CN112332872B - 基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、介质及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、计算机可读存储介质及系统，所述方法包括：获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。采用本发明的技术方案能够通过对功率放大器进行精准的温度补偿，解决芯片的实际发射功率与预期发射功率偏差较大的问题，提高发射功率的准确性。

Description

基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、介质及系统
技术领域
本发明涉及无线通信及功率控制技术领域，尤其涉及一种基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、计算机可读存储介质及系统。
背景技术
在现有的开环PA(power amplifier，功率放大器)系统中，由于没有PA反馈的功率值，WiFi芯片的发射功率的温度补偿只能基于WiFi芯片的内部温度和预先设定的一组温度梯度，随着WiFi芯片温度的变化，动态调节芯片端的发射功率，从而实现系统的温度补偿。
但是，这种温度补偿机制并未考虑以下问题：1、不同工作模式下WiFi芯片的发射功率不同，外置PA的发热不同，对应的温补参数也因此不同；2、多个客户端协商时，存在多个协商速率，以及多种发射功率；3、实际工作时占空比不同，外置PA的发热不同，增益变化较大；最终导致WiFi芯片的实际发射功率和预期发射功率差异较大，发射功率的准确性较差。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、计算机可读存储介质及系统，能够通过对功率放大器进行精准的温度补偿，解决芯片的实际发射功率与预期发射功率偏差较大的问题，从而提高芯片发射功率的准确性。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种基于温度补偿的发射功率调节方法，所述方法包括：
获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；
根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；
根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；
根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。
进一步地，所述方法通过以下步骤获取所述预设时间段内所述外置功率放大器的平均耗散功率:
根据公式
Figure BDA0002716412200000021
计算获得所述外置功率放大器的平均耗散功率PPA；其中，T为所述预设时间段，T>0，tia和tib分别为在所述预设时间段T内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间，poweri为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时所述外置功率放大器对应的耗散功率，i＝1，2，…，n，n>0。
进一步地，所述根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度，具体包括：
根据公式TPA＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA+PPA*θPA-PCB_PA计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度TPA；其中，T芯片为所述待调节芯片的平均温度，P芯片为所述待调节芯片的平均耗散功率，θ芯片-PCB_PA为所述待调节芯片到所述外置功率放大器所在位置处的PCB的热阻，PPA为所述外置功率放大器的平均耗散功率，θPA-PCB_PA为所述外置功率放大器到其所在位置处的PCB的热阻。
进一步地，所述根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值，具体包括：
根据公式GPA＝λ*(TPA-TPA-theory)估算所述外置功率放大器的增益衰减值GPA；其中，TPA为所述外置功率放大器的实时平均温度，λ为增益衰减常数，λ>0，TPA-theory为所述外置功率放大器的增益为理论增益时的温度。
进一步地，所述根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率，具体包括：
根据公式P芯片＝Po+GPA调整所述待调节芯片的发射功率P芯片；其中，Po为所述待调节芯片的额定输出功率，GPA为所述外置功率放大器的增益衰减值。
进一步地，所述方法还包括：
通过与所述待调节芯片以及所述外置功率放大器连接的比较器分别获取在所述预设时间段内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间。
进一步地，所述开始时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出高电平的时间；所述结束时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出低电平的时间。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种基于温度补偿的发射功率调节装置，所述装置适用于功率放大器系统，所述功率放大器系统包括芯片、外置功率放大器和比较器；所述芯片的输出端与所述外置功率放大器的输入端连接，所述外置功率放大器的检测端与所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端用于连接预设的参考电平，所述比较器的输出端与所述芯片的输入端连接；所述装置包括：
参数获取模块，用于获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；
实时平均温度获取模块，用于根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；
增益衰减值获取模块，用于根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；
发射功率调整模块，用于根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序；其中，所述计算机程序在运行时控制所述计算机可读存储介质所在的设备执行上述任一项所述的基于温度补偿的发射功率调节方法。
本发明实施例还提供了一种基于温度补偿的发射功率调节系统，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器在执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的基于温度补偿的发射功率调节方法。
与现有技术相比，本发明实施例提供了一种基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、计算机可读存储介质及系统，通过获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率，根据待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及外置功率放大器的平均耗散功率计算获得外置功率放大器的实时平均温度，并根据外置功率放大器的实时平均温度计算获得外置功率放大器的增益衰减值，以根据外置功率放大器的增益衰减值调整待调节芯片的发射功率，能够通过对功率放大器进行精准的温度补偿，解决芯片的实际发射功率与预期发射功率偏差较大的问题，从而提高芯片发射功率的准确性。
附图说明
图1是本发明提供的一种基于温度补偿的发射功率调节方法的一个优选实施例的流程图；
图2是本发明提供的一种功率放大器系统的一个优选实施例的结构示意图；
图3是本发明提供的一种芯片、外置功率放大器以及PCB板之间的位置关系示意图；
图4是本发明提供的一种基于温度补偿的发射功率调节装置的一个优选实施例的结构框图；
图5是本发明提供的一种基于温度补偿的发射功率调节系统的一个优选实施例的结构框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种基于温度补偿的发射功率调节方法，参见图1所示，是本发明提供的一种基于温度补偿的发射功率调节方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S14：
步骤S11、获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；
步骤S12、根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；
步骤S13、根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；
步骤S14、根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。
具体的，本发明实施例可以适用于功率放大器系统，结合图2所示，是本发明提供的一种功率放大器系统的一个优选实施例的结构示意图，所述功率放大器系统包括芯片(即为待调节芯片)、外置功率放大器和比较器，所述芯片的输出端与所述外置功率放大器的输入端连接，所述外置功率放大器的检测端与所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端用于连接预设的参考电平，所述比较器的输出端与所述芯片的输入端连接；在具体的发射功率调节过程中，首先获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、待调节芯片的平均耗散功率以及与待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率，接着根据获得的待调节芯片的平均温度、待调节芯片的平均耗散功率以及外置功率放大器的平均耗散功率计算获得外置功率放大器的实时平均温度，然后根据计算获得的外置功率放大器的实时平均温度进一步计算获得外置功率放大器此时的增益衰减值，最后根据计算获得的外置功率放大器的增益衰减值对待调节芯片的发射功率进行相应调整。
需要说明的是，上述待调节芯片可以是常见的WiFi芯片，也可以是其他芯片，本发明实施例不作具体限定。
在另一个优选实施例中，所述方法通过以下步骤获取所述预设时间段内所述外置功率放大器的平均耗散功率:
根据公式
Figure BDA0002716412200000061
计算获得所述外置功率放大器的平均耗散功率PPA；其中，T为所述预设时间段，T>0，tia和tib分别为在所述预设时间段T内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间，poweri为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时所述外置功率放大器对应的耗散功率，i＝1，2，…，n，n>0。
具体的，结合上述实施例，在获取预设时间段T内外置功率放大器的平均耗散功率时，先获取在预设时间段T内与待调节芯片进行通信的n(n>0)个客户端，再获取在预设时间段T内每一个客户端与待调节芯片进行通信时所对应的开始时间ta和结束时间tb，以及每一个客户端与待调节芯片进行通信时外置功率放大器所对应的耗散功率power，则可根据公式
Figure BDA0002716412200000062
计算获得预设时间段T内外置功率放大器的平均耗散功率PPA。
需要说明的是，不同的客户端对应的协商速率一般不同，样机的发射功率也不同，因此对应的外置功率放大器的耗散功率也不同，对于同一个外置功率放大器的固定通信模式(固定频率、带宽和调制方式)，外置功率放大器的实时耗散功率与实时发射功率是一一对应的，因此，通过待调节芯片读取到样机的发射功率以及每一个客户端所对应的协商速率，即可获得每一个客户端与待调节芯片进行通信时外置功率放大器所对应的耗散功率power。
在又一个优选实施例中，所述根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度，具体包括：
根据公式TPA＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA+PPA*θPA-PCB_PA计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度TPA；其中，T芯片为所述待调节芯片的平均温度，P芯片为所述待调节芯片的平均耗散功率，θ芯片-PCB_PA为所述待调节芯片到所述外置功率放大器所在位置处的PCB的热阻，PPA为所述外置功率放大器的平均耗散功率，θPA-PCB_PA为所述外置功率放大器到其所在位置处的PCB的热阻。
具体的，结合上述实施例，在获得预设时间段T内的待调节芯片的平均温度T芯片、待调节芯片的平均耗散功率P芯片以及外置功率放大器的平均耗散功率PPA后，可以根据公式TPA＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA+PPA*θPA-PCB_PA计算获得外置功率放大器的实时平均温度TPA。
需要说明的是，外置功率放大器的实时平均温度TPA可以通过外置功率放大器所在位置处的PCB的温度进行估算，结合图3所示，是本发明提供的一种芯片、外置功率放大器以及PCB板之间的位置关系示意图，外置功率放大器(即图3中的PA)所在位置处的PCB即为整个PCB板上外置功率放大器所在位置正下方的PCB，具体的，外置功率放大器所在位置处的PCB的温度TPCB可以表示为：TPCB＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA(即表示芯片与外置功率放大器所在位置处的PCB的温度之间的关系)，也可以表示为：TPCB＝TPA-PPA*θPA-PCB_PA(即表示外置功率放大器与外置功率放大器所在位置处的PCB的温度之间的关系)，则可得TPA＝TPCB+PPA*θPA-PCB_PA＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA+PPA*θPA-PCB_PA，其中，T芯片和P芯片可以根据芯片直接读取获得，θ芯片-PCB_PA为芯片到外置功率放大器正下方的PCB的热阻，可以通过仿真或者实测获得，并且该参数与芯片封装、PCB层数、PCB厚度、芯片与外置功率放大器正下方的PCB之间的距离以及样机散热有关，θPA-PCB_PA为外置功率放大器到其正下方的PCB的热阻，该参数由功率放大器的规格书提供。
在又一个优选实施例中，所述根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值，具体包括：
根据公式GPA＝λ*(TPA-TPA-theory)估算所述外置功率放大器的增益衰减值GPA；其中，TPA为所述外置功率放大器的实时平均温度，λ为增益衰减常数，λ>0，TPA-theory为所述外置功率放大器的增益为理论增益时的温度。
具体的，结合上述实施例，在计算获得外置功率放大器的实时平均温度TPA后，可以根据公式GPA＝λ*(TPA-TPA-theory)估算外置功率放大器的增益衰减值GPA。
需要说明的是，λ为增益衰减常数，具体是指外置功率放大器升温单位温度时，对应的增益的下降值，该参数与外置功率放大器的自身参数有关，TPA-theory为外置功率放大器的增益为理论增益时外置功率放大器的温度，该参数由功率放大器的规格书提供，通常为25℃。
在又一个优选实施例中，所述根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率，具体包括：
根据公式P芯片＝Po+GPA调整所述待调节芯片的发射功率P芯片；其中，Po为所述待调节芯片的额定输出功率，GPA为所述外置功率放大器的增益衰减值。
具体的，结合上述实施例，在计算获得外置功率放大器的增益衰减值GPA后，可以根据公式P芯片＝Po+GPA调整待调节芯片的发射功率P芯片，P芯片即为芯片采用温度补偿后的最终输出功率。
需要说明的是，Po为待调节芯片的额定输出功率，具体是指外置功率放大器的增益无衰减的理想情况下，样机发射目标功率时芯片的输出功率。
在又一个优选实施例中，所述方法还包括：
通过与所述待调节芯片以及所述外置功率放大器连接的比较器分别获取在所述预设时间段内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间。
具体的，结合上述实施例，在计算预设时间段T内外置功率放大器的平均耗散功率PPA时，需要知道在预设时间段T内与待调节芯片进行通信的每一个客户端与待调节芯片进行通信时所对应的开始时间ta和结束时间tb，本发明实施例通过比较器分别获取在预设时间段T内第i个客户端与待调节芯片进行通信时的开始时间tia和结束时间tib。
作为上述方案的改进，所述开始时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出高电平的时间；所述结束时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出低电平的时间。
具体的，结合上述实施例，对于第i个客户端，其所对应的开始时间为第i个客户端与待调节芯片进行通信时，比较器开始输出高电平的时间，其所对应的结束时间为第i个客户端与待调节芯片进行通信时，比较器开始输出低电平的时间。
需要说明的是，第i个客户端与待调节芯片进行通信时的开始时间tia和结束时间tib由芯片和外置功率放大器的检测端返回的参数共同计算获得，比较器的第一输入端接收到外置功率放大器的检测端返回的输出功率强度之后，与比较器的第二输入端连接的参考电平进行比较，并输出相应的电平信号实时反馈给芯片，芯片在接收到该电平信号后，可以根据该电平信号的高低电平变化时间相应获得每一个客户端与待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间。
可以理解的，比较器的第二输入端连接一个固定的参考电平，通过电平比较，能够确定外置功率放大器是否处于工作状态，例如，当比较器输出的电平信号为低电平时，表示外置功率放大器处于关闭状态，当比较器输出的电平信号为高电平时，表示外置功率放大器处于工作状态，相应的，比较器输出的电平信号为低电平的时间为外置功率放大器的关闭时间，比较器输出的电平信号为高电平的时间为外置功率放大器的开启时间，根据外置功率放大器的关闭时间和开启时间可以获取到精确的客户端与待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间。
本发明实施例所提供的一种基于温度补偿的发射功率调节方法，通过获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率，根据待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及外置功率放大器的平均耗散功率计算获得外置功率放大器的实时平均温度，并根据外置功率放大器的实时平均温度计算获得外置功率放大器的增益衰减值，以根据外置功率放大器的增益衰减值调整待调节芯片的发射功率，能够通过对功率放大器进行精准的温度补偿，解决芯片的实际发射功率与预期发射功率偏差较大的问题，从而提高芯片发射功率的准确性。
本发明实施例还提供了一种基于温度补偿的发射功率调节装置，能够实现上述任一实施例所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，装置中的各个模块、单元的作用以及实现的技术效果分别与上述实施例所述的基于温度补偿的发射功率调节方法的作用以及实现的技术效果对应相同，这里不再赘述。
参见图4所示，是本发明提供的一种基于温度补偿的发射功率调节装置的一个优选实施例的结构框图，所述装置适用于功率放大器系统(参见图2所示)，所述功率放大器系统包括芯片、外置功率放大器和比较器；所述芯片的输出端与所述外置功率放大器的输入端连接，所述外置功率放大器的检测端与所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端用于连接预设的参考电平，所述比较器的输出端与所述芯片的输入端连接；所述装置包括：
参数获取模块11，用于获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；
实时平均温度获取模块12，用于根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；
增益衰减值获取模块13，用于根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；
发射功率调整模块14，用于根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。
优选地，所述参数获取模块11具体包括：
第一计算单元，用于根据公式
Figure BDA0002716412200000101
计算获得所述外置功率放大器的平均耗散功率PPA；其中，T为所述预设时间段，T>0，tia和tib分别为在所述预设时间段T内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间，poweri为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时所述外置功率放大器对应的耗散功率，i＝1，2，…，n，n>0。
优选地，所述实时平均温度获取模块12具体包括：
实时平均温度计算单元，用于根据公式TPA＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA+PPA*θPA-PCB_PA计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度TPA；其中，T芯片为所述待调节芯片的平均温度，P芯片为所述待调节芯片的平均耗散功率，θ芯片-PCB_PA为所述待调节芯片到所述外置功率放大器所在位置处的PCB的热阻，PPA为所述外置功率放大器的平均耗散功率，θPA-PCB_PA为所述外置功率放大器到其所在位置处的PCB的热阻。
优选地，所述增益衰减值获取模块13具体包括：
增益衰减值计算单元，用于根据公式GPA＝λ*(TPA-TPA-theory)估算所述外置功率放大器的增益衰减值GPA；其中，TPA为所述外置功率放大器的实时平均温度，λ为增益衰减常数，λ>0，TPA-theory为所述外置功率放大器的增益为理论增益时的温度。
优选地，所述发射功率调整模块14具体包括：
发射功率调整单元，用于根据公式P芯片＝Po+GPA调整所述待调节芯片的发射功率P芯片；其中，Po为所述待调节芯片的额定输出功率，GPA为所述外置功率放大器的增益衰减值。
优选地，所述装置还包括：
开始及结束时间获取模块，用于通过与所述待调节芯片以及所述外置功率放大器连接的比较器分别获取在所述预设时间段内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间。
优选地，所述开始时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出高电平的时间；所述结束时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出低电平的时间。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序；其中，所述计算机程序在运行时控制所述计算机可读存储介质所在的设备执行上述任一实施例所述的基于温度补偿的发射功率调节方法。
本发明实施例还提供了一种基于温度补偿的发射功率调节系统，参见图5所示，是本发明提供的一种基于温度补偿的发射功率调节系统的一个优选实施例的结构框图，所述发射功率调节系统包括处理器10、存储器20以及存储在所述存储器20中且被配置为由所述处理器10执行的计算机程序，所述处理器10在执行所述计算机程序时实现上述任一实施例所述的基于温度补偿的发射功率调节方法。
优选地，所述计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元(如计算机程序1、计算机程序2、······)，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器20中，并由所述处理器10执行，以完成本发明。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序在所述发射功率调节系统中的执行过程。
所述处理器10可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等，通用处理器可以是微处理器，或者所述处理器10也可以是任何常规的处理器，所述处理器10是所述发射功率调节系统的控制中心，利用各种接口和线路连接所述发射功率调节系统的各个部分。
所述存储器20主要包括程序存储区和数据存储区，其中，程序存储区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序等，数据存储区可存储相关数据等。此外，所述存储器20可以是高速随机存取存储器，还可以是非易失性存储器，例如插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card，SMC)、安全数字(Secure Digital，SD)卡和闪存卡(Flash Card)等，或所述存储器20也可以是其他易失性固态存储器件。
需要说明的是，上述发射功率调节系统可包括，但不仅限于，处理器、存储器，本领域技术人员可以理解，图5结构框图仅仅是上述发射功率调节系统的示例，并不构成对发射功率调节系统的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件。
综上，本发明实施例所提供的一种基于温度补偿的发射功率调节方法、装置、计算机可读存储介质及系统，通过获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率，根据待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及外置功率放大器的平均耗散功率计算获得外置功率放大器的实时平均温度，并根据外置功率放大器的实时平均温度计算获得外置功率放大器的增益衰减值，以根据外置功率放大器的增益衰减值调整待调节芯片的发射功率，能够通过对功率放大器进行精准的温度补偿，解决芯片的实际发射功率与预期发射功率偏差较大的问题，从而提高芯片发射功率的准确性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述方法包括：
获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；
根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；
根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；
根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。
2.如权利要求1所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述方法通过以下步骤获取所述预设时间段内所述外置功率放大器的平均耗散功率:
根据公式
Figure FDA0002716412190000011
计算获得所述外置功率放大器的平均耗散功率PPA；其中，T为所述预设时间段，T>0，tia和tib分别为在所述预设时间段T内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间，poweri为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时所述外置功率放大器对应的耗散功率，i＝1，2，…，n，n>0。
3.如权利要求1所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度，具体包括：
根据公式TPA＝T芯片-P芯片*θ芯片－PCB_PA+PPA*θPA-PCB_PA计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度TPA；其中，T芯片为所述待调节芯片的平均温度，P芯片为所述待调节芯片的平均耗散功率，θ芯片-PCB_PA为所述待调节芯片到所述外置功率放大器所在位置处的PCB的热阻，PPA为所述外置功率放大器的平均耗散功率，θPA-PCB_PA为所述外置功率放大器到其所在位置处的PCB的热阻。
4.如权利要求1所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值，具体包括：
根据公式GPA＝λ*(TPA-TPA-theory)估算所述外置功率放大器的增益衰减值GPA；其中，TPA为所述外置功率放大器的实时平均温度，λ为增益衰减常数，λ>0，TPA-theory为所述外置功率放大器的增益为理论增益时的温度。
5.如权利要求1所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率，具体包括：
根据公式P芯片＝Po+GPA调整所述待调节芯片的发射功率P芯片；其中，Po为所述待调节芯片的额定输出功率，GPA为所述外置功率放大器的增益衰减值。
6.如权利要求2所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过与所述待调节芯片以及所述外置功率放大器连接的比较器分别获取在所述预设时间段内第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时的开始时间和结束时间。
7.如权利要求6所述的基于温度补偿的发射功率调节方法，其特征在于，所述开始时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出高电平的时间；所述结束时间为第i个客户端与所述待调节芯片进行通信时，所述比较器开始输出低电平的时间。
8.一种基于温度补偿的发射功率调节装置，其特征在于，所述装置适用于功率放大器系统，所述功率放大器系统包括芯片、外置功率放大器和比较器；所述芯片的输出端与所述外置功率放大器的输入端连接，所述外置功率放大器的检测端与所述比较器的第一输入端连接，所述比较器的第二输入端用于连接预设的参考电平，所述比较器的输出端与所述芯片的输入端连接；所述装置包括：
参数获取模块，用于获取预设时间段内待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及与所述待调节芯片连接的外置功率放大器的平均耗散功率；
实时平均温度获取模块，用于根据所述待调节芯片的平均温度、平均耗散功率以及所述外置功率放大器的平均耗散功率计算获得所述外置功率放大器的实时平均温度；
增益衰减值获取模块，用于根据所述外置功率放大器的实时平均温度计算获得所述外置功率放大器的增益衰减值；
发射功率调整模块，用于根据所述外置功率放大器的增益衰减值调整所述待调节芯片的发射功率。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序；其中，所述计算机程序在运行时控制所述计算机可读存储介质所在的设备执行如权利要求1～7任一项所述的基于温度补偿的发射功率调节方法。
10.一种基于温度补偿的发射功率调节系统，其特征在于，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器在执行所述计算机程序时实现如权利要求1～7任一项所述的基于温度补偿的发射功率调节方法。
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