CN112383280B - 一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路，信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构，信号放大级电路包括第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路，第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路并联；射频输入信号分别从信号放大级电路输入，通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大，使得在低的偏置电流下获得高的跨导增益；经过初步无源放大的电压信号，输入至信号放大电路进行进一步电压信号放大；经过放大后的电压信号作为输出信号经谐振电路输出，使工作频段调整到Ku波段。本发明可以显著降低LNA的功耗，同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声系数。

Description

一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路。

背景技术

随着物联网时代的来临，延长无线感知设备的使用时间这一问题显得尤为重要。在过去这些年里，低功耗成为了一个重要课题。由于制造工艺的限制，设计出低功耗且高性能的CMOS电路一直是一个具有挑战性的任务。

低噪声放大器在射频系统中扮演了非常重要的角色。回溯过去，代表性的有基于噪声消除原理的低噪声放大器结构(如B.Guo,J.Chen,L.Li,H.Jin,and G.Yang,“AWideband Noise-Canceling CMOS LNA With Enhanced Linearity by UsingComplementary nMOS and pMOS Configurations,”IEEE J.Solid-State Circuits,vol.52,no.5,pp.1331–1344,May 2017,doi:10.1109/JSSC.2017.2657598)，如图1中所示，该设计采用了匹配共源级+共源级的输入结构，并且使用电流镜将两路放大信号进行合成和匹配管的噪声消除。不过为了达到噪声消除的效果，共源晶体管M2消耗的功耗较大，整个电路有21mW之多。此外，电流镜的设计引入了额外的零点和极点，制约了电路的高频工作能力。这些特点使得该结构显然不适合于ku波段的高频应用场景。另一方面，一种工作在Ku波段的代表性低噪声放大器电路如图2所示(即E.Tavakoli Yazdi and A.Nabavi,"A lownoise and high gain distributed amplifier for ku band in 180nm CMOS,"2017Iranian Conference on Electrical Engineering(ICEE),Tehran,2017,pp.259-264.)。具体地，该低噪声放大器电路采用了分布式结构，对于每个晶体管需要单独的偏置电流，这使得功耗大大增加(高达27mW)。其通过在MOS管的栅极和漏级添加电感的结构，配合各个节点的寄生电容，整体上近似起到了分段传输线的谐振效果，从而使电路工作在Ku波段的高频。然而该电路的级联结构决定了其功耗方面的劣势。特别是在当前低压低功耗的发展潮流影响下，该结构也越发变得没有竞争力，逐步被市场淘汰。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于克服上述技术的缺陷，目的在于提供一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，提出一种既可以降低LNA的功耗，并同时可以获得优秀性能参数的Ku波段CMOS低噪声放大器(LNA)电路。

本发明通过下述技术方案实现：

一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，包括：由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路，所述信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构，所述信号放大级电路包括第一级MOS管堆叠信号放大电路和第二级MOS管堆叠信号放大电路，所述第一级MOS管堆叠信号放大电路和第二级MOS管堆叠信号放大电路并联；

射频输入信号分别从所述信号放大级电路输入，通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大，使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益；经过初步无源放大的电压信号，输入至所述信号放大级电路进行进一步电压信号放大，从而实现在获得同样的放大效果的情况下使用更低的功耗；经过放大后的电压信号作为输出信号经过谐振负载输出，使工作频段调整到Ku波段。

工作原理是：基于现有的Ku波段低噪声放大器电路很难满足低压低功耗的发展需求，本发明设计了一种应用于Ku波段的低功耗CMOS低噪声放大器电路，该电路为堆叠拓扑结构，包括了由变压器构成的跨导增益级电路(T1，T2与T3)，信号放大级电路(Mn1与Mp2，Mn2与Mp1)，谐振腔(L1与CL1)。射频输入信号从输入级RFin输入，通过由变压器构成的跨导增益级电路使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益，从而实现在获得同样的放大效果的情况下使用更低的功耗，输出信号经过谐振腔，使工作频段调整到Ku波段。本发明的优点在于：可以显著降低低噪声放大器LNA的功耗，并且同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声系数。

本发明结构合理，结合多层堆叠拓扑结构和变压器无源增益实现Ku波段CMOS低噪声放大器电路，通过变压器无源增益进行初步无源电压增大，使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益；其次通过多层堆叠拓扑结构的信号放大级电路作为进一步放大处理。

本发明可以显著降低噪声放大器LNA的功耗，并同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声性能。本发明采用跨导预增益技术，通过在MOS管的栅源极之间引入变压器，使得MOS管在同等偏置电流条件下获得更高的跨导增益，从而实现电路的低功耗设计。

作为进一步地优选方案，还包括谐振负载，所述经过放大后的电压信号作为输出信号，经过谐振负载输出；其中：

所述谐振负载包括电感L1、电容CL1，所述电感L1与电容CL1并联，并联电路的一端连接所述信号放大级电路的输出端、另一端作为输出信号。

作为进一步地优选方案，所述由变压器构成的跨导增益级电路包括变压器T1、变压器T2、变压器T3。

作为进一步地优选方案，所述第一级MOS管堆叠信号放大电路包括MOS管Mp1、MOS管Mn2、电容C1、电容C2、电容C5，射频输入信号输入到电容C1的一端，电容C2的另一端连接MOS管Mn2的源极，MOS管Mn2的源极还连接所述变压器T2，所述变压器T2的上边两端分别连接MOS管Mn2栅极和源级，变压器T2的下边两端分别接地；MOS管Mn2的漏极连接MOS管Mp1的漏极，MOS管Mn2的栅极经偏置电阻连接由节点电压vcm1和参考电压vref1产生的共模反馈电压；MOS管Mp1的源极通过电容C2接入射频输入信号；MOS管Mp1的栅极经偏置电阻接偏置电压Vbp；

所述第二级MOS管堆叠信号放大电路包括MOS管Mn1、MOS管Mp2、电容C3、电容C4、电容C6，射频输入信号输入到电容C4的一端，电容C4的另一端连接MOS管Mp2的源极，MOS管Mp2的源极还连接所述变压器T3，所述变压器T3的下边两端分别连接MOS管Mp2栅极和源级，变压器T2的上边两端分别电源Vdd；MOS管Mp2的漏极连接MOS管Mn1的漏极，MOS管Mp2的栅极经偏置电阻连接由节点电压vcm2和参考电压vref2产生的共模反馈电压；MOS管Mn1的源极通过电容C3接入射频输入信号；MOS管Mn1的栅极经偏置电阻接偏置电压Vbn；

射频输入信号通过电容C1、电容C2、电容C3、电容C4流进对应MOS管的源级，输入信号经过放大之后从对应MOS管的漏级流出，节点vcm1经过电容C5的电流与节点vcm2经过C6的电流合并作为输出电流；

所述变压器T1上边两端分别连接MOS管Mn1的栅极和源级，所述变压器T1下边两端分别连接MOS管Mp1的栅极和源级；还包括电容C7、电容C8，所述电容C7和电容C8的一端分别连接变压器T3的两侧中间，另外一端接地。

作为进一步地优选方案，所述MOS管Mn1采用NMOS管，MOS管Mp1采用PMOS管，MOS管Mn2采用NMOS管，MOS管Mp2采用PMOS管。

作为进一步地优选方案，所述PMOS管的尺寸是NMOS管的尺寸的3倍。

作为进一步地优选方案，所述MOS管Mn2、MOS管Mp2的偏置电压由两对MOS管之间的节点电压vcm1和vcm2分别与参考电压vref1和vref2进行比较产生的共模反馈电压提供。

作为进一步地优选方案，所述MOS管Mp1、MOS管Mn2、MOS管Mn1、MOS管Mp2均采用0.18μm RF CMOS工艺实现。

作为进一步地优选方案，整个电路在1.8V的电源电压下工作，MOS管Mp1、MOS管Mn1的偏置电流为0.8mA。

作为进一步地优选方案，所述MOS管Mn1的电压Vbn为1.45V，MOS管Mp1的电压Vbp为0.43V；

所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8的电容均为5pF。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本发明结构合理，结合多层堆叠拓扑结构和变压器无源增益实现Ku波段CMOS低噪声放大器电路，通过变压器无源增益进行初步无源电压增大，使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益；其次通过多层堆叠拓扑结构的信号放大级电路作为进一步放大处理。

2、本发明可以显著降低噪声放大器LNA的功耗，并同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声性能。

3、本发明采用跨导预增益技术，通过在MOS管的栅源极之间引入变压器，使得MOS管在同等偏置电流条件下获得更高的跨导增益，从而实现电路的低功耗设计。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：

图1为现有噪声消除低噪声放大电路原理图。

图2为现有一种Ku波段CMOS低噪声放大器电路的原理图。

图3为MOS管堆叠结构的原理图。

图4为本发明一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路原理图。

图5是本发明一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路的增益、噪声和输入反射系数结果曲线图。

图6是本发明一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路的线性度结果图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。

在以下描述中，为了提供对本发明的透彻理解阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实行本发明。在其他实例中，为了避免混淆本发明，未具体描述公知的结构、电路、材料或方法。

在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本发明至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和、或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的示图都是为了说明的目的，并且示图不一定是按比例绘制的。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“高”、“低”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

实施例

如图1至图6所示，本发明一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，如图4所示，包括：由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路，所述信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构，所述信号放大级电路包括第一级MOS管堆叠信号放大电路和第二级MOS管堆叠信号放大电路，所述第一级MOS管堆叠信号放大电路和第二级MOS管堆叠信号放大电路并联；

射频输入信号分别从所述信号放大级电路输入，通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大，使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益；经过初步无源放大的电压信号，输入至所述信号放大级电路进行进一步电压信号放大，从而实现在获得同样的放大效果的情况下使用更低的功耗；经过放大后的电压信号作为输出信号经过谐振负载输出，使工作频段调整到Ku波段。

本实施例中，所述经过放大后的电压信号作为输出信号，经过谐振负载输出；其中：所述谐振负载包括电感L1、电容CL1，所述电感L1与电容CL1并联，并联电路的一端连接所述信号放大级电路的输出端、另一端作为输出信号。

本实施例中，所述由变压器构成的跨导增益级电路包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和其对应的MOS管Mn1、MOS管Mp1、MOS管Mn2、MOS管Mp2，电容C7和电容C8。

本实施例中，所述第一级MOS管堆叠信号放大电路包括MOS管Mp1、MOS管Mn2、电容C1、电容C2、电容C5，射频输入信号输入到电容C1的一端，电容C2的另一端连接MOS管Mn2的源极，MOS管Mn2的源极还连接所述变压器T2，所述变压器T2的上边两端分别连接MOS管Mn2栅极和源级，变压器T2的下边两端分别接地；MOS管Mn2的漏极连接MOS管Mp1的漏极，MOS管Mn2的栅极经偏置电阻连接由节点电压vcm1和参考电压vref1产生的共模反馈电压；MOS管Mp1的源极通过电容C2接入射频输入信号；MOS管Mp1的栅极经偏置电阻接偏置电压Vbp；

所述第二级MOS管堆叠信号放大电路包括MOS管Mn1、MOS管Mp2、电容C3、电容C4、电容C6，射频输入信号输入到电容C4的一端，电容C4的另一端连接MOS管Mp2的源极，MOS管Mp2的源极还连接所述变压器T3，所述变压器T3的下边两端分别连接MOS管Mp2栅极和源级，变压器T2的上边两端分别电源Vdd；MOS管Mp2的漏极连接MOS管Mn1的漏极，MOS管Mp2的栅极经偏置电阻连接由节点电压vcm2和参考电压vref2产生的共模反馈电压；MOS管Mn1的源极通过电容C3接入射频输入信号；MOS管Mn1的栅极经偏置电阻接偏置电压Vbn；

射频输入信号通过电容C1、电容C2、电容C3、电容C4流进对应MOS管的源级，输入信号经过放大之后从对应MOS管的漏级流出，节点vcm1经过电容C5的电流与节点vcm2经过C6的电流合并作为输出电流；

所述变压器T1上边两端分别连接MOS管Mn1的栅极和源级，所述变压器T1下边两端分别连接MOS管Mp1的栅极和源级；还包括电容C7、电容C8，所述电容C7和电容C8的一端分别连接变压器T3的两侧中间，另外一端接地。

本实施例中，所述MOS管Mn1采用NMOS管，MOS管Mp1采用PMOS管，MOS管Mn2采用NMOS管，MOS管Mp2采用PMOS管。

实施时：一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路为堆叠拓扑结构，射频输入信号分别通过电容C3、电容C2、电容C1、电容C4从四个MOS管(Mn1、Mp1、Mn2、Mp2)的源级输入。经放大后的输出信号合并后，最终经过并联谐振负载(L1、CL1)得到输出信号。Vbn、Vbp为MOS管Mn1、MOS管Mp1提供偏置电压。MOS管Mn2、MOS管Mp2的偏置电压由两对MOS管之间的节点电压vcm1和vcm2分别与参考电压vref1和vref2进行比较产生的共模反馈电压提供。

本发明的低噪声放大器LNA电路采用0.18μm RF CMOS工艺实现。整个电路在1.8V的电源电压下，主要MOS管的偏置电流为0.8mA，由于MOS管是堆叠拓扑结构，所以总电路的功耗大约为1.44mW。NMOS管Mn1和PMOS管Mp1的电压Vbn和Vbp分别为1.45V和0.43V。电路中的隔直电容C1-C8均设计为5pF。

图5给出了低噪声放大器LNA的S11曲线，增益和噪声系数曲线，可以看到低噪声放大器LNA的工作波段在12-14.5GHz，在中心频率12.5GHz处，噪声系数约为2.8dB，增益为10.5dB。采用等幅双音12.5GHz、12.51GHz的测试信号，来仿真电路的线性度，如图6所示，该堆叠拓扑结构电路的IIP3为-12.5dBm。从该电路的各方面结果显示，该低噪声放大器LNA电路在保证了较好噪声系数和增益的情况下得到了仅有1.44mW的低功耗，非常适合于低功耗应用。

特别地，该低噪声放大器为了降低功耗主要采用了二种技术：

(1)gm/Id设计方法：在CMOS模拟电路设计中，电路获得最小功耗时将晶体管偏置在弱反型区域。但是最佳的功耗和速度的折中点是在中度反型区域。因此运用gm/Id和归一化电流Id/(W/L),通过公式

其中n＝1+0.5γ(2Φ_F+V_SB)^1/2是亚阈值斜率因子，其值依赖于工艺，从1.1到1.9变化；U_T＝kT/q是热电压；gm/Id比值是将电流(即功率)转换为跨导的效率的度量，该值越大则转化效率越高。在对该LNA电路的MOS管进行直流偏置的时候就运用了该方法。

(2)跨导预增益技术：通过在MOS管的源级和栅极之间加入一个匝数为1：T的变压器如图1中的方式连接来降低电路的功耗，主要有两个优点：首先使用升压变压器(匝数比T>1)作为阻抗提升结构与LC阻抗转换网络相比具有更宽的带宽且对于电感损耗不敏感。其次，匝数比为1：T的可以使MOS管的栅源有效电压提升1+T倍，且不增加额外的功耗。(本设计中T为2)

堆叠更多的MOS管可以复用偏置电流以改善电压效率，从而进一步降低功耗。如图3中所示，共栅级的电流复用结构，即将一个PMOS堆叠在NMOS上方，该结构的等效跨导为

Gm＝g_m,NMOS+g_m,PMOS (2)

该低噪声放大器LNA可以看做四个共栅级放大器的堆叠结构。共栅输入级提供输入阻抗匹配，同时为了稳定直流工作点，对最上面和最下面两个MOS管的直流偏置电压采用共模反馈。共栅级联级则用于增加输出阻抗和提高输入输出隔离度。两个NMOS管(MOS管Mn1、MOS管Mn2)和两个PMOS管(MOS管Mp1、MOS管Mp2)使用了共同的偏置电流和共同的栅源输入信号。为了使所有的MOS管子获得相同的跨导，PMOS管的尺寸是NMOS管的尺寸的3倍，所有MOS管被偏置在适中反向区域以获得最优电流转化效率。假设所有MOS管的有相同的跨导gm，那么总的等效跨导Gm就是四倍的gm。将电流复用和匝数比为1：2的变压器相结合，最终MOS管需求与阻抗匹配的gm仅为1/(12Rs)。考虑变压器损耗，本设计电路的噪声系数为：

其中R_loss表示并联在变压器第二级线圈两端的等效损耗电阻，R是偏置电阻。LNA的输入信号经过共栅级放大，最终以电容L1和电感CL1构成的谐振负载，形成输出信号，且具有10.5dB这样不小的放大增益，仅2.8dB的良好噪声系数，-12.5dBm的线性度，以及仅仅1.1mW的功耗。

工作原理是：基于现有的Ku波段低噪声放大器电路很难满足低压低功耗的发展需求，本发明设计了一种应用于Ku波段的低功耗CMOS低噪声放大器电路，该电路为堆叠拓扑结构，包括了由变压器构成的跨导增益级电路(T1，T2与T3)，信号放大级电路(Mn1与Mp2，Mn2与Mp1)，谐振腔(L1与CL1)。射频输入信号从输入级RFin输入，通过由变压器构成的跨导增益级电路使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益，从而实现在获得同样的放大效果的情况下使用更低的功耗，输出信号经过谐振腔，使工作频段调整到Ku波段。本发明的优点在于：可以显著降低低噪声放大器LNA的功耗，并且同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声系数。

本发明结构合理，结合多层堆叠拓扑结构和变压器无源增益实现Ku波段CMOS低噪声放大器电路，通过变压器无源增益进行初步无源电压增大，使得在更低的偏置电流下获得更高的跨导增益；其次通过多层堆叠拓扑结构的信号放大级电路作为进一步放大处理。

本发明可以显著降低噪声放大器LNA的功耗，并同时可以获得较高的增益，以及较低的噪声性能。本发明采用跨导预增益技术，通过在MOS管的栅源极之间引入变压器，使得MOS管在同等偏置电流条件下获得更高的跨导增益，从而实现电路的低功耗设计。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，其特征在于，包括：由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路，所述信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构，所述信号放大级电路包括第一级MOS管堆叠信号放大电路和第二级MOS管堆叠信号放大电路，所述第一级MOS管堆叠信号放大电路和第二级MOS管堆叠信号放大电路并联；

射频输入信号分别从所述信号放大级电路输入，通过所述的由变压器的跨导增益级电路进行初步无源电压增大，使得在低的偏置电流下获得高的跨导增益；经过初步无源放大的电压信号，输入至所述信号放大级电路进行进一步电压信号放大；经过放大后的电压信号作为输出信号输出，使工作频段调整到Ku波段；

还包括谐振负载，所述经过放大后的电压信号作为输出信号，经过谐振负载输出；其中：

所述谐振负载包括电感L1、电容CL1，所述电感L1与电容CL1并联，并联电路的一端连接所述信号放大级电路的输出端、另一端作为输出信号；

所述由变压器构成的跨导增益级电路包括变压器T1、变压器T2、变压器T3；

所述第一级MOS管堆叠信号放大电路包括MOS管Mp1、MOS管Mn2、电容C1、电容C2、电容C5，射频输入信号输入到电容C1的一端，电容C2的另一端连接MOS管Mn2的源极，MOS管Mn2的源极还连接所述变压器T2，所述变压器T2的上边两端分别连接MOS管Mn2栅极和源级，变压器T2的下边两端分别接地；MOS管Mn2的漏极连接MOS管Mp1的漏极，MOS管Mn2的栅极经偏置电阻连接由节点电压vcm1和参考电压vref1产生的共模反馈电压；MOS管Mp1的源极通过电容C2接入射频输入信号；MOS管Mp1的栅极经偏置电阻接偏置电压Vbp；

所述第二级MOS管堆叠信号放大电路包括MOS管Mn1、MOS管Mp2、电容C3、电容C4、电容C6，射频输入信号输入到电容C4的一端，电容C4的另一端连接MOS管Mp2的源极，MOS管Mp2的源极还连接所述变压器T3，所述变压器T3的下边两端分别连接MOS管Mp2栅极和源级，变压器T2的上边两端分别电源Vdd；MOS管Mp2的漏极连接MOS管Mn1的漏极，MOS管Mp2的栅极经偏置电阻连接由节点电压vcm2和参考电压vref2产生的共模反馈电压；MOS管Mn1的源极通过电容C3接入射频输入信号；MOS管Mn1的栅极经偏置电阻接偏置电压Vbn；

射频输入信号通过电容C1、电容C2、电容C3、电容C4流进对应MOS管的源级，输入信号经过放大之后从对应MOS管的漏级流出，节点vcm1经过电容C5的电流与节点vcm2经过C6的电流合并作为输出电流；

所述变压器T1上边两端分别连接MOS管Mn1的栅极和源级，所述变压器T1下边两端分别连接MOS管Mp1的栅极和源级；还包括电容C7、电容C8，所述电容C7和电容C8的一端分别连接变压器T3的两侧中间，另外一端接地；

所述MOS管Mn1采用NMOS管，MOS管Mp1采用PMOS管，MOS管Mn2采用NMOS管，MOS管Mp2采用PMOS管。

2.根据权利要求1所述的一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，其特征在于，所述PMOS管的尺寸是NMOS管的尺寸的3倍。

3.根据权利要求1所述的一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，其特征在于，所述MOS管Mn2、MOS管Mp2的偏置电压由两对MOS管之间的节点电压vcm1和vcm2分别与参考电压vref1和vref2进行比较产生的共模反馈电压提供。

4.根据权利要求1所述的一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，其特征在于，所述MOS管Mp1、MOS管Mn2、MOS管Mn1、MOS管Mp2均采用0.18μm RF CMOS工艺实现。

5.根据权利要求1所述的一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，其特征在于，整个电路在1.8V的电源电压下工作，MOS管Mp1、MOS管Mn1的偏置电流为0.8mA。

6.根据权利要求5所述的一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，其特征在于，所述MOS管Mn1的电压Vbn为1.45V，MOS管Mp1的电压Vbp为0.43V；

所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8的电容均为5pF。

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