CN112272008A - 一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置，所述方法包括：采集NB基带芯片的分压电阻电压；根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。通过本发明实施例，能够根据晶体型号规格自动匹配晶体温度参数校准曲线，避免因晶体物料规格替换导致高低温RF无法注册网络等问题，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

Description

一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置

技术领域

本发明涉及无线通信领域，特别涉及一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置。

背景技术

随着5G及NB-IoT(Narrow Band Internet of Things，窄带物联网)技术的蓬勃发展，用户终端连接数量持续增长，对蜂窝移动通信模组的稳定性、小型化、低成本等因素都提出了较高的要求。例如，在NB-IoT通信系统中，要求模组RF部分晶体震荡器具有较高的频率稳定度，但由于晶体对环境温度的敏感性，特别是在-40°或+85°环境时，其输出频率不可避免地会出现一定误差。

为解决以上的问题，一般通过模拟晶体振荡器(TCXO)或数字晶体振荡器(DCXO)来实现温度补偿，根据检测到的温度，通过频率与温度之间的预校准曲线(FT多项式曲线)利用内部锁相环电路将晶体振荡器的输出频率微调至所需的频率。

上述通过检测晶体温度来实现对晶体输出频率微调，这里要求晶体型号及FT多项式参数是一一对应关系。如果晶体型号发生改变，则FT多项式校准参数就需要重新采集数据来计算，否则不能对频率实现更精细化的温度补偿，而造成RF在低温或高温极限场景无法稳定工作，可能出现某些信道无法注网、掉网等异常现象。

若晶体不发生改变时，只需一组FT多项式校准参数即可；但实际中，考虑到NB(Narrow Band，窄带)模组低成本、低复杂度及晶体兼容性等因素，需要兼容多款晶体型号，NB模组在实际工作中，其晶体可能会有2-3种晶体规格型号。如果只用这一套温补校准参数去适配2-3种晶体规格，可能会出现校准参数与晶体本身不匹配问题，在模组外部环境变恶劣时，其射频指标可能会变差，甚至出现无法注册的情况。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供的一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置，能够根据晶体型号规格自动匹配晶体温度参数校准曲线，避免因晶体物料规格替换导致高低温RF无法注册网络等问题，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下：

根据本发明实施例的一个方面，提供的一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法，所述方法包括：

S1、采集NB基带芯片的分压电阻电压；

S2、根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

在一个可能的设计中，所述采集NB基带芯片的分压电阻电压，包括：

S11、将NB基带芯片、分压电阻、晶体组成ADC电压采集电路，具体包括：将NB基带芯片的管脚VDDIO_1V8和管脚GPIO_ADC与所述分压电阻组成ADC分压电路，所述晶体连接至NB基带芯片的管脚BBPLL&RFPLL；

S12、通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即完成采集NB基带芯片的分压电阻电压。

在一个可能的设计中，所述分压电阻由电阻R1和R2构成，所述电阻R1和电阻R2取值比例与所述晶体型号相对应。

在一个可能的设计中，所述ADC分压电路与电容C1并联。

在一个可能的设计中，所述预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库通过以下方法确定：

S21、采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；

S22、在所述晶体组成的所述ADC电压采集电路中，通过NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压；

S23、根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系；

S24、更换另一个晶体，重复以上S21-S23步骤，形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

在一个可能的设计中，所述采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；包括：

采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据；

根据所述样本数据，采用以下FT校准多项式曲线进行拟合确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线：

F(t)＝A₀*(t-t₀)^3+A₁*(t-t₀)^2+A₂*(t-t₀)+A₃

式中，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

在一个可能的设计中，所述根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，如下式所示：

式中，晶体型号以A为例进行说明，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

在一个可能的设计中，所述方法还进一步包括：根据NB基带芯片的NTC值，利用匹配的晶体温度参数校准曲线计算频偏。

在一个可能的设计中，所述方法还进一步包括：根据所述频偏驱动底层射频锁相环电路将晶体振荡器的输出频率微调至所需的频率，实现频率调节。

根据本发明实施例的另一个方面，提供的一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的装置，所述装置包括：采集模块、匹配模块；其中：

所述采集模块，用于采集NB基带芯片的分压电阻电压；

所述匹配模块，用于根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

与相关技术相比，本发明实施例提供的一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法及装置，所述方法包括：S1、采集NB基带芯片的分压电阻电压；S2、根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。通过本发明实施例，通过采集分压电阻ADC电压在预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库去自动匹配自适应不同型号晶体的晶体温度参数校准曲线，能够根据晶体型号规格自动匹配晶体温度参数校准曲线(FT多项式校准参数)，避免因晶体物料规格替换导致高低温RF无法注册网络等问题；同时采用NB基带芯片内置NTC传感器估计晶体温度实现频率补偿，无需额外晶体温度补偿电路，可以解决由于晶体物料替换导致频偏过大、无法注网问题，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

附图说明

图1为本发明提供一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法的流程示意图；

图2为本发明提供一种ADC电压采集电路的结构示意图；

图3为本发明提供一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的装置的结构示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅以解释本发明，并不用于限定本发明。

在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本发明的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

在一个实施例中，如图1所示，本发明提供一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法，所述方法包括：

S1、采集NB基带芯片的分压电阻电压。

S2、根据所述分压电阻电压，从预设ADC(Analog-to-digital converter，模拟数字转换器)电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

在本实施例中，通过采集分压电阻ADC电压在预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库去自动匹配自适应不同型号晶体的晶体温度参数校准曲线，能够根据晶体型号规格自动匹配晶体温度参数校准曲线(FT多项式校准参数)，避免因晶体物料规格替换导致高低温RF无法注册网络等问题；同时采用NB基带芯片内置NTC传感器估计晶体温度实现频率补偿，无需额外晶体温度补偿电路，可以解决由于晶体物料替换导致频偏过大、无法注网问题，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

在一个实施例中，所述步骤S1中，所述采集NB基带芯片的分压电阻电压，包括：

S11、将NB基带芯片、分压电阻、晶体组成ADC电压采集电路，具体包括：将NB基带芯片的管脚VDDIO_1V8和管脚GPIO_ADC与所述分压电阻组成ADC分压电路，所述晶体连接至NB基带芯片的管脚BBPLL&RFPLL，如图2所示。

优选地，所述分压电阻由电阻R1和R2构成，所述电阻R1和电阻R2取值比例与所述晶体型号相对应，即所述晶体型号确定后，所述电阻R1和电阻R2的电阻值也随之确定。

优选地，所述ADC分压电路与电容C1并联，以保证采样精度。优选地，所述电容C1的电容值为0.1uF。

S12、通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即完成采集NB基带芯片的分压电阻电压。

在本实施列中，通过NB基带芯片自带ADC功能，结合分压电阻，通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即可完成采集NB基带芯片的分压电阻电压，无需额外分压电路，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

在一个实施例中，所述步骤S2中，所述预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库存储在NB基带芯片的存储空间中，所述预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库通过以下方法确定：

S21、采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线。

S22、在所述晶体组成的所述ADC电压采集电路中，通过NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压。

S23、根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

S24、更换另一个晶体，重复以上S21-S23步骤，形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

在一个实施例中，所述步骤S21中，所述采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；包括：

采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据；

根据所述样本数据，采用以下FT校准多项式曲线(回归方程)进行拟合确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线：

F(t)＝A₀*(t-t₀)^3+A₁*(t-t₀)^2+A₂*(t-t₀)+A₃……(1)

式(1)中，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值，优选地，t₀一般取20℃或25℃。

通过以上将采集到的温度和频偏(FT)之间的样本数据做回归方程来拟合FT关系式，模拟得到频偏和温度之间的关系，确定晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线，所采集的温度与频偏之间的样本数据越多，FT关系式越能更好模拟频偏和温度之间的关系。

在一个实施例中，所述步骤S23中，所述根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，如下式(2)所示：

式(2)中，晶体型号以A为例进行说明，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

在一个实施例中，所述步骤S24中，所述形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

假设实际适配晶体型号规格有A、B、C三种，ADC电压采样值和晶体校准曲线的对应关系如下式(3)-(5)所示，其中VDDIO取值为180mv。

将上述式(3)-(5)的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，形成预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

在一个实施例中，所述方法还进一步包括：

S3、根据NB基带芯片的NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数)值，利用匹配的晶体温度参数校准曲线计算频偏。

S4、根据所述频偏驱动底层射频锁相环电路将晶体振荡器的输出频率微调至所需的频率，实现频率调节。

在一个实施例中，如图3所示，本发明提供一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的装置，所述装置包括：采集模块10、匹配模块20；其中：

所述采集模块10，用于采集NB基带芯片的分压电阻电压。

所述匹配模块20，用于根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

在本实施例中，通过采集分压电阻ADC电压在预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库去自动匹配自适应不同型号晶体的晶体温度参数校准曲线，能够根据晶体型号规格自动匹配晶体温度参数校准曲线(FT多项式校准参数)，避免因晶体物料规格替换导致高低温RF无法注册网络等问题；同时采用NB基带芯片内置NTC传感器估计晶体温度实现频率补偿，无需额外晶体温度补偿电路，可以解决由于晶体物料替换导致频偏过大、无法注网问题，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

在一个实施例中，所述采集模块10，具体包括：

将NB基带芯片、分压电阻、晶体组成ADC电压采集电路，具体包括：将NB基带芯片的管脚VDDIO_1V8和管脚GPIO_ADC与所述分压电阻组成ADC分压电路，所述晶体连接至NB基带芯片的管脚BBPLL&RFPLL，如图2所示。

优选地，所述分压电阻由电阻R1和R2构成，所述电阻R1和电阻R2取值比例与所述晶体型号相对应，即所述晶体型号确定后，所述电阻R1和电阻R2的电阻值也随之确定。

优选地，所述ADC分压电路与电容C1并联，以保证采样精度。优选地，所述电容C1的电容值为0.1uF。

通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即完成采集NB基带芯片的分压电阻电压。

在本实施列中，通过NB基带芯片自带ADC功能，结合分压电阻，通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即可完成采集NB基带芯片的分压电阻电压，无需额外分压电路，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

在一个实施例中，所述预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库存储在NB基带芯片的存储空间中，所述预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库通过以下方法确定：

S21、采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线。

S22、在所述晶体组成的所述ADC电压采集电路中，通过NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压。

S23、根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

S24、更换另一个晶体，重复以上S21-S23步骤，形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

在一个实施例中，所述步骤S21中，所述采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；包括：

采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据；

根据所述样本数据，采用以下FT校准多项式曲线(回归方程)进行拟合确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线：

F(t)＝A₀*(t-t₀)^3+A₁*(t-t₀)^2+A₂*(t-t₀)+A₃……(1)

式(1)中，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值，优选地，t₀一般取20℃或25℃。

通过以上将采集到的温度和频偏(FT)之间的样本数据做回归方程来拟合FT关系式，模拟得到频偏和温度之间的关系，确定晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线，所采集的温度与频偏之间的样本数据越多，FT关系式越能更好模拟频偏和温度之间的关系。

在一个实施例中，所述步骤S23中，所述根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，如下式(2)所示：

式(2)中，晶体型号以A为例进行说明，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

在一个实施例中，所述步骤S24中，所述形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

假设实际适配晶体型号规格有A、B、C三种，ADC电压采样值和晶体校准曲线的对应关系如下式(3)-(5)所示，其中VDDIO取值为180mv。

将上述式(3)-(5)的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，形成预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

在一个实施例中，所述装置还进一步包括：计算模块，用于根据NB基带芯片的NTC值，利用匹配的晶体温度参数校准曲线计算频偏。

在一个实施例中，所述装置还进一步包括：驱动模块，用于根据所述频偏驱动底层射频锁相环电路将晶体振荡器的输出频率微调至所需的频率，实现频率调节。

以下通过一个具体的实验例子来对本发明的技术方案作进一步的说明。

在本实验例子中，采用两种型号晶体分别在-40℃～85℃环境下采集频率误差，通过对应软件工具回归计算出两种晶体对应的FT多项式校准系数A₀、A₁、A₂、A₃，从而得到对应的两组FT晶体温度参数校准曲线。

选取50PCS NB模组下载只合入一组FT晶体温度参数校准曲线的固件，不做自适应处理。另外选取50PCS NB模组下载合入两组FT晶体温度参数校准曲线的固件，并做了对应的参数自适应处理。上述50PCS实验样机中两种型号晶体模组各占50％，实验结果如下：

通过上述实验例子验证，通过采集不同晶体在NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，形成预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库，从而可以使通过采集分压电阻ADC电压即可在预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库去自适应不同型号晶体的晶体温度参数校准曲线，能够根据晶体型号规格自动匹配晶体温度参数校准曲线，避免因晶体物料规格替换导致高低温RF无法注册网络等问题，可以解决由于晶体物料替换导致频偏过大、无法注网问题，提高了NB模组自身射频的可靠性、更有利于小型化、低成本、低复杂度设计，对于提高NB模组高可靠性及低成本而言具有现实意义。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、采集NB基带芯片的分压电阻电压；

S2、根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采集NB基带芯片的分压电阻电压，包括：

S11、将NB基带芯片、分压电阻、晶体组成ADC电压采集电路，具体包括：将NB基带芯片的管脚VDDIO_1V8和管脚GPIO_ADC与所述分压电阻组成ADC分压电路，所述晶体连接至NB基带芯片的管脚BBPLL&RFPLL；

S12、通过所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取所述分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压，即完成采集NB基带芯片的分压电阻电压。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分压电阻由电阻R1和R2构成，所述电阻R1和电阻R2取值比例与所述晶体型号相对应。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述ADC分压电路与电容C1并联。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库通过以下方法确定：

S21、采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；

S22、在所述晶体组成的所述ADC电压采集电路中，通过NB基带芯片的管脚GPIO_ADC读取分压电阻在管脚VDDIO_1V8上的电压；

S23、根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系；

S24、更换另一个晶体，重复以上S21-S23步骤，形成多个晶体的NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，得到预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据，确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线；包括：

采集晶体的至少两个温度和频偏之间的样本数据；

根据所述样本数据，采用以下FT校准多项式曲线进行拟合确定所述晶体的温度与频偏之间的晶体温度参数校准曲线：

F(t)＝A₀*(t-t₀)^3+A₁*(t-t₀)^2+A₂*(t-t₀)+A₃

式中，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶体温度参数校准曲线以及所述NB基带芯片的管脚GPIO_ADC电压，得到所述晶体的NB基带芯片ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系，如下式所示：

式中，晶体型号以A为例进行说明，F(t)为温度在t和t₀和之间的频偏，系数A₀、A₁、A₂、A₃为多项式校准参数，t为实时采集温度值，t₀为晶体温度转折点的温度值。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：根据NB基带芯片的NTC值，利用匹配的晶体温度参数校准曲线计算频偏。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：根据所述频偏驱动底层射频锁相环电路将晶体振荡器的输出频率微调至所需的频率，实现频率调节。

10.一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的装置，其特征在于，所述装置应用于如权利要求1至9任一项所述的一种晶体温度参数校准曲线自动匹配的方法，所述装置包括：采集模块、匹配模块；其中：

所述采集模块，用于采集NB基带芯片的分压电阻电压；

所述匹配模块，用于根据所述分压电阻电压，从预设ADC电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库中自动匹配与所述分压电阻电压对应的晶体温度参数校准曲线；其中，所述ADC预设电压采样值与晶体温度参数校准曲线数据库是反应NB基带芯片的ADC电压采样值和晶体温度参数校准曲线的对应关系。

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