CN112242157A - 数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备 - Google Patents

数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备，属于存储技术领域。所述方法包括：确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，代表性字线为多个字线中满足性能要求的字线；基于代表性字线的原始数据读电压，确定多个字线的数据读电压。如此，实现了从全局字线中选择少量的具有代表性的字线，基于具有代表性的字线的数据读电压确定全局字线的数据读电压的效果，简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响。

Description

数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备
技术领域
本申请实施例涉及存储技术领域，特别涉及一种数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备。
背景技术
目前，存储设备一般包括多个晶粒(Die)，每个晶粒包括多个面(Plane)，每个面包括多个块(Block)，每个块包括多个字线(Word Line，WL)。为了保证存储设备中的数据能够有效读取成功，对于存储设备中的每个块，通常需要预先确定该块中各个字线的数据读电压，以便利用确定出的数据读电压来读取数据。其中，字线的数据读电压是指施加给字线后能够正确读取数据的读电压，也可称最优读电压(Optimal Voltage)。
相关技术中，对于某个块包括的多个字线，一般需要搜索每个字线的数据读电压。对于每个字线，可以采用阈值电压遍历的方式，依次将不同的读电压施加给该字线，并确定施加读电压后字线中的电子个数，然后根据施加的读电压与字线中电子个数的对应关系，统计该字线的阈值电压分布，将该字线的阈值电压分布中的谷底电压，确定为该字线的数据读电压。
由于对于存储设备中每个块，需要搜索每个块中所有字线的数据读电压，搜索方式较为繁琐，且需要基于不同的读电压进行较多次的读操作，这将会极大地影响存储设备的性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种数据读电压的确定方法、参数确定方法、装置及设备，可以用于解决相关技术中存在的数据读电压的确定方式较为繁琐的问题。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种数据读电压的确定方法，所述方法包括：
确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，所述代表性字线为所述多个字线中满足性能要求的字线；
基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压。
可选地，
所述代表性字线为对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线；
或者，
所述代表性字线是通过如下步骤获取得到：
获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到所述代表性字线。
可选地，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，包括：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
可选地，所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到所述代表性字线，包括：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
可选地，所述代表性字线的原始数据读电压是对所述代表性字线的初始读电压进行调整得到，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；
或者，
所述代表性字线的原始数据读电压是通过如下步骤获取得到：
获取所述代表性字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；
基于所述代表性字线的初始读电压在所述代表性字线上的性能表现数据，对所述代表性字线的初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的原始数据读电压。
可选地，所述代表性字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述基于所述代表性字线的初始读电压在所述代表性字线上的性能表现数据，对所述代表性字线的初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的原始数据读电压，包括：
从所述代表性字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述代表性字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
可选地，所述代表性字线包括至少一个字线，所述基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压，包括：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线的数据读电压。
可选地，所述至少一个字线中每个字线的原始数据读电压包括所述每个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线的数据读电压，包括：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线在第一存储设备状态下的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线在所述第一存储设备状态下的原始数据读电压，所述第一存储设备状态为所述不同存储设备状态中的任一存储设备状态。
可选地，所述至少一个字线的权重系数是指能够保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的一组权重系数；
或者，
所述至少一个字线的权重系数是通过如下步骤获取得到：
根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
可选地，所述根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，包括：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
另一方面，提供了一种参数确定方法，所述方法包括：
获取多个字线的原始数据读电压；
获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
可选地，所述获取多个字线的原始数据读电压，包括：
对于所述多个字线中的第一字线，确定所述第一字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压，所述第一字线为所述多个字线中的任一个；
基于所述第一字线的初始读电压在所述第一字线上的性能表现数据，对所述第一字线的初始读电压进行调整，得到所述第一字线的原始数据读电压。
可选地，所述第一字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述基于所述第一字线的初始读电压在所述第一字线上的性能表现数据，对所述第一字线的初始读电压进行调整，得到所述第一字线的原始数据读电压，包括：
从所述第一字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
可选地，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线，包括：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
可选地，所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线，包括：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
可选地，所述代表性字线包括至少一个字线，所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线之后，还包括：
根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数；其中，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
可选地，所述根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，包括：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
又一方面，提供了一种数据读电压的确定装置，所述装置包括：
第一确定模块，用于确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，所述代表性字线为所述多个字线中满足性能要求的字线；
第二确定模块，用于基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压。
可选地，所述代表性字线为对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线；
或者，所述装置还包括：
第一获取模块，用于获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到所述代表性字线。
可选地，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述第一获取模块用于：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
可选地，所述第一获取模块用于：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
可选地，所述代表性字线的原始数据读电压是对所述代表性字线的初始读电压进行调整得到，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；
或者，所述装置还包括：
第二获取模块，用于获取所述代表性字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；基于所述代表性字线的初始读电压在所述代表性字线上的性能表现数据，对所述代表性字线的初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的原始数据读电压。
可选地，所述代表性字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述第二获取模块用于：
从所述代表性字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述代表性字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
可选地，所述代表性字线包括至少一个字线，所述第二确定模块用于：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线的数据读电压。
可选地，所述至少一个字线中每个字线的原始数据读电压包括所述每个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述第二确定模块用于：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线在第一存储设备状态下的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线在所述第一存储设备状态下的原始数据读电压，所述第一存储设备状态为所述不同存储设备状态中的任一存储设备状态。
可选地，所述至少一个字线的权重系数是指能够保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的一组权重系数；
或者，所述装置还包括：
第三获取模块，用于根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
可选地，所述第三获取模块用于：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
另一方面，提供了一种参数确定方法，所述方法包括：
第一获取模块，用于获取多个字线的原始数据读电压；
第二获取模块，用于获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
选择模块，用于从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
可选地，所述第一获取模块用于：
对于所述多个字线中的第一字线，确定所述第一字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压，所述第一字线为所述多个字线中的任一个；
基于所述第一字线的初始读电压在所述第一字线上的性能表现数据，对所述第一字线的初始读电压进行调整，得到所述第一字线的原始数据读电压。
可选地，所述第一字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述第一获取模块用于：
从所述第一字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
可选地，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述第二获取模块用于：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
可选地，所述选择模块用于：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
可选地，所述代表性字线包括至少一个字线，所述装置还包括：
确定模块，用于根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数；其中，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
可选地，所述确定模块用于：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
又一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令、至少一段程序、代码集或指令集，所述指令、所述程序、所述代码集或所述指令集由所述处理器加载并执行以实现上述任一种数据读电压的确定方法。
又一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令、至少一段程序、代码集或指令集，所述指令、所述程序、所述代码集或所述指令集由处理器加载并执行以实现上述任一种数据读电压的确定方法。
又一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令、至少一段程序、代码集或指令集，所述指令、所述程序、所述代码集或所述指令集由所述处理器加载并执行以实现上述任一种参数确定方法。
又一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质中存储有至少一条指令、至少一段程序、代码集或指令集，所述指令、所述程序、所述代码集或所述指令集由处理器加载并执行以实现上述任一种参数确定方法。
又一方面，提供了一种计算机程序产品，当该计算机程序产品被执行时，其用于实现上述任一种数据读电压的确定方法。
又一方面，提供了一种计算机程序产品，当该计算机程序产品被执行时，其用于实现上述任一种参数确定方法。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请实施例中，对于多个字线，可以先确定多个字线中满足性能要求的代表性字线的原始数据读电压，再基于少量的代表性字线的原始数据读电压，来确定全局字线的数据读电压。如此，简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种MLC中某个字线的阈值电压分布图；
图2是本申请实施例提供的一种参数确定方法的流程图；
图3是本申请实施例提供的一种确定代表性字线的流程示意图；
图4是本申请实施例提供的另一种参数确定方法的流程图；
图5是本申请实施例提供的一种对代表性字线的数据读电压进行加权求和的示意图；
图6是本申请实施例提供的一种采用粒子群优化算法优化权重系数变量的流程示意图；
图7是本申请实施例提供的又一种参数确定方法的流程图；
图8是本申请实施例提供的一种采用自适用梯度下降法进行电压调整的示意图；
图9是本申请实施例提供的一种数据读电压的确定方法流程图；
图10是本申请实施例提供的另一种数据读电压的确定方法流程图；
图11是本申请实施例提供的一种数据读电压的确定装置框图；
图12是本申请实施例提供的一种参数确定装置的框图；
图13是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
在对本申请实施例进行详细地解释说明之前，先对本申请实施例的应用场景予以说明。
本申请实施例应用于确定块中多个字线的数据读电压的场景中，具体可以应用于电子设备开机时的阈值电压Calibration(标定)环节，或者求解Fast Table(快速表)、Retry Table(重试表)的环节等，当然也可以应用于需要确定数据读电压的其他场景中，本申请实施例对此不作限定。
请参考图1，图1是本申请实施例提供的一种MLC中某个字线的阈值电压分布图，图中横坐标为在字线上施加的不同的读电压，纵坐标为字线中的电子个数。由图1可知，该字线的阈值电压分布中存在3个谷底电压Va，Vb和Vc，因此可以将这3个谷底电压Va，Vb和Vc作为该字线的一组数据读电压。
但是在闪存上，由于不同存储设备状态的影响，可能会导致字线的阈值电压分布发生变化。如图1所示，字线的阈值电压分布向右发生偏移(图1中的虚线所示)，进而导致谷底电压发生偏移，偏移后的谷底电压分别为Va'，Vb'和Vc'。如果这种情况下，仍然用Va，Vb和Vc作为数据读电压去读取数据，很可能会发生数据读失败。由此可知，由于各种干扰因素的影响，所确定出的谷底电压不一定是最优的数据读电压，这将导致确定出的数据电压的准确度较低，基于确定出的数据读电压来读取数据可能会产生较多读错误。因此为了保证数据有效读取成功，需要确定出较为准确的数据读电压，才能有效保证数据读取的完整性。
本申请实施例中，通过基于多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，来确定多个字线中的代表性字线，再基于代表性字线的原始数据读电压，来确定全局字线的数据读电压，一方面可以简化数据读电压的确定方式，减少数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低对存储设备性能的影响，另一方面还可以提高确定数据读电压的准确性，进而保证数据读取的完整性。
本申请实施例提供的数据读电压的确定方法和参数确定方法应用于电子设备中，比如应用于集成有存储设备的电子设备中。其中，该电子设备可以为终端或服务器等，终端可以为手机、平板电脑、计算机或智能可穿戴设备等，服务器可以为应用的后台服务器或存储系统中的任一存储节点等。
其中，该存储设备可以为易失性存储设备或非易失性存储设备。非易失性存储设备可以为闪存(Flash Memory)、NAND(Not AND，与非)闪存、ROM(Read-Only Memory，只读存储器)或EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，电可擦可编程只读存储器)等，本申请实施例对该存储设备的类型不作限定。
需要说明的是，本申请实施例中，为了快速确定多个字线的数据读电压，需要预先从多个字线中确定少量具有代表性的代表性字线，以便基于少量代表性字线的原始数据读电压，来快速确定全局字线的数据读电压。为了便于理解，接下来，先对确定多个字线中的代表性字线的过程进行介绍。
请参考图2，图2是本申请实施例提供的一种参数确定方法的流程图，该方法应用于电子设备中。如图2所示，该方法包括：
步骤201：获取多个字线的原始数据读电压。
其中，多个字线为存储设备的某个块中的全部字线或部分字线。多个字线中每个字线的原始数据读电压可以是初始读电压，也可以是对初始读电压进行调整得到的数据读电压。其中，初始读电压可以是预先设置的数据读电压，也可以是采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压。
也即是，每个字线的原始数据读电压可以是预先设置的数据读电压，或者是采用传统的阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压，或者是对预先设置的数据读电压或者采用传统的阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压进行调整得到的数据读电压。当然，每个字线的原始数据读电压也可以采用其他方式获取得到，本申请实施例对此不作限定。
作为一个示例，每个字线的数据读电压可以基于每个字线的初始读电压进行调整得到，比如采用梯度下降法对每个字线的初始读电压进行调整得到，当然也可以采用其他方式确定得到，本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，对每个字线的初始读电压进行调整得到每个字线的原始数据读电压的过程将在下述图7实施例中进行详细描述，本申请实施例在此先不做详述。
还需要说明的是，各个字线的原始数据读电压可以包括一组数据读电压(1个或多个数据读电压)，这一组数据读电压可以用于区分不同的存储设备状态。
比如，NAND闪存包括四种闪存类型，分别为SLC(Single-Level Cell，单层单元)、MLC(Multi-Level Cell，多层单元)、TLC(Trinary-Level Cell，三级单元)和QLC(Quad-Level Cell，四级单元)。其中，SLC中每个字线的一组数据读电压包括1个数据读电压，MLC中每个字线的一组数据读电压包括3个数据读电压，TLC中每个字线的一组数据读电压包括7个数据读电压，QLC中每个字线的一组数据读电压包15个数据读电压。
其中，存储设备状态可以用P/E Cycle(Program/Erase Cycle，擦写次数)、ReadDisturb(读次数)、Program Disturb(编程次数)以及Data Retention(数据放置时间)中的至少一种设备状态参数来指示。不同的存储设备状态所包括的状态参数的参数值不同。
比如，SLC的一个存储单元存储1bit数据，对应了2个存储设备状态，这2个存储设备状态用1个数据读电压来进行区分。MLC的一个存储单元存储2bit数据，对应了4个存储设备状态，4个存储设备状态用3个数据读电压来进行区分。TLC的一个存储单元存储3bit数据，对应了8个存储设备状态，8个存储设备状态用7个数据读电压来进行区分。QLC的一个存储单元存储4bit数据，对应了16个存储设备状态，16个存储设备状态用15个数据读电压来进行区分。
另外，每个字线的一组数据读电压可以用于读取该字线的不同类型的页(Page)。其中，不同类型的页可以包括LSB(Least Significant Bit，最低有效位)页、CSB(CentralSignificant Bit，中间有效位)页或MSB(Most Significant Bit，最高有效位)页等。
比如，以TLC闪存设备为例，TLC闪存设备的一个字线的原始数据读电压包括一组数据读电压(A，B，C，D，E，F，G)。其中，(A，E)用于读LSB页，(B，D，F)用于读CSB页，(C，G)用于读MSB页。
步骤202：获取多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据。
其中，各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据包括将各个字线的原始数据读电压分别施加给多个字线后这多个字线的指定性能。
比如，对于多个字线中的第一字线，将第一字线的原始数据读电压分别施加给多个字线，然后确定这多个字线的指定性能，这多个字线的指定性能即为第一字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据。其中，第一字线可以为多个字线中的任一个。
需要说明的是，指定性能为预先设置的性能，用于衡量数据读电压的精确度，即用于衡量当前设置的读电压为最优的数据读电压的可能性。比如，指定性能为用于指示读错误反馈次数的性能，如Error Count(比特翻转数)等。或者，指定性能为用于指示校验方程通过个数的性能等。
另外，各个字线的原始数据读电压还可以包括各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压。比如，第一字线的数据读电压可以包括第一字线分别在第一存储设备状态下的原始数据读电压，在第二存储设备状态下的原始数据读电压，以及在第三存储设备状态下的原始数据读电压。
其中，不同存储设备状态包括多个存储设备状态，这不同的存储设备状态中任意两个存储设备状态所包括的至少一个状态参数的参数值不完全相同。且不同的存储设备状态的状态越多，不同存储设备状态下的性能表现数据越多，则选择的代表性字线的代表性越强，最终基于代表性字线的原始数据读电压确定的多个字线的数据读电压越准确。
若各个字线的原始数据读电压包括在不同存储设备状态下的原始数据读电压，则获取多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据的操作可以包括：对于多个字线中的第一字线，获取第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据。其中，第一字线为多个字线中的任一个。
作为一个示例，可以将第一字线在不同存储设备状态的原始数据读电压分别施加给处于对应存储设备状态下的多个字线，然后确定这多个字线的指定性能，即可得到第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压分别在多个字线上的性能表现数据。
比如，对于多个字线中的第一字线，将第一字线在第一存储设备状态的原始数据读电压分别施加给处于第一存储设备状态下的多个字线，并确定施加后的多个字线的指定性能，即可得到第一字线在第一存储设备状态下的原始数据读电压分别在多个字线上的性能表现数据。其中，第一存储设备状态为不同存储设备状态中的任一个。
需要说明的是，可以在离线状态下，获取多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，也可以在在线状态下，获取多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，本申请实施例对此不作限定。
步骤203：从多个字线中选择对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
作为一个示例，可以基于各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，确定各个字线的代表性评估值，然后按照代表性评估值从大到小的顺序，从多个字线中选择排序在前的N个字线，得到代表性字线。其中，N为正整数，可以为1，也可以为大于1的整数。
也即是，基于各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，从多个字线中选择对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现较好的至少一个字线，将性能表现较好的至少一个字线作为代表性字线。
其中，字线的代表性评估值用于指示对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现的优劣。且代表性评估值越大，则表示对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现越好。
其中，若各个字线的原始数据读电压包括各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压，还可以基于各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，确定各个字线的代表性评估值。
作为一个示例，对于多个字线中的第一字线，可以从第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压分别在多个字线上的性能表现数据中，确定将第一字线的原始数据读电压施加到多个字线上后这多个字线的指定性能值，从这多个字线的指定性能值中确定目标指定性能值，基于目标指定性能值，以及指定性能值与代表性评估值之间的对应关系，确定第一字线的代表性评估值。
其中，目标指定性能值可以为最小指定性能值或最大指定性能值。代表性评估值与指定性能值可以呈正比，也可以呈反比。比如，若指定性能值为ErrorCount值，则代表性评估值与指定性能值呈反比。
比如，以指定性能为Error Count为例，则可以从第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压分别在多个字线上的性能表现数据中，确定将第一字线的原始数据读电压施加到多个字线上后这多个字线的Error Count值，从这多个字线的Error Count值中确定最小Error Count值，基于最小Error Count值，以及Error Count值与代表性评估值的对应关系，确定第一字线的代表性评估值。
请参考图3，图3是本申请实施例提供的一种确定代表性字线的流程示意图，如图3所示，假设一个块中有256个字线，则从这256个字线中确定代表性字线的过程可以包括如下步骤：
步骤301：确定256个字线中各个字线的原始数据读电压。
步骤302：将256个字线中各个字线的原始数据读电压分别施加到这256个字线上，来确定各个字线的原始数据读电压在256个字线上的性能表现数据。
步骤303：基于各个字线的原始数据读电压在256个字线上的性能表现数据，从这256个字线中选择对应的原始数据读电压在256个字线上的性能表现较好的N个字线。
步骤304：将选择的N字线作为代表性字线。
本申请实施例中，通过基于多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据，来确定多个字线中的代表性字线，可以从多个字线中搜索出性能表现较优的代表性字线，这样后续即可直接根据代表性字线的原始数据读电压来确定全局字线的数据读电压，从而简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响，而且可以提高确定数据读电压的准确性，进而保证了数据读取的完整性。
在从多个字线中确定代表性字线之后，为了提高基于代表性字线的原始数据读电压来确定全局字线的数据读电压的准确性，还可以预先确定代表性字线的权重系数。接下来，对确定代表性字线的权重系数的过程进行详细介绍。
请参考图4，图4是本申请实施例提供的另一种参数确定方法的流程图，该方法应用于电子设备中。如图4所示，该方法包括：
步骤401：根据代表性字线所包括的至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定至少一个字线的权重系数。
其中，代表性字线可以包括N个字线，N为正整数。
其中，预设约束条件用于保证对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求。比如，该预设约束条件可以为至少一个代表性字线的原始数据读电压的加权求和结果在多个字线的性能表现最好。
作为一个示例，可以以至少一个代表性字线的原始数据读电压的加权求和结果在多个字线的性能表现最好为优化目标，采用优化算法，确定至少一个代表性字线的权重系数。
比如，对约束方程进行最优化求解，得到至少一个字线的权重系数变量的值，这至少一个字线的权重系数变量的值即为这至少一个字线的权重系数。
其中，约束方程中包括这至少一个字线的权重系数变量，即这至少一个字线的权重系数变量为约束方程中的未知变量，可以通过对该约束方程进行最优化求解得到。另外，该预设方程是根据至少一个字线的原始数据读电压、至少一个字线的权重系数变量、以及预设约束条件构建得到。
作为一个示例，根据至少一个字线的原始数据读电压、至少一个字线的权重系数变量、以及预设约束条件构建约束方程的过程可以包括如下步骤4011-4013：
步骤4011：基于至少一个字线的权重系数变量，对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，以构建加权结果方程。
其中，至少一个字线的权重系数变量为未知变量，加权结果方程包括至少一个代表性字线的权重系数变量，即包括至少一个未知变量。
比如，请参考图5，若代表性字线包括3个字线，分别为WL1、WL2和WL3，这3个字线的原始数据读电压分别为V1、V2和V3。假设这3个字线的权重系数变量分别为W1、W2和W3，且均为未知量，则可以根据W1、W2和W3对V1、V2和V3进行加权求和，得到加权结果方程VY＝V1W1+V2W2+V3W3。
步骤4012：基于数据读电压与指定性能之间的对应关系，构建施加加权结果方程所指示的数据读电压后这多个字线的指定性能方程。
其中，数据读电压与指定性能之间的对应关系可以预先根据不同数据读电压与对应的指定性能进行统计得到。比如，指定性能可以为Error Count。这多个字线的指定性能表达式也包括这至少一个字线的权重系数变量。
请参考图5，可以基于数据读电压与指定性能之间的对应关系，确定加权结果方程Vγ对应的指定性能方程Obj。
步骤4013：基于施加加权结果方程所指示的数据读电压后这多个字线的指定性能方程，构建综合性能方程，将综合性能方程作为约束方程。
其中，综合性能方程可以用于指示施加加权结果方程所指示的数据读电压后这多个字线的指定性能中的最大指定性能或最小指定性能。综合性能方程也包括这至少一个字线的权重系数变量。比如，若指定性能为Error Count，则综合性能方程用于指示施加加权结果方程所指示的数据读电压后这多个字线的Error Count值中的最小Error Count值。
需要说明的是，若综合性能越大，表示多个字线的性能表现越好，则可以以综合性能方程的最大值为优化目标，对综合性能方程进行最优化求解，得到至少一个字线的权重系数。若综合性能越小，表示多个字线的性能表现越好，则可以以综合性能方程的最小值为优化目标，对综合性能方程进行最优化求解，得到至少一个字线的权重系数。
比如，若综合性能方程用于指示施加加权结果方程所指示的数据读电压后这多个字线的Error Count值中的最小Error Count值，则可以以综合性能方程Obj的最小值为优化目标，对综合性能方程进行最优化求解，得到能够使得综合性能方程最小的至少一个字线的权重系数变量对应的权重值。
需要说明的是，对综合性能方程进行最优化求解所采用的最优化求解算法可以为粒子群优化算法、遗传算法、差分进化算法、萤火虫算法、蝙蝠算法、鱼群算法、野草算法、和声搜索算法或梯度下降法等，本申请实施例对所采用的最优化求解算法不作限定。
作为一个示例，若采用的最优化求解算法为粒子群优化算法，则综合性能方程的最优化求解过程可以通过迭代得到。如图6所示，首先，初始化种群的规模以及最大迭代次数，并且设置权重系数变量的求解范围。然后，生成种群规模大小的粒子，求解每个粒子对应的适应度函数，得到目标函数的大小。其中，粒子为权重系数变量，适应度为综合指定性能表达式。之后，对于每个粒子，将其适应度值与其经历过最好的适应度值进行比较，如果比较结果为较好，则将其对应的最好位置保留，也即将这组权重系数变量保留，在迭代一次之后，再生成粒子的时候，就以第一次种群中最好的粒子作为基础，来生成另一个种群大小的粒子，然后继续判断每个粒子的适应度函数值。这样一直迭代，直到迭代次数达到设置的最大迭代次数，则结束迭代，此时的适应度最小值对应的粒子，就是要求解的权重系数变量对应的权重系数。
本申请实施例中，通过基于保证对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求的约束条件，来确定代表性字线的权重系数，可以便于后续基于代表性字线的权重系数对代表性字线的原始数据读电压进行加权求和，得到更为准确的全局数据读电压，进一步提高了确定数据读电压的准确性，保证了数据读取的完整性。
需要说明的是，多个字线中的代表性字线需要基于多个字线中各个字线的原始数据读电压来确定，代表性字线的权重系数需要基于代表性字线中各个字线的原始数据读电压来确定，而在一种可能的实现方式中，单个字线的原始数据读电压可以通过对单个字线的初始读电压进行调整得到。接下来，对单个字线的原始数据读电压的确定过程进行举例说明。
请参考图7，图7是本申请实施例提供的又一种参数确定方法的流程图，该方法应用于电子设备中。如图7所示，该方法包括：
步骤701：确定第一字线的初始读电压。
其中，第一字线可以为任一字线，比如为多个字线中的任一字线，或者为代表性字线中的任一字线。也即是，对于多个字线中的每个字线，或者代表性字线中的每个字线，均可以采用本申请实施例提供的方式来确定每个字线的原始数据读电压。
其中，初始读电压可以为预先设置的数据读电压，或者为采用传统的阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压，本申请实施例对此不作限定。
步骤702：基于第一字线的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，对第一字线的初始读电压进行调整，得到第一字线的原始数据读电压。
作为一个示例，可以基于第一字线的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，采用梯度下降法对第一字线的初始读电压进行调整，得到第一字线的原始数据读电压。其中，该梯度下降法可以为普通的梯度下降法，也可以为自适应梯度下降法或者梯度下降法的不同变种形式等，本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，相关技术中通常采用阈值电压遍历的方式来搜索各个字线的数据读电压，这种方式读操作的次数非常多。而且，遍历过程中搜索出的谷底电压也不一定是数据读电压，所确定的数据读电压的精确度较低，进而导致基于这种方式确定出的数据读电压来读数据时，可能会产生较多的读错误。
本申请实施例中，为了有效降低在搜索数据读电压环节的读次数，提高数据读电压的精确度，减少读错误的发生，可以先将采用阈值电压遍历方式遍历到的各个字线的数据读电压设置为初始读电压，然后基于各个字线的初始读电压在各自字线上的性能表现数据，对各个字线的初始读电压进行调整，得到各个字线的原始数据读电压。
其中，第一字线的初始读电压可以包括一组初始读电压，这一组初始读电压可以包括一个或多个初始读电压。比如，第一字线的初始读电压包括一组初始读电压，且这一组初始读电压用于读取不同类型的页。其中，不同类型的页可以包括LSB页、CSB页或SSB页等。
作为一个示例，以自适应梯度下降法为例，基于第一字线的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，采用自适应梯度下降算法对第一字线的初始读电压进行调整可以包括如下步骤：
1)调整第一字线的初始读电压两次，即连续改变第一字线的初始读电压两次，并获取每次调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据。
示例的，两次调整可以包括一次电压增大的调整和一次电压减小的调整。
2)根据两次调整中每次调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，确定初始读电压的调整梯度方向和调整步长。
其中，调整梯度方向用于指示初始读电压的变化方向，可以为电压减小方向或电压增大方向。比如，可以将两次调整中调整后在第一字线上的性能表现数据变好的梯度方向，确定为初始读电压的调整梯度方向。
其中，调整步长可以预先设置，也可以根据调整后的性能表现数据进行确定，本申请实施例对此不作限定。
3)沿着调整梯度方向，按照调整步长依次对第一字线的初始读电压进行调整，并确定每次调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，直至基于调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，确定调整梯度方向发生改变时，将最后一次调整前的初始读电压确定为第一字线的原始数据读电压。
其中，最后一次调整是指导致调整梯度方向发生改变的调整。
也即是，可以沿着调整梯度方向，按照调整步长依次对第一字线的初始读电压进行调整，并确定每次调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，以及根据调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，确定调整梯度方向是否发生改变。若调整梯度方向未发生变化，则表示性能表现数据继续往变好的方向发展，这种情况下就继续沿着调整梯度方向，按照调整步长进行调整。若调整梯度方向发生变化，则表示性能表现数据继续往变差的方向发展，这种情况下也就不需要继续进行调整，并将最后一次调整前的初始读电压作为数据读电压。
作为另一个示例，若第一字线的初始读电压包括一组初始读电压，且这一组初始读电压用于读取不同类型的页，则基于第一字线的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，对第一字线的初始读电压进行调整还可以包括：从第一字线的初始读电压包括的一组数据读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压。然后，基于该至少一个初始读电压在读取第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用梯度下降法，对至少一个初始读电压进行调整，将调整后的至少一个初始读电压作为第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
其中，第一类型页为不同类型中任一类型的页。第一类型页可以为LSB页、CSB页或SSB页等。第一字线的原始读电压可以包括第一字线的不同类型的页对应的原始数据读电压。梯度下降法可以为自适应梯度下降法等。
在一种实现方式中，若至少一个初始读电压包括1个初始读电压，则基于至少一个初始读电压在读取第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对至少一个初始读电压进行调整可以包括如下步骤：
1)对于这1个初始读电压，调整该初始读电压两次，即连续改变该初始读电压两次，并获取每次调整后的初始读电压在第一字线的第一类型页上的性能表现数据。
其中，每次调整后的初始读电压在第一字线的第一类型页上的性能表现数据是指将调整后的初始读电压施加到第一字线上来读取第一类型页后，第一字线的指定性能。
2)根据两次调整中每次调整后的初始读电压在第一字线上的性能表现数据，确定该初始读电压的调整梯度方向和调整步长。
3)沿着调整梯度方向，按照调整步长依次对该初始读电压进行调整，并确定每次调整后的初始读电压在第一字线的第一类型页上性能表现数据，直至基于调整后的初始读电压在第一字线的第一类型页上的性能表现数据，确定调整梯度方向发生改变时，将最后一次调整前的初始读电压确定为第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
4)按照上述方式确定第一字线的不同类型的页对应的原始数据读电压。
将所述至少一个数据读电压的目标调整电压，确定为所述第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
在另一种实现方式中，若至少一个初始读电压包括多个初始读电压，则基于至少一个初始读电压在读取第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对至少一个初始读电压进行调整可以包括如下步骤：
1)在固定至少一个初始读电压中除第一读电压之外的其他读电压的情况下，分别调整第一读电压两次，即连续改变第一读电压两次，第一读电压为至少一个初始读电压中的任一个。
也即是，先固定至少一个初始读电压中其他读电压不变，并对其中一个读电压进行调整，来寻找该读电压的最优值，即寻找该读电压的目标调整电压。然后，再按照这种方式依次对其他读电压进行调整，直至得到该至少一个初始读电压中所有读电压的目标调整电压为止。
另外，需要说明的是，对于其他读电压中的任一读电压，若该读电压还未被调整过，则将该读电压固定为初始读电压，若该数据读电压已被调整过，则将该读电压固定为调整后的目标调整电压。
2)根据两次调整中每次调整后的第一读电压在第一字线上的性能表现数据，确定第一读电压的调整梯度方向和调整步长。
3)沿着调整梯度方向，按照调整步长依次对第一读电压进行调整，并确定每次调整后的第一读电压在第一字线的第一类型页上性能表现数据，直至基于调整后的第一读电压在第一字线的第一类型页上的性能表现数据，确定调整梯度方向发生改变时，将最后一次调整前的第一读电压确定为第一读电压的目标调整电压。
在对至少一个初始读电压中的一个初始读电压调整完成后，可以继续按照上述调整方式，调整其他初始读电压，直至对至少一个初始读电压中的每个初始读电压均调整完成为止。通过对至少一个初始读电压中的每个初始读电压进行调整，可以将其调整为使得字线的性能更好的原始数据读电压，从而提高了数据读电压的精确度。
4)将至少一个初始读电压的目标调整电压，确定为第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
作为一个示例，以存储设备为TLC闪存设备为例，该存储设备的一个字线的初始读电压包括一组初始读电压(A，B，C，D，E，F，G)。其中，(A，E)用于读LSB页，(B，D，F)用于读CSB页，(C，G)用于读MSB页。对于(A，E)，(B，D，F)和(C，G)这几组初始读电压，均可以按照上述方式进行调整，得到每组初始读电压对应的目标调整电压。
比如，如图8所示，对于初始读电压(A，E)，可以先固定其中的第一个数据读电压，并改变第二个数据读电压。基于连续改变两次中每次改变后字线的Error Count值，确定调整梯度方向和调整步长，该调整梯度方向为调整后字线的Error Count值减小的梯度方向。然后沿着调整梯度方向，按照调整步长依次对第二个数据读电压进行调整，并判断调整后的调整梯度方向是否发生变化。若调整后的梯度方向未发生变化，则继续调整。若调整后的梯度方向发生变化，则将最后一次调整前的数据读电压确定为第二个数据读电压的目标调整电压。然后，固定第二个数据读电压为其目标调整电压，并改变第一个数据读电压，按照调整第二个数据读电压的方式对第一个数据读电压进行调整，找到第一个数据读电压的目标调整电压。
本申请实施例中，通过基于在各个字线上性能表现数据，对各个字线通过阈值电压遍历方式搜索到的数据读电压进行调整，可以进一步提高数据读电压的准确性。另外，采用梯度下降算法根据计算的梯度值进行动态调整，来确定各个字线的原始数据读电压，相较于阈值电压遍历方式来说，梯度下降算法可以减少一半的读次数。另外，采用自适用梯度下降算法，利用自适应步长根据计算的梯度值进行动态调整，能够在梯度下降法基础上继续降低读的次数，提高数据读电压的搜索效率。
图9是本申请实施例提供的一种数据读电压的确定方法流程图，该方法应用于该方法用于集成有存储设备的电子设备中。参见图9，该方法包括：
步骤901：确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，代表性字线为多个字线中满足性能要求的字线。
其中，代表性字线为对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线。代表性字线可以预先获取得到，比如在离线状态下获取得到，而在需要使用时可以直接调用预先获取的代表性字线，比如从存储设备中获取已存储的代表性字线。
或者，代表性字线也可以通过如下步骤获取得到：获取多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据；从多个字线中选择对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。需要说明的是，代表性字线的具体获取方式可以参考上述图2实施例的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
其中，代表性字线的原始数据读电压可以为初始读电压，或者是对代表性字线的初始读电压进行调整得到的数据读电压。代表性字线的原始数据读电压可以预先获取得到，比如在离线状态下获取得到，而在需要使用时可以直接调用预先获取的原始数据读电压，比如从存储设备中获取已存储的原始数据读电压。其中，初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压。
或者，代表性字线的原始数据读电压可以通过如下步骤获取得到：获取代表性字线的初始读电压；基于代表性字线的初始读电压在代表性字线上的性能表现数据，对代表性字线的初始读电压进行调整，得到代表性字线的原始数据读电压。需要说明的是，多个字线或代表性字线中各个字线的原始数据读电压的具体获取方式可以参考上述图7实施例的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
步骤902：基于代表性字线的原始数据读电压，确定多个字线的数据读电压。
其中，代表性字线可以包括至少一个字线，即包括一个或多个字线。本申请实施例中，可以对代表性字线的原始数据读电压进行处理，将处理得到的数据读电压作为多个字线中各个字线的数据读电压，即将处理得到的数据读电压作为全局字线的数据读电压。
在一种可能的实现方式中，确定代表性字线的原始数据读电压的平均值，将代表性字线的原始数据读电压的平均值作为多个字线的数据读电压。
在另一种可能的实现方式中，基于至少一个字线的权重系数，对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到多个字线的数据读电压。
当然，也可以采用其他方式对代表性字线的原始数据读电压进行处理，得到多个字线的数据读电压。
作为一个示例，代表性字线包括的至少一个字线中每个字线的原始数据读电压包括每个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压。相应地，可以基于至少一个字线的权重系数，对至少一个字线在第一存储设备状态下的原始数据读电压进行加权求和，得到多个字线在所述第一存储设备状态下的原始数据读电压，第一存储设备状态为不同存储设备状态中的任一存储设备状态。
其中，代表性字线中的至少一个字线的权重系数是指能够保证对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求的一组权重系数。代表性字线的权重系数可以预先获取得到，比如在离线状态下获取得到，而在需要使用时可以直接调用预先获取的权重系数，比如从存储设备中获取已存储的代表性字线的权重系数。
或者，至少一个字线的权重系数可以通过如下步骤获取得到：根据至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定至少一个字线的权重系数。其中，该预设约束条件用于保证对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
需要说明的是，代表性字线中至少一个字线的权重系数的具体获取方式可以参考上述图4实施例的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
还需要说明的是，对于在确定多个字线的数据读电压的过程中所使用到的参数(如字线的原始数据读电压、代表性字线以及代表性字线的权重系数等)，这些参数的获取方式可以包括以下两种：
第一种实现方式：在确定多个字线的数据读电压之前预先完成参数的确定，以在确定多个字线的数据读电压时直接调用已确定的参数。
比如，在确定多个字线的数据读电压之前，先根据经验数据确定指定参数，再将指定参数存储到存储设备中。在后续需要确定多个字线的数据读电压时，直接从存储设备中获取已存储的指定参数，基于获取的指定参数来确定多个字线的数据读电压。
其中，指定参数可以为字线的原始数据读电压、代表性字线以及代表性字线的权重系数中的至少一种。根据经验数据确定指定参数的方式可以参考上述图2、图4或图7实施例中的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
也即是，可以在离线状态下预先计算确定数据读电压时待使用的参数，以在需要确定多个字线的数据读电压时，直接调用离线状态下计算的参数，而不需要再进行计算，如此可以减小确定数据读电压时的计算量，提高确定数据读电压的效率。
第二种实现方式：在确定多个字线的数据读电压的过程中，完成参数的确定。
也即是，在需要确定多个字线的数据读电压过程中，基于经验数据来确定指定参数，再基于确定的指定参数来确定多个字线的数据读电压。
作为一个示例，可以在每次需要确定多个字线的数据读电压过程中，均基于经验数据确定指定参数。也即是，在每次确定多个字线的数据读电压的过程中，均需要完成一次参数的确定。
作为另一个示例，可以在首次确定多个字线的数据读电压过程中，基于经验数据确定指定参数。而在后续再次需要确定多个字线的数据读电压时，直接使用首次确定的指定参数，而不再进行计算。
比如，可以在首次确定多个字线的数据读电压的过程中，进行初始化处理，通过初始化处理来确定指定参数。后续再次需要确定多个字线的数据读电压时，直接从初始化结果中获取指定参数，基于获取的指定参数确定多个字线的数据读电压。
当然，对于在确定多个字线的数据读电压的过程中所使用到的参数，这些参数的获取也可以采用其他方式，本申请实施例不再一一举例说明。
本申请实施例中，对于多个字线，可以先确定多个字线中满足性能要求的代表性字线的原始数据读电压，再基于少量的代表性字线的原始数据读电压，来确定全局字线的数据读电压。如此，简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响。
图10是本申请实施例提供的另一种数据读电压的确定方法流程图，该方法应用于该方法用于集成有存储设备的电子设备中。参见图10，该方法包括：
步骤1001：确定多个字线中各个字线的初始读电压。
其中，多个字线为存储设备的某个块中的全部字线或部分字线。初始读电压可以为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压。
步骤1002：基于多个字线中各个字线的初始读电压在各个字线上的性能表现数据，对各个字线的初始读电压进行调整，得到各个字线的原始数据读电压。
需要说明的是，基于各个字线的初始读电压在各个字线上的性能表现数据，对各个字线的初始读电压进行调整，得到各个字线的原始数据读电压的实现方式与上述图7实施例中的步骤702同理，具体实现方式可以参考步骤702的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
步骤1003：获取多个字线中各个字线的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据。
步骤1004：从多个字线中选择对应的原始数据读电压在多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
需要说明的是，步骤1003-1004与上述图2实施例中的步骤202-203同理，具体实现方式可以参考上述步骤202-203的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
步骤1005：根据代表性字线所包括的至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定至少一个字线的权重系数。
需要说的的是，步骤1005与上述图4实施例中的步骤401同理，具体实现方式可以参考上述步骤401的相关描述，本申请实施例在此不再赘述。
步骤1006：基于至少一个字线的权重系数，对至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到多个字线的数据读电压。
本申请实施例中，通过基于多个字线中各个字线的数据读电压在多个字线上的性能表现数据，从多个字线中选择少量的具有代表性的字线，实现了基于少量的具有代表性的字线的数据读电压，确定得到全局字线的数据读电压的效果。如此，简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响。另外，通过基于代表性字线的权重系数变量和原始数据读电压，生成新的数据读电压作为全局字线的数据读电压，可以进一步提高数据读电压的准确性，使得生成的数据读电压在全局字线上的性能表现更好，并且能够更好的保证数据的完整性。
图11是本申请实施例提供的一种数据读电压的确定装置框图，如图11所示，该装置包括：
第一确定模块1101，用于确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，所述代表性字线为所述多个字线中满足性能要求的字线；
第二确定模块1102，用于基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压。
可选地，所述代表性字线为对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线；
或者，所述装置还包括：
第一获取模块，用于获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到所述代表性字线。
可选地，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述第一获取模块用于：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
可选地，所述第一获取模块用于：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
可选地，所述代表性字线的原始数据读电压是对所述代表性字线的初始读电压进行调整得到，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；
或者，所述装置还包括：
第二获取模块，用于获取所述代表性字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；基于所述代表性字线的初始读电压在所述代表性字线上的性能表现数据，对所述代表性字线的初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的原始数据读电压。
可选地，所述代表性字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述第二获取模块用于：
从所述代表性字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述代表性字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
可选地，所述代表性字线包括至少一个字线，所述第二确定模块用于：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线的数据读电压。
可选地，所述至少一个字线中每个字线的原始数据读电压包括所述每个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述第二确定模块1102用于：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线在第一存储设备状态下的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线在所述第一存储设备状态下的原始数据读电压，所述第一存储设备状态为所述不同存储设备状态中的任一存储设备状态。
可选地，所述至少一个字线的权重系数是指能够保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的一组权重系数；
或者，所述装置还包括：
第三获取模块，用于根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
可选地，所述第三获取模块用于：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
本申请实施例中，对于多个字线，可以先确定多个字线中满足性能要求的代表性字线的原始数据读电压，再基于少量的代表性字线的原始数据读电压，来确定全局字线的数据读电压。如此，简化了数据读电压的确定方式，减少了数据读电压的搜索次数以及读操作次数，有效降低了对存储设备性能的影响。
需要说明的是：上述实施例提供的数据读电压的确定装置在确定数据读电压时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的数据读电压的确定装置与数据读电压的确定方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
图12是本申请实施例提供的一种参数确定装置的框图，如图12所示，该装置包括：
第一获取模块1201，用于获取多个字线的原始数据读电压；
第二获取模块1202，用于获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
选择模块1203，用于从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
可选地，所述第一获取模块1201用于：
对于所述多个字线中的第一字线，确定所述第一字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压，所述第一字线为所述多个字线中的任一个；
基于所述第一字线的初始读电压在所述第一字线上的性能表现数据，对所述第一字线的初始读电压进行调整，得到所述第一字线的原始数据读电压。
可选地，所述第一字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述第一获取模块1201用于：
从所述第一字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
可选地，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述第二获取模块1202用于：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
可选地，所述选择模块1203用于：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
可选地，所述代表性字线包括至少一个字线，所述装置还包括：
确定模块，用于根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数；其中，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
可选地，所述确定模块用于：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
需要说明的是：上述实施例提供的参数确定装置在确定参数时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的参数确定装置与参数确定方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
图13是本申请实施例提供的一种电子设备1300的结构示意图，该电子设备1300可因配置或性能不同而产生比较大的差异，可以包括一个或一个以上处理器(CentralProcessing Units，CPU)1301和一个或一个以上的存储器1302，其中，所述存储器1302中存储有至少一条指令，所述至少一条指令由所述处理器1301加载并执行以实现上述各个方法实施例提供的数据读电压的确定方法或参数确定方法。当然，该电子设备1300还可以具有有线或无线网络接口、键盘以及输入输出接口等部件，以便进行输入输出，该电子设备1300还可以包括其他用于实现设备功能的部件，在此不做赘述。
在示例性的实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有指令，所述指令被处理器执行时实现上述数据读电压的确定方法或参数确定方法。
在示例性实施例中，还提供了一种计算机程序产品，当该计算机程序产品被执行时，其用于实现上述数据读电压的确定方法或参数确定方法。
应当理解的是，在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种数据读电压的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，所述代表性字线为所述多个字线中满足性能要求的字线；
基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述代表性字线为对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线；
或者，
所述代表性字线是通过如下步骤获取得到：
获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到所述代表性字线。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，包括：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到所述代表性字线，包括：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述代表性字线的原始数据读电压是对所述代表性字线的初始读电压进行调整得到，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；
或者，
所述代表性字线的原始数据读电压是通过如下步骤获取得到：
获取所述代表性字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压；
基于所述代表性字线的初始读电压在所述代表性字线上的性能表现数据，对所述代表性字线的初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的原始数据读电压。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述代表性字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述基于所述代表性字线的初始读电压在所述代表性字线上的性能表现数据，对所述代表性字线的初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的原始数据读电压，包括：
从所述代表性字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述代表性字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述代表性字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
7.如权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述代表性字线包括至少一个字线，所述基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压，包括：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线的数据读电压。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述至少一个字线中每个字线的原始数据读电压包括所述每个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线的数据读电压，包括：
基于所述至少一个字线的权重系数，对所述至少一个字线在第一存储设备状态下的原始数据读电压进行加权求和，得到所述多个字线在所述第一存储设备状态下的原始数据读电压，所述第一存储设备状态为所述不同存储设备状态中的任一存储设备状态。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述至少一个字线的权重系数是指能够保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的一组权重系数；
或者，
所述至少一个字线的权重系数是通过如下步骤获取得到：
根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，包括：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
11.一种参数确定方法，其特征在于，所述方法包括：
获取多个字线的原始数据读电压；
获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述获取多个字线的原始数据读电压，包括：
对于所述多个字线中的第一字线，确定所述第一字线的初始读电压，所述初始读电压为预先设置的数据读电压或者采用阈值电压遍历方式遍历到的数据读电压，所述第一字线为所述多个字线中的任一个；
基于所述第一字线的初始读电压在所述第一字线上的性能表现数据，对所述第一字线的初始读电压进行调整，得到所述第一字线的原始数据读电压。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一字线的初始读电压包括一组初始读电压，所述一组初始读电压用于读取不同类型的页；
所述基于所述第一字线的初始读电压在所述第一字线上的性能表现数据，对所述第一字线的初始读电压进行调整，得到所述第一字线的原始数据读电压，包括：
从所述第一字线的初始读电压包括的一组初始读电压中，确定读取第一类型页所使用的初始读电压，得到至少一个初始读电压，所述第一类型页为所述不同类型中任一类型的页；
基于所述至少一个初始读电压在读取所述第一字线的第一类型页时的性能表现数据，采用自适应梯度下降法对所述至少一个初始读电压进行调整，得到所述第一字线的第一类型页对应的原始数据读电压。
14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述各个字线的原始数据读电压包括所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压；
所述获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，包括：
对于所述多个字线中的第一字线，获取所述第一字线在不同存储设备状态的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，所述第一字线为所述多个字线中的任一个。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线，包括：
基于所述各个字线在不同存储设备状态下的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据，确定所述各个字线的代表性评估值；
按照代表性评估值从大到小的顺序，从所述多个字线中选择排序在前的N个字线，得到所述代表性字线，所述N为正整数。
16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述代表性字线包括至少一个字线，所述从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线之后，还包括：
根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数；其中，所述预设约束条件用于保证对所述至少一个字线的原始数据读电压进行加权求和后得到的数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述根据所述至少一个字线的原始数据读电压和预设约束条件，确定所述至少一个字线的权重系数，包括：
对约束方程进行最优化求解，得到所述至少一个字线的权重系数变量的值，所述至少一个字线的权重系数变量的值为所述至少一个字线的权重系数，所述约束方程是根据所述至少一个字线的原始数据读电压、所述至少一个字线的权重系数变量、以及所述预设约束条件构建的。
18.一种数据读电压的确定装置，其特征在于，所述装置包括：
第一确定模块，用于确定多个字线中代表性字线的原始数据读电压，所述代表性字线为所述多个字线中满足性能要求的字线；
第二确定模块，用于基于所述代表性字线的原始数据读电压，确定所述多个字线的数据读电压。
19.一种参数确定装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取模块，用于获取多个字线的原始数据读电压；
第二获取模块，用于获取所述多个字线中各个字线的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据；
选择模块，用于从所述多个字线中选择对应的原始数据读电压在所述多个字线上的性能表现数据满足性能要求的字线，得到代表性字线。
20.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括处理器和存储器，所述存储器中存储有至少一条指令、至少一段程序、代码集或指令集，所述指令、所述程序、所述代码集或所述指令集由所述处理器加载并执行以实现如权利要求1-10任一项所述的数据读电压的确定方法或者如权利要求11-17任一项所述的参数确定方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8891303B1 (en) * 2014-05-30 2014-11-18 Sandisk Technologies Inc. Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device
US9773565B1 (en) * 2017-01-19 2017-09-26 Phison Electronics Corp. Memory retry-read method, memory storage device and memory control circuit unit
US20190189202A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-20 Western Digital Technologies, Inc. System and method for adjusting read levels in a storage device based on bias functions
CN110797074A (zh) * 2018-08-02 2020-02-14 爱思开海力士有限公司 用于nand闪速存储装置的动态邻区和位线辅助校正

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8891303B1 (en) * 2014-05-30 2014-11-18 Sandisk Technologies Inc. Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device
US9773565B1 (en) * 2017-01-19 2017-09-26 Phison Electronics Corp. Memory retry-read method, memory storage device and memory control circuit unit
US20190189202A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-20 Western Digital Technologies, Inc. System and method for adjusting read levels in a storage device based on bias functions
CN110797074A (zh) * 2018-08-02 2020-02-14 爱思开海力士有限公司 用于nand闪速存储装置的动态邻区和位线辅助校正

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