CN112410755A - Mocvd沉积物的清理装置 - Google Patents
Mocvd沉积物的清理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112410755A CN112410755A CN202011293027.6A CN202011293027A CN112410755A CN 112410755 A CN112410755 A CN 112410755A CN 202011293027 A CN202011293027 A CN 202011293027A CN 112410755 A CN112410755 A CN 112410755A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fixedly arranged
- reaction
- side wall
- mocvd
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
本发明涉及清理装置技术领域,且公开了MOCVD沉积物的清理装置,包括底座、反应腔和腔盖,反应腔固定设置于底座的上表面,腔盖设置于反应腔的顶部,底座的上表面中心处固定设有U型支撑板,U型支撑板的内部设有旋转板,旋转板的侧壁通过转轴转动设置于U型支撑板的内部,旋转板的上侧固定设有反应台,底座的上表面左侧固定设有第一U型块,第一U型块的内部通过第一轴销转动设置有气缸,气缸的活塞杆末端通过第二轴销转动设置有第二U型块,第二U型块固定设置于反应台的下表面左侧,反应台的上表面设有U型刮板。本发明便于将反应后的沉积物清理,降低了工作人员的劳动强度,且不会出现水汽、氧气等吸附在腔体的表面。
Description
技术领域
本发明涉及清理装置技术领域,尤其涉及MOCVD沉积物的清理装置。
背景技术
金属有机化学气相沉积MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)设备,主要是用在半导体技术中生产发光二极管的设备。
目前在进行化学反应时反应室内部会有反应沉积物的堆积,但在清理反应室中的残留反应物的现存方法是将反应室拆开,并利用吸尘器将沉积物抽取干净,不仅操作强度大,而且会有大量的水汽、氧气等吸附在腔体表面,在维护过后很难将这些吸附的水氧去除。为此,本发明提出了MOCVD沉积物的清理装置。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中清理反应室中的残留反应物的现存方法是将反应室拆开,并利用吸尘器将沉积物抽取干净,不仅操作强度大,而且会有大量的水汽、氧气等吸附在腔体表面,在维护过后很难将这些吸附的水氧去除的问题,而提出的MOCVD沉积物的清理装置。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
MOCVD沉积物的清理装置,包括底座、反应腔和腔盖,所述反应腔固定设置于所述底座的上表面,所述腔盖设置于所述反应腔的顶部,所述底座的上表面中心处固定设有U型支撑板,所述U型支撑板的内部设有旋转板,所述旋转板的侧壁通过转轴转动设置于所述U型支撑板的内部,所述旋转板的上侧固定设有反应台,所述底座的上表面左侧固定设有第一U型块,所述第一U型块的内部通过第一轴销转动设置有气缸,所述气缸的活塞杆末端通过第二轴销转动设置有第二U型块,所述第二U型块固定设置于所述反应台的下表面左侧,所述反应台的上表面设有U型刮板,所述反应台的侧壁设置有用于带动所述U型刮板移动的驱动机构,所述反应腔的内部上侧设有用于对所述腔盖的下表面清理的刮壁机构,所述底座的上表面右侧开设有沉积物收集槽,所述底座的右侧壁固定设有吸尘机,所述吸尘机的输入端固定设有吸尘管,所述吸尘管远离所述吸尘机的一端贯穿至所述沉积物收集槽的内部。
优选的,所述驱动机构包括滑轨、滑块、第一丝杆、壳体、第一电机、第一皮带轮和第二皮带轮,所述滑轨分别固定设置于所述反应台的前后两侧上,所述滑块位于所述滑轨的内部,所述第一丝杆呈横向位于所述滑轨的内部,所述第一丝杆的两端均通过第一滚动轴承分别与所述滑轨的左右两侧转动连接,所述滑块滑动设置于所述滑轨的内部,所述滑块的侧壁通过第一螺纹孔与所述第一丝杆的杆壁螺纹设置,所述U型刮板的两端分别固定设置于两个所述滑块的表面,所述U型刮板与所述反应台的表面接触设置,所述壳体固定设置于所述反应台的左侧壁上,两个所述第一丝杆的左端均贯穿至所述壳体的内部,所述第一电机固定设置于所述壳体的内侧壁上,所述第一皮带轮呈对称固定设置于所述第一电机的输出轴上,两个所述第一丝杆位于所述壳体内部的一端与第二皮带轮固定连接,所述第一皮带轮和第二皮带轮之间通过皮带传动连接。
优选的,所述刮壁机构包括第二电机、第二丝杆、移动块和铲板,所述第二电机固定设置于所述反应腔的右侧壁顶部,所述第二丝杆呈横向位于所述反应腔的内部上侧,且第二丝杆的两端均通过第二滚动轴承分别与反应腔的左右内侧壁转动连接,所述第二丝杆的右端贯穿至所述反应腔的外部并与所述第二电机的输出端固定连接,所述移动块的侧壁通过第二螺纹孔与所述第二丝杆的杆壁螺纹设置,所述铲板呈竖直固定设置于所述移动块的上侧,且铲板的上侧与所述腔盖的下表面接触设置。
优选的,所述第二丝杆的下方横向设有限位滑杆,所述限位滑杆的两端分别与所述反应腔的左右内侧壁固定连接,所述移动块的侧壁通过限位滑孔与所述限位滑杆的杆壁滑动连接。
优选的,所述底座的表面左侧固定设有支撑块,所述支撑块的上表面与所述反应台的下表面接触设置。
优选的,所述反应腔的右内侧壁固定设有第一导料板,所述第一导料板的下侧延伸至所述沉积物收集槽的内部。
优选的,所述沉积物收集槽的内部固定设有倾斜设置的第二导料板,所述第二导料板呈左高右低设置。
优选的,所述反应腔的左内侧壁且位于所述反应台的上方固定设有倾斜设置的第三导料板。
与现有技术相比,本发明提供了MOCVD沉积物的清理装置,具备以下有益效果:
1、该MOCVD沉积物的清理装置,通过设有的U型支撑板、旋转板和气缸,打开气缸伸出工作,气缸伸出使得反应台围绕旋转板角度倾斜,能够将反应台表面的沉积物倒入在沉积物收集槽的内部,通过设有的U型刮板、滑轨、滑块、第一丝杆、壳体、第一电机、第一皮带轮、第二皮带轮和皮带,打开第一电机工作,第一电机带动两个第一皮带轮转动,两个第一皮带轮均通过皮带带动两个第二皮带轮转动并使得两个第一丝杆旋转,两个第一丝杆使得滑块在滑轨的内部移动并使得U型刮板对反应台表面的沉积物刮至沉积物收集槽的内部,通过设有的吸尘机和吸尘管,能够将沉积物收集槽内部的沉积物吸收清理。
2、该MOCVD沉积物的清理装置,通过设有的第二电机、第二丝杆、移动块、铲板和限位滑杆,打开第二电机工作,第二电机带动第二丝杆旋转,第二丝杆能够使得移动块和铲板移动并将腔盖下表面的附着物刮下来通过第三导料板落在反应台的表面并一同排入至沉积物收集槽的内部清理。
该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现,本发明便于将反应后的沉积物清理,降低了工作人员的劳动强度,且不会出现水汽、氧气等吸附在腔体的表面。
附图说明
图1为本发明提出的MOCVD沉积物的清理装置的结构示意图;
图2为图1中反应台的俯视结构示意图;
图3为图1中U型刮板的侧面结构示意图;
图4为图1中U型支撑板和旋转板的侧面结构示意图;
图5为图1中移动块和铲板的侧面结构示意图。
图中:1底座、2反应腔、3腔盖、4 U型支撑板、5旋转板、6反应台、7 U型刮板、8气缸、9吸尘机、10吸尘管、11滑轨、12滑块、13第一丝杆、14壳体、15第一电机、16第一皮带轮、17第二皮带轮、18皮带、19第二电机、20第二丝杆、21移动块、22铲板、23限位滑杆、24支撑块、25第一导料板、26第二导料板、27第三导料板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
参照图1-5,MOCVD沉积物的清理装置,包括底座1、反应腔2和腔盖3,反应腔2固定设置于底座1的上表面,腔盖3设置于反应腔2的顶部,底座1的上表面中心处固定设有U型支撑板4,U型支撑板4的内部设有旋转板5,旋转板5的侧壁通过转轴转动设置于U型支撑板4的内部,旋转板5的上侧固定设有反应台6,底座1的上表面左侧固定设有第一U型块,第一U型块的内部通过第一轴销转动设置有气缸8,气缸8的活塞杆末端通过第二轴销转动设置有第二U型块,第二U型块固定设置于反应台6的下表面左侧,反应台6的上表面设有U型刮板7,反应台6的侧壁设置有用于带动U型刮板7移动的驱动机构,反应腔2的内部上侧设有用于对腔盖3的下表面清理的刮壁机构,底座1的上表面右侧开设有沉积物收集槽,底座1的右侧壁固定设有吸尘机9,吸尘机9的输入端固定设有吸尘管10,吸尘管10远离吸尘机9的一端贯穿至沉积物收集槽的内部。
驱动机构包括滑轨11、滑块12、第一丝杆13、壳体14、第一电机15、第一皮带轮16和第二皮带轮17,滑轨11分别固定设置于反应台6的前后两侧上,滑块12位于滑轨11的内部,第一丝杆13呈横向位于滑轨11的内部,第一丝杆13的两端均通过第一滚动轴承分别与滑轨11的左右两侧转动连接,滑块12滑动设置于滑轨11的内部,滑块12的侧壁通过第一螺纹孔与第一丝杆13的杆壁螺纹设置,U型刮板7的两端分别固定设置于两个滑块12的表面,U型刮板7与反应台6的表面接触设置,壳体14固定设置于反应台6的左侧壁上,两个第一丝杆13的左端均贯穿至壳体14的内部,第一电机15固定设置于壳体14的内侧壁上,第一皮带轮16呈对称固定设置于第一电机15的输出轴上,两个第一丝杆13位于壳体14内部的一端与第二皮带轮17固定连接,第一皮带轮16和第二皮带轮17之间通过皮带18传动连接。
刮壁机构包括第二电机19、第二丝杆20、移动块21和铲板22,第二电机19固定设置于反应腔2的右侧壁顶部,第二丝杆20呈横向位于反应腔2的内部上侧,且第二丝杆20的两端均通过第二滚动轴承分别与反应腔2的左右内侧壁转动连接,第二丝杆20的右端贯穿至反应腔2的外部并与第二电机19的输出端固定连接,移动块21的侧壁通过第二螺纹孔与第二丝杆20的杆壁螺纹设置,铲板22呈竖直固定设置于移动块21的上侧,且铲板22的上侧与腔盖3的下表面接触设置。
第二丝杆20的下方横向设有限位滑杆23,限位滑杆23的两端分别与反应腔2的左右内侧壁固定连接,移动块21的侧壁通过限位滑孔与限位滑杆23的杆壁滑动连接。
底座1的表面左侧固定设有支撑块24,支撑块24的上表面与反应台6的下表面接触设置。
反应腔2的右内侧壁固定设有第一导料板25,第一导料板25的下侧延伸至沉积物收集槽的内部。
沉积物收集槽的内部固定设有倾斜设置的第二导料板26,第二导料板26呈左高右低设置。
反应腔2的左内侧壁且位于反应台6的上方固定设有倾斜设置的第三导料板27。
本发明中,使用时,打开气缸8伸出工作,气缸8伸出使得反应台6围绕旋转板5角度倾斜,能够将反应台6表面的沉积物倒入在沉积物收集槽的内部;打开第一电机15工作,第一电机15带动两个第一皮带轮16转动,两个第一皮带轮16均通过皮带18带动两个第二皮带轮17转动并使得两个第一丝杆13旋转,两个第一丝杆13使得滑块12在滑轨11的内部移动并使得U型刮板7对反应台6表面的沉积物刮至沉积物收集槽的内部,通过设有的吸尘机9和吸尘管10,能够将沉积物收集槽内部的沉积物吸收清理;打开第二电机19工作,第二电机19带动第二丝杆20旋转,第二丝杆20能够使得移动块21和铲板22移动并将腔盖3下表面的附着物刮下来通过第三导料板27落在反应台6的表面并一同排入至沉积物收集槽的内部清理。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.MOCVD沉积物的清理装置,包括底座(1)、反应腔(2)和腔盖(3),其特征在于,所述反应腔(2)固定设置于所述底座(1)的上表面,所述腔盖(3)设置于所述反应腔(2)的顶部,所述底座(1)的上表面中心处固定设有U型支撑板(4),所述U型支撑板(4)的内部设有旋转板(5),所述旋转板(5)的侧壁通过转轴转动设置于所述U型支撑板(4)的内部,所述旋转板(5)的上侧固定设有反应台(6),所述底座(1)的上表面左侧固定设有第一U型块,所述第一U型块的内部通过第一轴销转动设置有气缸(8),所述气缸(8)的活塞杆末端通过第二轴销转动设置有第二U型块,所述第二U型块固定设置于所述反应台(6)的下表面左侧,所述反应台(6)的上表面设有U型刮板(7),所述反应台(6)的侧壁设置有用于带动所述U型刮板(7)移动的驱动机构,所述反应腔(2)的内部上侧设有用于对所述腔盖(3)的下表面清理的刮壁机构,所述底座(1)的上表面右侧开设有沉积物收集槽,所述底座(1)的右侧壁固定设有吸尘机(9),所述吸尘机(9)的输入端固定设有吸尘管(10),所述吸尘管(10)远离所述吸尘机(9)的一端贯穿至所述沉积物收集槽的内部。
2.根据权利要求1所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述驱动机构包括滑轨(11)、滑块(12)、第一丝杆(13)、壳体(14)、第一电机(15)、第一皮带轮(16)和第二皮带轮(17),所述滑轨(11)分别固定设置于所述反应台(6)的前后两侧上,所述滑块(12)位于所述滑轨(11)的内部,所述第一丝杆(13)呈横向位于所述滑轨(11)的内部,所述第一丝杆(13)的两端均通过第一滚动轴承分别与所述滑轨(11)的左右两侧转动连接,所述滑块(12)滑动设置于所述滑轨(11)的内部,所述滑块(12)的侧壁通过第一螺纹孔与所述第一丝杆(13)的杆壁螺纹设置,所述U型刮板(7)的两端分别固定设置于两个所述滑块(12)的表面,所述U型刮板(7)与所述反应台(6)的表面接触设置,所述壳体(14)固定设置于所述反应台(6)的左侧壁上,两个所述第一丝杆(13)的左端均贯穿至所述壳体(14)的内部,所述第一电机(15)固定设置于所述壳体(14)的内侧壁上,所述第一皮带轮(16)呈对称固定设置于所述第一电机(15)的输出轴上,两个所述第一丝杆(13)位于所述壳体(14)内部的一端与第二皮带轮(17)固定连接,所述第一皮带轮(16)和第二皮带轮(17)之间通过皮带(18)传动连接。
3.根据权利要求1所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述刮壁机构包括第二电机(19)、第二丝杆(20)、移动块(21)和铲板(22),所述第二电机(19)固定设置于所述反应腔(2)的右侧壁顶部,所述第二丝杆(20)呈横向位于所述反应腔(2)的内部上侧,且第二丝杆(20)的两端均通过第二滚动轴承分别与反应腔(2)的左右内侧壁转动连接,所述第二丝杆(20)的右端贯穿至所述反应腔(2)的外部并与所述第二电机(19)的输出端固定连接,所述移动块(21)的侧壁通过第二螺纹孔与所述第二丝杆(20)的杆壁螺纹设置,所述铲板(22)呈竖直固定设置于所述移动块(21)的上侧,且铲板(22)的上侧与所述腔盖(3)的下表面接触设置。
4.根据权利要求3所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述第二丝杆(20)的下方横向设有限位滑杆(23),所述限位滑杆(23)的两端分别与所述反应腔(2)的左右内侧壁固定连接,所述移动块(21)的侧壁通过限位滑孔与所述限位滑杆(23)的杆壁滑动连接。
5.根据权利要求1所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述底座(1)的表面左侧固定设有支撑块(24),所述支撑块(24)的上表面与所述反应台(6)的下表面接触设置。
6.根据权利要求1所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述反应腔(2)的右内侧壁固定设有第一导料板(25),所述第一导料板(25)的下侧延伸至所述沉积物收集槽的内部。
7.根据权利要求1所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述沉积物收集槽的内部固定设有倾斜设置的第二导料板(26),所述第二导料板(26)呈左高右低设置。
8.根据权利要求1所述的MOCVD沉积物的清理装置,其特征在于,所述反应腔(2)的左内侧壁且位于所述反应台(6)的上方固定设有倾斜设置的第三导料板(27)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011293027.6A CN112410755B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | Mocvd沉积物的清理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011293027.6A CN112410755B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | Mocvd沉积物的清理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112410755A true CN112410755A (zh) | 2021-02-26 |
CN112410755B CN112410755B (zh) | 2022-11-22 |
Family
ID=74772973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011293027.6A Active CN112410755B (zh) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | Mocvd沉积物的清理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112410755B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113652671A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种mocvd反应腔室清扫装置及其清扫方法 |
CN114750447A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-15 | 南通剑烽机械有限公司 | 一种自动移除板材废料的液压机械 |
CN115354305A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-18 | 西北大学 | 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110081690A (ko) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | 세메스 주식회사 | 회전식 샤워 헤드를 적용한 유기금속 화학 기상 증착 장치 |
US20110186078A1 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Hermes-Epitek Corporation | Semiconductor Equipment |
CN102181844A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-09-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法 |
CN103805958A (zh) * | 2012-11-14 | 2014-05-21 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置及其清洁方法 |
CN204039496U (zh) * | 2014-07-01 | 2014-12-24 | 圆融光电科技有限公司 | 用于清理mocvd设备沉积物的清理装置 |
CN204298457U (zh) * | 2014-11-25 | 2015-04-29 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种气相沉淀设备用喷淋头清洁装置 |
DE102014109349A1 (de) * | 2014-07-04 | 2016-01-21 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Reinigen einer Gasaustrittsfläche eines Gaseinlassorgans eines CVD-Reaktors |
CN105648420A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-06-08 | 安徽三安光电有限公司 | 一种mocvd反应腔室的清理装置及清理方法 |
CN111098181A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 扬州市品众体育用品有限公司 | 一种数控机床用防护外罩 |
-
2020
- 2020-11-18 CN CN202011293027.6A patent/CN112410755B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110081690A (ko) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | 세메스 주식회사 | 회전식 샤워 헤드를 적용한 유기금속 화학 기상 증착 장치 |
US20110186078A1 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Hermes-Epitek Corporation | Semiconductor Equipment |
CN102181844A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-09-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法 |
CN103805958A (zh) * | 2012-11-14 | 2014-05-21 | 理想能源设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置及其清洁方法 |
CN204039496U (zh) * | 2014-07-01 | 2014-12-24 | 圆融光电科技有限公司 | 用于清理mocvd设备沉积物的清理装置 |
DE102014109349A1 (de) * | 2014-07-04 | 2016-01-21 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Reinigen einer Gasaustrittsfläche eines Gaseinlassorgans eines CVD-Reaktors |
CN204298457U (zh) * | 2014-11-25 | 2015-04-29 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种气相沉淀设备用喷淋头清洁装置 |
CN105648420A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-06-08 | 安徽三安光电有限公司 | 一种mocvd反应腔室的清理装置及清理方法 |
CN111098181A (zh) * | 2018-10-29 | 2020-05-05 | 扬州市品众体育用品有限公司 | 一种数控机床用防护外罩 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113652671A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 芜湖启迪半导体有限公司 | 一种mocvd反应腔室清扫装置及其清扫方法 |
CN114750447A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-15 | 南通剑烽机械有限公司 | 一种自动移除板材废料的液压机械 |
CN114750447B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-10-10 | 南通剑烽机械有限公司 | 一种自动移除板材废料的液压机械 |
CN115354305A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-11-18 | 西北大学 | 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置 |
CN115354305B (zh) * | 2022-08-29 | 2024-04-19 | 西北大学 | 一种金属有机化学气相沉淀反应器喷淋装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112410755B (zh) | 2022-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112410755B (zh) | Mocvd沉积物的清理装置 | |
CN111014980A (zh) | 一种清洁生产的激光切割机 | |
CN214978577U (zh) | 一种圆管激光切割用抽渣设备 | |
CN210215508U (zh) | 一种用于热镀锌的刮灰装置 | |
CN217434133U (zh) | 一种新型化工仪表自动化检测定位装置 | |
CN212286281U (zh) | 一种激光切割废渣清理系统 | |
CN213410671U (zh) | 一种自动工进的钢筋套丝机 | |
CN211051143U (zh) | 一种建筑工程施工的环保除尘设备 | |
CN220056946U (zh) | 一种模具制造淬火装置 | |
CN219542832U (zh) | 一种磨床防污装置 | |
CN208032007U (zh) | 一种具有自动清理滤渣功能的压滤机 | |
CN220260339U (zh) | 一种智能设备制造用便于清理的零部件加工装置 | |
CN221185722U (zh) | 一种铣床用铁屑回收装置 | |
CN220452256U (zh) | 一种窑用方便维护的高压风机 | |
CN221561676U (zh) | 一种家具木材切割装置 | |
CN221640023U (zh) | 一种大型钢结构生产用焊接定位装置 | |
CN221817661U (zh) | 一种基于节能环保的激光切割机 | |
CN214444989U (zh) | 一种方便清理灰尘的卧式加工中心 | |
CN220029040U (zh) | 一种板材激光切割装置 | |
CN218911320U (zh) | 一种用于农村地区的水利工程开槽装置 | |
CN219205760U (zh) | 一种鲜鱼加工用快速切片装置 | |
CN215788196U (zh) | 一种彩钢仿古琉璃瓦加工用切割装置 | |
CN218945808U (zh) | 一种传动轴零件表面清洁处理设备 | |
CN215969229U (zh) | 一种家具生产用自动开料机 | |
CN220462384U (zh) | 一种有色金属合金生产用原料切割装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |