CN112352141A - 环境光探测器、探测器阵列及方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种环境光探测器、探测器阵列和方法。在实施例中，环境光传感器包括第一多个传感器元件，每个传感器元件被配置为响应于照明水平而提供信号，以及第二多个参考元件，每个参考元件被配置为提供参考信号，并且每个参考元件都包括被配置为遮挡相应参考元件免于被照亮的阻挡元件，其中第一多个大于第二多个，并且第一多个传感器元件和第二多个参考元件布置成阵列，以及其中，传感器元件和参考元件横向布置在共享至少一个公共第一触点的公共层基板上或之中。

Description

环境光探测器、探测器阵列及方法
本申请要求美国专利申请第16/024,437号的优先权，其通过引用结合于此。
技术领域
本申请涉及一种环境光探测器。本申请还涉及环境光探测器、探测器阵列以及形成环境光传感器的方法。
背景技术
环境光传感器(ALS)是一种电子设备，其测量环境照明的强度并输出与照明水平成比例的电信号。然后，该输出可用于控制照明设备的强度或色温。ALS可以包括光电二极管阵列和电流放大器。
暗电流是即使没有光子进入器件时流经光敏器件(例如光电二极管)的相对较小的电流。当探测器没有被入射光照射时，暗电流由探测器中产生的电荷载流子组成。它是半导体的随温度变化的特性。暗电流可以通过加热光电二极管来增加，并且在二极管冷却时相应地减小。
为了使用环境光传感器提供更好的测量结果，期望减少此类传感器中暗电流的影响。
发明内容
实施例提供具有改善的暗电流补偿的环境光传感器。在一方面，环境光传感器包括第一多个传感器元件，每个传感器元件配置成在被光照射时提供信号。换句话说，每个传感器元件被配置为响应于光照而提供信号。传感器信号可以与照明水平成比例。环境光传感器包括第二多个参考元件，每个参考元件被配置为提供参考信号并且包括阻挡元件以遮挡参考元件免于被照亮。第一多个大于第二多个，并且第一多个传感器元件和第二多个参考元件以阵列布置。此外，传感器元件和参考元件被横向地布置在共享至少一个公共触点的公共基板中。
在另一方面，一种环境光传感器，包括第一传感器元件，每个传感器元件被配置为响应于照明水平和参考元件而提供信号，每个参考元件被配置为提供参考信号并且每个参考元件包括被配置为遮挡相应的参考元件免于被照亮的阻挡元件。传感器元件的数量大于参考元件的数量。传感器元件和参考元件排列成阵列。传感器元件和参考元件横向地布置在共享至少一个公共第一触点的公共层基板上或其中。
一方面，用于参考元件的第二触点布置在参考元件的面向阻挡元件的表面上。此外，用于传感器元件的第二触点可以布置在传感器元件的面向阻挡元件的表面上。替代地，这些触点可以布置在背离阻挡元件的表面上。在一些实施例中，公共触点布置在公共层基板的背离阻挡元件的表面上。例如，这可以通过穿过公共基板的接触通孔来实现。
在一些实施例中，从俯视图来看，阻挡元件大于相应参考元件所占据的面积。例如，阻挡元件可以完全覆盖相应的参考元件并且进一步在参考元件与第一多个传感器元件中的相邻传感器元件之间的空间之间横向地延伸。
在一些情况下，阻挡元件可以在第一多个传感器元件中的传感器元件上与参考元件相邻的一部分上延伸。传感器元件的被阻挡元件覆盖的部分可以在传感器元件的总传感器面积的5％至50％之间，并且特别地在5％至10％之间。
传感器元件和参考元件可各自包括p掺杂层、n掺杂层以及它们之间的有源区，该有源区被配置为在被照亮时产生信号。在一些其他方面，传感器元件和/或参考元件均包括布置在公共基板中的阱，以在阱和公共基板之间形成有源层。
传感器和参考元件的数量可能不同。在一些实施例中，传感器元件和参考元件以阵列布置，使得沿着阵列的边缘的传感器元件和参考元件的比率对应于第一多个和第二多个之间的比率。
另一方面，环境光探测器包括电流镜，其中，电流镜包括第一电流路径和第二电流路径。第一电流路径包括第一多个光电二极管，且第二电流路径包括第二多个暗电流二极管。第一多个光电二极管和第二多个暗电流二极管横向地布置在公共基板中，而第一多个和第二多个不同。
镜像晶体管与第一电流路径相关联，而参考晶体管与第二电流路径相关联。镜像晶体管和参考晶体管包括与第一多个和第二多个之间的比率相对应的参数比率。
在一个实施例中，提供了补偿装置，用于响应于数字失配补偿信号而在第一电流路径和第二电流路径中的至少一者中提供补偿电流。在某些方面，补偿装置可以连接到第一多个光电二极管和镜像晶体管之间的第一电流路径，和/或补偿装置连接到第二多个暗电流二极管和参考晶体管之间的第二电流路径。
在一些方面，附加的电流限制器被配置为限制第一电流路径中的电流。电流限制器可以包括耦接到钳位元件的电流感测电阻器，所述电流感测电阻器被配置为控制与第一电流路径中的镜像晶体管并联布置的电流限制元件。
此外，一些方面可以涉及增益设置元件，将增益设置元件耦接到第一信号输入或第二信号输入，第二信号输入是电源输入。增益设置元件被配置为当耦接到第一信号输入时设置高增益，而当耦接到第二信号输入时设置较低增益。在某些方面，增益设置元件的耦接基本上是永久的。
在一些方面，增益设置元件可以包括增益设置晶体管，增益设置晶体管与镜像晶体管并联布置，并且以其控制输入连接在第一多个光电二极管和镜像晶体管之间。
另一方面涉及第一多个光电二极管。光电二极管可以包括布置在公共基板之中或上的第一导电类型的层。第二多个暗电流二极管可以包括被布置在公共基板中或上的第一导电类型的层；其中，所述公共基板具有第二导电类型。在一些方面，环境光探测器可以包括用于第一多个光电二极管和用于第二多个暗电流二极管的至少一个公共触点，与光电二极管的层接触的触点以及与暗电流二极管的层接触的触点。
第二多个暗电流二极管中的每个可以包括被配置为遮挡相应暗电流二极管以免被照亮的阻挡元件。在顶视图中，阻挡元件可以更大，并且因此完全覆盖相应的暗电流二极管的区域，并且进一步在暗电流二极管与第一多个相邻的光电二极管之间的空间之间横向延伸。这样，阻挡元件可以在与暗电流二极管相邻的第一多个光电二极管的一部分上延伸。
在一些方面，第一多个是第二多个的四倍。光电二极管和暗电流二极管可以以阵列的方式布置在公共基板中或上，使得沿着阵列的边缘的传感器元件和参考元件的比率对应于第一多个与第二多个之间的比率。
在另一方面，光探测器阵列包括彼此侧向布置的第一多个光电二极管和第二多个参考二极管，使得沿着阵列边缘的光电二极管和参考二极管的比率对应于第一多个和第二多个之间的比率。
在一些方面，阵列的每个角可以包括第一多个光电二极管中的光电二极管。作为示例，第一多个光电二极管是第二多个光电二极管的四倍。
另一方面涉及环境光传感器的形成。在一些实施例中，通过提供具有主表面和第一导电类型的层来形成环境光传感器。第二导电类型的至少两个区域形成在该层上或该层中。至少两个区域在横向上彼此相邻地形成并且被隔开第一距离。提供触点以电接触该层和至少两个区域中的每一个。此外，在基本平行于主表面的至少两个区域之一上提供遮光元件，使得遮光元件覆盖至少两个区域之一并至少沿着该距离延伸。
附图说明
结合附图进一步详细公开了其他方面和不同示例，其中：
图1示出了暗电流补偿电路的示例性实施例；
图2示出了根据所提出原理的一些方面的环境光传感器的实施例；
图3示出了说明串扰与阻挡元件的重叠的图；
图4示出了环境光探测器的实施例，其示出了所提出原理的一些方面；
图5示出了在图4的实施例中使用的DAC电路的示例性实施例；
图6示出了根据一些方面的环境光探测器阵列的示例性实施例；
图7示出了另一示例性环境光探测器阵列；
图8示出了又一示例性环境光探测器阵列；以及
图9示出了形成环境光传感器的方法的示例。
具体实施方式
环境光传感器是一种测量环境照明强度的电子设备。它以某种方式输出与照明有关的电信号，例如与照明成正比。但是，由于热运动和不同的环境温度，即使当传感器本身的光电二极管未点亮时，用于环境光测量的光电二极管也会提供较小的电流。这称为暗电流。为了实现暗电流抵消，通常使用第二光电二极管。图1说明了原理。抵消1包括传感器光电二极管11和暗电流光电二极管12。暗电流光电二极管被遮挡，使得无测出光可以到达二极管12的开口。在组合器15中，从光电二极管11减去二极管12的暗电流。结果在放大器14中放大，并提供给输出16。
暴露的光电二极管11的总响应包括由入射环境光感应产生的光电流和(主要是热)产生的暗电流。暗电流二极管12仅提供暗电流。抵消使得传感器灵敏度提高，特别是在低照明水平下。
为了获得良好的结果，光电二极管和暗电流二极管都应相似且彼此靠近布置。但是，以低入射角入射到光电二极管结构上的光或散射光可能会到达暗电流二极管，并在相邻结构之间产生串扰。
为了提高灵敏度，提出了一种光电二极管阵列，其包括多个光电二极管结构；以及遮光罩，被布置为覆盖光电二极管结构的第一部分，同时允许环境光到达光电二极管结构的第二部分，第一部分限定了一组参考光电二极管，而第二部分限定了一组暴露的光电二极管。遮光罩相对于光电二极管结构布置成使得遮光罩的遮光材料覆盖参考光电二极管，使参考光电二极管免受环境光的照射，同时允许环境光到达其余的光电二极管结构，使得这些结构暴露于环境光。遮光罩包括遮光材料，使得遮光罩阻挡入射到遮挡结构上的光的至少90％或阻挡入射在遮挡结构上的光的至少99％。
在当前公开的上下文中，短语“参考二极管”或“暗电流二极管”可用于被遮光罩完全覆盖的一组光电二极管结构中的光电二极管(当从沿光电二极管法线的观察点观看光电二极管时)。
在当前公开的上下文中，短语“暴露的二极管”或“光电二极管”可用于最多部分地被遮光罩覆盖的一组光电二极管结构中的光电二极管(当从沿光电二极管法线的观察点观看光电二极管时)。
图2示出了示例性实施例以说明一些方面。两个二极管被布置在彼此相邻的公共p基板(substrate，衬底)125中。每个二极管包括分别布置在p掺杂基板中的n掺杂阱112和122。公共阳极触点124布置在表面上以电接触基板125。触点113布置在n阱112上以电接触暴露的光电二极管11a。同样，触点123布置在参考二极管12a的阱122上。
参考光电二极管和暴露的光电二极管优选地物理上相同并且彼此相距距离d。然而，由于制造差异，不能很好地控制n掺杂阱112和122的横向扩散。对于光电二极管和参考二极管，二极管之间可能会有所不同。结果，光电流分布和暗电流分布可能很大。
为了减少这种分布的后果，根据所提出的原理，在参考二极管12a上方布置了阻挡元件，即，遮光罩121a。遮光罩121a所覆盖的面积大于基板中的参考二极管12a所覆盖的面积。换句话说，如图2所示，在该侧视图中，遮光罩121a的横向尺寸跨过包括n阱122的参考二极管的横向尺寸以及光电二极管和参考二极管之间的距离d延伸。因此，遮光罩在横向方向上重叠到光电二极管112的n阱上。在假设光电二极管的横向区域“延伸”到距离d的一半并且同样参考二极管延伸到距离d的一半的情况下，遮光罩121a完全和部分地覆盖参考二极管12a的区域，特别是在其表面处具有p基板的区域，特别是光电二极管的区域。遮光罩在光电二极管11a的整个区域上的重叠可以是几微米。例如，距离a可以在1μm和20μm之间。同样，总重叠量可以在5μm至50μm或更大的范围内。
因此，遮光罩的开口小于光电二极管的相应面积。遮光罩121a可以包括铝或任何其他遮光材料。这种遮光材料通常是不可渗透的，并且将防止气体流过遮光罩的遮光区域。光电二极管阵列的制造通常包括退火步骤，该退火步骤可以在将遮光罩安装在光传感器上之后执行。为了获得对光电二极管结构的相似且有效的退火，优选地布置遮光罩，使得在遮光罩和光电二极管阵列之间存在用于氢的扩散流的空间。因此，遮光罩121a相对于参考二极管12a布置在距离h处，以在遮光罩和参考二极管之间提供这样的空间。其间的空间填充有退火的光刻胶、氧化硅或任何其他合适的材料。参考二极管12a的表面与遮光罩之间的距离h可以是几微米。距离h可以取决于遮光罩的尺寸。
在一些实施例中，未被遮光罩重叠的一个未暴露的光电二极管的侧向面积与对应的透明区域的面积之间的比值，低于0.9，例如低于0.75，例如低于0.5。
图3示出了说明在遮光罩和参考二极管之间的给定距离h下，入射光的结果串扰与重叠量的关系图。在这方面，“串扰”是入射光到达参考二极管并引起错误信号。可以看到，重叠的增加大大降低了串扰。由重叠引起的益处仍然高于由于光电二极管的较小照射区域而导致的信号损失。
图4示出了环境光探测器电路的实施例，其示出了本申请的一些方面。该电路包括差分放大器150，其包括第一信号或电流路径151和第二信号或电流路径152。第一信号路径包括至少一个光电二极管11b和布置在输出节点IOUT和电源节点VDD之间的镜像晶体管158。第二信号路径包括至少一个参考二极管12b和参考晶体管153，它们也都串联布置在输出节点IOUT和供电节点VDD之间。如图4所示，有5个并联连接的参考二极管(M＝5)，此处仅显示一个符号。同样，在第一条电流路径中有20个光电二极管(M＝20)，其比率为1：4。
在如图4所示的环境光探测器的操作中，在每个参考二极管和光电二极管中产生相等大小的暗电流。因此，流过第一电流路径151的暗电流比流过第二电流路径152的各个暗电流大4倍。为了补偿暗电流，使用晶体管153和154来补偿暗电流的差分放大器必须处理相应路径中的不同暗电流。
为此，晶体管154和153形成电流镜。参考晶体管153和镜像晶体管154可以被实现为如图所示的场效应晶体管，但是根据需要可以使用诸如MOS-FET、BJT、MES-FET的不同种类的元件。晶体管153和154的栅极都连接到参考二极管和参考晶体管153之间的节点156，从而形成电流镜。这种电流镜以预定比率将通过参考晶体管的电流镜射到镜像晶体管中。该比率由两个晶体管的物理尺寸给定，由参数M给定。这种参数可以包括晶体管的沟道宽度，或其长度或它们的组合。在图4的示例中，镜射到晶体管154中的电流是通过参考晶体管的电流的4倍，从而匹配参考二极管和光电二极管的数量之间的比率。换句话说，通过第二电流路径中的参考二极管12b的暗电流被镜像为第一电流路径的4倍。因此，它被这个因子放大，且现在补偿第一电流路径中的暗电流。
在节点155处施加输出信号。节点155还连接到布置在电源节点VDD和节点158之间的输出晶体管158的栅极。因此，它还构成放大器的输出级170的一部分。输出级170还包括电流镜级，其包括路径晶体管172，电阻器178和电流镜174。晶体管172的路径与电流镜174的晶体管175串联在电源节点VDD和输出节点IOUT之间。电阻器178与电流镜174的晶体管176串联在电源节点VDD和输出节点IOUT之间。晶体管175和176的栅极连接到晶体管172和175之间的节点171，因此将通过晶体管175的电流镜像到晶体管176。
晶体管172和晶体管158还包括由几何参数m以及它们各自的值m＝1和m＝M分别给定的预定电流比。换句话说，晶体管172的电流是晶体管158的M倍。晶体管158和172也形成镜像比为1：M的电流镜。流过晶体管158的电流被以M倍镜像到晶体管172中。再次，流过晶体管172的电流以相同的比率镜像到晶体管176中(晶体管175和176也包括1：N的比率，如图4所示)。因此，在操作中，节点IOUT的输出电流等于光电二极管电流乘以晶体管172和158的比率(M/1)乘以晶体管176和175的比率(N/1)：Iout＝Iphoto*M*N。
在某些情况下，如图2所示，结构顶部的遮光罩可能会在结构内引入退火过程中残留的氢张力，从而改变参考二极管的特性。这可能导致第二电流路径中的参考二极管与第一电流路径中的光电二极管不匹配。为了失配补偿，提供补偿电路160。补偿电路包括在节点162处提供补偿信号的DAC。取决于是否必须添加或减去一些补偿信号，输出节点被选择性地耦接到第一或第二信号路径。
参考图5，DAC可以包括参考节点VSS和电源节点VDD以及两个输出节点OUT1和OUT2。它们分别连接到第一和第二电流路径。DAC还包括多个补偿二极管D1至D14和开关S1至S14。每个二极管都具有一个串联连接的开关。二极管D1至D7与它们的相关开关并联布置在参考节点VSS和输出节点OUT1/OUT2之间。二极管D8至D14与其相关联的开关串联布置在电源节点VDD和输出节点OUT1/OUT2之间。切换另外两个开关S15和S16以选择性地将来自补偿二极管的信号提供给相应的输出节点。
因此，每个补偿二极管可以被选择性地切换到路径中或从路径中切出，并且在输出节点之一处提供信号。选择二极管D1至D7(和D14至D8)的面积，以使一个二极管的面积为后续二极管的面积的一半。因此，8位逻辑信号开关二极管的连接可以提供256个不同的补偿值。代替二极管，可以使用普通晶体管。
再次参考图4，因为电流放大器增益大并且取决于M*N的因数可能在数万的范围内，所以可能出现另一个问题。在例如通过激光器等非常明亮的照明的情况下，节点IOUT处的输出电流会非常大，从而导致过热并损坏环境光探测器。为了防止这种情况的发生，电路包括限流器。限流器使用输出级的电阻器178，并且还包括钳位晶体管180。钳位晶体管180布置在电源节点VDD和节点155之间。晶体管180的栅极连接到输出级的电阻器178和晶体管176。在操作中，总输出电流由电阻器178感测。当电阻器178两端的电压降达到预定阈值时，钳位晶体管的栅极导通，并向晶体管158和172的电流镜提供钳位信号。钳位信号设置晶体管158的栅极电压，将总输出限制为限定的最大输出电流值。这种最大输出电流值可以通过钳位晶体管180的阈值电压来设置，该阈值电压可以通过该晶体管的物理参数进行调节，再除以电阻器178的值即可。
在另一方面，环境光探测器包括使用增益设置晶体管190的可选增益。环境光探测器可以包括几个数量级的动态LUX范围，例如在1mLUX至100kLUX的范围内。因此，需要不同的输出电流范围，以防止探测器过快地达到最大输出电流值。例如，在一些应用中，光传感器可能会暴露在需要低增益的高LUX范围内。例如，这可以在汽车应用中的仪表板上。另一方面，移动电话玻璃后面的传感器通常具有较低的光强度，因此可能需要较高的增益才能实现相同的灵敏度。图4描绘了两个不同的可选增益设置和永久增益设置的示例。可选增益的好处在于，可以减少管芯的库存，且简化探测器的制造，因为实际设置可以在以后的阶段确定。在给定示例中，增益设置晶体管布置在节点155和设置节点IDIV之间。增益设置晶体管190的栅极连接至节点155。在高增益设置中，节点IDIV未键合至电源节点VDD。在低增益设置中，节点IDIV绑定到电源节点VDD，且增益降低了G倍。总的来说，高增益模式下的输出电流由Iout＝Iphoto*M*N给出。低增益模式由Iout＝Iphoto*(M/G)*N给出。
另一方面涉及参考和光电二极管在环境光探测器的表面上的布置。图6示出了具有第一多个光电二极管401和第二多个参考二极管的环境光探测器阵列的顶视图的示例。在所示的示例中，第一多个是第二多个的4倍，从而与图4上的放大器布置匹配。光电二极管和参考二极管以总长度D的模式排列。每个二极管的尺寸为d，照明面积为w。光电二极管和参考二极管的总体布局是共质心，中心处有参考二极管400a，且沿每个边缘的中间还有其他参考二极管。这减少了制造过程中的工艺梯度和变化，从而改善了匹配度。
此外，根据所示示例的环境光探测器阵列包括2个“平衡边缘”。沿着探测器边缘的光电二极管401的数量是沿着该边缘的参考二极管的数量的4倍。例如，沿着探测器的左边缘有4个光电二极管401a至401d，而在中央有一个参考二极管400a，从而通过轴x形成镜面对称。换句话说，光电二极管和参考二极管的总数之比与沿着探测器边缘的光电二极管和参考二极管的比值匹配。这减少了探测器阵列的整体芯片面积，但即使边缘上有泄漏电流也能保持该比率。顶表面覆盖有透明材料，即环氧树脂，SOG或SiO等。如图中深色所示，遮光罩覆盖了每个参考二极管。遮光罩还在其横向尺寸上部分地在相邻的光电二极管(在此未示出)上扩展以减少串扰。由于暗电流基本上与照明水平无关，因此并非所有光电二极管都需要部分覆盖。结果，由二极管401d中的照明引起的光电流略大于光电二极管401c，因为后者的光电二极管被部分地覆盖。由于在差分放大器中汇总了由于照明而产生的光电流，因此可以补偿光电二极管之间的微小差异。
图7示出了作为3×3棋盘的环境光探测器阵列的另一示例。在该实施例中，光电二极管与参考二极管之间的比率为6：3＝2：1。参考二极管在探测器阵列的棋盘布置内沿着对角线布置。尽管如此，沿着探测器阵列边缘的光电二极管与参考二极管之比仍为2：1。在图8中示出了类似的示例，示出了具有4×4布置的环境光探测器阵列。参考二极管400再次沿着板的对角线布置，而光电二极管401占据剩余空间。沿着阵列边缘的光电二极管和参考二极管之比等于3：1。
因此，为了保持与沿着边缘的二极管的比率相同的总体比率，必须将所有参考二极管布置在环境光探测器阵列的对角线之一上。
图9示出了形成环境光传感器的方法的一些方面。在步骤S1中，提供第一导电类型的基板层，该层具有主表面。该层可以例如是p掺杂的并且由GaAs，GaN或任何其他合适的材料形成。在步骤S2中，在基板层上或基板层中彼此侧向相邻并隔开第一距离地沉积第二导电类型的几个区域。形成的区域可以在顶视图中形成棋盘，例如N×N棋盘，其中N是大于2的整数。每个区域包含由基板层的边界围绕的第二导电类型区域。
在第二导电类型区域和基板层之间形成pn结。可以通过将n掺杂沉积到基板层中来形成区域。可替代地，可以将一个或多个凹槽蚀刻到p掺杂层中。然后可以用n掺杂材料填充凹槽。可以使用利用光电二极管或LED制造技术形成pn结的其他替代方案。
在基板层中形成n型阱之后，在步骤S2中，基板层和n阱两者都电接触。为此，将触点沉积在表面上。可以在两个相邻的n型阱之间的基板层的区域上布置一个或多个公共触点。触点由金属或诸如ITO的透明导电材料形成。该触点耦接到读出和放大电路，该读出和放大电路被单独提供或整体形成在层基板上。
最后，在步骤S3中，在一个或多个区域上形成遮光元件。放置该遮光罩，使得其横向尺寸大于所限定的区域之一，并因此，遮光罩完全覆盖区域，并且还部分地延伸到相邻区域中。遮光罩可以是任何不透明的材料，例如深色树脂等。也可以使用(优选地具有有限的反射)金属。在形成遮光罩之前，具有形成的二极管的阵列可以完全被透明材料覆盖，例如SOG，SiO等。遮光元件仅覆盖一部分区域，使得未被覆盖的区域的数量大于被覆盖的数量。遮光罩也可以仅沉积在特定区域和专用区域上，因此在俯视图中覆盖阵列的对角线。

Claims (36)

1.一种环境光传感器，包括：
第一多个传感器元件，每个传感器元件被配置为响应于照明水平而提供信号；以及
第二多个参考元件，每个参考元件被配置为提供参考信号，并且每个参考元件都包括被配置为遮挡相应参考元件免于被照亮的阻挡元件，
其中，所述第一多个大于所述第二多个，并且所述第一多个传感器元件和所述第二多个参考元件布置成阵列，以及
其中，传感器元件和参考元件横向布置在共享至少一个公共第一触点的公共层基板上或之中。
2.根据权利要求1所述的环境光传感器，其中，用于所述参考元件的第二触点布置在所述参考元件的面向所述阻挡元件的表面上。
3.根据权利要求1或2所述的环境光传感器，其中，用于所述传感器元件的第二触点布置在所述传感器元件的面向所述阻挡元件的表面上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述公共触点布置在所述公共层基板的背离所述阻挡元件的表面上。
5.根据权利要求2所述的环境光传感器，其中，用于所述传感器元件和/或所述参考元件的所述第二触点布置在公共层基板的背离所述阻挡元件的表面上。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的环境光传感器，其中，对于所述光传感器的俯视图，所述阻挡元件大于所述相应参考元件。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述阻挡元件在所述第一多个传感器元件中的传感器元件上与所述参考元件相邻的一部分上延伸。
8.根据权利要求7所述的环境光传感器，其中，所述传感器元件的被所述阻挡元件覆盖的部分在所述传感器元件的总传感器面积的5％至50％之间。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述第一多个是第二多个的4倍。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述传感器元件和所述参考元件各自包括p掺杂层、n掺杂层以及它们之间的有源区，所述有源区被配置为在被照亮时产生所述信号。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述传感器元件和/或所述参考元件各自包括布置在公共基板中的阱，以在所述阱和所述公共基板之间形成有源层。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述阻挡元件被布置成与所述参考元件的主表面在远侧隔开。
13.根据权利要求1至11中的任一项所述的环境光传感器，其中，所述传感器元件和所述参考元件被布置成阵列，使得沿着所述阵列的边缘的传感器元件和参考元件的比率对应于所述第一多个和所述第二多个之间的比率。
14.一种具有电流镜的环境光探测器，所述电流镜包括：
第一电流路径中的第一多个光电二极管；
第二电流路径中的第二多个暗电流二极管，所述第二多个与所述第一多个不同；
所述第一电流路径中的镜像晶体管和所述第二电流路径中的参考晶体管，
其中，所述镜像晶体管和所述参考晶体管包括与所述第一多个和所述第二多个之间的比率相对应的参数比率，以及
其中，所述第一多个光电二极管和所述第二多个暗电流二极管横向地布置在公共基板中或上。
15.根据权利要求14所述的环境光探测器，还包括：
补偿装置，用于响应于数字失配补偿信号而在所述第一电流路径和所述第二电流路径中的至少一者中提供补偿电流。
16.根据权利要求15所述的环境光探测器，其中，所述补偿装置耦接到所述第一多个光电二极管和所述镜像晶体管之间的所述第一电流路径，和/或所述补偿装置耦接到所述第二多个暗电流二极管与所述参考晶体管之间的所述第二电流路径。
17.根据权利要求14至16中的任一项所述的环境光探测器，还包括电流限制器，所述电流限制器被配置为限制所述第一电流路径中的电流。
18.根据权利要求17所述的环境光探测器，其中，所述电流限制器包括耦接至钳位元件的电流感测电阻器，所述电流感测电阻器被配置为控制与所述第一电流路径中的所述镜像晶体管并联布置的电流限制元件。
19.根据权利要求14至18中的任一项所述的环境光探测器，还包括：
增益设置元件，被耦接到第一信号输入或第二信号输入，所述第二信号输入是电源输入。
20.根据权利要求19所述的环境光探测器，其中，所述增益设置元件被配置为当耦接至所述第一信号输入时设置为高增益，而当耦接至所述第二信号输入时设置为较低增益。
21.根据权利要求19或20所述的环境光探测器，其中，所述增益设置元件的所述耦接基本上是永久的。
22.根据权利要求19至21中的任一项所述的环境光探测器，其中，所述增益设置元件包括增益设置晶体管，所述增益设置晶体管与所述镜像晶体管并联布置，并且以其控制输入端连接在所述第一多个光电二极管和所述镜像晶体管之间。
23.根据权利要求14至22中的任一项所述的环境光探测器，其中，所述第一多个光电二极管包括：
第一导电类型的层，布置在所述公共基板中或上；以及
所述第二多个暗电流二极管包括：
第一导电类型的层，布置在所述公共基板中或上；以及
所述公共基板具有第二导电类型。
24.根据权利要求23所述的环境光探测器，还包括：
用于所述第一多个光电二极管和所述第二多个暗电流二极管的至少一个公共触点；
与所述光电二极管的层接触的触点；
与所述暗电流二极管的层接触的触点。
25.根据权利要求24所述的环境光探测器，其中，所述触点和所述公共触点中的至少一者布置在所述公共基板的背离入射光的方向的表面上。
26.根据权利要求14至25中的任一项所述的环境光探测器，其中，所述第二多个所述暗电流二极管中的每个包括被配置为遮挡相应暗电流二极管免于被照亮的阻挡元件。
27.根据权利要求26所述的环境光探测器，其中，所述阻挡元件完全覆盖所述相应暗电流二极管，并且进一步在所述暗电流二极管与所述第一多个的相邻光电二极管之间的空间之间横向延伸。
28.根据权利要求26或27所述的环境光探测器，其中，所述阻挡元件在与所述暗电流二极管相邻的所述第一多个所述光电二极管的一部分上延伸。
29.根据权利要求14至28中的任一项所述的环境光探测器，其中，所述第一多个是所述第二多个的四倍。
30.根据权利要求14至29中的任一项所述的环境光探测器，其中，所述光电二极管和所述暗电流二极管以阵列的形式布置在所述公共基板中或上，使得沿着所述阵列的边缘的传感器元件和参考元件的比率对应于所述第一多个和所述第二多个之间的比率。
31.一种环境光探测器阵列，包括第一多个光电二极管和第二多个参考二极管，所述第一多个与所述第二多个不同，并且所述第一多个光电二极管和所述第二多个参考二极管彼此横向地布置，使得沿着所述阵列的边缘的光电二极管的数量与参考二极管的数量的比率对应于所述第一多个与所述第二多个之间的比率。
32.根据权利要求31所述的环境光探测器阵列，其中，所述第一多个和所述第二多个被布置为形成N×N模式，其中N是大于2的整数。
33.根据权利要求31或32所述的环境光探测器阵列，其中，所述阵列的每个角包括所述第一多个光电二极管中的光电二极管。
34.根据权利要求31至33中的任一项所述的环境光探测器阵列，其中，所述第二多个参考二极管以对角线布置在所述阵列上。
35.根据权利要求31至34中的任一项所述的环境光探测器阵列，其中，所述第一多个光电二极管是所述第二多个光电二极管的四倍。
36.一种形成环境光传感器的方法，所述方法包括：
提供第一导电类型的层，所述层具有主表面；
在所述层上或所述层中在横向上彼此相邻并隔开第一距离地形成第二导电类型的至少两个区域；
形成触点以接触所述层和所述至少两个区域中的每个；
在基本上平行于所述主表面的所述至少两个区域中的一者上形成遮光元件，使得所述遮光元件覆盖所述至少两个区域中的所述一者并至少沿着所述距离延伸。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM575241U (zh) * 2018-11-28 2019-03-01 奇高電子股份有限公司 環境光感測器
JP7518691B2 (ja) * 2020-07-30 2024-07-18 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び光フィルタ
US11842560B1 (en) * 2023-05-24 2023-12-12 Himax Technologies Limited Fingerprint sensing circuit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6194703B1 (en) * 1998-06-26 2001-02-27 Hewlett-Packard Company Photodiode array having a controllable dumping circuitry
US20040174199A1 (en) * 2001-07-06 2004-09-09 Martin Simon Multiplier circuit
JP2006303856A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子および撮像装置
US20140353471A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Dark current calibration for a photosensitive device
US20150338269A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 International Business Machines Corporation Offset current compensation for photodiodes

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2628800A (en) 1999-01-25 2000-08-07 Gentex Corporation Vehicle equipment control with semiconductor light sensors
US6614562B1 (en) * 1999-06-30 2003-09-02 Intel Corporation Reducing dark current noise in an imaging system
DE10223201C1 (de) 2002-05-24 2003-05-28 Fraunhofer Ges Forschung Optikerfassungsvorrichtung
US6902872B2 (en) 2002-07-29 2005-06-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a through-substrate interconnect
DE102005060518B4 (de) 2004-12-16 2015-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Bilderfassungsbauelement und Herstellungsverfahren
JP5234852B2 (ja) 2005-12-01 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US20070273775A1 (en) * 2006-05-24 2007-11-29 Jutao Jiang Image sensor with built-in thermometer for global black level calibration and temperature-dependent color correction
JP4353224B2 (ja) * 2006-09-25 2009-10-28 エプソンイメージングデバイス株式会社 光検出装置、電気光学装置、および電子機器
GB2443204A (en) 2006-10-04 2008-04-30 Sharp Kk Photosensor and ambient light sensor
JP5073742B2 (ja) * 2007-05-18 2012-11-14 シャープ株式会社 表示装置
KR101137387B1 (ko) * 2009-11-05 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 기준 전압 설정 장치를 포함한 조도 측정 장치와 디스플레이 장치
JP2011203226A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 赤外線センサモジュール
US8242430B2 (en) * 2010-08-24 2012-08-14 Intersil Americas Inc. Apparatuses and methods that reduce mismatch errors associated with analog subtractions used for light sensing
EP3128742B1 (en) 2015-08-03 2018-05-16 Fundació Institut de Ciències Fotòniques Image sensor with non-local readout circuit and optoelectronic device comprising said image sensor
JP6901829B2 (ja) 2016-04-04 2021-07-14 株式会社ジャパンディスプレイ フォトセンサ及びフォトセンサを有する表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6194703B1 (en) * 1998-06-26 2001-02-27 Hewlett-Packard Company Photodiode array having a controllable dumping circuitry
US20040174199A1 (en) * 2001-07-06 2004-09-09 Martin Simon Multiplier circuit
JP2006303856A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子および撮像装置
US20140353471A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Dark current calibration for a photosensitive device
US20150338269A1 (en) * 2014-05-22 2015-11-26 International Business Machines Corporation Offset current compensation for photodiodes

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WEN-SHENG LIN 等: "High Performance CMOS Light Detector with Dark Current Suppression in Variable-Temperature Systems" *

Also Published As

Publication number Publication date
DE112019003270T5 (de) 2021-03-18
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US11199442B2 (en) 2021-12-14
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US20200003614A1 (en) 2020-01-02
US10852182B2 (en) 2020-12-01
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