示装置1包括如以上描述的第二像素区域PA2和透射区域TA的同时将电连接到像素R、G和B的虚设像素dR、dG和dB的详细的剖面结构。
显示装置1包括基底SB和形成在基底SB上的各种层、布线和元件。元件可以包括晶体管TR、电容器CP以及发光二极管LED1和LED2。
基底SB可以包括诸如聚合物(诸如聚酰亚胺和聚酰胺)的绝缘材料或者玻璃,并且可以是光学透明的。当基底SB包括聚合物层时,基底SB可以包括阻挡层,所述阻挡层包括诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料以防止或减少湿气或其他污染物渗透的情况。
缓冲层BF可以位于基底SB上,以防止会使半导体层AL的特性劣化的杂质的扩散,并且防止或减少湿气或其他污染物渗透的情况。
晶体管TR的半导体层AL可以位于缓冲层BF上。半导体层AL可以包括沟道区以及在半导体层AL的相应侧上的源区和漏区。半导体层AL可以包括半导体材料,诸如多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等。
可以包括无机绝缘材料的第一绝缘层IN1可以位于半导体层AL上。第一绝缘层IN1可以位于基底SB的整个表面之上,并且也可以位于透射区域TA中。
可以包括晶体管TR的栅电极GE、电容器CP的第一电极CE1、栅极线等的第一导体可以位于第一绝缘层IN1上。栅电极GE可以与半导体层AL的沟道区叠置。第一导体可以包括金属或导电材料,诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。
可以包括无机绝缘材料的第二绝缘层IN2可以位于第一导体上。可以包括晶体管TR的源电极SE和漏电极DE、电容器CP的第二电极CE2、数据线、驱动电压线等的第二导体可以位于第二绝缘层IN2上。源电极SE和漏电极DE可以通过第二绝缘层IN2的开口分别连接到半导体层AL的源区和漏区。第二导体可以包括金属,诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等。
栅电极GE、源电极SE和漏电极DE与半导体层AL一起形成晶体管TR。第一电极CE1和第二电极CE2与置于其间的第二绝缘层IN2一起形成电容器CP。用于构造像素电路PC的晶体管TR和电容器CP可以位于第二像素区域PA2中,但是可以不位于透射区域TA中。
可以包括有机绝缘材料的第三绝缘层IN3可以位于第二绝缘层IN2和第二导体上。第三绝缘层IN3可以用于消除待平坦化的台阶,以增大将形成在第三绝缘层IN3上的发光元件的发光效率。第三绝缘层IN3可以布置为覆盖第二像素区域PA2中的第二绝缘层IN2和第二导体。第三绝缘层IN3可以覆盖晶体管TR。
第三绝缘层IN3可以在透射区域TA中的至少一部分处被去除以改善透射率。例如,除了透射区域TA与第二像素区域PA2的边界部分的外围之外,第三绝缘层IN3可以不位于透射区域TA中。第三绝缘层IN3可以不位于或可以近似位于透射部中。
像素PX的发光二极管LED1的第一电极E11和虚设像素dPX的发光二极管LED2的第一电极E12可以位于第三绝缘层IN3上。
在与发光部对应的区域中,第一电极E12可以直接位于第二绝缘层IN2上,并且可以与第二绝缘层IN2接触。为了增大透射区域TA的透射率,第一电极E12可以是包括诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)的透明电极。为了与像素PX的像素电路PC电连接,第一电极E12可以延伸到第二像素区域PA2。
第一电极E11可以包括第一层和位于其上的第二层。第二层与第一电极E12的延伸部分对应。因此,第二层与第一电极E12一体地形成。第一电极E11可以通过第三绝缘层IN3的开口OP1连接到晶体管TR的漏电极DE。因为第一电极E12连接到第一电极E11,所以第一电极E12也可以连接到漏电极DE,并且可以一起(例如,同时)接收与第一电极E11的信号相同的信号。替代地,第一层可以与第一电极E12的延伸部分对应。
第一电极E11的第一层可以包括金属或导电材料,诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)。第一层可以是透明导电氧化物、金属和透明导电氧化物的多层结构(例如,ITO/Ag/ITO)。第一层可以是反射性的。因为第一层是反射性的,所以即使第二层是透明的,第一电极E11也可以是反射电极。通过将第一电极E11形成为反射电极,可以增大发光二极管LED1的发光效率。第一层和第一电极E11可以是透明的。
这种结构的第一电极E11和E12可以通过包括下面的操作中的一个或多个的各种制造操作来形成。在于第三绝缘层IN3中形成与第二像素区域PA2的漏电极DE叠置的开口OP1和与透射区域TA的发光部叠置的开口OP2之后,在第二像素区域PA2中形成第一电极E11的第一层。接下来,在第二像素区域PA2和透射区域TA中形成覆盖第一电极E11的第一层的第二层和第一电极E12。在这种情况下,第二层和第一电极E12可以由相同的材料(例如,一起或同时)形成以彼此连接。
可以包括有机绝缘材料的第四绝缘层IN4可以位于第三绝缘层IN3以及第一电极E11和E12上。第四绝缘层IN4可以具有与第一电极E11叠置的开口OP3和与第一电极E12叠置的开口OP4。开口OP3可以限定与像素PX的发光部对应的区域,开口OP4可以限定与虚设像素dPX的发光部对应的区域。开口OP4可以与透射区域TA中的具有较高透射率的透射部对应。第四绝缘层IN4可以覆盖第一电极E11和E12的边缘。
发光构件EL可以位于第一电极E11和E12上。发光构件EL可以包括顺序堆叠的第一有机公共层、发射层和第二有机公共层。第一有机公共层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。发射层可以包括唯一地发射原色(诸如红色、绿色和蓝色)的光的材料层。发射层可以具有其中堆叠有发射不同颜色的光的多个材料层的结构。第二有机公共层可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一种。
发光构件EL可以遍及第二像素区域PA2和透射区域TA连续地延伸(例如,可以形成为连续层)。发光构件EL可以位于仅开口OP3和OP4中,并且不位于第四绝缘层IN4上。包括在像素PX的发光二极管LED1中的发光构件EL和包括在虚设像素dPX的发光二极管LED2中的发光构件EL可以包括相同的材料并且可以在同一工艺中形成。
第二电极E2可以位于发光构件EL上。第二电极E2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO),并且第二电极E2可以是透明电极。第二电极E2可以遍及第二像素区域PA2和透射区域TA连续地延伸(例如,可以形成为连续的材料或层)。第二电极E2可以形成为覆盖整个显示区域DA。
盖层CPL可以形成或者位于第二电极E2上。盖层CPL可以通过调节折射率来改善光学效率。盖层CPL可以形成为完全覆盖第二电极E2。盖层CPL可以包括有机绝缘材料或者可以包括无机绝缘材料。封装层可以形成在盖层CPL上。封装层可以是其中至少一个无机层和/或至少一个有机层堆叠在盖层CPL上的薄膜封装层,或者是通过密封构件结合到基底SB的封装基底。
在第二像素区域PA2中,第一电极E11、发光构件EL和第二电极E2形成作为发光二极管LED1的发光元件。在透射区域TA中,第一电极E12、发光构件EL和第二电极E2形成作为发光二极管LED2的发光元件。第一电极E11和E12可以是空穴注入电极的阳极,第二电极E2可以是电子注入电极的阴极。相反,第一电极E11和E12可以是阴极,第二电极E2可以是阳极。
在发光二极管LED1中,因为第一电极E11是反射性的并且第二电极E2是透射性的,所以从发光二极管LED1发射的光可以发射到前面,即,在第三方向z上。在发光二极管LED2中,因为第一电极E12和第二电极E2都是透射性的,所以从发光二极管LED2发射的光可以在前面和后面发射,即,在第三方向z和与第三方向z相反的方向-z上。
如示出的,根据一些示例实施例,因为位于第二像素区域PA2中的像素电路(诸如晶体管TR、电容器CP等)的构造不位于透射区域TA中,所以透射区域TA的透射率可以增大。在透射区域TA中,双侧型的发光二极管LED2布置成形成发射光的虚设像素dPX,使得不需要增大或过度增大第二像素区域PA2的发光二极管LED1的亮度来补偿第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间的亮度差。因此,可以能够防止第二像素区域PA2的发光二极管LED1的寿命比第一像素区域PA1的发光二极管的寿命短。另外,因为可以不需要为了增大发光二极管LED1的亮度而增大驱动电压,所以可以减小功耗。因为第一电极E12和第二电极E2均是透明电极,所以发光二极管LED2可以防止或减小透射区域TA的透射率劣化。
另一方面,第一显示区域DA1的第一像素区域PA1的剖面结构可以与第二像素区域PA2的剖面结构对应,然而,第一像素区域PA1的发光二极管的第一电极可以不包括发光二极管LED1的第一电极E11中包括的第二层。
在下文中,基于与以上描述的示例实施例的差异来描述一些示例实施例的方面。
图8是根据一些示例实施例的沿着图6中的线A-A'截取的剖视图。图8的示例实施例在盖层CPL方面与图7的示例实施例不同。
参照图8,盖层CPL在与第二像素区域PA2(例如,发光二极管LED1)叠置的区域中具有第一厚度t1,并且在与透射区域TA(例如,发光二极管LED2)叠置的区域中具有比第一厚度t1小的第二厚度t2。例如,第一厚度t1可以是约
Figure BDA0002626750200000161
Figure BDA0002626750200000162
第二厚度t2可是第一厚度t1的约70%或更小、约50%或更小、或者约30%或更小。如以上描述的,例如,具有第一厚度t1和第二厚度t2的盖层CPL可以通过在遍及整个显示区域DA形成具有第一厚度t1的盖层CPL之后通过使用使透射区域TA开口的掩模在透射区域TA中选择性地去除盖层CPL以具有第二厚度t2来形成。
根据一些示例实施例,透射区域TA的透射率可以通过在透射区域TA中形成薄的盖层CPL来增大。根据一些示例实施例,当在透射区域TA中盖层CPL的第二厚度t2为
Figure BDA0002626750200000163
时,透射部的透射率为65.3%,然而,当盖层CPL的第二厚度t2减小到
Figure BDA0002626750200000164
时,透射部的透射率表现为71.7%。
图9是根据一些示例实施例的沿着图6中的线A-A'截取的剖视图。图9的示例实施例与图7中示出的剖面结构在透射区域TA上具有差异。
参照图9,在透射区域TA中,除了第三绝缘层IN3之外,第二绝缘层IN2、第一绝缘层IN1和缓冲层BF也被至少部分地去除。除了透射区域TA与第二像素区域PA2之间的边界的外围之外,第三绝缘层IN3、第二绝缘层IN2、第一绝缘层IN1和缓冲层BF可以不位于透射区域TA中。发光二极管LED2的第一电极E12可以在与发光部对应的区域中直接位于基底SB上,并且可以与基底SB接触。如此,透射区域TA的透射率可以通过在与透射区域TA的透射部对应的区域中去除可以包括无机绝缘材料的缓冲层BF、第一绝缘层IN1和第二绝缘层IN2来提高。
与如示出的不同,透射区域TA中的缓冲层BF和绝缘层IN1、IN2和IN3中的至少一个可以布置或形成为覆盖整个基底SB而不被去除。在任一情况下,包括连接到第二像素区域PA2的像素电路PC的发光二极管LED2的虚设像素dPX可以位于透射区域TA中。
图10是示出根据一些示例实施例的显示装置1中的第二显示区域DA2的一部分的示意性俯视图,图11是根据一些示例实施例的沿着图10中的线B-B'截取的剖视图。
参照图10和图11,位于透射区域TA中的虚设像素dPX的发光二极管LED2的第一电极E12连接到第二像素区域PA2的像素电路PC。第一电极E12可以延伸到开口OP1中,但是可以不延伸。第一电极E12不延伸到第二像素区域PA2中的像素PX的发光二极管LED1。因此,第一电极E11不包括第二层而仅包括第一层。在该设计中,第二像素区域PA2的发光二极管LED1可以具有与第一像素区域PA1的发光二极管的结构基本上相同的结构。
图12、图13和图14分别是示出根据一些示例实施例的显示装置1中的第二显示区域DA2的一部分的示意性俯视图。基于与以上描述的示例实施例的差异来描述每个示例实施例。
参照图12,示出了其中第二像素区域PA2与透射区域TA的面积比是约1:3,像素PX形状是菱形并且虚设像素dPX形状为矩形的示例。示出的区域包括两个第二像素区域PA2和两个透射区域TA。在该布置中,第二显示区域DA2的像素密度可以是第一显示区域DA1的像素密度的约1/4。
每个第二像素区域PA2可以包括像素PX,透射区域TA可以包括虚设像素dPX。因为透射区域TA比第二像素区域PA2宽,所以每个虚设像素dPX可以在透射区域TA中形成为具有比以上描述的示例实施例的区域宽的区域。例如,如以上描述的,在每个透射区域TA中,一个虚设红色像素dR和两个虚设绿色像素dG可以形成在与一个第二像素区域PA2近似对应的区域处,虚设蓝色像素dB可以形成在与两个第二像素区域PA2近似对应的区域处。根据一些示例实施例,在寿命上会短于虚设红色像素dR和虚设绿色像素dG的虚设蓝色像素dB可以形成为比虚设红色像素dR和虚设绿色像素dG相对宽。
虚设像素dPX可以包括发光部而不包括像素电路。虚设像素dPX可以是在第三方向z和与第三方向z相反的方向-z上发射光的双侧发射型。透射区域TA的虚设红色像素dR、虚设绿色像素dG和虚设蓝色像素dB电连接到第二像素区域PA2的对应的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的像素电路,从而与红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B一起被驱动和发射。虚设像素dPX的发光元件的第一电极E12可以电连接到像素PX的发光元件的第一电极E11。
如图12中所示,在下面的表1中简要地示出了第二显示区域DA2的构造的测试结果。
(表1)
Figure BDA0002626750200000181
在表1中,示例实施例的开口率通过将第二显示区域DA2中的像素PX的开口率和虚设像素dPX的开口率相加来获得。对比示例是透射区域TA不包括虚设像素dPX的情况。根据一些示例实施例,虽然第二显示区域DA2的像素密度是第一显示区域DA1的像素密度的约1/4,但是已经表明,通过在透射区域TA中布置双侧发射虚设像素dPX,像素PX的亮度寿命改善比对比示例的亮度寿命高约七倍。参照图13,示出了其中第二像素区域PA2与透射区域TA的面积比是近似1:1,并且像素PX和虚设像素dPX两者均为矩形的示例。在该布置中,第二显示区域DA2的像素密度可以是第一显示区域DA1的像素密度的近似1/2。
每个第二像素区域PA2包括一个红色像素R、一个绿色像素G和一个蓝色像素B,相应地,透射区域TA包括一个虚设红色像素dR、一个虚设绿色像素dG和一个虚设蓝色像素dB。透射区域TA的虚设红色像素dR、虚设绿色像素dG和虚设蓝色像素dB电连接到第二像素区域PA2的对应的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的像素电路,从而与红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B一起被驱动和发射。
另一方面,第一显示区域DA1的第一像素区域PA1可以包括一个红色像素R、两个绿色像素G和一个蓝色像素B,可以包括一个红色像素R、一个绿色像素G和一个蓝色像素B,或者可以具有其他单元像素构造。换句话说,第二像素区域PA2的像素构造和单元像素不一定与第一像素区域PA1的像素构造和单元像素相同。
参照图14,示出了其中第二像素区域PA2与透射区域TA的面积比是约1:3并且像素PX和虚设像素dPX两者为矩形的示例。如示出的,一个虚设红色像素dR和一个虚设绿色像素dG可以在每个透射区域TA中位于与一个第二像素区域PA2近似对应的区域中,并且一个虚设蓝色像素dB可以位于与两个第二像素区域PA2近似对应的区域中。虚设像素dPX可以不包括像素电路,而是可以仅包括发光部,虚设像素dPX的发光元件的第一电极E12可以电连接到像素PX的发光元件的第一电极E11。虚设像素dPX可以是双侧发射型。
根据一些示例实施例,第二显示区域DA2中的第二像素区域PA2和透射区域TA的比例和布置以及包括在第二像素区域PA2中的像素PX和包括在透射区域TA中的虚设像素dPX的布置可以进行各种改变。例如,在第二显示区域DA2中,在第二像素区域PA2与透射区域TA的比例是约1:15的情况下,一个虚设红色像素dR可以位于与近似三个第二像素区域PA2对应的区域中,一个或两个虚设绿色像素dG可以位于与近似六个第二像素区域PA2对应的区域中,一个虚设蓝色像素dB可以布置在与近似六个第二像素区域PA2对应的区域中。在任一情况下,双侧发射型的虚设像素dPX也位于透射区域TA中以减轻第二像素区域PA2的像素PX的负担,从而减小由于与第一显示区域DA1的像素密度的差异而导致的第二显示区域DA2的像素PX的寿命劣化。
可以包括在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2的像素PX中的像素电路被描述为电路图。
图15是根据一些示例实施例的显示装置1的一个像素PX的电路图。
参照图15,一个像素PX可以包括连接到信号线151、152、153、154、161、171和172的晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7、电容器CP和发光二极管LED。
信号线151、152、153、154、161、171和172可以包括栅极线151、152和153、发光控制线154、数据线171、驱动电压线172和初始化电压线161。
栅极线151、152和153可以分别传输栅极信号GWn、GIn和GI(n+1)。栅极信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传输能够使像素PX中包括的晶体管TR2、TR3、TR4和TR7导通/截止的栅极导通电压和栅极截止电压。
连接到一个像素PX的栅极线151、152和153可以包括能够传输栅极信号GWn的第一栅极线151、能够在与第一栅极线151的时间不同的时间传输具有栅极导通电压的栅极信号GIn的第二栅极线152以及能够传输栅极信号GI(n+1)的第三栅极线153。第二栅极线152可以在比第一栅极线151早的时间传输栅极导通电压。例如,当栅极信号GWn是在一帧期间施加的栅极信号之中的第n栅极信号时,栅极信号GIn可以是诸如第n-1栅极信号的先前栅极信号,栅极信号GI(n+1)可以是第n栅极信号。栅极信号GI(n+1)可以是与第n栅极信号不同的栅极信号。
发光控制线154可以传输能够控制发光二极管LED的发射的发光控制信号EM。发光控制信号EM可以包括栅极导通电压和栅极截止电压。
数据线171可以传输数据信号Dm。驱动电压线172可以传输驱动电压ELVDD。数据信号Dm可以根据输入到显示装置1的图像信号而具有不同的电压电平,驱动电压ELVDD可以具有基本上恒定的电平。初始化电压线161可以传输诸如初始化电压Vint的恒定电压。
显示装置1可以包括用于产生传输到信号线151、152、153、154、161、171和172的信号的驱动器件(例如,栅极驱动器、数据驱动器、信号控制器等)。
包括在一个像素PX中的晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7可以包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、第四晶体管TR4、第五晶体管TR5、第六晶体管TR6和第七晶体管TR7。
第一栅极线151可以将栅极信号GWn传输到第二晶体管TR2和第三晶体管TR3。第二栅极线152可以将栅极信号GIn传输到第四晶体管TR4。第三栅极线153可以将栅极信号GI(n+1)传输到第七晶体管TR7。发光控制线154可以将发光控制信号EM传输到第五晶体管TR5和第六晶体管TR6。晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7可以分别包括源电极SE1、SE2、SE3、SE4、SE5、SE6和SE7、漏电极DE1、DE2、DE3、DE4、DE5、DE6和DE7以及栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7,并且如示出地连接。
第一晶体管TR1可以根据第二晶体管TR2的开关操作来接收由数据线171传输的数据信号Dm以将电流ILED供应到发光二极管LED。
第二晶体管TR2可以根据通过第一栅极线151传输的栅极信号GWn导通,以将从数据线171传输的数据信号Dm传输到第一晶体管TR1的源电极SE1。即,第一晶体管TR1可以被构造为基于使第二晶体管TR2导通的栅极信号GWn在源电极SE1处通过第二晶体管TR2接收数据信号Dm。
第三晶体管TR3也可以根据通过第一栅极线151传输的栅极信号GWn导通,以将第一晶体管TR1的栅电极GE1和漏电极DE1彼此连接,从而二极管连接第一晶体管TR1。因此,根据一些示例实施例,第三晶体管TR3可以被激活以与第二晶体管TR2一起导通。
第四晶体管TR4可以根据通过第二栅极线152传输的栅极信号GIn而导通,以将初始化电压Vint传输到第一晶体管TR1的栅电极GE1,从而执行用于使第一晶体管TR1的栅电极GE1的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管TR5和第六晶体管TR6根据通过发光控制线154传输的发光控制信号EM一起(例如,同时)导通,从而驱动电压ELVDD通过二极管连接的第一晶体管TR1进行补偿并传输到发光二极管LED。
电容器CP的一端可以连接到第一晶体管TR1的栅电极GE1,另一端可以连接到驱动电压线172。发光二极管LED的阴极连接到传输公共电压ELVSS的公共电压端子,从而接收公共电压ELVSS。
可以以各种方式改变包括在一个像素PX中的晶体管的数量和电容器的数量以及它们的连接关系。
根据一些示例实施例的显示装置的操作简要描述如下。在初始化时段期间,如果通过第二栅极线152供应栅极导通电压电平的栅极信号GIn(栅极信号GIn可以是第n-1栅极信号),则第四晶体管TR4导通,初始化电压Vint通过第四晶体管TR4传输到第一晶体管TR1的栅电极GE1,并且第一晶体管TR1通过初始化电压Vint而初始化。
接下来,在数据编程和补偿时段期间,如果通过第一栅极线151供应栅极导通电压电平的栅极信号GWn(栅极信号GWn可以是第n栅极信号),则第二晶体管TR2和第三晶体管TR3导通。第一晶体管TR1由导通的第三晶体管TR3二极管连接并正向偏置。然后,从通过数据线171供应的数据信号Dm降低第一晶体管TR1的阈值电压的补偿电压被施加到第一晶体管TR1的栅电极GE1。驱动电压ELVDD和补偿电压被施加到电容器CP的两端,可以存储与电容器CP的两端之间的电压差对应的电荷。
接下来,在发光时段期间,如果从发光控制线154供应的发光控制信号EM从栅极截止电压电平改变为栅极导通电压电平,则第五晶体管TR5和第六晶体管TR6导通,产生取决于第一晶体管TR1的栅电极GE1的栅极电压与驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流ID,并且驱动电流ID通过第六晶体管TR6被供应到发光二极管LED,使得电流ILED流到发光二极管LED。
另一方面,在初始化时段期间,第七晶体管TR7通过经由第三栅极线153接收栅极导通电压电平的栅极信号GI(n+1)而导通。栅极信号GI(n+1)可以是第n栅极信号。驱动电流ID的一部分可以作为旁路电流IBP通过导通的第七晶体管TR7而旁路通过第七晶体管TR7。
图16是根据一些示例实施例的显示装置1的显示区域DA的布局图,图17是根据一些示例实施例的沿着图16中的线C-C'截取的剖视图。示出的布局图可以是第一像素区域PA1和/或第二像素区域PA2的一个示例。
参照图16,根据一些示例实施例的显示装置1可以包括与像素R、G和B对应的像素电路PC。像素电路PC可以以矩阵排列布置。
像素电路PC可以包括连接到栅极线151、152和153、发光控制线154、数据线171、驱动电压线172和初始化电压线161的晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7。栅极线151、152和153以及发光控制线154可以近似在第一方向x上延伸,数据线171、驱动电压线172和初始化电压线161可以近似在第二方向y上延伸。驱动电压线172和/或初始化电压线161可以呈网格的形式。驱动电压线172可以包括延伸部178。
每个晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7的沟道可以形成在有源图案AP内部。有源图案AP可以以各种形状弯曲。例如,第一晶体管TR1可以包括弯曲至少一次的有源图案AP的沟道区C1。第二像素区域PA2的第一晶体管T1必须一起驱动透射区域TA的虚设像素dPX以及第二像素区域PA2的像素PX,或者可以驱动第二像素区域PA2的像素PX以表现比第一像素区域PA1的像素PX的亮度高的亮度。因此,位于第二像素区域PA2中的第一晶体管T1可以具有比位于第一像素区域PA1中的第一晶体管T1的沟道区C1大的沟道区C1。
参照图16和图17,根据一些示例实施例的显示装置1包括基底SB,缓冲层BF可以位于基底SB上。
有源图案AP可以位于缓冲层BF上。有源图案AP可以包括沟道区C1、C2和C6以及导电区CA。导电区CA位于每个沟道区C1、C2和C6的两侧上,并且可以是晶体管的源区和漏区。
第一绝缘层IN1可以形成在有源图案AP上,并且可以包括栅极线151、152和153、发光控制线154以及栅电极GE1、GE2和GE6的第一导电层可以位于第一绝缘层IN1上。
第二绝缘层IN2可以形成在第一导电层上。可以包括数据线171、驱动电压线172和漏电极DE6的第二导电层可以形成在第二绝缘层IN2上。数据线171可以通过第一绝缘层IN1和第二绝缘层IN2的开口连接到第二晶体管TR2的源区。驱动电压线172的延伸部178可以与第一晶体管TR1的栅电极GE1经由置于其间的第二绝缘层IN2而叠置,从而构造电容器CP。漏电极DE6可以通过第一绝缘层IN1和第二绝缘层IN2的开口连接到第六晶体管TR6的漏区。
第三绝缘层IN3可以形成在第二导电层上。可以包括像素R、G和B的第一电极E1、初始化电压线161等的第三导电层可以形成在第三绝缘层IN3上。第一电极E1可以通过第三绝缘层IN3的开口连接到漏电极DE6。第三导电层可以是反射性的或半透明的。
第四绝缘层IN4可以位于第三导电层上。第四绝缘层IN4可以具有与第一电极E1叠置的开口OP。至少位于开口OP内的发光构件EL可以位于第一电极E1上。第二电极E2可以位于发光构件EL和第四绝缘层IN4上。第二电极E2可以是透明的。
每个像素R、G和B的第一电极E1、发光构件EL和第二电极E2可以形成发光元件的发光二极管LED。
以上描述的第一显示区域DA1可以具有图16和图17中示出的结构。第二显示区域DA2的第二像素区域PA2可以具有与图16和图17中示出的结构基本上相同的结构。在第二显示区域DA2的透射区域TA中,可以不布置或者可以近似布置用于驱动发光二极管LED的像素电路PC。例如,在透射区域TA中,可以不布置晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7以及电容器CP。此外,在透射区域中,可以不形成每条信号线151、152、153、154、161、171和172中的至少部分。因此,透射区域TA的透射率可以比像素区域PA1和PA2的透射率高。然而,在透射区域TA中,如以上描述的,由于发光二极管LED2可以形成为与第二像素区域PA2的发光二极管LED1一起发射,因此可以改善由于与第一显示区域DA1的像素密度的差异而导致的第二显示区域DA2的亮度劣化和第二像素区域PA2的像素的寿命的减少。
虽然已经结合目前被认为是实际示例实施例的内容描述了根据本发明的一些示例实施例的方面,但是将理解的是,根据本发明的实施例不限于所公开的实施例。相反,其旨在覆盖包括在权利要求及它们的等同物的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (15)

1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一显示区域,包括第一像素区域;
第二显示区域,包括第二像素区域和与所述第二像素区域相邻的透射区域;
第一像素,位于所述第一像素区域中;
第二像素,位于所述第二像素区域中;以及
虚设像素,位于所述透射区域中,
其中,所述虚设像素包括在两侧上发射光的发光部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二显示区域的像素密度比所述第一显示区域的像素密度小。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述虚设像素电连接到所述第二像素。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述虚设像素表现与所述第二像素的颜色相同的颜色。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
多个第二像素位于所述第二像素区域中,并且
与所述多个第二像素对应的多个虚设像素位于所述透射区域中。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第二像素包括晶体管和第一发光元件,
所述虚设像素包括第二发光元件,并且
所述第二发光元件电连接到所述第二像素的所述晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示装置,所述显示装置还包括:
盖层,覆盖所述第一发光元件和所述第二发光元件,并且
其中,所述盖层包括与所述第一发光元件叠置的第一部分和与所述第二发光元件叠置的第二部分,并且所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度大。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光构件,
所述第二发光元件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的发光构件,并且
所述第二发光元件的所述第一电极电连接到所述第一发光元件的所述第一电极。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件的所述第二电极和所述第二发光元件的所述第二电极遍及所述第二像素区域和所述透射区域连续地延伸。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件的所述发光构件和所述第二发光元件的所述发光构件遍及所述第二像素区域和所述透射区域连续地延伸。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件的所述第一电极是反射电极,并且所述第二发光元件的所述第一电极是透明电极。
12.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第一发光元件的所述第一电极包括第一层和第二层,并且
所述第二层与所述第二发光元件的所述第一电极一体地形成。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,
所述第一层是反射性的,并且所述第二层是透射性的。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一像素的发光部的平面形状与所述第二像素的发光部的平面形状彼此不同。
15.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括:
光学器件,与所述第二显示区域叠置,并且
所述第二显示区域具有比所述第一显示区域的透射率高的透射率。
CN202010799140.5A 2019-08-20 2020-08-11 显示装置 Pending CN112420772A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0101909 2019-08-20
KR1020190101909A KR20210022818A (ko) 2019-08-20 2019-08-20 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112420772A true CN112420772A (zh) 2021-02-26

Family

ID=71728624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010799140.5A Pending CN112420772A (zh) 2019-08-20 2020-08-11 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11678555B2 (zh)
EP (1) EP3783660A1 (zh)
KR (1) KR20210022818A (zh)
CN (1) CN112420772A (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
JP7386556B2 (ja) 2019-06-26 2023-11-27 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 光回折特性に関連する用途を備えた光透過領域を含む光電子デバイス
US20220352481A1 (en) * 2019-10-08 2022-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CN110782807B (zh) * 2019-10-30 2020-08-28 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20220091899A (ko) * 2020-12-24 2022-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시패널과 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR20220161643A (ko) * 2021-05-28 2022-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023152968A1 (ja) * 2022-02-14 2023-08-17 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 発光デバイスおよび表示装置
KR20240010615A (ko) * 2022-07-14 2024-01-24 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101954981B1 (ko) 2010-09-24 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103474448A (zh) 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及显示装置
CN103715230B (zh) 2013-12-31 2018-12-07 北京维信诺科技有限公司 一种透明oled器件及其显示装置
KR20170113066A (ko) 2016-03-24 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이를 가진 전자 장치 및 그의 이미지 표시 방법
KR102645631B1 (ko) 2016-11-22 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 벤디드 표시 장치
KR20180083459A (ko) 2017-01-12 2018-07-23 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 어셈블리
CN107194321B (zh) 2017-04-27 2020-04-21 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏、显示装置及移动终端
KR20190114064A (ko) * 2018-03-27 2019-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
CN108830234B (zh) 2018-06-21 2021-01-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20200075996A (ko) * 2018-12-18 2020-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109979391B (zh) 2019-04-28 2021-05-11 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及其驱动方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210057494A1 (en) 2021-02-25
EP3783660A1 (en) 2021-02-24
US11678555B2 (en) 2023-06-13
KR20210022818A (ko) 2021-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3783660A1 (en) Display device
CN107664862B (zh) 显示装置及其制造方法
CN111354304B (zh) 显示装置
US10886489B2 (en) Flexible electroluminescence display
CN106469748B (zh) 透明显示面板及包括该透明显示面板的透明显示装置
CN108269944B (zh) 显示装置
US20220107699A1 (en) Display device
US12108652B2 (en) Display device having repair structure
CN110010658B (zh) 显示装置
KR20170027362A (ko) 투명표시장치
CN113097404B (zh) 像素阵列基板和包括像素阵列基板的显示装置
CN113053950B (zh) 显示装置及其像素阵列基板
KR20200111845A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN116137786A (zh) 显示面板及包含该显示面板的显示装置
CN111009552A (zh) 显示装置
KR20170026900A (ko) 유기발광 표시장치
CN113851507A (zh) 透明显示装置
CN115207061A (zh) 显示装置和电子设备
CN115148157A (zh) 显示装置
KR20210149958A (ko) 표시 장치
JP7490504B2 (ja) 表示装置
CN221510178U (zh) 显示装置
US11849624B2 (en) Display device having switchable viewing angle
CN218849495U (zh) 发光显示装置
US20240357914A1 (en) Display device having repair structure

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination