CN112334594A - 单束等离子体源 - Google Patents

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Abstract

提供了单束等离子体或离子源装置(21，221，321，421，521)。另一方面采用离子源(25)，该离子源包括以基本上E形的截面形状布置的多个磁体(91)和多个磁分路器(93)。离子源的另一方面包括磁体和/或磁分路器，所述磁体和/或磁分路器产生具有位于等离子体源内的开放空间中的中心凹陷(117)或向外起伏的磁通量(115)。在另一方面，离子源包括附接至围绕磁体的阳极体(97)的可移除盖(73、573)。又一方面提供了单束等离子体源(221、521)，该单束等离子体源与靶溅射同时并且在相同的内部压力下产生离子。

Description

单束等离子体源
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月20日提交的美国临时申请第62/687,357号的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
政府权利
本发明是在国家科学基金会授予的1700785、1700787和1724941的政府支持下完成的。政府对本发明享有一定权利。
背景技术和发明内容
本申请总体上涉及离子源，并且更具体地涉及单束等离子体或离子源装置。
薄膜加工被广泛用于制造半导体器件、显示器、太阳能电池板、摩擦涂层、传感器和微机电系统。如图1所示，常规的物理气相沉积和化学气相沉积通常会由于原子1的有限动能而导致工件2上的原子1堆积松散。微孔结构导致材料特性和器件性能不稳定。然而，离子源已经成为用于制造高质量薄膜和器件的必要工具。
一个常规的离子源具有图2和图3所示的跑道设计。该设备包括跑道形或环形阳极3、成对的中心磁极和外部磁极以及磁体4。阳极连接至DC电源的正端子。磁极连接至地电位并用作阴极5。被朝向阳极吸引的电子受到洛伦兹力，该洛伦兹力沿E×B方向驱动电子(其中，E是电场向量，并且B是磁感应场向量)。由此，电子以电子轨迹6沿着跑道漂移而不是直接到达阳极。被限制的电子使工艺气体离子化并产生离子7，随后这些离子被从等离子体区域中提取出来。
跑道离子源的正常操作有两个关键要求：1)电子必须在闭合环路(跑道或圆环)中漂移以确保它们被限制；以及2)阳极与阴极之间的间隙必须小(几毫米)以建立强电场来提取离子。由此，跑道线性源实际上在直线部分产生两个束，而圆形源则生成环形束。因此，所发射的离子具有宽的发射角度分布；研究表明，相关联的离子入射角对被处理表面的形态有显著影响。此外，跑道离子源需要大于250V的电压来维持等离子体放电。这是通过阳极与阴极之间的电磁场确定的。因此，离子能量可能很高，以至于它们可能损坏沉积的膜并且不期望地使膜表面变粗糙。
由于不期望的材料沉积以及对出口狭缝附近的阳极和阴极的污染，传统跑道离子源中的窄发射狭缝导致维护频繁。此外，由于传统跑道结构将磁钢阴极直接安装在磁体上，因此在清洁后重新排列阴极以保持发射缝隙均匀很麻烦。在2016年1月28日发布的Madocks的题为“Closed Drift Magnetic Field Ion Source Apparatus Containing Self-Cleaning Anode and a Process for Substrate Modification Therewith”的美国专利公布第2016/0027608号以及于2017年2月2日发布的Chistyakov的题为“High Power PulseIonized Physical Vapor Deposition”的美国专利公布第2017/0029936号中公开了示例性跑道配置，上述两个申请通过引用并入本文。
于1984年11月6日授权给Kaufman等人的题为“Electron Bombardment IonSources”的美国专利第4,481,062号公开了另一种传统离子源，并且该美国专利通过引用并入本文。该方法通常在低压(例如，10-4托)下工作，该低压与至少10-3托的典型溅射压力不兼容。此外，Kaufman离子源不期望地使用细丝(filament)来热电子地发射电子，这使得它不适于与反应气体一起使用。此外，该设计通常在出口上采用金属栅格，从而不利地易于受到污染并且需要频繁的停机和维护。
根据本发明，提供了一种单束等离子体或离子源装置。离子源的另一方面包括磁体和/或磁分路器，所述磁体和/或磁分路器产生磁通量，该磁通量具有位于产生等离子体的开放空间中的中心凹陷(dip)或向外波动。另一方面采用了一种离子源，该离子源包括以基本上E形的截面形状布置的多个磁体和至少三个磁分路器。在另一方面，离子源包括附接至包围磁体的阳极体的可移除非磁性阴极、盖或罩，使得该盖可以被轻松移除而无需与磁场相互作用或直接附接至磁场，从而易于清理。又一方面提供了一种单束等离子体源，该单束等离子体源与其他沉积源(例如，溅射磁控管和经等离子体增强的化学气相沉积装备)在相同的处理压力下同时产生离子。另一方面，通过将离子束指向靶并溅射靶或者引入随后被离子源等离子体离解的前体气体将单束离子源用于直接薄膜沉积。另一方面，在离子源与样品之间引入射频电磁场以增强该束等离子体。此外，在本装置的另一方面，离子源居中地位于周围的溅射靶内。
本等离子体源装置优于传统设备。例如，本装置有利地发射单离子束，该单离子束的横截面直径或横截面宽度可以从约3mm调整到至少30mm，并且可以在单束线性配置中被调整成任何长度。此外，本装置中的光束可以在与同时溅射兼容的宽操作压力范围(例如，1毫托至＞500毫托)中生成。由于本装置不使用细丝，因此有益地，本装置可以在包括惰性气体和反应气体的许多不同的气体下进行操作。此外，本离子源可以在从30V到大于500V的宽放电电压范围内操作，这可以产生可调节离子能量以进行最佳的离子-表面相互作用。
本装置对于长期稳定的操作也是有利的，这是因为：1)由于直接涂覆的助焊剂不能到达活动表面，因此阳极不太可能被污染；2)由于阴极可以被设置为浮动电位并且进行自动偏置，所以阴极对涂层不敏感；以及3)与常规设备相比，非磁性盖或非磁性罩可以很容易地拆卸和重新组装以进行维护。值得注意的是，本装置发射稳定的离子束，而不会干扰同时操作的其他等离子体源。另一优点是单束离子源致使溅射源的放电电压显著降低，并随后提高了溅射膜的质量。根据以下结合附图的描述和所附权利要求书，其他特征和益处将变得明显。
附图说明
图1是示出在没有离子源辅助的情况下工件上的现有技术涂覆原子的示意性截面图；
图2是示出现有技术离子源的示意性截面图；
图3是示出图2的现有技术离子源的示意性俯视图；
图4是示出本离子源的立体图；
图5是沿图4中的线5-5截取的截面图，其示出了本离子源，其中,阴极与地隔离；
图6是示出本离子源的局部分解立体图；
图7是类似于图5的截面图，其示出了磁通线和来自本离子源的离子发射，其中，阴极连接至地电位；
图8是示出在本离子源中使用的示例性磁体组件的示意性截面图；
图9是沿图8中箭头9的方向截取的示出本离子源的示意图；
图10是示出本等离子体或离子源装置与真空室内部的沉积源同时操作的示意图；
图11是示出使用本离子源的进行的工件上的涂覆原子的相互作用的示意性截面图；
图12是示出了本离子源的替选实施方式的立体图；
图13是示出图12的离子源的替选实施方式的立体图；
图14是示出本等离子体或离子源装置的用于处理从磁控管源沉积的薄膜的替选实施方式的示意图；
图15是通过在不同的放电电压或离子能量下借助于本离子源的辅助进行溅射而产生的铟锡氧化物(“ITO”)膜的表面电阻的图；
图16和图17分别是在没有本离子源辅助和有本离子源辅助的情况下通过溅射而沉积的ITO膜的原子力显微镜相图；
图18是示出本等离子体或离子源装置的用于直接沉积薄膜的另一替选实施方式的示意图；
图19是示出本等离子体或离子源装置的另一替选图的示意图；
图20是示出本等离子体或离子源装置的另一替选实施方式的示意性截面图；以及
图21是沿图20中箭头21的方向截取的端部正视图，其示出了图20的等离子体或离子源装置的替选实施方式。
具体实施方式
单束等离子体或离子源装置21的优选实施方式可以在图4至图7以及图10中观察到。离子源装置21包括真空室23、离子源25、沉积源27和样品或工件29。离子源25和沉积源27通过真空密封的端口安装至真空室23。该装置还包括连接至真空泵31的泵送端口、连接至工艺气体源的输入气体端口、压力计和可选的加热器。取决于系统所需的特定功能，存在真空室的各种配置。
示例性离子源25包括阳极51和阴极53。阳极安装在绝缘体55上。阴极安装在金属封闭板61上，金属封闭板61又安装至真空室23上的法兰(flange)59。在这种情况下，阴极53被设置为电气接地电位。阴极53可以是单件或包括外部结构本体71和经由螺钉75可拆卸地固定至外部结构本体71的端盖73的两件。阴极53的盖73向内垂悬于阳极51之上，其中盖73的中心处的单贯通开口77限定离子发射出口。在当前示出的实施方式中，阴极53的结构本体71和盖73具有圆形的外周并且开口77是圆形的。此外，当前示出的盖73在贯通开口77附近采用截头圆锥形的渐缩表面79。
可替选地，可以设想将诸如椭圆形的其他弧形形状或其他单孔、伸长孔形状用于这些所述部件。在图12和图13中可以观察到替选实施方式，其中阴极653的盖673中的渐缩的单贯通开口677沿与发射中心平面或离子619的方向大致垂直的横向方向线性地伸长。内部阳极部件也围绕开口677下方的等离子体区域横向地伸长。
返回至图5至图10所示的示例性实施方式，多个(优选地，两个)永磁体91和多个(优选地，三个)磁分路器93被封装在阳极51中。导电内罩94限定了与开口77基本对准的开放等离子体区或区域96。磁体91和分路器93各自具有同轴对准的圆形内边缘和圆形外边缘，其中，磁体91和分路器93均是具有中空中心的环形。磁体91被夹在或堆叠在分路器93之间，使得这些磁体被中间的分路器彼此间隔开。上下磁体串联布置，例如N-S/N-S或S-N/S-N。此外，磁体和分路器组件的每一侧横截面具有基本上E形，其中分路器93的伸长的内部边缘朝向离子源25的中心线轴线95延伸。磁体91和分路器93在内部固定至阳极体97，阳极体97经由螺丝或其他螺纹紧固件耦接至阳极基体99。可选的进气或冷却流体入口101及相关联的流道被布置成穿过阳极基体99、绝缘体55和板61。值得注意的是，包括磁体91和分路器93的整个阳极51通过间隙或绝缘体与整个阴极53在内部间隔开。
在图5的配置中，阴极以电浮动或偏置电位与地隔离。然而，在图7的版本中，阴极通过法兰59连接至地电位。
图7至图10示出了操作中的离子源装置21。当通电时，由于高能电子113在相关联的电磁场作用下在磁体与分路器组件的部分之间运动，因此，阳极51内部的开放等离子体区96中的前体(precursor)气体被转换成等离子体。磁通线115从一个顶部分路器93向底部外部分路器93流动，或者磁通线115从一个底部外部分路器93向顶部分路器93流动。此外，磁性组件使至少一些磁通线115产生凹陷117或向外挤压起伏。该凹陷117有利地用于延迟和/或俘获附近的电子113，否则这些电子沿磁通线115流动并到达阳极。因此，该凹陷有利地增加了离子化并且提升了通过与纵向中心线轴线95同轴对准的阴极盖73的出口开口77发射的离子119的通量密度。在某些配置中，中心分路器93是可选的。可替选地，可以设想可以在开放等离子体区96内的磁场115的起始端与终止端之间布置多个凹陷117。
离子源25的当前优选的构造使得离子束119的直径或横向宽度具有从3mm到至少30mm的可调性。这可以通过不同尺寸的出口77、磁体91和分路器93来实现。此外，与从跑道离子源生成的传统的环形和中空中心离子束相比，从离子源25发射单离子束119，其中当在横截面中看时离子几乎均匀地围绕中心轴线分布。此外，虽然当前优选的磁体91和分路器93是与圆形单束离子源中的中心线95同轴对准的中空环状环，但是可替选地，磁体91和分路器93可以包括围绕中心线119以圆形或弧形图案布置的多个实心棒状或条状磁体，尽管某些优选优势可能无法实现。在线性单束离子源中，端部包括以上描述的圆形配置中的一半，并且直线部分可以包括多个实心棒状或条状磁体。可替选地，还可以设想可以采用多于两个的堆叠磁体或电磁体，并且如果是这样，则可以提供附加的关联分路器，以利用多于三个的向内延伸的齿或突出的边缘来使基本上E形的横截面配置扩大。
在图10所示的一个实施方式中，离子束119被从离子源25传送至样品29，其中，靶材料131随后被从源27沉积到样品29的表面上。在一种结构配置中，样品29耦接至电磁致动器135，例如电动机或螺线管。类似的电磁致动器139耦接至源27。这些可选的电磁致动器135和139可以使样品29和源27进行旋转和/或线性移动。如图11所示，由于原子120的密集堆积，本离子源辅助的沉积有效地克服了常规的松散原子堆积问题并且有利地产生具有优异的稳定性、光滑的薄膜表面、高电导率和强涂层附着力的致密膜。
图14示出了本单束等离子体或离子源装置的替选实施方式221。在本示例性配置中，离子源25包括其阳极51和阴极73，与图5至图7的在先实施方式基本相同。然而，采用溅射源201以与离子源25同时操作。溅射源201是磁控溅射枪或其他类型的溅射设备，其通常包括靶227以及在靶表面前面产生适当磁场的磁体和分路器的组件。在该实施方式中，单离子束219直接朝向样品或工件229发射，而靶材料231同时从靶227溅射并沉积在样品229上以形成涂层233。该离子处理与溅射沉积在相同的真空室压力下同时发生。
在生产设置中，可以将装置部件设置为竖直或水平。此外，样品可以是刚性的或柔性的。同样值得注意的是，在本申请中公开的任何实施方式都可以采用输送机或辊系统。
离子束219与沉积的薄膜233相互作用，这有望直接改善膜的特性例如密度、电导率和阻隔性能。理想地，这种离子束辅助的薄膜生长适于实现超光滑的薄膜并且还适于在诸如室温的低温下制造多晶薄膜。
本离子源装置有利地允许宽范围的操作压力，例如从1毫托到500毫托的工作压力，这使得离子产生和发射能够与溅射完全兼容。此外，由于没有使用细丝，因此，本离子源装置有利地使得离子产生和发射能够独立于工作气体。从而，可以使用氩气、氧气以及其他惰性和反应性气体。本离子源还可以在电压控制模式或电流控制模式下工作，并且放电电压可以低至30伏。此外，窄聚焦离子束有利地提供稳定放电而没有电弧。
在一个示例中，工艺气体由氩气混合0.6％的氧气组成并且压力保持在3.3毫托。施加至溅射磁控管201的功率固定为30瓦。在离子源25未通电的情况下，五分钟的溅射产生厚度为约36nm的ITO涂层133，即每分钟7.2nm。另一方面，以30W对相同的磁控管供电并以约96V的电压接通离子源。五分钟的沉积产生厚度为52nm的ITO膜，即每分钟10.0nm。因此，离子源致使沉积速率增加约39％。基于沉积速率和相同的沉积参数，在接通和不接通离子源的情况下，在室温下在玻璃基片上沉积厚度为约100nm的ITO膜。如图15所示，ITO膜的表面电阻降至1/5。
在将靶材料溅射到基片29上的同时从离子源25产生并发射离子束119有利于在基片29上产生涂层133的更平滑且更致密的外表面。这是通过以下实现的：在涂层生长和累积中，当原子沉积或附着至先前沉积的靶材料时，离子119撞击靶材料原子并由此将新原子推入各在先层中的空隙中(参见图11)。这理想地适于沉积涂层133并改善其质量，包括使沉积速率增加并且使结晶度更好。在涂层是ITO膜的情况下，基于本装置的这些改进通过涂层133获得了更大的透光率，并且/或者该涂层展现出改善的硬度。图16和图17分别示出了在同时操作中不使用和使用离子源25的情况下使用装置221沉积的铟锡氧化物(“ITO”)膜的原子力显微镜相图。结果表明，离子源辅助的沉积产生致密且光滑的ITO膜。
现在参照图18。单束等离子体或离子源装置的另一实施方式321包括离子源25，该离子源具有与在先实施方式中的阳极和阴极基本相同的阳极51和阴极73。该装置从入口101或其他远程入口向离子源25发射化学前体气体，使得通过电磁场在离子源中生成的等离子体产生所需的化学物质，随后将该化学物质作为涂层333沉积在样品或工件329上。一种这样的前体气体是CH4。该化学气相沉积过程使碳涂层沉积并生长。可替选地，碳基溅射靶可以与本文所公开的任何其他实施方式一起使用以产生碳原子作为样品涂层。
在本示例性配置中，输送机系统上的样品329移动穿过离子源并被涂覆。卷对卷涂覆布置301还可以涂覆柔性PET膜、柔性轻薄不锈钢板等。这样的膜和辊配置可以与本文所公开的任何实施方式一起使用。
图19示出了单束等离子体或离子源装置的不同实施方式421。离子源25的阳极51和阴极53与在先实施方式基本相同。另外，射频(“RF”)感应线圈401安装在离子源25与样品429之间并与之间隔开。射频感应线圈401在离子源25工作期间产生电磁场，使得单个源离子束419经出口孔77穿过线圈401的中空中心403并到达基片429的涂层433上。RF频率优选地在约1MHz至60MHz的范围内，并且更优选地为13.56MHz。
尽管优选地射频感应线圈401连同离子源25和样品429一起位于真空室内部，但是可替选地，它们也可以被配置成使得射频感应线圈401可以位于样品429的与离子源25相反的一侧。射频感应线圈401将有利地产生额外的离子并使离子束419内的离子致密。还可以设想：当在样品429上沉积涂层或薄膜433时，射频感应线圈将有助于使离子束419成形以更好地控制和聚焦。
现在转到图20和图21，单束或离子等离子体源装置的另一实施方式521包括离子源525和溅射靶527。离子源525与本文所公开的在先实施方式的离子源类似。此外，离子源525优选地包括具有单中心出口孔577的阴极盖573，通过该单中心出口孔577发射单离子束519以辅助在真空室内的样品或工件529上产生涂层533。
传导金属材料的环形基座501安装在绝缘体555上并且用于使环形溅射靶527安装其上。离子源525同心且同轴地位于靶527和基座501的中空中心内。这提供了集成且同时作用的溅射源和离子发射源，该溅射源和离子发射源有利地在相同的内部真空室压力下操作。有益地，可以设想：与利用远距离偏移的离子与靶源来实现相比，该集成且同心的源可以在较短时间内更快地覆盖较大的样品区域以使溅射材料沉积和离子发射两者与沉积的原子相互作用。还可以预见，与常规设备相比，该集成且同心的源可以提供更完整的离子活化溅射并且以更均匀的方式提供。更具体地，期望该集成且同轴的源更有利地与样品对准，从而实现相对于被偏移一定角度的溅射靶位置更均匀的涂层。类似的原理可以被扩展到线性伸长形状的单束离子源与溅射磁控管或其他沉积源集成。
尽管已经公开了各种实施方式，但是应当认识到可以采用其他变型。例如，尽管可能不能实现某些期望益处，但是可以改变特定的磁体和分路器的数量和形状。另外，尽管可能不能实现某些优点，但是可以改变外部本体、绝缘体和基体的形状和大小。此外，已经标识了示例性的靶材料和样品材料，但是也可以采用其他材料。此外，每个特征可以在所公开的任何实施方式和所有实施方式之间互换和混合，并且任意权利要求都可以多项引用任意其他权利要求。尽管已经公开了单束等离子体或离子源的各种应用，但是将这些源用于其他应用例如直接溅射或蚀刻靶表面不应被认为脱离了本发明的精神或范围。另外的改变和修改不应被视为脱离本发明的精神或范围。

Claims (77)

1.一种离子源装置，包括：
(a)阳极，其包括向内朝向离子发射轴线延伸的至少一个磁导体，开放等离子体区域位于所述阳极的中空中心区域内；
(b)阴极，其包括具有单个出口开口的盖，所述出口开口穿过所述盖，所述出口开口与所述轴线对准；以及
(c)磁通线，其在所述至少一个磁导体的最上部分与最下部分之间延伸，所述磁通线包括在所述至少一个磁导体的中间部分附近的中心向外凹陷，所述磁通线的所述凹陷处于所述开放等离子体区域中，并且所述凹陷使在所述凹陷附近的电子的运动改变以增加所述阳极内部的等离子体内的电离。
2.根据权利要求1所述的装置，还包括：
环形永磁体，其以堆叠布置的方式位于多个磁导体之间；并且
所述多个磁导体是环形的，并且金属分路器比所述永磁体向内朝向所述轴线突伸更多，所述分路器与所述部分相对应。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述阴极还包括同心地包围所述磁体和所述分路器的本体，并且所述阴极的所述盖直接且可移除地附接至所述本体，所述本体与所述阳极横向地间隔开，并且所述盖向内垂悬于所述磁体和所述分路器之上。
4.根据权利要求1所述的装置，还包括沿着所述发射轴线通过所述出口开口发射的单离子束，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕所述发射轴线基本上均匀地分布的离子。
5.根据权利要求4所述的装置，还包括：
包含前体气体的真空室；
位于所述真空室中的溅射靶，所述溅射靶接收所述单离子束；并且
所述至少一个磁导体包括至少三个间隔开的分路器，其中，所述最上部分是第一分路器并且所述最下部分是第三分路器，所述中间部分是位于所述第一分路器与所述第三分路器之间的第二分路器。
6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述单个出口开口沿基本上垂直于所述发射轴线的方向线性地伸长。
7.根据权利要求4所述的装置，其中，所述单个出口开口是圆形的，其中，在所述盖上围绕所述开口具有截头圆锥形的渐缩表面。
8.根据权利要求1所述的装置，还包括沉积源，所述至少一个磁导体的部分至少部分同心地位于所述沉积源内。
9.根据权利要求1所述的装置，还包括样品，并且所述阳极和所述阴极发射具有围绕所述发射轴线基本上均匀地分布的离子横截面的单离子束，以辅助在所述样品上沉积沉积材料的薄膜。
10.根据权利要求1所述的装置，还包括样品，并且所述阳极和所述阴极发射具有围绕所述发射轴线基本上均匀地分布的离子横截面的单离子束，以借助于碳基前体气体辅助在样品上沉积碳基涂层。
11.根据权利要求1所述的装置，还包括包围从所述阳极和所述阴极发射的离子束的射频线圈，所述线圈与所述阳极和所述阴极在纵向上间隔开。
12.根据权利要求1所述的装置，还包括溅射靶，并且所述阳极和所述阴极适于在相同压力下同时引起离子发射和溅射。
13.一种离子源装置，包括：
(a)阳极，其包括多个磁体和多个传导分路器，并且所述分路器彼此间隔开；
(b)阴极，其包括内悬垂的盖，所述盖限定穿过所述盖与所述磁体和所述分路器同轴对准的单个出口，所述磁体和所述出口具有同轴中心线；以及
(c)所述磁体和所述分路器限定了基本上E形的横截面形状，其中所述分路器的远端向内指向所述中心线。
14.根据权利要求13所述的装置，还包括在所述阳极内的等离子体中产生并沿着所述中心线通过所述出口纵向发射的单离子束，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕所述中心线基本上均匀地分布的离子。
15.根据权利要求14所述的装置，还包括：
沉积靶，其接收所述单离子束；
气体入口，其被定位在绝缘体或所述阳极中的至少一个离子源部件附近；以及
所述磁体和所述分路器中的每一个均具有闭合环路形状。
16.根据权利要求13所述的装置，还包括在所述分路器中的最上分路器与最下分路器之间延伸的磁通线，所述磁通线包括延迟或捕获电子运动以增加通过所述出口发射的电离的中心向外凹陷。
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述磁通线的所述凹陷处于被所述磁体和所述分路器中的至少之一横向包围的等离子体区域中。
18.根据权利要求13所述的装置，还包括反应气体，所述反应气体在阳极区域内被转化成等离子体，并且所述装置不使用细丝。
19.根据权利要求13所述的装置，其中，所述阴极还包括同心地包围所述磁体和所述分路器的结构本体，所述阴极的垂悬的盖直接且可移除地附接至所述结构本体，并且所述盖和所述结构本体与所述阳极间隔开。
20.根据权利要求13所述的装置，其中，所述磁体是由所述分路器中中间的分路器隔开的永磁体，并且所述分路器每个均在横向上比所述磁体伸长更多。
21.根据权利要求13所述的装置，还包括溅射靶，并且所述阳极和阴极适于在相同压力下同时引起离子发射和溅射。
22.根据权利要求13所述的装置，还包括沉积源，所述磁体中的至少一个磁体至少部分同心地位于所述沉积源内。
23.根据权利要求13所述的装置，还包括样品，并且所述阳极和阴极发射单离子束以辅助在所述样品上沉积沉积材料的薄膜，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕所述中心线基本上均匀地分布的离子。
24.根据权利要求13所述的装置，还包括样品，并且所述阳极和所述阴极发射单离子束以借助于碳基前体气体辅助在样品上沉积碳基涂层，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕所述中心线基本上均匀地分布的离子。
25.根据权利要求13所述的装置，还包括包围从所述阳极和所述阴极发射的离子束的射频线圈，所述线圈与所述阳极和所述阴极在纵向上间隔开。
26.一种离子源装置，包括：
(a)阳极，其包括多个磁体和多个传导分路器；
(b)阴极，其包括内部垂悬的盖，所述盖具有穿过所述盖的离子发射出口；
(c)结构本体，其从外部包围所述磁体和所述分路器，所述结构本体与阳极间隔开；并且
(d)所述盖可移除地直接连接至所述结构本体。
27.根据权利要求26所述的装置，其中，所述磁体和所述分路器包括基本上E形横截面形状的定向。
28.根据权利要求26所述的装置，其中，所述磁体、所述分路器、所述盖和所述结构本体均具有基本上圆形的周边，并且所述出口是被配置成发射来自所述阳极内部的等离子体的单离子束的单个圆形开口。
29.根据权利要求26所述的装置，其中，所述出口是从所述盖沿与离子发射方向基本垂直的方向延伸的单个线性伸长开口。
30.根据权利要求26所述的装置，还包括：
真空室，所述阳极和所述阴极位于所述真空室内；
溅射靶，其位于所述真空室内；
沉积源，其位于所述真空室内；以及
单离子束，其是在将材料从所述沉积源沉积到所述样品上的同时并且在相同的真空室内部压力下从所述出口发射的。
31.根据权利要求26所述的装置，还包括：
阳极体，其附接至所述磁体和所述分路器并包围所述磁体和所述分路器；
结构本体，其包围所述阳极体，其中，在所述结构本体与所述阳极体之间具有间隙；
螺纹紧固件，其将所述盖固定至所述结构本体；
阳极基体，其安装至所述阳极体的与所述出口相反的一端；以及
绝缘体，其将所述阳极基体连接至所述结构本体。
32.根据权利要求26所述的装置，其中，所述盖和所述结构本体各自具有基本为圆形的周边，并且所述盖在也基本为圆形的所述出口附近具有渐缩部。
33.一种装置，包括：
(a)真空室；
(b)离子源，其包括阳极和阴极，所述阳极包括磁体，所述阴极中具有离子发射出口，所述离子源位于所述真空室中；
(c)溅射靶，其位于所述真空室中；
(d)所述离子源能够产生离子束并在从所述溅射靶溅射材料的同时发射单离子束，该离子发射和溅射两者均能够在1毫托至500毫托的任何真空室压力下使溅射的涂层沉积。
34.根据权利要求33所述的装置，其中，所述阳极还包括分路器，所述磁体和所述分路器包括基本上E形横截面形状的定向，其中，所述分路器的边缘朝向所述阳极的中心线横向地延伸超过所述磁体。
35.根据权利要求34所述的装置，还包括在所述分路器中的最上分路器与最下分路器之间延伸的磁通线，所述磁通线包括中心向外凹陷，所述中心向外凹陷延迟或捕获所述凹陷处的电子运动以增加通过所述出口发射的电离。
36.根据权利要求35所述的装置，其中，所述磁通线的所述凹陷处于被所述磁体和所述分路器中的至少之一横向包围的开放等离子体区域中。
37.根据权利要求33所述的装置，还包括通过所述出口发射的单离子束，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕发射轴线基本上均匀地分布的离子。
38.根据权利要求33所述的装置，其中，所述溅射靶同心地包围所述阳极的至少部分。
39.根据权利要求33所述的装置，还包括位于所述阳极的基体附近的气体入口，所述气体是反应气体，并且所述装置不使用细丝。
40.根据权利要求33所述的装置，还包括工件，并且所述阳极和阴极发射单离子束以辅助在所述工件上沉积溅射材料的薄膜，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕发射轴线基本均匀地分布的离子。
41.根据权利要求33所述的装置，还包括工件，并且所述阳极和所述阴极发射单离子束以借助于碳基前体气体辅助在所述工件上沉积碳基涂层，所述单离子束具有横向基本上均匀的横截面离子中心。
42.根据权利要求33所述的装置，还包括包围从所述阳极和所述阴极发射的离子束的射频线圈，并且所述线圈与所述离子源在纵向上间隔开。
43.根据权利要求33所述的装置，还包括跨馈送辊与卷取辊之间的柔性工件，从所述离子源发射的所述单离子束使材料从所述溅射靶溅射并沉积在所述柔性工件上。
44.根据权利要求33所述的装置，还包括能够在所述真空室内移动的玻璃板工件，从所述离子源发射的所述单离子束使材料从所述溅射靶溅射并沉积在所述玻璃板工件上。
45.一种装置，包括：
(a)真空室；
(b)离子源，其包括阳极和阴极，所述阳极包括磁体，所述阴极中具有离子发射出口，所述离子源位于所述真空室中；
(c)沉积源，其位于所述真空室中；
(d)所述离子源与所述沉积源同轴，并且所述沉积源包围所述离子源的至少一部分。
46.根据权利要求45所述的装置，其中，所述沉积源是具有中空中心的环形，从而包围所述离子源的在所述出口附近的部分。
47.根据权利要求46所述的装置，还包括与所述离子源的阴极间隔开并且与所述阳极间隔开的第二阴极基座，所述沉积源包括安装在所述第二阴极基座的远端上的溅射靶。
48.根据权利要求47所述的装置，还包括位于所述离子源的与所述出口相反的一端附近的绝缘体，所述第二阴极基座是环形的并且经流体冷却，并且所述第二阴极基座在所述离子源外侧耦接至所述绝缘体。
49.根据权利要求45所述的装置，其中，所述离子源在样品处产生并发射离子，同时在所述真空室中在相同的压力下使溅射材料从所述沉积源沉积到所述样品上。
50.根据权利要求45所述的装置，其中，所述阳极还包括分路器，所述磁体和所述分路器以基本上E形的横截面形状定向，其中，所述分路器的边缘朝向所述阳极的中心线延伸超过所述磁体。
51.根据权利要求45所述的装置，还包括通过所述出口发射的单离子束，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕发射轴线基本上均匀地分布的离子。
52.根据权利要求45所述的装置，还包括位于所述阳极的基体附近的气体入口，所述气体是反应气体，并且所述装置不使用细丝。
53.一种装置，包括：
(a)真空室；
(b)离子源，其包括阳极和阴极，所述阳极包括磁体，所述阴极中具有出口，所述离子源位于所述真空室中，并且所述离子源适于在等离子体中产生离子束并通过所述出口发射所述离子束；
(c)沉积源，其位于所述真空室中；以及
(d)射频感应线圈，其具有与从所述离子源纵向伸长的离子束轴线同轴对准的中空中心，并且所述线圈与所述离子源在纵向上间隔开。
54.根据权利要求53所述的装置，其中，所述阳极还包括分路器，所述磁体和所述分路器包括基本上E形横截面形状的定向，其中，所述分路器的边缘朝向所述阳极的中心线延伸超过所述磁体。
55.根据权利要求54所述的装置，还包括在所述分路器中的最上分路器与最下分路器之间延伸的磁通线，所述磁通线包括中心向外凹陷，所述中心向外凹陷延迟或捕获所述凹陷处的电子运动以增加通过所述出口发射的电离。
56.根据权利要求54所述的装置，其中，所述阴极还包括同心地包围所述磁体和所述分路器的结构本体，以及所述阴极的垂悬的盖直接且可移除地附接至所述结构本体。
57.根据权利要求53所述的装置，还包括沿所述轴线通过所述出口发射的单离子束，当在横截面中观察时，所述单离子束具有围绕所述轴线基本均匀地分布的离子。
58.根据权利要求57所述的装置，其中，所述沉积源是接收所述单离子束的溅射靶，所述装置还包括向所述阳极发射前体气体的气体入口。
59.根据权利要求53所述的装置，还包括位于所述阳极的基体附近的气体入口，所述气体是反应气体，并且所述装置不使用细丝。
60.根据权利要求53所述的装置，其中，所述线圈产生另外的离子，并且使来自所述离子源的通过所述线圈的离子束成形。
61.一种装置，包括：
(a)真空室；
(b)阳极，其包括多个磁体和多个传导分路器，所述磁体和所述分路器中的每一个均具有闭合环路形状，并且所述分路器彼此间隔开；
(c)阴极，其包括盖，所述盖限定穿过所述盖的出口；
(d)气体入口，其可操作地向所述阳极供应碳基前体气体；
(e)工件，其与所述真空室内的所述阳极和所述阴极间隔开；并且
(f)所述阳极和所述阴极可操作地被配置成产生从所述出口可操作地发射的单离子束，以辅助在所述工件上沉积碳基涂层。
62.根据权利要求61所述的装置，其中，所述工件是内燃机部件。
63.根据权利要求61所述的装置，其中，所述前体气体包括CH4。
64.根据权利要求61所述的装置，还包括在所述分路器中的最上分路器与最下分路器之间延伸的至少一条磁通线，所述磁通线包括中心向外凹陷，所述中心向外凹陷延迟或捕获在所述凹陷处的电子运动以增加通过作为单个开口的出口发射的电离。
65.根据权利要求61所述的装置，其中，所述磁体是由所述分路器中中间的一个分路器隔开的永磁体，并且所述分路器每个均在横向上比所述磁体长。
66.根据权利要求61所述的装置，其中，所述磁体和所述分路器以基本上E形的横截面形状定向。
67.根据权利要求61所述的装置，还包括位于所述真空室中的沉积源，并且所述出口是单个圆形形状的开口，所述开口被所述盖上的截头圆锥形的渐缩表面包围。
68.一种在材料涂覆机器中使用离子源的方法，所述方法包括：
(a)使前体气体向所述离子源的磁体和分路器内的中空中心区域流动；
(b)从所述离子源内的所述磁体和所述分路器产生至少一条磁通路径；
(c)使在所述分路器之间延伸的所述至少一条磁通路径在所述中空中心区域内在其中间部分附近具有向外凹陷；
(d)通过使所述至少一条磁通路径与所述气体相互作用来产生离子束；以及
(e)从所述材料涂覆机器内的所述离子源发射所述离子束。
69.根据权利要求68所述的方法，还包括使所述至少一条磁通路径的所述凹陷中的电子运动延迟。
70.根据权利要求68所述的方法，还包括至少部分地因所述至少一条磁通路径的所述凹陷而使所发射离子束的离子密度增加，当在横截面中观察时，所述离子束具有围绕离子发射轴线基本上均匀地分布的离子。
71.根据权利要求68所述的方法，还包括将具有单个圆形出口的内悬垂的阴极盖拆卸和重新直接附接至结构本体，所述结构本体包围阳极体并与所述阳极体横向间隔开，所述磁体和所述分路器中的至少之一安装至所述阳极体。
72.根据权利要求68所述的方法，还包括基本上在产生所述离子束的同时在样品上沉积溅射材料的涂层。
73.根据权利要求68所述的方法，还包括在所述机器内在样品上沉积碳基涂层。
74.根据权利要求68所述的方法，还包括向与所述离子源纵向间隔开的射频线圈通电以改变所述离子束。
75.根据权利要求68所述的方法，还包括跨辊之间的柔性样品，从所述离子源发射的离子束使材料从溅射靶溅射并沉积在所述样品上。
76.根据权利要求68所述的方法，还包括能够在真空室内移动的玻璃板样品，从所述离子源发射的离子束使材料从沉积源移动并沉积在所述玻璃板样品上。
77.根据权利要求68所述的方法，还包括在材料沉积期间使用所述离子束撞击涂层表面以使产生所述涂层表面的原子平滑且致密。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114302546A (zh) * 2021-12-08 2022-04-08 核工业西南物理研究院 一种高效率低污染等离子体源

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020198012A1 (en) * 2019-03-26 2020-10-01 Board Of Trustees Of Michigan State University Single beam plasma source

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US5415754A (en) * 1993-10-22 1995-05-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
WO2002019366A2 (en) * 2000-08-28 2002-03-07 Guardian Industries Corporation Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US20040074771A1 (en) * 2002-10-18 2004-04-22 Fan Qi Hua Rectangular magnetron sputtering cathode with high target utilization
US20040195521A1 (en) * 2001-05-16 2004-10-07 Alekseev Valery V. Ion sorces
JP2007257880A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Sen Corp An Shi & Axcelis Company イオン源装置におけるプラズマ均一化方法及びイオン源装置
JP2011003425A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Jeol Ltd イオンポンプ
CN102822381A (zh) * 2010-03-31 2012-12-12 野马真空系统股份有限公司 圆柱形旋转磁控管溅射阴极装置以及使用射频发射来沉积材料的方法
CN103775297A (zh) * 2014-03-04 2014-05-07 哈尔滨工业大学 多级尖端会切磁场等离子体推力器分段陶瓷通道
CN103835905A (zh) * 2014-03-03 2014-06-04 哈尔滨工业大学 多级会切磁场等离子体推动器的变截面通道
CN104202895A (zh) * 2014-09-01 2014-12-10 哈尔滨工业大学 一种多级会切磁场等离子体推力器的电流均化磁场结构
CN105144338A (zh) * 2012-12-13 2015-12-09 欧瑞康表面解决方案股份公司，特吕巴赫 等离子体源
US20160027608A1 (en) * 2008-12-08 2016-01-28 General Plasma, Inc. Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith
KR20160030618A (ko) * 2014-09-11 2016-03-21 (주)화인솔루션 대향 전극을 갖는 이온 소스
CN105810538A (zh) * 2015-01-19 2016-07-27 住友重机械工业株式会社 负离子源装置
CN205789863U (zh) * 2016-05-25 2016-12-07 西安冠能中子探测技术有限公司 防离子溅射的微型潘宁离子源

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3321919A (en) * 1964-07-09 1967-05-30 High Voltage Engineering Corp Apparatus for generating high density plasma
US3952228A (en) 1974-11-18 1976-04-20 Ion Tech, Inc. Electron-bombardment ion source including alternating potential means for cyclically varying the focussing of ion beamlets
US3956666A (en) 1975-01-27 1976-05-11 Ion Tech, Inc. Electron-bombardment ion sources
US3969646A (en) 1975-02-10 1976-07-13 Ion Tech, Inc. Electron-bombardment ion source including segmented anode of electrically conductive, magnetic material
JPS5776739A (en) * 1980-10-31 1982-05-13 Efuimoobitsuchi Kureind Yuurii Electron/ion source
US4481062A (en) 1982-09-02 1984-11-06 Kaufman Harold R Electron bombardment ion sources
US4954751A (en) 1986-03-12 1990-09-04 Kaufman Harold R Radio frequency hollow cathode
US4873467A (en) 1988-05-23 1989-10-10 Kaufman Harold R Ion source with particular grid assembly
US5032202A (en) 1989-10-03 1991-07-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Plasma generating apparatus for large area plasma processing
US5304279A (en) 1990-08-10 1994-04-19 International Business Machines Corporation Radio frequency induction/multipole plasma processing tool
US5246532A (en) 1990-10-26 1993-09-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
US6843891B2 (en) 1998-05-14 2005-01-18 Kaufman & Robinson, Inc. Apparatus for sputter deposition
JP2002514685A (ja) 1998-05-14 2002-05-21 カウフマン アンド ロビンソン，インコーポレイテッド スパッタ堆積装置
US6870164B1 (en) 1999-10-15 2005-03-22 Kaufman & Robinson, Inc. Pulsed operation of hall-current ion sources
US6864485B2 (en) 2000-12-14 2005-03-08 Kaufman & Robinson, Inc. Ion optics with shallow dished grids
US6456011B1 (en) 2001-02-23 2002-09-24 Front Range Fakel, Inc. Magnetic field for small closed-drift ion source
US6750600B2 (en) 2001-05-03 2004-06-15 Kaufman & Robinson, Inc. Hall-current ion source
US6454910B1 (en) 2001-09-21 2002-09-24 Kaufman & Robinson, Inc. Ion-assisted magnetron deposition
US6608431B1 (en) 2002-05-24 2003-08-19 Kaufman & Robinson, Inc. Modular gridless ion source
KR100480357B1 (ko) * 2002-07-10 2005-03-30 아이티엠 주식회사 동기화된 이온 빔 소스와 듀얼 마그네트론 스퍼터를가지는 박막 형성 장치
US6896773B2 (en) 2002-11-14 2005-05-24 Zond, Inc. High deposition rate sputtering
WO2007070026A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-21 United Technologies Corporation Process for deposition of amorphous carbon
US8273222B2 (en) 2006-05-16 2012-09-25 Southwest Research Institute Apparatus and method for RF plasma enhanced magnetron sputter deposition
JP2008053116A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Ulvac Japan Ltd イオンガン、及び成膜装置
US9445488B2 (en) 2007-10-16 2016-09-13 Foret Plasma Labs, Llc Plasma whirl reactor apparatus and methods of use
US10267106B2 (en) 2007-10-16 2019-04-23 Foret Plasma Labs, Llc System, method and apparatus for treating mining byproducts
US20110277823A1 (en) 2008-05-19 2011-11-17 Mwoe Solar, Inc. System and Method for High Yield Deposition of Conductive Materials onto Solar Cells
US20130244293A1 (en) 2009-08-24 2013-09-19 Board Of Trustees Of Michingan State Unversity Fractionated extractive products from plant biomass and methods of making and using same
WO2011097183A2 (en) 2010-02-03 2011-08-11 University Of Florida Research Foundation, Inc. Biologically activated biochar, methods of making biologically activated biochar, and methods of removing contaminants from water
WO2011127394A1 (en) * 2010-04-09 2011-10-13 E.A. Fischione Instruments, Inc. Improved ion source
US9035553B2 (en) 2011-11-09 2015-05-19 Dae-Kyu Choi Hybrid plasma reactor
WO2014110602A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 South Dakota State University Nanoparticle films for use as solar cell back reflectors and other applications
US9024282B2 (en) * 2013-03-08 2015-05-05 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques and apparatus for high rate hydrogen implantation and co-implantion
US20160133426A1 (en) * 2013-06-12 2016-05-12 General Plasma, Inc. Linear duoplasmatron
AU2014311197A1 (en) 2013-09-02 2016-03-24 The University Of Sydney Materials and methods
US8994258B1 (en) 2013-09-25 2015-03-31 Kaufman & Robinson, Inc. End-hall ion source with enhanced radiation cooling
WO2015066573A2 (en) 2013-11-01 2015-05-07 South Dakota State University Novel solution for electrophoretic deposition of nanoparticles into thin films
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10475626B2 (en) 2015-03-17 2019-11-12 Applied Materials, Inc. Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor
ES2584961B1 (es) 2015-03-31 2017-07-04 Advanced Nanotechnologies, S.L. Elemento fungible para bombardeo con partículas y procedimiento de determinación de grabado de dicho elemento
US9754733B2 (en) 2015-04-30 2017-09-05 South Dakota State University Method for plasma activation of biochar material
JP6539113B2 (ja) 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6453826B2 (ja) 2016-09-28 2019-01-16 トヨタ自動車株式会社 摺動部材およびその製造方法
WO2018175689A1 (en) * 2017-03-22 2018-09-27 Applied Plasma Equipment Magnetron sputtering source for insulating target materials

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US5415754A (en) * 1993-10-22 1995-05-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
WO2002019366A2 (en) * 2000-08-28 2002-03-07 Guardian Industries Corporation Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US20040195521A1 (en) * 2001-05-16 2004-10-07 Alekseev Valery V. Ion sorces
US20040074771A1 (en) * 2002-10-18 2004-04-22 Fan Qi Hua Rectangular magnetron sputtering cathode with high target utilization
JP2007257880A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Sen Corp An Shi & Axcelis Company イオン源装置におけるプラズマ均一化方法及びイオン源装置
US20160027608A1 (en) * 2008-12-08 2016-01-28 General Plasma, Inc. Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith
JP2011003425A (ja) * 2009-06-19 2011-01-06 Jeol Ltd イオンポンプ
CN102822381A (zh) * 2010-03-31 2012-12-12 野马真空系统股份有限公司 圆柱形旋转磁控管溅射阴极装置以及使用射频发射来沉积材料的方法
CN105144338A (zh) * 2012-12-13 2015-12-09 欧瑞康表面解决方案股份公司，特吕巴赫 等离子体源
CN103835905A (zh) * 2014-03-03 2014-06-04 哈尔滨工业大学 多级会切磁场等离子体推动器的变截面通道
CN103775297A (zh) * 2014-03-04 2014-05-07 哈尔滨工业大学 多级尖端会切磁场等离子体推力器分段陶瓷通道
CN104202895A (zh) * 2014-09-01 2014-12-10 哈尔滨工业大学 一种多级会切磁场等离子体推力器的电流均化磁场结构
KR20160030618A (ko) * 2014-09-11 2016-03-21 (주)화인솔루션 대향 전극을 갖는 이온 소스
CN105810538A (zh) * 2015-01-19 2016-07-27 住友重机械工业株式会社 负离子源装置
CN205789863U (zh) * 2016-05-25 2016-12-07 西安冠能中子探测技术有限公司 防离子溅射的微型潘宁离子源

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114302546A (zh) * 2021-12-08 2022-04-08 核工业西南物理研究院 一种高效率低污染等离子体源
CN114302546B (zh) * 2021-12-08 2023-10-20 核工业西南物理研究院 一种高效率低污染等离子体源

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