CN112310266A - Led芯片的固晶方法及led面板 - Google Patents

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CN112310266A CN202011144359.8A CN202011144359A CN112310266A CN 112310266 A CN112310266 A CN 112310266A CN 202011144359 A CN202011144359 A CN 202011144359A CN 112310266 A CN112310266 A CN 112310266A
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Abstract

本发明公开了一种LED芯片的固晶方法及LED面板，至少包括以下步骤：步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；步骤S3、固定所述LED芯片。本发明提供的LED芯片的固晶方法及LED面板，使用各向异性导电胶替代钢网锡膏印刷，解决了现有技术中LED固晶工艺容易导致基板线路短路的问题。

Description

LED芯片的固晶方法及LED面板
技术领域
本申请涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种LED芯片的固晶方法及LED面板。
背景技术
微型发光二极管(Micro light emitting diode，简称Micro-LED)通常是指在传统LED芯片结构基础上，将LED芯片尺寸规格缩小到200微米以内的尺寸，将红、绿、蓝三色MicroLED按照一定的规则排列在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称COMS)上，则形成了能够实现全彩显示的微器件。此种显示器具有独立控制的显示画素，具有独立发光控制、高亮度、低耗电、超高分辨率和超高色彩饱和度等特点，并且Micro-LED微显示器件由于具有自发光的技术特性，还可以实现柔性、透明显示等，而其耗电量仅约为液晶面板的10％。MicroLED是新一代显示技术，是LED微缩化和矩阵化技术，简单来说，就是将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，可以让LED单元小于100微米，与OLED一样能够实现每个图元单独定址，单独驱动发光。Mini/MicroLED(简称MLED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较OLED屏幕，MLED显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。
基于玻璃基板的高分辨率Mini-LED或Micro-LED直视显示是一种前沿的显示技术，随着显示屏尺寸的需求越来越大，显示屏所需要Mini-LED或Micro-LED的数量也越来越多，因此Mini-LED或Micro-LED的转移方式及效率对显示屏的良率和成本有很大影响。而目前传统的Mini-LED或Micro-LED转移的方式为：转移固晶流程包括锡膏印刷、LED转移和回流焊接。锡膏印刷的过程需要通过钢网治具实现；在通过钢网治具印刷时，印刷过程中钢网会与玻璃基板接触，容易造成基板上的不同膜层出现挤压，致使基板线路电阻减小甚至短路，从而无法完成基板点亮；而且传统的Mini-LED或Micro-LED的固晶效率较慢，锡膏在空气中长时间放置发生氧化使连接效果减弱，易造成固晶良率较低。因此，开发一种无刚性接触的、高效率的固晶方式是十分必要的。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种LED芯片的固晶方法及LED面板，以解决现有技术中LED固晶工艺容易导致基板线路短路的问题。
本发明实施例提供了一种LED芯片的固晶方法，至少包括以下步骤：
步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；
步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；以及
步骤S3、固定所述LED芯片，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触。
根据本发明实施例所提供的固晶方法，所述步骤S1还包括：
步骤S101、剥离所述各向异性导电胶上的轻离膜；
步骤S102、在所述各向异性导电胶上进行滚轴预贴；
步骤S103、对所述各向异性导电胶进行真空加压脱泡处理；
步骤S104、完成所述各向异性导电胶的转写；以及
步骤S105、剥离所述各向异性导电胶上的重离膜。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，所述步骤S2还包括：
步骤S201、使用固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在所述各向异性导电胶上。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，在所述步骤S201中，所述LED芯片包括红色LED芯片、绿色LED芯片以及蓝色LED芯片。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，所述步骤S3还包括：
步骤S301、将贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板进行回流处理流程，并完成焊接。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，在所述步骤S301中，所述回流焊接处理流程包括第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区以及第六温区；
其中，所述第一温区的温度为40～60摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第一温区的处理时间为8～16小时；
所述第二温区的温度为100～150摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第二温区的处理时间为60～150秒；
所述第三温区的温度为150～180摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第三温区的处理时间为60～150秒；
所述第四温区的温度为170～190摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第四温区的处理时间为60～150秒；
所述第五温区的温度为180～240摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第五温区的处理时间为50～100秒；
所述第六温区的温度为20～40摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第六温区的处理时间为30～80秒。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，所述步骤S2还包括：
步骤S201、通过多台固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在临时载板上；
步骤S202、使用吸附装置将所述临时载板吸附起来，并将所述临时载板转移到所述薄膜晶体管基板上。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，所述步骤S3还包括：
步骤S301、通过承载所述薄膜晶体管基板的载台加热处理，以及所述吸附装置的加热加压处理，将所述LED芯片与所述各向异性导电胶进行连接固定。
根据本发明实施例所提供的LED芯片的固晶方法，在所述步骤S301中，所述载台的加热温度为50～80摄氏度，所述吸附装置的加热温度为190～210摄氏度。
本发明实施例还提供了一种LED面板，包括：
薄膜晶体管基板；
设置在所述薄膜晶体管基板上的各向异性导电胶；以及
通过所述各向异性导电胶与所述薄膜晶体管相连接的LED芯片；
其中所述LED芯片固定在所述薄膜晶体管基板上，所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触。
本发明的有益效果为：在目前常规的LED固晶工艺流程包括锡膏印刷、LED转移和回流焊接。对于玻璃基板，使用钢网治具进行锡膏印刷时，钢网与玻璃基板的接触容易造成玻璃基板上的不同膜层出现挤压，致使玻璃基板线路电阻减小甚至短路。而本发明实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法及LED面板，通过先在薄膜晶体管基板上贴附一层各向异性导电胶，然后再通过吸附装置将LED芯片转移到所述各向异性导电胶上，最后将所述LED芯片固定在所述薄膜晶体管基板上。由于各向异性导电胶是一种同时具有粘着、导电、绝缘三种功能的连接材料，它是一种具有上下(纵向)导电，左右(横向)绝缘特性的电气各向异性高分子双面胶，具有能够使纵向的电极部份永久粘着、导通，并且使电极面横向间绝缘不导电的效果。本实施例使用所述各向异性导电胶来代替传统的锡膏作为连接焊盘的方式，实现了LED固晶工艺步骤的减少和工艺的优化，避免了因钢网与基板的接触挤压所造成的基板线路电阻减小甚至短路，以及大大提高了LED固晶的效率，提高了工艺生产的效率。基于上述LED芯片的固晶方法，本发明实施例所提供的LED面板包括薄膜晶体管基板和通过各向异性导电胶与所述薄膜晶体管相连接的LED芯片，所述LED面板使用了各向异性导电胶取代传统的锡膏，利用所述各向异性导电胶体内特殊的导电粒子作为连接LED与基板焊盘的媒介，从而降低基板线路短路的风险。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法的流程示意图。
图2为本实施例所提供的另一种LED芯片的固晶方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
对于目前行业中的LED固晶工艺流程主要包括锡膏印刷、LED转移以及回流焊接。其中，在锡膏印刷这一流程中，具体地，在玻璃基板上，使用钢网治具进行锡膏印刷，而钢网与玻璃基板的接触容易造成玻璃基板上的不同膜层之间出现相互挤压的情况，从而导致玻璃基板内的线路电阻减小甚至短路。本发明实施例提供一种新的LED固晶方式，可以有效避免玻璃基板内线路的短路风险，实现LED固晶工艺的优化。
如图1所示，本发明实施例提供了一种LED芯片的固晶方法，至少包括以下步骤：
步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；
步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；以及
步骤S3、固定所述LED芯片，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触；
其中，将所述LED芯片固定在所述各向异性导电胶上后，因所述各向异性导电胶具有单向导电及胶合固定的功能，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在压合方向上得以电性连接，而其他方向为电性绝缘而不导电。具体地，所述固定方向指的是所述LED芯片的引脚与所述各向异性导电胶所接触的竖直纵向方向。
具体地，在所述步骤S1中还包括：
步骤S101、剥离所述各向异性导电胶上的轻离膜；
步骤S102、在所述各向异性导电胶上进行滚轴预贴；
步骤S103、对所述各向异性导电胶进行真空加压脱泡处理；
步骤S104、完成所述各向异性导电胶的转写；以及
步骤S105、剥离所述各向异性导电胶上的重离膜。
通过所述步骤S1中所包含的步骤S101-步骤S105，完成了将所述各向异性导电胶粘贴在所述薄膜晶体管上的工艺流程。去掉了使用钢网治具来进行锡膏印刷这一工艺流程，从而避免了钢网与所述薄膜晶体管内部的线路之间的挤压。
具体地，在所述步骤S2中还包括：
步骤S201、使用固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在所述各向异性导电胶上。
其中，在所述步骤S201中，所述LED芯片包括红色LED芯片、绿色LED芯片以及蓝色LED芯片。具体地，所述固晶设备的吸嘴依次吸附起所述红色LED芯片、所述绿色LED芯片以及所述蓝色LED芯片，并将所述红色LED芯片、所述绿色LED芯片以及所述蓝色LED芯片放置在贴附了所述各向异性导电胶的薄膜晶体管上。
在所述步骤S3中还包括：
步骤S301、将贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板进行回流焊接处理流程，并完成焊接。
在所述步骤S301中，所述回流焊接处理流程包括第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区以及第六温区；
其中，所述第一温区的温度为40～60摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第一温区的处理时间为8～16小时；
所述第二温区的温度为100～150摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第二温区的处理时间为60～150秒；
所述第三温区的温度为150～180摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第三温区的处理时间为60～150秒；
所述第四温区的温度为170～190摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第四温区的处理时间为60～150秒；
所述第五温区的温度为180～240摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第五温区的处理时间为50～100秒；
所述第六温区的温度为20～40摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第六温区的处理时间为30～80秒。
其中，所述回流焊接处理流程至少包括：预烘烤区、预热区、加热区、回流区以及冷却区。
本实施例提出一种回流焊接的方法，所述回流焊接的方法至少包括：
对装载有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板进行预烘烤处理，所述预烘烤处理的烘烤温度为40～60摄氏度，烘烤时间为8～16小时；
将经过预烘烤处理后的所述薄膜晶体管基板在60～150秒内匀速的经过预热区，其中，所述预热区的温度为100～150摄氏度；
将经过预热区处理后的所述薄膜晶体管基板在60～150秒内匀速的经过加热区，其中，所述加热区的温度为150～180摄氏度；
将经过加热区处理后的所述薄膜晶体管基板在50～100秒内匀速的经过回流区，其中，所述回流区的温度为180～240摄氏度；
将经过回流区处理后的所述薄膜晶体管基板在30～80秒内匀速的经过冷却区，其中，所述冷却区的温度为20～40摄氏度。
本实施例所提供回流焊接的方法不限于上述方法，可根据具体情况相应增加或减少温区，以及设置不同的温区温度以及设置不用的通过各个温度的时间。可根据具体应用的情况作出相应的调整，在此不进行赘述。
即本实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法，至少包括以下步骤：
步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；
步骤S101、剥离所述各向异性导电胶上的轻离膜；
步骤S102、在所述各向异性导电胶上进行滚轴预贴；
步骤S103、对所述各向异性导电胶进行真空加压脱泡处理；
步骤S104、完成所述各向异性导电胶的转写；
步骤S105、剥离所述各向异性导电胶上的重离膜；
步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；
步骤S201、使用固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在所述各向异性导电胶上；
步骤S3、固定所述LED芯片；以及
步骤S301、将贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板进行回流焊接处理，并完成焊接。
本实施例使用所述各向异性导电胶来代替传统的锡膏作为连接焊盘的方式，实现了LED固晶工艺步骤的减少和工艺的优化，避免了因钢网与基板的接触挤压所造成的基板线路电阻减小甚至短路，以及大大提高了LED固晶的效率，提高了工艺生产的效率。
如图2所示，本实施例还提供了一种LED芯片的固晶方法，至少包括以下步骤：
步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；
步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；
步骤S3、固定所述LED芯片，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触；
其中，将所述LED芯片固定在所述各向异性导电胶上后，因所述各向异性导电胶具有单向导电及胶合固定的功能，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在压合方向上得以电性连接，而其他方向为电性绝缘而不导电。具体地，所述固定方向指的是所述LED芯片的引脚与所述各向异性导电胶所接触的竖直纵向方向。
具体地，在所述步骤S1中还包括：
步骤S101、剥离所述各向异性导电胶上的轻离膜；
步骤S102、在所述各向异性导电胶上进行滚轴预贴；
步骤S103、对所述各向异性导电胶进行真空加压脱泡处理；
步骤S104、完成所述各向异性导电胶的转写；以及
步骤S105、剥离所述各向异性导电胶上的重离膜。
通过所述步骤S1中所包含的步骤S101-步骤S105，完成了将所述各向异性导电胶粘贴在所述薄膜晶体管上的工艺流程。去掉了使用钢网治具来进行锡膏印刷这一工艺流程，从而避免了钢网与所述薄膜晶体管内部的线路之间的挤压。
具体地，在所述步骤S2中还包括：
步骤S201、通过多台固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在临时载板上；
步骤S202、使用吸附装置将所述临时载板吸附起来，并将所述临时载板转移到所述薄膜晶体管基板的相应位置上。
具体地，在所述步骤S201中，在一个临时载板上贴附一层胶层，然后通过固晶机台的吸嘴将所述LED芯片转移到所述临时载板上。所述LED芯片的转移可以通过多台固晶机台同时进行，以此来提高所述LED芯片的转移效率。随后通过一个具有真空吸附装置的吸头将装载所述LED芯片的所述临时载板吸附起来，并将所述临时载板转移放置到所述薄膜晶体管基板的相应位置上。
在所述步骤S3中还包括：
步骤S301、通过承载所述薄膜晶体管基板的载台加热处理，以及所述吸附装置的加热加压处理，将所述LED芯片与所述各向异性导电胶进行连接固定。
具体地，承载所述薄膜晶体管基板的载台对所述薄膜晶体管基板进行加热处理，所述载台的加热温度为50～80摄氏度，优选的加热温度为60摄氏度；所述吸附装置对所述临时载板以及所述薄膜晶体管基板进行加热加压处理，所述吸附装置的加热温度为190～210摄氏度，优选的加热温度为200摄氏度。通过承载所述薄膜晶体管基板的载台加热处理，以及所述吸附装置的加热加压处理，使得所述各向异性导电胶起到所述LED芯片和所述薄膜晶体管基板连接固定的效果，完成了所述LED芯片与所述薄膜晶体管基板焊接的效果。
即本实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法，至少包括以下步骤：
步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；
步骤S101、剥离所述各向异性导电胶上的轻离膜；
步骤S102、在所述各向异性导电胶上进行滚轴预贴；
步骤S103、对所述各向异性导电胶进行真空加压脱泡处理；
步骤S104、完成所述各向异性导电胶的转写；
步骤S105、剥离所述各向异性导电胶上的重离膜；
步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；
步骤S201、通过多台固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在临时载板上；
步骤S202、使用吸附装置将所述临时载板吸附起来，并将所述临时载板转移到所述薄膜晶体管基板的相应位置上；
步骤S3、固定所述LED芯片；以及
步骤S301、通过承载所述薄膜晶体管基板的载台加热处理，以及所述吸附装置的加热加压处理，将所述LED芯片与所述各向异性导电胶进行连接固定。
基于上述实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法，本实施例还提供了一种LED面板，所述LED面板包括：薄膜晶体管基板、设置在所述薄膜晶体管基板上的各向异性导电胶以及通过各向异性导电胶与所述薄膜晶体管相连接的LED芯片，其中所述LED芯片固定在所述薄膜晶体管基板上，所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触。所述LED芯片通过上述实施例所提供的LED芯片的固晶方法固定在所述薄膜晶体管基板上。其中，将所述LED芯片固定在所述各向异性导电胶上后，因所述各向异性导电胶具有单向导电及胶合固定的功能，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在压合方向上得以电性连接，而其他方向为电性绝缘而不导电。
具体地，所述LED芯片的固晶方法为本实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法，在此不进行赘述了。
综上所述，在目前常规的LED固晶工艺流程包括锡膏印刷、LED转移和回流焊接。对于玻璃基板，使用钢网治具进行锡膏印刷时，钢网与基板的接触容易造成基板上的不同膜层出现挤压，致使基板线路电阻减小甚至短路。为了克服现有技术的不足，本发明实施例提供了一种LED芯片的固晶方法及LED面板，通过先在薄膜晶体管基板上贴附一层各向异性导电胶，然后再通过吸附装置将LED芯片转移到所述各向异性导电胶上，最后将所述LED芯片固定在所述薄膜晶体管基板上。由于各向异性导电胶是一种同时具有粘着、导电、绝缘三种功能的连接材料，它是一种具有上下(纵向)导电，左右(横向)绝缘特性的电气各向异性高分子双面胶，具有能够使纵向的电极部份永久粘着、导通，并且使电极面横向间绝缘不导电的效果。本实施例使用所述各向异性导电胶来代替传统的锡膏作为连接焊盘的方式，实现了LED固晶工艺步骤的减少和工艺的优化，避免了因钢网与基板的接触挤压所造成的基板线路电阻减小甚至短路，以及大大提高了LED固晶的效率，提高了工艺生产的效率。基于上述LED芯片的固晶方法，本发明实施例所提供的LED面板包括薄膜晶体管基板和通过各向异性导电胶与所述薄膜晶体管相连接的LED芯片，所述LED面板使用了各向异性导电胶取代传统的锡膏，利用所述各向异性导电胶体内特殊的导电粒子作为连接LED与基板焊盘的媒介，从而降低基板线路短路的风险。
以上对本申请实施例所提供的一种LED芯片的固晶方法及LED面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种LED芯片的固晶方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
步骤S1、将各向异性导电胶粘贴在薄膜晶体管基板上；
步骤S2、转移LED芯片至所述各向异性导电胶上；以及
步骤S3、固定所述LED芯片，使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及使得所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：
步骤S101、剥离所述各向异性导电胶上的轻离膜；
步骤S102、在所述各向异性导电胶上进行滚轴预贴；
步骤S103、对所述各向异性导电胶进行真空加压脱泡处理；
步骤S104、完成所述各向异性导电胶的转写；以及
步骤S105、剥离所述各向异性导电胶上的重离膜。
3.根据权利要求2所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：
步骤S201、使用固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在所述各向异性导电胶上。
4.根据权利要求3所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，在所述步骤S201中，所述LED芯片包括红色LED芯片、绿色LED芯片以及蓝色LED芯片。
5.根据权利要求3所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：
步骤S301、将贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板进行回流焊接处理流程，并完成焊接。
6.根据权利要求5所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，在所述步骤S301中，所述回流焊接处理流程包括第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区以及第六温区；
其中，所述第一温区的温度为40～60摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第一温区的处理时间为8～16小时；
所述第二温区的温度为100～150摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第二温区的处理时间为60～150秒；
所述第三温区的温度为150～180摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第三温区的处理时间为60～150秒；
所述第四温区的温度为170～190摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第四温区的处理时间为60～150秒；
所述第五温区的温度为180～240摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第五温区的处理时间为50～100秒；
所述第六温区的温度为20～40摄氏度，贴有所述LED芯片的所述薄膜晶体管基板在所述第六温区的处理时间为30～80秒。
7.根据权利要求2所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：
步骤S201、通过多台固晶设备将所述LED芯片从蓝膜上吸附起来，并转移放置在临时载板上；
步骤S202、使用吸附装置将所述临时载板吸附起来，并将所述临时载板转移放置到所述薄膜晶体管基板上。
8.根据权利要求7所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：
步骤S301、通过承载所述薄膜晶体管基板的载台加热处理，以及所述吸附装置的加热加压处理，将所述LED芯片与所述各向异性导电胶进行连接固定。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，在所述步骤S301中，所述载台的加热温度为50～80摄氏度，所述吸附装置的加热温度为190～210摄氏度。
10.一种LED面板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管基板；
设置在所述薄膜晶体管基板上的各向异性导电胶；以及
通过所述各向异性导电胶与所述薄膜晶体管相连接的LED芯片，其中所述LED芯片固定在所述薄膜晶体管基板上，所述LED芯片与所述各向异性导电胶在固定方向上电性连接，以及所述LED芯片与所述各向异性导电胶在所述固定方向以外的其他方向为互不接触。
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