CN112242320A - 衬底处理装置及衬底搬送方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理装置的衬底搬送方法。2个处理区块不以堆积的方式配置,第1处理区块、ID区块、第2处理区块在水平方向上呈直线状连结。因此,能够抑制高度并增加处理层的个数。第1处理区块及第2处理区块分别直接连结于ID区块。因此,能够抑制通过处理区块却不进行衬底处理的步骤,由此,能够防止产能降低。另外,将2个处理区块均能够搬送衬底W的衬底缓冲区配置在2个处理区块的中间,因此能够减少衬底处理装置的占据面积。
Description
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理装置及衬底处理装置的衬底搬送方法。衬底例如可列举半导体衬底、FPD(Flat Panel Display,平板显示器)用衬底、光罩用玻璃衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底、太阳电池用衬底等。FPD可列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence,电致发光)显示装置等。
背景技术
如图1所示,以往的衬底处理装置201具备移载传送区块(以下适当称为“ID区块”)202及处理区块203(例如参照日本专利特开2014-022570号公报)。ID区块202具备载置能收纳多个衬底的载体C的载体载置台216、及在载置在载体载置台216的载体C与处理区块203之间搬送衬底的衬底搬送机器人(未图示)。处理区块203对衬底例如进行涂布阻剂液的涂布处理。
另外,衬底处理装置201具备堆积器装置(载体缓冲区装置)208(例如参照日本专利特开2011-187796号公报)。堆积器装置208以在载体载置台216侧沿水平方向延长的方式配置。堆积器装置208具备搬送载体C的载体搬送机构261、及用于保管载体C的保管架263。
此外,日本专利特开2016-201526号公报中公开了具备配置在ID区块与处理区块之间的交接区块的衬底处理系统。交接区块具备配置在上下方向的多个缓冲区部、及隔着多个缓冲区部配置的2个转移装置。2个转移装置配置在与配置ID区块及处理区块的方向(X方向)正交的水平方向(Y方向)。
另外,日本专利特开平09-045613号公报中公开了涂布处理区块、匣盒台(相当于ID区块)及显影处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结的衬底处理装置。匣盒台构成为能够配置收容未处理的衬底及已处理的衬底的任一种的4个匣盒。另外,在涂布处理区块与匣盒台的交接部分,设置衬底对位用第1载置台,并且在匣盒台与显影处理区块的交接部分设置衬底对位用第2载置台。匣盒台的1个搬送机构经由这些载置台将衬底搬送到涂布处理区块及显影处理区块。
发明内容
[发明要解决的问题]
衬底处理装置201的处理区块203具备上下堆积的多个处理层(例如图1的2个处理层203A、203B)。由此,能够与处理层的个数相应地对衬底进行并行处理。然而,衬底处理装置201的高度有制限,堆积的处理层也有界限。
于是,例如能够采用图2所示的衬底处理装置201。图2所示的衬底处理装置201在水平方向具备2个处理区块203、205。处理区块203具备2个处理层203A、203B。处理区块205具备2个处理层205A、205B。
在这种构成的情况下,存在以下问题。例如,在从ID区块202向处理层205A搬送衬底的情况下,必须通过处理层203A。另外,在将已利用处理层205A进行过处理的衬底送回ID区块202的情况下,也必须通过处理层203A。因此,在ID区块202与处理层205A之间搬送衬底有导致处理层203A的产能降低的担忧。另外,作为衬底处理装置201整体也有导致产能降低的担忧。另外,图2所示的衬底处理装置201的控制恐怕也会变得复杂。进而,要求减少衬底处理装置1的占据面积。
本发明是鉴于这种情况完成,目的在于提供一种能够防止产能降低、增加处理层个数,进而能够减少占据面积的衬底处理装置及衬底搬送方法。
[解决问题的技术手段]
本发明为了达成这种目的,采用如下构成。也就是说,本发明的衬底处理装置具备:移载传送区块,设置着用于载置能够收纳衬底的载体的载体载置台;第1处理区块;及第2处理区块。所述第1处理区块、所述移载传送区块及所述第2处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结。所述移载传送区块配置在所述第1处理区块与所述第2处理区块的中间,在内部具备载置多个衬底的衬底缓冲区。所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底,搬送到所述衬底缓冲区。所述第1处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述第2处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。所述移载传送区块将从所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个搬送来的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体。
根据本发明的衬底处理装置,第1处理区块及第2处理区块并非堆积配置而是配置在水平方向。因此,能够抑制高度并增加处理层的个数。另外,如果例如依序配置移载传送区块、第1处理区块及第2处理区块,那么为了利用第2处理区块进行衬底处理,就必需通过第1处理区块而不进行衬底处理的动作。关于该方面,第1处理区块及第2处理区块分别直接连结在移载传送区块。因此,能够抑制通过处理区块而不进行衬底处理的步骤,由此,能够防止产能降低。
另外,例如假设在移载传送区块与第1处理区块之间设置第1衬底缓冲区,并且在移载传送区块与第2处理区块之间设置第2衬底缓冲区。在该情况下,2个衬底缓冲区配置在移载传送区块的两侧且配置2个处理区块的方向。因此,衬底处理装置1可能会在该方向上变长。根据本发明,衬底缓冲区配置在2个处理区块的中间。利用2个处理区块二者对衬底缓冲区搬送衬底。也就是说,第1衬底缓冲区与第2衬底缓冲区在俯视时积层于相同的位置(即1个部位)。因此,能够减少衬底处理装置1变长的可能性。也就是说,能够减少衬底处理装置的占据面积。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述载体载置台配置在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少任一个的上表面之上或上方。例如,如果在移载传送区块的侧面配置载体载置台,那么与配置载体载置台的面积相应地,衬底处理装置的占据面积变大。关于该方面,根据本发明,载体载置台与移载传送区块、第1处理区块及第2处理区块的至少任一个在俯视时重叠。因此,能够抑制衬底处理装置的占据面积增加。
另外,在所述衬底处理装置中,优选进而具备:载体保管架,搭载在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块中的至少任一个之上,用于保管所述载体;及载体搬送机构,搭载在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块中的至少任一个之上,在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体。
如果载体保管架及载体搬送机构相对于移载传送区块及2个处理区块设置在水平方向,那么衬底处理装置的占据面积会相应地变大。关于该方面,载体保管架及载体搬送机构以与移载传送区块及2个处理区块的至少一个在俯视时重叠的方式配置。因此,能够抑制衬底处理装置的占据面积增加。因此,能够将衬底处理装置控制在有限的占据面积。
另外,在所述衬底处理装置中,优选进而具备:载体保管架,保管所述载体;及载体搬送机构,在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体;所述载体保管架及所述载体搬送机构搭载在所述第1处理区块及所述第2处理区块中高度较低的区块上。
如果载体保管架及载体搬送机构相对于移载传送区块及2个处理区块设置在水平方向,那么衬底处理装置的占据面积会相应地变大。关于该方面,载体保管架及载体搬送机构以与2个处理区块的一个在俯视时重叠的方式配置。因此,能够抑制衬底处理装置的占据面积增加。另外,载体保管架及载体搬送机构搭载在第1处理区块及第2处理区块中高度较低的区块上。因此,能够抑制衬底处理装置的高度。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述第2处理区块进行与所述第1处理区块内容相同的处理。由此,能够增加并行处理的个数。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述移载传送区块进而于内部具备移载传送用衬底搬送机构,所述移载传送用衬底搬送机构在载置于所述载体载置台的载体与所述衬底缓冲区之间搬送衬底。由此,移载传送用衬底搬送机构能够在载置在载体载置台的载体与衬底缓冲区之间搬送衬底。另外,第1处理区块及第2处理区块能够相互取走利用移载传送用衬底搬送机构载置在衬底缓冲区的衬底。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述移载传送区块除具备所述移载传送用衬底搬送机构外,还于内部具备另一个移载传送用衬底搬送机构,所述2个移载传送用衬底搬送机构是以在与配置所述第1处理区块及所述第2处理区块的方向正交的方向上隔着所述衬底缓冲区的方式配置。也就是说,2个处理区块以隔着衬底缓冲区的方式配置。另外,2个移载传送用衬底搬送机构以在与配置2个处理区块的方向正交的方向上隔着衬底缓冲区的方式配置。由此,对于衬底缓冲区,能够从水平的4个方向相互取走衬底。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述第1处理区块具有第1搬送机构,
所述第2处理区块具有第2搬送机构,所述第1处理区块利用所述第1搬送机构从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将已利用所述第1搬送机构进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,所述第2处理区块利用所述第2搬送机构从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将已利用所述第2搬送机构进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
由此,能够对衬底进行第1处理及第2处理。衬底从第1处理区块向第2处理区块的搬送能够不利用移载传送区块进行衬底搬送而经由衬底缓冲区进行。因此,能够减轻利用移载传送区块搬送衬底的负担。因此,能够高效率地行衬底搬送,从而能够防止产能降低。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个具有以堆积的方式配置的多个处理层,所述衬底缓冲区具备与所述多个处理层的层级对应地设置的多个缓冲区部,所述缓冲区部构成为能够分别相对于所述移载传送区块装卸。衬底缓冲区具备多个缓冲区部。各缓冲区部构成为能够各自装卸。因此,能够分别搬送缓冲区部,所以衬底缓冲区的搬送变得容易。
另外,在所述衬底处理装置中,优选所述衬底缓冲区具有配置在上下方向的多个衬底载置部,所述衬底载置部各自具有绕铅直轴配置、用于支撑1片衬底的3个支撑销,所述3个支撑销构成为能够相对于所述衬底载置部各自装卸,所述衬底载置部各自的3个支撑销以俯视时不与上一段及下一段的衬底载置部的3个支撑销重叠的方式配置。
在俯视时2个支撑销重叠的情况下,当装卸上侧的支撑销时,工具可能会接触下侧的支撑销。与此相对,在俯视时2个支撑销不重叠的情况下,当装卸上侧的支撑销的时,工具接触下侧的支撑销的可能性减少。因此,支撑销的装卸变得容易。于是,提升了各缓冲区部的维护性。
另外,本发明的衬底搬送方法是具备移载传送区块、第1处理区块、及第2处理区块的衬底处理装置的衬底搬送方法。所述移载传送区块设置着用于载置能收纳衬底的载体的载体载置台。所述衬底搬送方法具备以下步骤:利用所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底,搬送到设置在所述移载传送区块的内部的衬底缓冲区;利用所述第1处理区块,从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。进而,所述衬底搬送方法具备以下步骤:利用所述第2处理区块,从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区;及利用所述移载传送区块,将从所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个搬送来的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体。所述第1处理区块、所述移载传送区块及所述第2处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结。所述衬底缓冲区配置在所述第1处理区块与所述第2处理区块的中间,载置多个衬底。
根据本发明的衬底处理装置的衬底搬送方法,第1处理区块及第2处理区块并非堆积配置而是配置在水平方向。因此,能够抑制高度并增加处理层的个数。另外,如果例如依序配置移载传送区块、第1处理区块及第2处理区块,那么为了利用第2处理区块进行衬底处理,就必需通过第1处理区块而不进行衬底处理的动作。关于该方面,第1处理区块及第2处理区块分别直接连结在移载传送区块。因此,能够抑制通过处理区块而不进行衬底处理的步骤,由此,能够防止产能降低。
另外,例如假设在移载传送区块与第1处理区块之间设置第1衬底缓冲区,并且在移载传送区块与第2处理区块之间设置第2衬底缓冲区。在该情况下,2个衬底缓冲区配置在移载传送区块的两侧且配置2个处理区块的方向。因此,衬底处理装置1可能会在该方向上变长。根据本发明,衬底缓冲区配置在2个处理区块的中间。利用2个处理区块各自对衬底缓冲区搬送衬底。也就是说,第1衬底缓冲区与第2衬底缓冲区在俯视时积层于相同的位置(即1个部位)。因此,能够减少衬底处理装置1变长的可能性。也就是说,能够减少衬底处理装置的占据面积。
[发明效果]
根据本发明的衬底处理装置及该衬底搬送方法,能够防止产能降低、增加处理层个数,进而能够减少占据面积。
附图说明
为了对发明进行说明,图示现在认为较好的若干种形态,但应当理解的是发明并不限定于图示的构成及方案。
图1是表示以往的衬底处理装置的图。
图2是用于对课题进行说明的图。
图3是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。
图4是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。
图5是实施例1的衬底处理装置的俯视图。
图6是表示移载传送区块的衬底搬送机构的图。
图7是2个机器手及进退驱动部的俯视图。
图8是表示缓冲区部的图。
图9是表示衬底载置部的图。
图10是用来对能够从4个方向进入衬底载置部的情况进行说明的图。
图11是实施例1的衬底处理装置的右侧视图。
图12是实施例1的衬底处理装置的左侧视图。
图13是表示载体搬送机构的图。
图14是用于对多个衬底处理装置的设置方法进行说明的图。
图15是用于对实施例1的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
图16是用于对衬底处理装置1的效果进行说明的图。
图17是表示2个衬底缓冲区的图。
图18是实施例2的衬底处理装置的右侧视图。
图19是用于对实施例2的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
图20A、图20B是用于对缓冲区部的装卸进行说明的图。
图21A~图21D是用于对3个支撑销在衬底载置部的配置进行说明的图。
图22A~图22D是用于对支撑销进行说明的图。
图23是实施例4的衬底处理装置的右侧视图。
图24是实施例4的衬底处理装置的俯视图。
图25A是表示上下配置的2个开启器的图。
图25B是用于对从图24的A-A观察的载体保管架以2段构成的情况进行说明的图。
图26是实施例5的衬底处理装置的右侧视图。
图27是用于对实施例5的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
具体实施方式
[实施例1]
以下,参照附图对本发明的实施例1进行说明。图3是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。图4是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。图5是实施例1的衬底处理装置的俯视图。
(1)衬底处理装置1的构成
参照图3、图4。衬底处理装置1具备ID区块(移载传送区块)2、第1处理区块3、第2处理区块5及载体缓冲区装置8。第1处理区块3、ID区块2及第2处理区块5以该顺序在水平方向上呈直线状连结。具体来说,第1处理区块3在水平方向(X方向)连结于ID区块2。第2处理区块5以隔着ID区块2的方式配置在第1处理区块3的相反侧,连结于ID区块2。
另外,如图4所示,衬底处理装置1具备控制部9及操作部10。控制部9具备例如中央运算处理装置(CPU,Central Processing Unit)。控制部9控制衬底处理装置1的各构成。操作部10具备显示部(例如液晶显示器)、存储部及输入部。存储部例如具备ROM(Read-OnlyMemory,只读存储器)、RAM(Random-Access Memory,随机存取存储器)、及硬盘的至少1个。输入部具备键盘、鼠标、触摸面板及各种按钮的至少1个。存储部中存储着衬底处理的各种条件及衬底处理装置1的控制所需的动作程序等。
(1-1)ID区块2的构成
如图4、图5所示,ID区块2具备4个开启器(载体载置部)11~14、2个衬底搬送机构(机器人)MHU1、MHU2、及单一的衬底缓冲区BF。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2与衬底缓冲区BF配置在ID区块2的内部。此外,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别相当于本发明的移载传送用衬底搬送机构。
(1-1-1)开启器11~14等的构成
4个开启器11~14设置在ID区块2的外壁。2个开启器11、12以第1衬底搬送机构MHU1能够对载体C取放衬底W的方式配置在第1衬底搬送机构MHU1周围。图4中,2个开启器11、12以隔着衬底搬送机构MHU1的方式配置在前后方向(X方向)。与2个开启器11、12同样地,2个开启器13、14以第2衬底搬送机构MHU2能够对载体C取放衬底W的方式配置在第2衬底搬送机构MHU2周围。2个开启器13、14以隔着第2衬底搬送机构MHU2的方式配置在前后方向。
4个开启器11~14分别如图3所示,具备载置台16、开口部18、挡板部件(未图示)、及挡板部件驱动机构(未图示)。载置台16用于载置载体C。
载体C能够收纳水平姿势的多片(例如25片)衬底W。在载体C内,多个衬底W配置在上下方向(Z方向),在邻接的2片衬底W之间设置着间隙。载体C例如使用晶圆搬送盒(FOUP:Front Open Unified Pod),也可以使用作为晶圆搬送盒以外的容器的例如SMIF(StandardMechanical Inter Face,标准机械接口)盒。载体C例如具备:载体主体,设置着用于取放衬底W的开口部,收纳衬底W;及盖部,用于封闭开口部。此外,载置台16相当于本发明的载体载置台。
开口部18用于使衬底W通过。挡板部件进行开口部18的开闭,并且进行盖部相对于载体C的载体主体的装卸。挡板部件驱动部具备电动马达,驱动挡板部件。挡板部件于将盖部从载体主体卸下后,例如使其沿开口部18向水平方向(Y方向)或下方向(Z方向)移动。
载置台16配置在第1处理区块3及第2处理区块5的上方。具体来说,2个开启器11、13的各载置台16配置在比第1处理区块3更上方的位置。另外,2个开启器12、14的各载置台16配置在比第2处理区块5更上方的位置。此外,2个开启器11、13的各载置台16可以设置在第1处理区块3的上表面或顶上。另外,2个开启器12、14的各载置台16可以设置在第2处理区块5的上表面或顶上。例如,如果如图1所示,在ID区块202的侧面配置载置台216(开启器),那么与配置载置台216的面积相应地,衬底处理装置201的占据面积变大。关于该方面,载置台16与ID区块2、及2个处理区块3、5的至少任一个在俯视时重叠。因此,能够抑制衬底处理装置1的占据面积增加。
(1-1-2)衬底搬送机构MHU1、MHU2的构成
如图4所示,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2以在Y方向上隔着衬底缓冲区BF的方式配置,Y方向是与配置第1处理区块3及第2处理区块5配置的前后方向(X方向)正交的方向。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别对衬底缓冲区BF取放衬底W。另外,第1衬底搬送机构MHU1在载置于2个开启器11、12的各载置台16的载体C与衬底缓冲区BF之间搬送衬底W。第2衬底搬送机构MHU2在载置于2个开启器13、14的各载置台16的载体C与衬底缓冲区BF之间搬送衬底W。
参照图6、图7。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别具备2个机器手21、进退驱动部23、及升降旋转驱动部25。2个机器手21分别保持衬底W。2个机器手21能够各自在水平方向进退。因此,能够从载体C取出1片衬底W,或同时取出2片衬底W。
如图7所示,机器手21具有1个基础部分21A、从该基础部分21A分出的2个前端部分21B、21C,构成为Y字状、U字状或双岔的叉状。在基础部分21A及2个前端部分21B、21C,设置着通过吸附衬底W来保持衬底W的吸附部27A、27B、27C。3个吸附部27A~27C例如构成为被经由配管连接的泵赋予吸附力。此外,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2分别具备2个机器手21,也可以具备3个以上机器手21。
进退驱动部23支撑各机器手21使它们能够移动,并且使各机器手21进退移动。进退驱动部23为了驱动1个机器手21,例如具备电动马达、直线状的螺旋轴、具有与螺旋轴啮合的孔部的可动部件、及引导可动部件的引导部。
升降旋转驱动部25通过使进退驱动部23升降及旋转来使2个机器手21升降及旋转。如图6所示,升降旋转驱动部25具备支柱部25A及旋转部25B。支柱部25A以在上下方向延伸的方式设置。支柱部25A固定在ID区块2的底板部。因此,支柱部25A、即升降旋转驱动部25的水平方向(XY方向)的位置被固定而不会移动。旋转部25B使进退驱动部23绕铅直轴AX1旋转。利用升降旋转驱动部25进行的升降及旋转是用电动马达驱动的。
(1-1-3)衬底缓冲区BF的构成
衬底缓冲区BF载置多个衬底W。如图4所示,衬底缓冲区BF配置在第1处理区块3与第2处理区块5的中间(中央)。由此,第1处理区块3及第2处理区块5均能够对衬底缓冲区BF取放衬底W。如图3所示,衬底缓冲区BF具备2个缓冲区部BU1、BU2。2个缓冲区部BU1、BU2在上下方向配置成1列。
第1缓冲区部BU1与2个处理层A1、B1对应地设置。也就是说,第1缓冲区部BU1设置于与第1处理区块3的第1处理层A1及第2处理区块5的第1处理层B1相同的层级(即第1层)。另外,第2缓冲区部BU2与2个处理层A2、B2对应地设置。也就是说,第2缓冲区部BU2与第1处理区块3的第2处理层A2及第2处理区块5的第2处理层B2设置在相同的层级(即第2层)。
其次,参照图8对2个缓冲区部BU1、BU2进行说明。2个缓冲区部BU1、BU2分别具备多个(例如16个)衬底载置部31。多个衬底载置部31设有间隙地在上下方向配置成1列多个衬底载置部31对每2个缓冲区部BU1、BU2以上下方向的4根框架33支撑四角。
如图8所示,各衬底载置部31从侧面观察形成为薄板状。如图9所示,各衬底载置部31从上方观察形成为X字状。在与该X字状的交叉部分对应的各衬底载置部31的中央部分设置着用于支撑1片衬底W的3个支撑销35。3个支撑销35绕铅直轴AX2等间隔(120°的间隔)地配置。利用这种构造,如图10所示,机器手21(41)能够从水平的4个方向进入衬底载置部31的上方(即邻接的2个衬底载置部31的间隙)。由此,机器手21(41)能够从水平的4个方向分别在3个支撑销35上放置衬底W,或从3个支撑销35上取走衬底W。
第1衬底搬送机构MHU1的各机器手21从图10的纸面下侧接近各衬底载置部31。同样地,第2衬底搬送机构MHU2的各机器手21从图10的纸面上侧接近各衬底载置部31。第1处理区块3的各机器手41从图10的纸面左侧接近各衬底载置部31。第2处理区块5的各机器手41从图10的纸面右侧接近各衬底载置部31。此外,为了防止机器手21、41彼此干涉,构成为在来自规定方向的机器手21(41)进入特定衬底载置部31的上方的情况下,另外3个方向的机器手21(41)不进入该特定衬底载置部31的上方。
另外,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2及2个处理区块3、5的2个衬底搬送机构MHU3、MHU4(后述)能够分别对2个缓冲区部BU1、BU2全体的衬底载置部31放置衬底W或取走衬底W。由此,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2及2个衬底搬送机构MHU3、MHU4构成为能够相互取走载置在衬底缓冲区BF(或规定衬底载置部31)的衬底W。
此外,缓冲区部BU1具备16个衬底载置部31。如图8所示,缓冲区部BU1具备2个送出部SN1、SN2及2个送回部RT1、RT2。2个送出部SN1、SN2分别具备例如4个衬底载置部31。另外,2个送回部RT1、RT2分别具备例如4个衬底载置部31。与缓冲区部BU1同样地,缓冲区部BU2具备2个送出部SN3、SN4及2个送回部RT3、RT4。2个送出部SN3、SN4分别具备例如4个衬底载置部31。另外,2个送回部RT3、RT4分别具备例如4个衬底载置部31。
(1-2)处理区块3、5的构成
参照图3、图4。第1处理区块3具备2个处理层A1、A2。2个处理层A1、A2以堆积的方式配置在上下方向。第2处理区块5具备2个处理层B1、B2。2个处理层B1、B2以堆积的方式配置在上下方向。第1处理区块3(各处理层A1、A2)进行例如涂布处理作为第1处理。第2处理区块5(各处理层B1、B2)进行例如涂布处理作为第2处理。也就是说,第2处理区块5进行与利用第1处理区块3进行的处理内容相同的处理。由此,能够增加进行并行处理的个数。
2个处理层A1、A2分别具备第3衬底搬送机构MHU3、多个涂布单元SC、多个热处理部37、及搬送空间39。2个处理层B1、B2分别具备第4衬底搬送机构MHU4、多个涂布单元SC、多个热处理部37、及搬送空间39。搬送空间39以在X方向呈直线状延伸的方式构成。也就是说,搬送空间39是X方向较长的空间。各衬底搬送机构MHU3、MHU4设置在搬送空间39内。涂布单元SC与热处理部37以隔着搬送空间39的方式配置,并且沿搬送空间39的长边方向配置。
(1-2-1)衬底搬送机构MHU3、MHU4的构成
衬底搬送机构MHU3、MHU4分别具备2个机器手41、进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47及第2移动机构48。2个机器手41、进退驱动部43及旋转驱动部45例如分别与第1衬底搬送机构MHU1的2个机器手21、进退驱动部23、旋转部25B同样地构成。也就是说,2个机器手41分别保持衬底W。2个机器手41分别具有1个基础部分、及从该基础部分分出的2个前端部分。在基础部分及2个前端部分分别设置着用于吸附衬底W来保持衬底W的吸附部。
2个机器手41分别能够移动地安装在进退驱动部43。进退驱动部43使2个机器手41各自进退。旋转驱动部45使进退驱动部43绕铅直轴AX3旋转。由此,能够改变2个机器手41的朝向。第1移动机构47能够使旋转驱动部45在图3的前后方向(X方向)移动。第2移动机构48能够使第1移动机构47在图3的上下方向(Z方向)移动。利用2个移动机构47、48能够使2个机器手41及进退驱动部43在XZ方向移动。
进退驱动部43、旋转驱动部45、第1移动机构47及第2移动机构48分别具备电动马达。此外,第3衬底搬送机构MHU3相当于本发明的第1搬送机构。第4衬底搬送机构MHU4相当于本发明的第2搬送机构。
(1-2-2)涂布单元SC的配置
图11是衬底处理装置1的右侧视图。2个处理层A1、A2分别具备4个涂布单元SC。4个涂布单元SC配置成上下方向2段×水平方向2列。另外,2个处理层B1、B2分别具备6个涂布单元SC。6个涂布单元SC配置成2段×3列。
图11中,各处理层A1、A2的下段的2个涂布单元SC例如为涂布单元BARC,上段的2个涂布单元SC例如为涂布单元RESIST。另外,各处理层B1、B2的下段的3个涂布单元SC例如为涂布单元BARC,上段的3个涂布单元SC例如为涂布单元RESIST。涂布单元BARC在衬底W形成抗反射膜。涂布单元RESIST在衬底W形成光阻剂等阻剂膜。
如图4所示,涂布单元SC具备保持旋转部51、喷嘴52及喷嘴移动机构53。保持旋转部51例如通过真空吸附保持衬底W的下表面,使保持的衬底W以铅直方向(Z方向)为轴旋转。喷嘴52对衬底W喷出涂布液(例如抗反射膜形成用液体或光阻剂液)。喷嘴52经由配管连接于涂布液供给源,在配管设置着泵及开闭阀。喷嘴移动机构53使喷嘴52移动到任意位置。保持旋转部51及喷嘴移动机构53分别具备例如电动马达。
(1-2-3)热处理部37的配置
图12是衬底处理装置1的左侧视图。2个处理层A1、A2分别具备15个热处理部37。15个热处理部37配置成5段×3列。另外,2个处理层B1、B2分别具备20个热处理部37。20个热处理部37配置成5段×4列。
热处理部37为了对衬底W进行热处理,具备载置衬底W的平板55(参照图4)。在加热平板55的情况下,热处理部37例如具备加热器,在冷却平板55的情况下,热处理部37例如具备水冷式循环机构。热处理部37例如包含加热冷却部PHP及冷却部CP。加热冷却部PHP依序进行加热处理及冷却处理。冷却部CP冷却衬底W。此外,加热冷却部PHP及冷却部CP的个数为任意个。另外,热处理部37并不限定于加热冷却部PHP及冷却部CP,例如也可以是密接强化处理部PAHP、边缘曝光部EEW、及加热部HP的至少任一种。也就是说,热处理部37的种类任意。
此外,密接强化处理部PAHP通过将六甲基二矽氮烷(HMDS)等密接强化剂涂布在衬底W并加热,提升衬底W与例如阻剂的密接性。边缘曝光部EEW进行衬底W的周边部的曝光处理。加热部HP加热衬底W。
(1-3)载体缓冲区装置8的构成
如图3、图5所示,载体缓冲区装置8具备载体搬送机构61及载体保管架63。载体搬送机构61及载体保管架63(即载体缓冲区装置8)搭载在ID区块2及2个处理区块3、5之上。载体搬送机构61在4个开启器11~14各自的载置台16与载体保管架63之间搬送载体C。载体保管架63保管载体C。
参照图13。载体搬送机构61具备2个多关节臂65、66。在第1多关节臂65的一端设置着握持部67,在第2多关节臂66的一端设置着握持部68。第1多关节臂65的另一端由支柱状的升降驱动部69支撑,能够在上下方向移动,第2多关节臂66的另一端由升降驱动部69支撑,能够在上下方向移动。
2个握持部67、68分别例如以握持载体C的上表面设置的突起部的方式构成。第1多关节臂65以能够使握持部67绕铅直轴AX4旋转360度的方式构成。第1多关节臂65例如具备3个臂部件65A~65C。臂部件65A由后述升降驱动部69而能够升降。2个臂部件65A、65B连接于铅直轴AX5,能够绕其旋转。另外,2个臂部件65B、65C连接于铅直轴AX6,能够绕其旋转。此外,第2多关节臂66与第1多关节臂65同样地构成。第1多关节臂65例如可以担当图5的纸面上侧的载体C的搬送。第2多关节臂66可以担当图5的纸面下侧的载体C的搬送。
升降驱动部69以能够使2个多关节臂65、66各自升降的方式构成。因此,可以使第1多关节臂65移动到比第2多关节臂66高的位置,也可以使第1多关节臂65移动到比第2多关节臂66低的位置。此外,升降驱动部69也可以构成为使2个多关节臂65、66一体升降。2个握持部67、68、2个多关节臂65、66及升降驱动部69分别具备电动马达。
前后驱动部70具备支撑升降驱动部69的支撑部70A、在前后方向(X方向)较长地延伸的长边部70B、及电动马达。例如,长边部70B可以是轨道(引导轨道),支撑部70A可以是台车。在该情况下,可以构成为利用电动马达使台车(支撑部70A)沿轨道(长边部70B)移动。
另外,例如电动马达、多个滑轮、传送带及引导轨道可以内置于长边部70B,支撑部70A可以固定于传送带。在该情况下,利用电动马达使滑轮旋转,从而使挂设于多个滑轮的传送带移动,由此使支撑部70A沿引导轨道移动。另外,例如也可以是电动马达、螺旋轴及引导轨道内置于长边部70B,与螺旋轴啮合的螺帽部设置在支撑部70A。在该情况下,可以利用电动马达使螺旋轴,由此使支撑部70A沿引导轨道移动。
参照图5。载体保管架63具备输入端口71、输出端口72、未处理衬底载体架73、空载体架74及已处理衬底载体架75。输入端口71是用于从外部搬送机构OHT(Overhead HoistTransport,高架起重机运输)接收收纳着未处理的衬底W的载体C的架。外部搬送机构OHT在工厂内搬送载体C。未处理是指尚未利用本实施例中衬底处理装置1进行处理。如图5所示,2个输入端口71及2个输出端口72设置在衬底处理装置1的顶上的长边方向(X方向)的一端。2个输入端口71及2个输出端口72排列在与长边方向正交的短边方向(Y方向)。在2个输入端口71及2个输出端口72的上方设置着外部搬送机构OHT的轨道77。外部搬送机构OHT将载体C搬送到2个输入端口71的任一个。
未处理衬底载体架73载置载体C,该载体C载置在输入端口71,且收纳着2个开启器11、12的各载置台16均未能搬送的未处理的衬底W。空载体架74载置例如已利用开启器11的载置台16将衬底W全部取出的载体C。已处理衬底载体架75载置收纳着已处理的衬底W、且2个输出端口72的任一个均未能搬送的载体C。已处理是指已经利用衬底处理装置1进行过处理。输出端口72是用于将收纳着已处理的衬底W的载体C交付到外部搬送机构OHT的架。载体搬送机构61能够使载体C在载置台16及各架71~75之间自由移动。
此外,载体搬送机构61具备2个多关节臂65、66及2个握持部67、68,也可以具备1个或3个以上多关节臂及1个或3个以上握持部。另外,升降驱动部69也可以构成为绕相对于支撑部70A铅直的轴(Z方向的轴)旋转驱动。
此处,对设置多个衬底处理装置1的情况下它们的设置方法进行说明。在量产工厂,为了从外部搬送机构OHT对衬底处理装置1搬入及搬出载体C,在外部搬送机构OHT的轨道77下方需要有载体C的接收部(端口71、72)。如图14所示,外部搬送机构OHT对多个(图14中为2个)衬底处理装置1搬送载体C。此处,在有限的工厂内空间内,为了使外部搬送机构OHT将载体C高效率地搬送到各衬底处理装置1,优选在轨道77下方集合配置各衬底处理装置1的接收部。因此,以仅载体C的接收部配置在轨道77下方的方式决定衬底处理装置1的设置位置及设置方向。例如为了在量产工厂内紧凑地配置,如图14所示,多个衬底处理装置1是横排(Y方向)配置。另外,以载体C的接收部配置在轨道77下方的方式,将多个衬底处理装置1设置为相同的朝向。
另外,轨道77也可以构成为通过任意位置的上方。例如,如图14所示,轨道77B可以构成为通过ID区块2及2个处理区块3、5的至少任一个的上方。在该情况下,在轨道77B的下方设置输入端口71及输出端口72。能够搭载输入端口71及输出端口72的ID区块2及2个处理区块3的区域(XY方向)相对较大,所以能相对自由地设定外部搬送机构OHT的轨道77B的路径。因此,能够相对自由地相对于外部搬送机构OHT的轨道77B的路径设置衬底处理装置1。另外,载体保管架63的个数及种类适当变更。
(2)衬底处理装置1的动作
其次,对衬底处理装置1的动作进行说明。此外,图5中,2个开启器11、12用于从载体C取出衬底W,另外2个开启器13、14用于在载体C收纳衬底W。另外,图15是用于对实施例1的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
参照图3、图5。外部搬送机构OHT向2个输入端口71的一个搬送载体C。载体搬送机构61将利用外部搬送机构OHT搬送来的载体C从输入端口71搬送到2个开启器11、12的一个(例如开启器11)的载置台16。开启器11的挡板部一边从载体C(载体主体)卸下并保持盖部,一边使该盖部移动。由此,将开口部18敞开。
[步骤S01]利用ID区块2进行的衬底搬送(送出)
ID区块2从载置在开启器11的载置台16的载体C取出衬底W。然后,ID区块2形成2个处理区块3、5的一个能够接收衬底W的状态。
具体地进行说明。对开启器11、12搬送衬底W是由第1衬底搬送机构MHU1进行的。衬底搬送机构MHU1使机器手21进入载置在开启器11的载置台16的载体C,从载体C取出衬底W。衬底搬送机构MHU1将取出的衬底W搬送到衬底缓冲区BF。衬底搬送机构MHU1在由处理层A1对衬底W进行处理的情况下,搬送到第1缓冲区部BU1的送出部SN1,在由处理层B1对衬底W进行处理的情况下,搬送到第1缓冲区部BU1的送出部SN2(参照图11)。同样地,衬底搬送机构MHU1在由处理层A2对衬底W进行处理的情况下,搬送到第2缓冲区部BU2的送出部SN3,在由处理层B2对衬底W进行处理的情况下,搬送到第2缓冲区部BU2的送出部SN4。
当从载体C取出全部衬底W时,开启器11的挡板部一边移动以将盖部安装于载体C,一边遮蔽开口部18。其后,载体搬送机构61将变空的载体C搬送到2个开启器13、14的任一个。另外,在无法将变空的载体C搬送到2个开启器13、14的任一个的情况下,载体搬送机构61将空载体C搬送到空载体架74。另外,载体搬送机构61从输入端口71或未处理衬底载体架73将收纳着未处理的衬底W的载体C搬送到开启器11代替变空的载体C。
衬底搬送机构MHU1从开启器11的载体C取出所有衬底W后,从开启器12的载体C取出衬底W。然后,衬底搬送机构MHU1从开启器12的载体C取出所有衬底W后,再次从开启器11的载体C取出衬底W。也就是说,衬底搬送机构MHU1原则上以载体C为单位从2个开启器11、12的各载体C交替地取出衬底W。
衬底搬送机构MHU1构成为以载体为单位分配衬底W。例如,从开启器11的第1载体C取出的衬底W由处理层A1进行处理。其次,从开启器12的第2载体C取出的衬底W由处理层B1进行处理。另外,其次,从开启器11的第3载体C取出的衬底W由处理层A2进行处理。进而其次,从开启器12的第4载体取出的衬底W由处理层B2进行处理。也就是说,一面反复处理层A1、处理层A2、处理层B1、处理层B2的顺序,一面以载体为单位分配衬底W。
此外,衬底W的分配方式并不限定于所述方法。例如也可以是从第1载体C由取出的衬底W由2个处理层A1、A2进行处理,从第2载体C取出的衬底W由2个处理层B1、B2进行处理。另外,从第1载体C取出的衬底W也可以由4个处理层A1、A2、B1、B2进行处理。在该情况下,ID区块2形成2个处理区块3、5的二者能够接收衬底W的状态。
[步骤S02]利用各处理区块3、5进行的衬底处理
第1处理区块3的2个处理层A1、A2分别从ID区块2接收衬底W,对接收的衬底W进行涂布处理。然后,各处理层A1、A2将进行过涂布处理的衬底W搬送到ID区块2的衬底缓冲区BF。
具体进行说明。处理层A1的衬底搬送机构MHU3接收载置在第1缓冲区部BU1的送出部SN1的衬底W。然后,衬底搬送机构MHU3将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元BARC、加热冷却部PHP。其后,衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元RESIST、加热冷却部PHP。其后,衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元RESIST形成了阻剂膜的衬底W搬送到第1缓冲区部BU1的送回部RT1。
此外,在处理层A2对衬底W进行了涂布处理的情况下,处理层A2的衬底搬送机构MHU3将形成了阻剂膜的衬底W搬送到第2缓冲区部BU2的送回部RT3。
另外,对由第2处理区块5进行涂布处理的情况进行说明。第2处理区块5的2个处理层B1、B2分别从ID区块2接收衬底W,对接收的衬底W进行涂布处理。然后,各处理层B1、B2将进行过涂布处理的衬底W搬送到ID区块2的衬底缓冲区BF。
具体进行说明。处理层B1的衬底搬送机构MHU4接收载置在第1缓冲区部BU1的送出部SN2的衬底W。然后,衬底搬送机构MHU4将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元BARC、加热冷却部PHP。其后,衬底搬送机构MHU4将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元RESIST、加热冷却部PHP。其后,衬底搬送机构MHU4将利用涂布单元RESIST形成了阻剂膜的衬底W搬送到第1缓冲区部BU1的送回部RT2。
此外,在处理层B2对衬底W进行了涂布处理的情况下,处理层B2的衬底搬送机构MHU4将形成了阻剂膜的衬底W搬送到第2缓冲区部BU2的送回部RT4。
[步骤S03]利用ID区块2进行的衬底搬送(送回)
ID区块2将从第1处理区块3或第2处理区块5搬送来的衬底W例如送回载置在开启器13的载置台16的载体C。送回衬底W的载体C是处理前(即取出前)收纳该衬底W的载体C。
具体进行说明。载体搬送机构61从2个开启器11、12的载置台16或空载体架74将变空的载体C搬送到2个开启器13、14的一个(例如开启器13)的载置台16。衬底W对开启器13、14的搬送由第2衬底搬送机构MHU2进行。
衬底搬送机构MHU2将已利用处理层A1处理过的衬底W从第1缓冲区部BU1的送回部RT1搬送到载置在开启器13的载置台16的载体C。此外,对利用其它处理层B1、A2、B2分别进行了涂布处理的衬底W的搬送进行说明。第1缓冲区部BU1具有送回部RT2,第2缓冲区部BU2具有2个送回部RT3、RT4。衬底搬送机构MHU2将已利用处理层B1进行过处理的衬底W从送回部RT2搬送到开启器13的载置台16的载体C。另外,衬底搬送机构MHU2将已利用处理层A2进行过处理的衬底W从送回部RT3搬送到载置台16的载体C。进而,衬底搬送机构MHU2将已利用处理层B2进行过处理的衬底W从送回部RT4搬送到载置台16的载体C。
衬底搬送机构MHU2在开启器13的载体C收纳所有衬底W后,在开启器14的载体C收纳衬底W。然后,衬底搬送机构MHU2在开启器14的载体C收纳所有衬底W后,再次在开启器13的载体C收纳衬底W。也就是说,衬底搬送机构MHU2原则上以载体C为单位在开启器13、14的各载体C交替地收纳衬底W。
载体搬送机构61将收纳着已处理的衬底W的载体C搬送到输出端口72或已处理衬底载体架75。另外,载体搬送机构61从2个开启器11、12的载置台16或空载体架74将空载体C搬送到2个开启器13、14的一个载置台16来代替已搬送走的载体C。外部搬送机构OHT将收纳着已处理的衬底W的载体C从2个输出端口72的一个搬送到例如其它装置。
根据本实施例,2个处理区块3、5不堆积配置而是配置在水平方向。因此,能够抑制高度并增加处理层(例如符号A1)的个数。另外,如图2所示,如果例如依序配置ID区块202、第1处理区块203及第2处理区块205,那么为了用第2处理区块205进行衬底处理,就需要通过第1处理区块3而不进行衬底处理的动作。另外,在从第2处理区块205将衬底W送回ID区块202,也需要通过第1处理区块203的动作。关于该方面,2个处理区块3、5分别直接连结在ID区块2。因此,如图2所示,能够抑制通过处理区块203而不进行衬底处理的步骤,由此,能够防止产能降低。
另外,衬底处理装置1具备:载体保管架63,搭载于ID区块2、第1处理区块3及第2处理区块5的至少任一个之上,用于保管载体C;及载体搬送机构61,搭载于ID区块2、第1处理区块3及第2处理区块5的至少任一个之上,在载置台16与载体保管架63之间搬送载体C。
如果载体保管架63及载体搬送机构61相对于ID区块2及2个处理区块3、5设置在水平方向,那么衬底处理装置1的占据面积会相应地变大。关于该方面,载体保管架63及载体搬送机构61是以与ID区块2及2个处理区块3、5的至少任一个在俯视时重叠的方式配置。因此,能够抑制衬底处理装置1的占据面积增加。因此,能够将衬底处理装置1控制在有限的占据面积。
另外,如图16所示,本实施例的衬底处理装置1代替以往的衬底处理装置201的载体缓冲区装置208,设置涂布单元SC及热处理部37。此外,图16中,符号201A为衬底处理装置主体。主体201A例如具备ID区块202及处理区块203。
另外,ID区块2在内部具备衬底缓冲区BF、及例如衬底搬送机构MHU1,衬底缓冲区BF配置在第1处理区块3与第2处理区块5的中间,载置多个衬底W。衬底搬送机构MHU1在载置在载置台16的载体C与衬底缓冲区BF之间搬送衬底W,第1处理区块3及第2处理区块5构成为能够相互取走利用衬底搬送机构MHU1载置在衬底缓冲区BF的衬底W。
如图17所示,假设在ID区块2与第1处理区块3之间设置第1衬底缓冲区BF1,并且在ID区块2与第2处理区块5之间设置第2衬底缓冲区BF2。在该情况下,第1衬底缓冲区BF1与第2衬底缓冲区BF2配置在配置2个处理区块3、5的方向(X方向)。因此,衬底处理装置1的方向(X方向)可能会变长。根据本实施例,衬底缓冲区BF配置在2个处理区块3、5的中间。利用2个处理区块3、5各自对衬底缓冲区BF搬送衬底W。也就是说,第1衬底缓冲区BF1与第2衬底缓冲区BF2在俯视时积层在相同的位置(即1个部位)。能够减少衬底处理装置1变长的可能性。
另外,2个处理区块3、5(衬底搬送机构MHU3、MHU4)以隔着衬底缓冲区BF的方式配置(参照图4)。另外,ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2以在与配置2个处理区块3、5的X方向正交的Y方向上隔着衬底缓冲区BF的方式配置。由此,能够从水平的4个方向对衬底缓冲区BF相互取走衬底W。
本实施例中,2个处理区块3、5例如进行阻剂的涂布处理。关于该方面,2个处理区块3、5的至少一个也可以进行显影处理或清洗处理。在该情况下,进行显影处理或清洗处理的液处理单元可以具备一边保持衬底W一边使衬底W旋转的保持旋转部、喷出显影液或清洗液的喷嘴、以及用于对该喷嘴输送显影液或清洗液的泵、阀及配管。
[实施例2]
其次,参照附图对本发明的实施例2进行说明。此外,省略与实施例1重复的说明。
实施例1中,利用4个处理层A1、A2、B1、B2各自进行规定的涂布处理。关于该方面,实施例2中,也可以利用2个处理层A1、B1的组合及2个处理层A2、B2的组合各自进行规定的涂布处理。
参照图18。第1处理区块3的2个处理层A1、A2分别具备例如4个涂布单元BARC。各处理层A1、A2进行抗反射膜形成用液体的涂布处理,在衬底W上形成抗反射膜。处理层A1进行与处理层A2内容相同的处理。另外,第2处理区块5的2个处理层B1、B2分别具备例如6个涂布单元RESIST。各处理层B1、B2进行阻剂液的涂布处理,在衬底W的抗反射膜上形成阻剂膜。处理层B1进行与处理层B2相同的处理。
此外,2个处理层B1、B2可以分别像处理层A1的4个涂布单元BARC那样具备4个涂布单元RESIST。另外,2个处理层A1、A2可以分别具备例如6个涂布单元BARC,2个处理层B1、B2可以分别具备例如4个涂布单元RESIST。也就是说,各处理区块3、5中,涂布单元BARC及涂布单元RESIST的个数任意设定。
如图18所示,第1缓冲区部BU1具备送出部SN5、送回部RT5、及区块间的交付部PS5。另外,第2缓冲区部BU2具备送出部SN6、送回部RT6、及区块间的交付部PS6。2个送出部SN5、SN6分别具备5个衬底载置部31。2个送回部RT5、RT6分别具备5个衬底载置部31。交付部PS5、PS6具备5个衬底载置部31。
(3)衬底处理装置1的动作
其次,对衬底处理装置1的动作进行说明。例如对开启器11的载置台16搬送载体C。图19是用来对实施例2的衬底处理装置1的动作进行说明的流程图。
[步骤S11]利用ID区块2进行的衬底搬送(送出)
ID区块2从载置在开启器11的载置台16的载体C取出衬底W,形成第1处理区块3(各处理层A1、A2)能够接收衬底W的状态。本次从载体C取出的衬底W用处理层A1进行处理。因此,衬底搬送机构MHU1从载体C例如向缓冲区部BU1的送出部SN5搬送衬底W。此外,在处理层A2对衬底W进行处理的情况下,衬底搬送机构MHU1从载体C向缓冲区部BU2的送出部SN6搬送衬底W。
[步骤S12]利用第1处理区块3进行的抗反射膜的形成
第1处理区块3中,处理层A1的第3衬底搬送机构MHU3从送出部SN5接收衬底W。其后,衬底搬送机构MHU3将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元BARC、加热冷却部PHP。其后,衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W搬送到缓冲区部BU1的交付部PS5。
此外,在处理层A2对衬底W进行处理的情况下,处理层A2的第3衬底搬送机构MHU3从送出部SN6接收衬底W。其后,衬底搬送机构MHU3将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元BARC、加热冷却部PHP。其后,衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W搬送到缓冲区部BU2的交付部PS6。
[步骤S13]利用第2处理区块5进行的阻剂膜的形成
第2处理区块5中,处理层B1的衬底搬送机构MHU4从交付部PS5接收衬底W。接收的衬底W是由处理层A1的衬底搬送机构MHU3载置在交付部PS5的衬底W。此外,衬底W从处理层A1向处理层B1的搬送不使用ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2进行。其后,处理层B1的衬底搬送机构MHU4将形成了抗反射膜的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元RESIST、加热冷却部PHP。其后,处理层B1的衬底搬送机构MHU4将利用涂布单元RESIST形成了阻剂膜的衬底W搬送到第1缓冲区部BU1的送回部RT5。
此外,处理层A2的第3衬底搬送机构MHU3将衬底W载置到第2缓冲区部BU2的交付部PS6。在该情况下,处理层B2的衬底搬送机构MHU4从交付部PS6接收载置在交付部PS6的衬底W。此外,衬底W从处理层A2向处理层B2的搬送不使用ID区块2的2个衬底搬送机构MHU1、MHU2进行。其后,处理层B2的衬底搬送机构MHU4将形成了抗反射膜的衬底W依序搬送到冷却部CP、涂布单元RESIST、加热冷却部PHP。其后,处理层B2的衬底搬送机构MHU4将利用涂布单元RESIST形成了阻剂膜的衬底W搬送到第2缓冲区部BU2的送回部RT6。
[步骤S14]利用ID区块2进行的衬底搬送(送回)
ID区块2将从第2处理区块5搬送来的衬底W从衬底缓冲区BF送回载置在开启器13的载置台16的载体C。
具体进行说明。例如对开启器13的载置台16搬送曾收纳处理中的衬底W的空载体C。ID区块2的衬底搬送机构MHU2从第1缓冲区部BU1的送回部RT5对载置在开启器13的载置台16的载体C搬送已处理的衬底W。此外,在利用处理层A2、B2对衬底W进行了处理的情况下,衬底搬送机构MHU2从第2缓冲区部BU2的送回部RT6向2个开启器13、14的一个的载置在载置台16的载体C搬送已处理的衬底W。
根据本实施例,能够通过第1处理区块3及第2处理区块5对衬底W进行处理。另外,以ID区块2为中心用2个处理区块3、5进行处理。如图2所示,例如存在ID区块202、第1处理区块203及第2处理区块205依序配置成一列的情况。在该情况下,以第1处理区块203及第2处理区块205的顺序进行过处理的衬底需要通过第1处理区块203返回ID区块202。根据本发明,第2处理区块5与ID区块2直接连结,因此能够省略使衬底W通过第1处理区块3而不对衬底W进行处理的动作。
另外,例如在从第1处理区块3向衬底W搬送第2处理区块5的情况下,能够不使用各衬底搬送机构MHU1、MHU2而是经由配置在2个处理区块3、5的中间的衬底缓冲区BF(缓冲区部BU1、BU2)从第1处理区块3向第2处理区块5搬送衬底。因此,能够减轻各衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送衬底的负担。
[实施例3]
其次,参照附图对本发明的实施例3进行说明。此外,省略与实施例1、2重复的说明。
2个缓冲区部BU1、BU2设置在上下方向。这2个缓冲区部BU1、BU2可以构成为能分别相对于ID区块2装卸。
(4)衬底处理装置1的构成
(4-1)用于安装及拆卸各缓冲区部BU1、BU2的构成
参照图20A。ID区块2具有作为骨架的框架81、82。框架81为第1处理区块3侧的框架,框架82为第2处理区块5侧的框架。在框架81设置着向水平方向突出的突出支撑部83,在框架82设置着向水平方向突出的突出支撑部84。缓冲区部BU1、BU2分别以挂设在突出支撑部83与突出支撑部84的方式配置。在各突出支撑部83、84的前端设置着向上方向突出的凸部85(参照图20B)。在各缓冲区部BU1、BU2的底面设置着凹部86(参照图20B)。凸部85及凹部86用于定位各缓冲区部BU1、BU2。
如图20A所示,缓冲区部BU1、BU2分别例如用4个搭扣(draw latch)87等固定具安装在2个突出支撑部83、84。搭扣87具备承接部件88与钩可动部89。承接部件88设置在突出支撑部83、84,钩可动部89设置在缓冲区部BU1、BU2。此外,也可以是钩可动部89设置在突出支撑部83、84,承接部件88设置在缓冲区部BU1、BU2。
例如在图20A所示的缓冲区部BU1中,通过操作钩可动部89的杆,一边使钩可动部89的钩勾卡承接部件88,一边将缓冲区部BU1例如向突出支撑部83压抵,保持该勾卡及压抵状态。通过对所有搭扣87进行该操作,将缓冲区部BU1安装在突出支撑部83、84。另外,通过在所有搭扣87操作钩可动部89的杆,释放保持的勾卡及压抵状态。由此,从突出支撑部83、84拆卸缓冲区部BU1。第2缓冲区部BU2也与第1缓冲区部BU1同样地进行安装及拆卸。
此外,所述说明中,为了安装各缓冲区部BU1、BU2,设置了4个搭扣87。关于该方面,设置2个以上搭扣87即可。另外,也可以将突出支撑部83安装在第1处理区块3的框架,将突出支撑部84安装在第2处理区块5的框架。
(4-2)支撑销的配置
参照图21A。衬底载置部31安装着3个支撑销35。3个支撑销35绕铅直轴AX2配置。另外,3个支撑销35构成为例如能够通过利用内六角扳手等L字工具TL从衬底载置部31的下表面31R侧(参照图22A)操作来相对于衬底载置部31进行装卸。图21A中,在衬底载置部31,12个孔部91绕铅直轴AX2等间隔地形成为环状。孔部91的个数任意设定。
如图22A所示,支撑销35具备盖93、轴杆(间隔件)94及公螺丝95。在盖93的背面形成着设有母螺纹93A的孔部93B。轴杆94构成为管状。公螺丝95从衬底载置部31的下表面31R侧穿入孔部91、轴杆94。其后,公螺丝95穿过盖93的孔部93B并螺旋紧固于盖93。公螺丝95的前端切出螺纹的部分与母螺纹93A啮合。螺旋紧固例如使用内六角扳手等L字工具TL进行。图22B中表示安装在衬底载置部31的状态的支撑销35。
参照图21A。例如在最下段(第1段)的衬底载置部31,例如规定的支撑销35A配置在下侧。此外,在以时针表示方向的情况下,支撑销35A配置在距铅直轴AX2六点钟的方向。其它支撑销35B、35C以120度间隔配置。参照图21B。在第2段(第1段的上一段)的衬底载置部31,支撑销35A配置在左侧(九点钟的方向)。参照图21C。在第3段(第2段的上一段)的衬底载置部31,支撑销35A配置在上侧(十二点的方向)。参照图21D。在第4段(第3段的上一段)的衬底载置部31,支撑销35A配置在右侧(三点钟方向)。图21A~图21D中,以每一段变化90°的方式配置3个支撑销35A~35C,于是例如支撑销35A配置成螺旋状。
也就是说,各衬底载置部31的3个支撑销35以上一段及下一段的衬底载置部31各自的3个支撑销35在俯视时不重叠的方式配置。具体来说,各衬底载置部31的3个支撑销35相对于上一段及下一段的衬底载置部31的3个支撑销35,绕铅直轴AX2错开预先设定的角度(90°)配置。此外,各衬底载置部31的3个支撑销35为最上段时,相对于下一段的衬底载置部31的3个支撑销35错开配置,为最上段时,相对于上一段的衬底载置部31的3个支撑销35错开配置。
预先设定的角度并不限定于90°,例如也可以是30°、60°、180°。然而,在3个支撑销35以120°间隔配置的情况下,预先设定的角度不可为120°、240°、360°。
如图22C所示,在俯视时2个支撑销35重叠的情况下,装卸上侧的支撑销35时,存在工具接触下侧的支撑销35的可能性。与此相对,如图22D所示,在俯视时2个支撑销35不重叠的情况下,在装卸上侧的支撑销35时,工具接触下侧的支撑销35的可能性减少。因此,支撑销35的装卸变得容易。所以,各缓冲区部BU1、BU2的维护性提升。另外,通过将衬底载置部31形成为X字状,操作者容易接触到配置在衬底载置部31的中心附近的支撑销35。
(5)衬底处理装置1的维护方法
其次,对衬底处理装置1的维护方法进行说明。尤其对从衬底处理装置1拆卸各缓冲区部BU1、BU2的动作进行说明。
[步骤S21]2个机器手21及进退驱动部23的上升
图3中,使2个衬底搬送机构MHU1、MHU2各自的2个机器手21及进退驱动部23上升到不造成妨碍的位置。由此,操作者拆卸ID区块2的外壁97(参照图4)后,能够进入ID区块2内,从各衬底搬送机构MHU1、MHU2的支柱部25A的旁侧接近配置在ID区块2的中央的2个缓冲区部BU1、BU2。
[步骤S22]各缓冲区部BU1、BU2的拆卸
操作者在图20A的状态下操作搭扣87,由此从突出支撑部83、84释放例如缓冲区部BU1的固定。由此,操作者能够搬运缓冲区部BU1。此外,在从衬底处理装置1拿出缓冲区部BU1时,为了以水平状态搬运衬底W及衬底载置部31,也可以构成为各衬底搬送机构MHU1、MHU2的支柱部25A旁侧的空间的宽度开阔。
各缓冲区部BU1、BU2构成为能够各自相对于突出支撑部83、84(即衬底处理装置1)装卸。由此,能够分开搬运2个缓冲区部BU1、BU2,所以2个缓冲区部BU1、BU2的搬运变得容易。另外,通过将衬底载置部31形成为X字状,能够使各缓冲区部BU1、BU2变得轻量。
另外,在将各缓冲区部BU1、BU2安装在突出支撑部83、84(即衬底处理装置1)的情况下,以相反的顺序进行步骤S21、22。也就是说,将2个缓冲区部BU1、BU2分别安装在突出支撑部83、84。其后,操作者从ID区块2退出,进行将2个衬底搬送机构MHU1、MHU2各自的2个机器手21及进退驱动部23送回规定的位置等动作。
根据本实施例,2个处理区块3、5具有堆积配置的2个处理层A1、A2(或B1、B2)。衬底缓冲区BF具备与2个例如处理层A1、A2的层级对应地设置的2个缓冲区部BU1、BU2。缓冲区部BU1、BU2构成为能分别相对于ID区块2装卸。也就是说,衬底缓冲区BF具备2个缓冲区部BU1、BU2。各缓冲区部BU1、BU2构成为能够各自装卸。因此,能够各自搬送缓冲区部BU1、BU2,所以衬底缓冲区BF的搬送容易。
[实施例4]
其次,参照附图对本发明的实施例4进行说明。此外,省略与实施例1~3重复的说明。
实施例1中,如图3所示,载体缓冲区装置8搭载于第1处理区块3、ID区块2、及第2处理区块5之上。关于该方面,实施例4中,如图23所示,载体缓冲区装置101搭载于比第1处理区块3的高度低的第2处理区块5上。
(6)衬底处理装置1的构成
(6-1)ID区块2
参照图23、图24。ID区块2具备2个开启器11、13。2个开启器11、13设置在载体缓冲区装置101侧的外壁。2个开启器11、13分别具备载置台16等。
ID区块2与实施例1的ID区块2同样具备2个衬底搬送机构MHU1、MHU2、及衬底缓冲区BF。衬底缓冲区BF具备配置在上下方向的3个缓冲区部BU1~BU3。缓冲区部BU1具备2个送出部SN1、SN2、及3个送回部RT1、RT2、RT7。缓冲区部BU2具备2个送出部SN3、SN4、及3个送回部RT3、RT4、RT8。缓冲区部BU3具备送出部SN5、及2个送回部RT5、RT9。送出部(符号SN5等)及送回部(符号RT9等)构成为能够分别载置多个衬底W。
另外,ID区块2在图24的虚线所示的位置具备冷却部CP及检查部LSCM。冷却部CP及检查部LSCM设置在2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的至少一个的附近。另外,冷却部CP及检查部LSCM设置在3个缓冲区部BU1~BU3的每一个,冷却部CP及检查部LSCM与3个缓冲区部BU1~BU3各自设置在相同的层级。冷却部CP及检查部LSCM以不干涉图4所示的升降旋转驱动部25等的方式设置。
冷却部CP冷却衬底W。冷却部CP具备平板55、例如水冷式的冷却机构。检查部LSCM使用CCD(Charge Coupled Device,电荷耦合器件)相机或影像传感器检查涂布后的衬底W。检查部LSCM具备CCD相机或影像传感器、及执行检查用程序的控制部(例如CPU)。此外,冷却部CP及检查部LSCM也可以不设置在ID区块2而是分别设置在后述5个处理层A1~A3、B1、B2。在该情况下,也可以不设置3个送回部RT7、RT8、RT9。
(6-2)处理区块3、5的构成
参照图23。第1处理区块3具备3个处理层A1~A3。另一方面,第2处理区块5具备2个处理层B1~B2。处理层A1配置在与处理层B1及缓冲区部BU1相同的层级(第1层)。处理层A2配置在与处理层B2及缓冲区部BU2相同的层级(第2层)。处理层A3配置在与载体缓冲区装置101及缓冲区部BU3相同的层级(第3层)。
第1处理区块3的各处理层A1~A3例如进行涂布处理。第2处理区块5的各处理层B1、B2例如进行涂布处理。也就是说,各处理层A1~A3进行与各处理层B1、B2相同的处理。因此,利用5个处理层A1~A3、B1、B2并行地进行涂布处理。3个处理层A1~A3分别例如与实施例1的处理层A1同样具备第3衬底搬送机构MHU3、多个涂布单元SC、多个热处理部37、及搬送空间39。2个处理层B1、B2分别例如与实施例1的处理层B1同样地具备第4衬底搬送机构MHU4、多个涂布单元SC、多个热处理部37、及搬送空间39。省略它们的详细说明。
(6-3)载体缓冲区装置101的构成
载体缓冲区装置101(载体保管架63及载体搬送机构61)搭载在第1处理区块3及第2处理区块5中高度较低的区块上。如图23所示,第2处理区块5的高度低于第1处理区块3的高度。因此,载体缓冲区装置101搭载于第2处理区块5上。另外,图23中,载体缓冲区装置101配置在与第1处理区块3的最上的处理层A3相同的层级。
此外,第2处理区块5与载体缓冲区装置101的高度优选为第1处理区块3(较高的区块)的高度内。另外,ID区块2也同样优选为第2处理区块5的高度内。
参照图24。载体缓冲区装置101与实施例1的载体缓冲区装置8同样地具备载体搬送机构61及载体保管架63。载体搬送机构61在2个开启器11、13各自的载置台16与载体保管架63之间搬送载体C。载体保管架63具备输入端口71、输出端口72、未处理衬底载体架73、空载体架74及已处理衬底载体架75。载体保管架63(各架71~75)的种类及个数适当变更。
(7)衬底处理装置1的动作
参照图23,对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。本实施例的步骤S31~S33像图15所示的步骤S01~S03项目那样进行动作。此外,开启器11用于从载体C取出衬底W,开启器13用于向载体C送回衬底W。5个处理层A1~A3、B1、B2分别例如进行光阻剂液的涂布处理。
[步骤S31]利用ID区块2进行的衬底搬送(送出)
外部搬送机构OHT向输入端口71搬送载体C。载体搬送机构61从输入端口71向开启器11的载置台16搬送载体C。ID区块2的衬底搬送机构MHU1从开启器11的载体C取出衬底W,将取出的衬底W搬送到衬底缓冲区BF。例如,设为用处理层A1对衬底W进行处理。第1衬底搬送机构MHU1将取出的衬底W搬送到缓冲区部BU1的送出部SN1。
此外,如果用最多5个处理层A1~A3、B1、B2分担对收纳在1个载体C的衬底W进行并行处理,那么与用1个处理层进行处理的情况相比,能够以最大5倍的速度进行处理。
[步骤S32]利用各处理区块3、5进行的衬底处理
处理层A1的第3衬底搬送机构MHU3(参照图4)从缓冲区部BU1的送出部SN1接收衬底W,将接收的衬底W搬送到涂布单元SC及任意的热处理部37(也包含冷却部CP)。其后,第3衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元SC例如形成了光阻剂膜的衬底W搬送到缓冲区部BU1的送回部RT1。
此外,送出部SN2及送回部RT2用于处理层B1。送出部SN3及送回部RT3用于处理层A2。送出部SN4及送回部RT4用于处理层B2。送出部SN5及送回部RT5用于处理层A3。
[步骤S33]利用ID区块2进行的衬底搬送(送回)
2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个从缓冲区部BU1的送回部RT1接收形成了光阻剂膜的衬底W,在与缓冲区部BU1相同的层级(第1层),依序搬送到冷却部CP、检查部LSCM。在该衬底搬送中,第1衬底搬送机构MHU1向第1衬底搬送机构MHU1侧的冷却部CP及检查部LSCM搬送衬底W。另外,第2衬底搬送机构MHU2向第2衬底搬送机构MHU2侧的冷却部CP及检查部LSCM搬送衬底W。已利用检查部LSCM进行过检查的衬底W利用2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个搬送到送回部RT7。
此外,搬送到缓冲区部BU1的2个送回部RT1、RT2的衬底W在检查后搬送到送回部RT7。搬送到缓冲区部BU2的2个送回部RT3、RT4的衬底W在检查后搬送到送回部RT8。搬送到缓冲区部BU1的送回部RT5的衬底W在检查后搬送到送回部RT9。
另外,ID区块2内,对每3个层级设置冷却部CP及检查部LSCM。因此,无须将它们设置在处理区块3、5,能够削减衬底搬送机构MHU3、MHU4的搬送步骤,提升搬送效率。另外,能够削减检查部LSCM的设置数,减轻检查部LSCM间的校正作业。进而,处理区块3、5中,能够增加与检查部LSCM相关的单元以外的热处理部37的设置数,因此能提升产能。另外,例如2个衬底搬送机构MHU1、MHU2能够对送回部RT1相互取走衬底W,所以能用两侧的至少2个检查部LSCM并行处理衬底检查。另外,能够视需要使用其它层级的冷却部CP及检查部LSCM,所以冷却部CP及检查部LSCM能在3个层级相互灵活使用。
在利用检查部LSCM对衬底W进行检查后,第2衬底搬送机构MHU2从缓冲区部BU1、BU2、BU3的送回部RT7、RT8、RT9的任一个接收检查后的衬底W,将接收的衬底W送回载置在开启器13的载置台16的载体C。在将处理后的衬底W全部收纳后,载体搬送机构61从开启器13的载置台16向输出端口72搬送载体C。外部搬送机构OHT从输出端口72搬送载体C。
根据本实施例,如果将载体保管架63及载体搬送机构61相对于ID区块2及2个处理区块3、5设置在水平方向,那么与其相应地衬底处理装置1的占据面积变大。关于该方面,载体保管架63及载体搬送机构61以与2个处理区块3、5的一个(图24中为第2处理区块5)在俯视时重叠的方式配置。因此,能够抑制衬底处理装置1的占据面积增加。因此,能够将衬底处理装置1控制在有限的占据面积。另外,载体保管架63及载体搬送机构61搭载于第1处理区块3及第2处理区块5中高度较低的区块(图24中为第2处理区块5)上。因此,能够抑制衬底处理装置1的高度。
另外,本实施例中,能够以最多5个处理层A1~A3、B1、B2进行最多5个并行处理。
此外,本实施例中,如图24所示,在ID区块2设置着2个开启器11、13。关于该方面,为了从2个载体C交替地取出衬底W,或对2个载体C交替地收纳衬底W,也可以设置4个开启器11~14。例如,如图25A所示,上下配置用于取出衬底W的2个开启器11、12。另外,上下配置用于收纳衬底W的2个开启器13、14。也就是说,2个开启器11、12沿第1衬底搬送机构MHU1的机器手21及进退驱动部23的升降方向配置,2个开启器13、14沿第2衬底搬送机构MHU1的机器手21及进退驱动部23的升降方向。
另外,图25B是从图24的A-A观察的图。图25B中,载体保管架63可以构成为上下2段以上,从而能以2段以上保管载体C。此外,图25B中,表示图25A中说明的4个开启器11~14。本实施例的载体缓冲区装置101的侧面可以被壁包围。另外,5个处理层A1~A3、B1、B2分别形成光阻剂膜,但也可以形成其它膜(例如抗反射膜)。5个处理层A1~A3、B1、B2也可以分别进行显影处理或清洗处理。
[实施例5]
其次,参照附图对本发明的实施例5进行说明。此外,省略与实施例1~4重复的说明。
实施例4中,5个处理层A1~A3、B1、B2进行互为相同的涂布处理,但并不限定于此。实施例5中,第1处理区块3的3个处理层A1~A3形成例如3重膜(下层膜、中间膜、光阻剂膜)。另外,第2处理区块5的2个处理层B1、B2形成例如2重膜(下层膜、中间膜)。
参照图26。第1处理区块3具备3个处理层A1~A3。第1处理层A1的各涂布单元SC形成下层膜。下层膜例如为SOC(Spin On Carbon,旋涂碳)膜。第2处理层A2的各涂布单元SC形成中间膜。中间膜例如可列举SOG(Spin On Glass,旋涂玻璃)膜。第3处理层A3的各涂布单元SC(RESIST)形成光阻剂膜(上层膜)。另一方面,第2处理区块5具备2个处理层B1、B2。第1处理层B1的各涂布单元SC形成下层膜。第2处理层B2的各涂布单元SC形成中间层。
(8)衬底处理装置1的动作
参照图26,对本实施例的衬底处理装置1的动作进行说明。此外,图27是用于对实施例5的衬底处理装置的动作进行说明的流程图。
[步骤S41]利用ID区块2进行的衬底搬送(送出)
利用载体搬送机构61向开启器11的载置台16搬送载体C。第1衬底搬送机构MHU1从载置在开启器11的载置台16的载体C取出衬底W。在用第1处理区块3对衬底W进行处理的情况下,将取出的衬底W搬送到缓冲区部BU1的送出部SN1。在该情况下,行进到步骤S42。另一方面,在用第2处理区块5对衬底W进行处理的情况下,将取出的衬底W搬送到缓冲区部BU1的送出部SN2。在该情况下,行进到步骤S51。
[步骤S42]利用处理层A1进行的下层膜的形成
对从步骤S42至步骤S46,第1处理区块3的3个处理层A1~A3在衬底W形成3重膜(下层膜、中间膜及光阻剂膜)的动作进行说明。处理层A1的衬底搬送机构MHU3从缓冲区部BU1的送出部SN1接收衬底W,将接收的衬底W搬送到涂布单元SC及任意的热处理部37。其后,处理层A1的衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元SC形成了下层膜的衬底W搬送到缓冲区部BU1的送出部SN11。
[步骤S43]利用ID区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
ID区块2在衬底缓冲区BF中将形成了下层膜的衬底W从处理层A1的层级搬送到处理层A2的层级,由此形成处理层A2能够接收衬底W的状态。具体进行说明。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个从缓冲区部BU1的送出部SN11接收衬底W,将接收的衬底W搬送到缓冲区部BU2的送出部SN3。
[步骤S44]利用处理层A2进行的中间膜的形成
处理层A2的衬底搬送机构MHU3从缓冲区部BU2的送出部SN3接收衬底W,将接收的衬底W搬送到涂布单元SC及任意的热处理部37。其后,处理层A2的衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元SC形成了中间膜的衬底W搬送到缓冲区部BU2的送出部SN13。
[步骤S45]利用ID区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
ID区块2在衬底缓冲区BF中,将形成了中间膜的衬底W从处理层A2的层级搬送到处理层A3的层级,由此形成处理层A3能够接收衬底W的状态。具体进行说明。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个从缓冲区部BU2的送出部SN13接收衬底W,将接收的衬底W搬送到缓冲区部BU3的送出部SN5。
[步骤S46]利用处理层A3进行的光阻剂膜的形成
处理层A3的衬底搬送机构MHU3从缓冲区部BU3的送出部SN5接收衬底W,将接收的衬底W搬送到涂布单元SC及任意的热处理部37。其后,处理层A3的衬底搬送机构MHU3将利用涂布单元SC形成了光阻剂膜的衬底W搬送到缓冲区部BU3的送回部RT5。行进到步骤S54。
[步骤S51]利用处理层B1进行的下层膜的形成
对从步骤S51至步骤S53,第2处理区块5的2个处理层B1、B2在衬底W形成2重膜(下层膜、中间膜)的动作进行说明。处理层B1的衬底搬送机构MHU4从缓冲区部BU1的送出部SN2接收衬底W,将接收的衬底W搬送到涂布单元SC及任意的热处理部37。其后,处理层B1的衬底搬送机构MHU4将利用涂布单元SC形成了下层膜的衬底W搬送到缓冲区部BU1的送出部SN12。
[步骤S52]利用ID区块2进行的2个缓冲区部间的衬底搬送
ID区块2在衬底缓冲区BF中,将形成了下层膜的衬底W从处理层B1的层级搬送到处理层B2的层级,由此形成处理层B2能够接收衬底W的状态。具体进行说明。2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个从缓冲区部BU1的送出部SN12接收衬底W,将接收的衬底W搬送到缓冲区部BU2的送出部SN4。
[步骤S53]利用处理层B2进行的中间膜的形成
处理层B2的衬底搬送机构MHU4从缓冲区部BU2的送出部SN4接收衬底W,将接收的衬底W搬送到涂布单元SC及任意的热处理部37。其后,处理层B2的衬底搬送机构MHU4将利用涂布单元SC形成了中间膜的衬底W搬送到缓冲区部BU2的送回部RT4。行进到步骤S54。
[步骤S54]利用ID区块2进行的衬底搬送(送回)
2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个从缓冲区部BU2的送回部RT4接收形成了中间膜的衬底W,在与缓冲区部BU2相同的层级(第2层),将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、检查部LSCM。该检查后,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个将衬底W搬送到送回部RT8。另外,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个从缓冲区部BU3的送回部RT5接收形成了光阻剂膜的衬底W,在与缓冲区部BU3相同的层级(第3层)将接收的衬底W依序搬送到冷却部CP、检查部LSCM。该检查后,2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的一个将衬底W搬送到送回部RT9。
利用检查部LSCM进行衬底W的检查后,第2衬底搬送机构MHU2从缓冲区部BU2、BU3的送回部RT8、RT9的任一个接收检查后的衬底W,将接收的衬底W送回载置在开启器13的载置台16的载体C。利用载体搬送机构61从开启器13搬送收纳处理后的衬底W的载体C。
根据本实施例,具有与实施例4同样的效果。也就是说,能够抑制衬底处理装置1的占据面积增加。因此,能够将衬底处理装置1控制在有限的占据面积。另外,能够抑制衬底处理装置1的高度。
另外,本实施例中,第1处理区块3与第2处理区块5能够进行互不相同的处理。
另外,此处,设为有2台衬底处理装置。第1衬底处理装置具备ID区块及第1处理区块3,第2衬底处理装置具备ID区块及第2处理区块。在该情况下,2台衬底处理装置需要2台的设置面积。关于该方面,根据本实施例,2个处理区块3、5共有ID区块2。因此,1个ID区块的设置面积减少,能够减少具有2个处理区块3、5的衬底处理装置的占据面积。
此外,本实施例中,第1处理区块3的3个处理层A1~A3形成三层膜,第2处理区块5的2个处理层B1、B2形成2层膜。然而,利用2个处理区块3、5进行的处理并不限定于此。例如,第2处理区块5的2个处理层B1、B2也可以分别形成阻剂膜。在该情况下,处理层B1例如可以形成与处理层B2相同的阻剂膜,也可以形成其它阻剂膜。在该变化例的情况下,3个处理层A1~A3进行串列处理,2个处理层B1、B2进行并列并列处理。
另外,也可以如实施例2,2个处理层A1、B1在衬底W形成2重膜(下层膜及中间膜)。其余3个处理层A3、A2、B2在衬底W形成3重膜(下层膜、中间膜及光阻剂膜)。在该情况下,例如处理层A3形成下层膜后,处理层A2形成中间膜。其后,处理层B2形成光阻剂膜。在从处理层A2向处理层B2搬送衬底W的情况下,如实施例2,不使用2个衬底搬送机构MHU1、MHU2搬送衬底W。
本发明并不限定于所述实施方式,能够以如下方式变化实施。
(1)所述实施例1~3中,2个处理区块3、5分别具备2个处理层(例如处理层A1、A2)。关于该方面,第1处理区块3也可以具备1个或3个以上处理层。另外,第2处理区块5也可以具备1个或3个以上处理层。也就是说,2个处理区块3、5的至少一个也可以具备堆积配置的多个处理层。
(2)所述实施例1~3及变化例(1)中,图5中,载体保管架63未设置在ID区块2上。然而,载体保管架63也可以设置在ID区块2上。
(3)所述实施例1~3及各变化例中,如图3所示,载置台16配置在第1处理区块3及第2处理区块5二者的上方。关于该方面,载置台16也可以配置在第1处理区块3及第2处理区块5的一个的上表面之上或上方。也就是说,载置台16也可以配置在第1处理区块3及第2处理区块5的至少任一个的上表面之上或上方。
如图1所示,如果例如在ID区块202的侧面配置载置台216,那么与配置载置台216的面积相应地,衬底处理装置201的占据面积变大。关于该方面,根据本实施例,载置台16与第1处理区块3及第2处理区块5的至少任一个在俯视时重叠。因此,能够抑制衬底处理装置1的占据面积增加。
(4)所述实施例1~3及各变化例中,也可以在ID区块2内设置冷却部CP及检查部LSCM(至少检查部LSCM)。冷却部CP、检查部LSCM2配置在图5的箭头ARR1、ARR2的至少一个的位置。另外,冷却部CP、检查部LSCM例如设置在图3的2个处理层A1、A2的层级的每一层。检查部LSCM使用CCD相机或影像传感器对涂布膜(例如光阻剂膜)进行检查。例如,各处理区块3、5中,也可以将已利用涂布处理及加热冷却部PHP进行了涂布后的烘烤处理的衬底W搬送到ID区块2内的冷却部CP、检查部LSCM,于检查后送回载体C。
(5)所述实施例4、5中,第1处理区块3具备3个处理层A1~A3,第2处理区块5具备2个处理层B1、B2。关于该方面,2个处理区块3、5分别具有的处理层的个数也可以设定为其它个数。但,如实施例1,第1处理区块3的处理层的个数不可与第2处理区块5的处理层的个数相同。
(6)所述各实施例及各变化例中,如图21A所示,衬底载置部31形成为X字状,也可以是其它形状。例如,也可以是长方形或正方形。
(7)所述各实施例及各变化例中,如图3、图4所示,1个衬底缓冲区BF配置在第1处理区块3与第2处理区块5的中间。也可以视需要如图17所示,设置配置在X方向的2个衬底缓冲区BF1、BF2。
(8)所述各实施例及各变化例中,ID区块2具备2个衬底搬送机构MHU1、MHU2。关于该方面,ID区块2也可以是具备2个衬底搬送机构MHU1、MHU2的任一个的构成。
(9)所述各实施例及各变化例中,也可以如图3、图23所示,为了对由操作者搬运来的载体C进行处理,设置用于向载体搬送机构61(或载体缓冲区装置8)交付的升降机构98。升降机构98例如设置在第2处理区块5的侧面。升降机构98隔着第2处理区块5配置在ID区块2的相反侧。升降机构98具备载置台98A、及用于使载置台98A升降的电动马达。载置台98A由升降机构98支撑而能够在Y方向绕水平轴旋转,载体C的载置面能够与设置升降机构98的侧面平行地折叠。
(10)所述各实施例及各变化例中,在ID区块2设置4个开启器11~14。然而,开启器并不限定于4个。例如,也可以在ID区块2仅设置2个开启器11、13。在该情况下,开启器11用于取出衬底W,开启器13用于收纳衬底W。
本发明能够在不脱离其思想或本质的前提下以其它具体形式实施,因此,以上的说明并不表示发明的范围,而应当参照附加的权利要求书。
[符号的说明]
1:衬底处理装置
2:移载传送区块(ID区块)
3:第1处理区块
5:第2处理区块
8、101:载体缓冲区装置
9:控制部
16:载置台
C:载体
A1、A2、A3、B1、B2:处理层
BF:衬底缓冲区
BU1、BU2、BU3:缓冲区部
31:衬底载置部
35:支撑销
MHU1~MHU4:衬底搬送机构
61:载体搬送机构
63:载体保管架
Claims (11)
1.一种衬底处理装置,其特征在于,具备:
移载传送区块,设置着用于载置能够收纳衬底的载体的载体载置台;
第1处理区块;及
第2处理区块;
所述第1处理区块、所述移载传送区块及所述第2处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结,
所述移载传送区块配置在所述第1处理区块与所述第2处理区块的中间,在内部具备载置多个衬底的衬底缓冲区,
所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底,搬送到所述衬底缓冲区,
所述第1处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,
所述第2处理区块从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,
所述移载传送区块将从所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个搬送来的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述载体载置台配置在所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少任一个的上表面之上或上方。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,还具备:
载体保管架,搭载在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块中的至少任一个之上,用于保管所述载体;及
载体搬送机构,搭载在所述移载传送区块、所述第1处理区块及所述第2处理区块中的至少任一个之上,在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,还具备:
载体保管架,保管所述载体;及
载体搬送机构,在所述载体载置台与所述载体保管架之间搬送所述载体;
所述载体保管架及所述载体搬送机构搭载在所述第1处理区块及所述第2处理区块中高度较低的区块上。
5.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第2处理区块进行与所述第1处理区块内容相同的处理。
6.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述移载传送区块进而于内部具备移载传送用衬底搬送机构,
所述移载传送用衬底搬送机构在载置于所述载体载置台的载体与所述衬底缓冲区之间搬送衬底。
7.根据权利要求6所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述移载传送区块除具备所述移载传送用衬底搬送机构外,还于内部具备另一个移载传送用衬底搬送机构,
所述2个移载传送用衬底搬送机构以在与配置所述第1处理区块及所述第2处理区块的方向正交的方向上隔着所述衬底缓冲区的方式配置。
8.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第1处理区块具有第1搬送机构,
所述第2处理区块具有第2搬送机构,
所述第1处理区块利用所述第1搬送机构从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将已利用所述第1搬送机构进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区,
所述第2处理区块利用所述第2搬送机构从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将已利用所述第2搬送机构进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区。
9.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个具有以堆积的方式配置的多个处理层,
所述衬底缓冲区具备与所述多个处理层的层级对应地设置的多个缓冲区部,
所述缓冲区部构成为能够分别相对于所述移载传送区块装卸。
10.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述衬底缓冲区具有配置在上下方向的多个衬底载置部,
所述衬底载置部各自具有绕铅直轴配置且用于支撑1片衬底的3个支撑销,
所述3个支撑销构成为能够相对于所述衬底载置部各自装卸,
所述衬底载置部各自的3个支撑销以俯视时不与上一段及下一段的衬底载置部的3个支撑销重叠的方式配置。
11.一种衬底处理装置的衬底搬送方法,所述衬底处理装置具备:移载传送区块,设置着用于载置能够收纳衬底的载体的载体载置台;
第1处理区块;及
第2处理区块;所述衬底处理装置的衬底搬送方法的特征在于,具备如下步骤:
利用所述移载传送区块从载置在所述载体载置台的载体取出衬底,搬送到设置在所述移载传送区块的内部的衬底缓冲区;
利用所述第1处理区块,从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第1处理,将进行过所述第1处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区;
利用所述第2处理区块,从所述衬底缓冲区接收衬底,对接收的衬底进行第2处理,将进行过所述第2处理的衬底搬送到所述衬底缓冲区;及
利用所述移载传送区块,将从所述第1处理区块及所述第2处理区块的至少一个搬送来的衬底从所述衬底缓冲区送回载置于所述载体载置台的所述载体;且
所述第1处理区块、所述移载传送区块及所述第2处理区块以该顺序在水平方向上呈直线状连结,
所述衬底缓冲区配置在所述第1处理区块与所述第2处理区块的中间,载置多个衬底。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5844662A (en) * | 1995-07-28 | 1998-12-01 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus and a resist processing method |
JP2008263004A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Rorze Corp | コンテナの受渡、留置、並びに供給装置。 |
CN101335187A (zh) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | 株式会社迅动 | 基板处理装置 |
US20150279713A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate transporting method |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6457199B1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-10-01 | Lam Research Corporation | Substrate processing in an immersion, scrub and dry system |
KR100819176B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-04-04 | 주식회사 케이씨텍 | 대면적 기판 공정 챔버 시스템 |
KR100914399B1 (ko) | 2007-08-09 | 2009-08-31 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 |
KR101019212B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2011-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 방법 |
JP5318005B2 (ja) | 2010-03-10 | 2013-10-16 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置、ストッカー装置および基板収納容器の搬送方法 |
TW202203356A (zh) | 2012-02-10 | 2022-01-16 | 美商布魯克斯自動機械公司 | 基材處理設備 |
JP5880247B2 (ja) | 2012-04-19 | 2016-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6239813B2 (ja) | 2012-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6425639B2 (ja) | 2015-04-08 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
KR101768519B1 (ko) | 2015-06-29 | 2017-08-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 |
US9698036B2 (en) * | 2015-11-05 | 2017-07-04 | Lam Research Corporation | Stacked wafer cassette loading system |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5844662A (en) * | 1995-07-28 | 1998-12-01 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus and a resist processing method |
JP2008263004A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Rorze Corp | コンテナの受渡、留置、並びに供給装置。 |
CN101335187A (zh) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | 株式会社迅动 | 基板处理装置 |
US20150279713A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate transporting method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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