CN112397422B - 一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，首先将晶圆放置于载具内，并将载具搬运到密闭的装置内；进而将密闭的装置内的气体全部抽走；进一步的向装置内通一定量的水；进而振动装置工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；保持一段时间后开始破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，保持一段时间后再次进行抽真空工序：将密闭的装置内的气体全部抽走；再然后振动装置再次工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；当振动工序再次结束后再次进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内。本发明提供一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，提高了硅晶圆的润湿效果，提高了后段电镀的品质。

Description

一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法
技术领域
本发明涉及晶圆电镀前处理领域，具体涉及一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法。
背景技术
硅晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，在生产过程中需要对硅晶圆进行电镀工序，在电镀工序前需要将硅晶圆上的孔润湿，方便药水进入孔内，最终确保在孔内电镀上铜，从而保证硅晶圆可以正常使用。
现在在对硅晶圆直接进行电镀工艺之前首先需要对硅晶圆进行润湿，现在通常采用喷淋的方式对晶圆进行润湿，但是硅晶圆上面有几十万个孔，在喷淋过程中由于水的本身特性，水不能进入部分孔内，尤其是晶圆上的深孔水很难浸入，对硅晶圆的润湿效果差，影响了后续电镀工艺的品质。
发明内容
本发明的目的是：提供一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，解决以上问题。
为了实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：
一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，其特征在于：其制作方法为：
a)首先将晶圆放置于载具内，并将载具搬运到密闭的装置内；
b)进而将密闭的装置内的气体全部抽走，使晶圆处于真空环境内，此时装置内的气压小于负1.0MP，进而抽气装置关闭停止抽气工序；
c)进一步的向装置内通一定量的水，且加入的水为常温状态，确保加入的水的深度高于晶圆的高度；
d)进而振动装置工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；
e)保持一段时间后开始破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同；
f)保持一段时间后再次进行抽真空工序：将密闭的装置内的气体全部抽走，使位于水中的晶圆和其外部的水处于真空环境内，此时装置内的气压小于负1.0MP，进而抽气装置关闭停止抽气工序；
g)再然后振动装置再次工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；
h)当振动工序再次结束后再次进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同；
i)随后将密闭装置内的水排出；
j)最后将密闭装置内的被润湿后的晶圆取走。
进一步的，所述抽真空的时间具体为150秒到300秒，所述振动装置的振动频率具体为10到20次/分钟。
进一步的，所述加水的时间具体为20秒到35秒，向装置内加的所述水具体为清水。
本发明的有益效果为：提供一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，通过在电镀前采用抽真空的方式将晶圆上深孔内的气体抽走，再加水并振动的方式润湿晶圆上深孔的效果，提高了硅晶圆的润湿效果，提高了后段电镀的品质。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下对本发明作进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，其特征在于：其制作方法为：
a)首先将晶圆放置于载具内，并将载具搬运到密闭的装置内；
b)进而将密闭的装置内的气体全部抽走，使晶圆处于真空环境内，此时装置内的气压小于负1.0MP，进而抽气装置关闭停止抽气工序，使晶圆处于真空环境内，方便水进入晶圆上的深孔内对深孔进行润湿；
c)进一步的向装置内通一定量的水，且加入的水为常温状态，确保加入的水的深度高于晶圆的高度，用于确保所有的深孔的外侧都有水，进而保证所有的深孔都可以被润湿；
d)进而振动装置工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动，用于确保润湿的彻底性；
e)保持一段时间后开始破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同，用于将水压入深孔内；
f)保持一段时间后再次进行抽真空工序：将密闭的装置内的气体全部抽走，使位于水中的晶圆和其外部的水处于真空环境内，此时装置内的气压小于负1.0MP，进而抽气装置关闭停止抽气工序；
g)再然后振动装置再次工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；
h)当振动工序再次结束后再次进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同，用于确保润湿的彻底性；
i)随后将密闭装置内的水排出；
j)最后将密闭装置内的被润湿后的晶圆取走。
所述抽真空的时间具体为150秒到300秒，所述振动装置的振动频率具体为10到20次/分钟。
所述加水的时间具体为20秒到35秒，向装置内加的所述水具体为清水。
本发明的工作原理为：当开始润湿工作前，将清洁后的晶圆放置于载具内，进而将载具放置于密闭装置内，进一步的开始抽真空工序将晶圆周围和其上深孔内的气体抽走，此时晶圆处于真空环境内，且气压小于负1.0MP，然后向密闭装置内通常温状态的清水，由于晶圆处于真空环境内，所以清水非常容易的进入晶圆上的深孔内，进而振动装置带动密闭装置和其上的载具、晶圆以及清水一起振动，进一步的振动装置停止工作后，进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同，进一步的再次进行抽真空工序，再次抽真空工序结束后保持一段时间后振动装置再次带动载具、晶圆以及清水一起振动，再然后再次进行破真空工序，此时完成对晶圆的润湿工序，最后将润湿后的晶圆取走并将清水抽走，重复上述工序直到工作结束。
上述实施例用于对本发明作进一步的说明，但并不将本发明局限于这些具体实施方式。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应理解为在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，其特征在于：其制作方法为：
a)首先将晶圆放置于载具内，并将载具搬运到密闭的装置内；
b)进而将密闭的装置内的气体全部抽走，使晶圆处于真空环境内，此时装置内的气压小于负1.0MP，进而抽气装置关闭停止抽气工序；
c)进一步的向装置内通一定量的水，且加入的水为常温状态，确保加入的水的深度高于晶圆的高度；
d)进而振动装置工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；
e)保持一段时间后开始破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同；
f)保持一段时间后再次进行抽真空工序：将密闭的装置内的气体全部抽走，使位于水中的晶圆和其外部的水处于真空环境内，此时装置内的气压小于负1.0MP，进而抽气装置关闭停止抽气工序；
g)再然后振动装置再次工作带动密闭装置与其内的水和晶圆一起振动；
h)当振动工序再次结束后再次进行破真空工序：抽气装置打开使外部的气体进入密闭装置内，此时密闭装置内的气压与外部大气压相同；
i)随后将密闭装置内的水排出；
j)最后将密闭装置内的被润湿后的晶圆取走。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，其特征在于：所述抽真空的时间具体为150秒到300秒，所述振动装置的振动频率具体为10到20次/分钟。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆深孔电镀前处理润湿方法，其特征在于：所述加水的时间具体为20秒到35秒，向装置内加的所述水具体为清水。
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