CN112216797B - 冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用 - Google Patents

冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN112216797B
CN112216797B CN202011072519.2A CN202011072519A CN112216797B CN 112216797 B CN112216797 B CN 112216797B CN 202011072519 A CN202011072519 A CN 202011072519A CN 112216797 B CN112216797 B CN 112216797B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crown ether
transport layer
ometad
spiro
hole transport
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011072519.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112216797A (zh
Inventor
万中全
杨进宇
罗军生
贾春阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN202011072519.2A priority Critical patent/CN112216797B/zh
Publication of CN112216797A publication Critical patent/CN112216797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112216797B publication Critical patent/CN112216797B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种冠醚类材料掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用,属于太阳能电池技术领域。所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro‑OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro‑OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。本发明提供的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构,促进Li‑TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止Li‑TFSI的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善Li‑TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层;同时,工艺简单,制备的太阳能电池在保持光电转换效率的同时稳定性大大提升。

Description

冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和 应用
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用。
背景技术
近10年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(OIHPs)的光电转换效率显著提升,从最初的3.8%提高到最近的25.2%,作为高效光伏器件的潜力巨大。
Spiro-OMeTAD是现今钙钛矿太阳能电池中使用最多的一种空穴传输材料,通常使用明星掺杂剂Li-TFSI和TBP掺杂。Li-TFSI能够显著提升Spiro-OMeTAD薄膜层的电导率和空穴迁移率,但Li-TFSI的引入带来了下列问题:(1)Li-TFSI的极端吸湿性严重加速了钙钛矿的分解和器件性能的下降;(2)Li-TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中溶解性不高,导致其在Spiro-OMeTAD薄膜中聚集;(3)Li+会从空穴传输层迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层,影响器件的稳定性。上述问题严重影响了器件的稳定性,限制了钙钛矿太阳能电池的广泛应用,因此,如何解决上述问题对钙钛矿太阳能电池的长期稳定性至关重要。
现阶段,主要的解决途径是掺杂新的材料辅助改善Li-TFSI掺杂带来的一系列问题,如掺杂MoS2作为物理吸附剂抑制Li+迁移,同时MoS2作为P型掺杂剂能够提高空穴传输层的电导率,但并不能改善Li-TFSI的聚集和吸湿等问题;掺杂PbI2防止Li-TFSI的聚集,但Li+依然会向器件内部迁移且Li-TFSI吸湿性的问题仍然存在;掺杂H3PO4加速Li-TFSI对Spiro-OMeTAD的氧化,提高导电性和迁移率且减少离子迁移,但是仍不能解决Li-TFSI的聚集、吸湿等问题,并且掺杂新的材料可能会对器件的光电性能产生不良影响。目前,文献中尚未发现能同时解决以上问题的方法。
发明内容
本发明的目的在于,针对背景技术存在的缺陷,提出了一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用,可同时解决LI-TFSI掺杂带来的上述问题。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro-OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro-OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。
进一步地,所述冠醚类材料为冠醚、杂原子冠醚和冠醚衍生物中的至少一种。
进一步地,所述冠醚选自12-冠醚-4、15-冠醚-5、苯并-15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-18-冠醚-6、二苯并-18-冠醚-6、二苯并-21-冠醚-7、二苯并-24-冠醚-8、二苯并-30-冠醚-10中的一种或几种。
优选地,所述冠醚类材料为12-冠醚-4。
进一步地,所述杂原子冠醚为冠醚的环上含有除了碳、氧、氢之外的其他非金属元素的冠醚。优选地,所述杂原子冠醚为硫杂冠醚、氮杂冠醚、硒杂冠醚。
进一步地,所述冠醚衍生物为球醚或穴醚。
一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将Li-TFSI加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/mL的Li-TFSI溶液;
步骤2、将Spiro-OMeTAD加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
步骤3、量取步骤1的Li-TFSI溶液、4-叔丁基吡啶(TBP)、冠醚类材料加入步骤2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;其中,混合液A中,Spiro-OMeTAD的浓度为46~96mg/mL,Li-TFSI的浓度为6~12mg/mL,TBP的浓度为0~30mg/mL,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/L;
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。
进一步地,步骤1所述有机溶剂为乙腈、γ-丁内酯等。
进一步地,步骤2所述有机溶剂为氯苯、二氯苯、氯仿、甲苯等。
进一步地,步骤4所述空穴传输层的厚度为20~200nm。
一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为上述空穴传输层。
进一步地,所述导电基底为FTO、ITO等。
进一步地,所述电子传输层包括致密TiO2层和位于致密TiO2层之上的介孔TiO2层,其中,致密TiO2层厚度为10~100nm。
进一步地,所述钙钛矿吸光层选自MAPbI3、MAPbBr3、MAPbCl3、FAPbI3、FAPbBr3、FAPbCl3、CsPbI3、MAxFA1-xPb(IyBr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、MAxCs1-xPb(IyBr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、FAxCs1-xPb(IyBr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、CszFAxMAyPb(InBr1-n)3(0<x<1,0<y<1,0<z<1,0<n<1,且x+y+z=1)、BA2MAn-1PbnI3n+1(n≥1)、PEA2MAn-1PbnI3n+1(n≥1)、AVA2MAn-1PbnI3n+1(n≥1)、EDAMAn-1PbnI3n+1(n≥1)、PDAMAn-1PbnI3n+1(n≥1)中的一种或多种。
进一步地,所述顶电极为银、金、铝、铜等高导电金属材料,或者高导电的碳材料。
一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将导电基底依次采用洗洁精、KOH溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,吹干;
步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理10~20min;
步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密TiO2层和介孔TiO2层,得到电子传输层;
步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;
步骤5、采用上述方法在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;
步骤6、在空穴传输层上制备顶电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
1、本发明提供了一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构,促进Li-TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止Li-TFSI的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善Li-TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层。
2、本发明提供了一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD空穴传输层的制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用,工艺简单,得到的太阳能电池的稳定性大大提升。
附图说明
图1为本发明提供的基于冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的结构示意图;
图2为实施例1(掺杂18.1mmol/L12-冠醚-4)、实施例2(掺杂54.5mmol/L12-冠醚-4)、对比例1(未掺杂12-冠醚-4)中制备的钙钛矿太阳能电池的性能对比图;
图3为实施例1(掺杂18.1mmol/L 12-冠醚-4)制备的钙钛矿太阳能电池放置3h和放置170h后的性能对比图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。
实施例1
一种基于冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,具体包括以下步骤:
步骤1、将FTO导电基底依次采用洗洁精、KOH溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,氮气吹干;
步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理15min;
步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密TiO2层和介孔TiO2层,得到电子传输层;具体过程为:首先,将盐酸、乙醇和四异丙醇钛配制的溶液旋涂在导电基底上,旋涂转速为4000rpm,时间为50s;旋涂完成后,得到的基片先在150℃下退火15min、再升温至500℃退火30min,得到致密TiO2层;然后,将TiO2浆料与乙醇按照质量比1:7的比例配制成旋涂液,旋涂至致密层上,旋涂转速为5000rpm,时间为30s,旋涂完成后,得到的基片先在125℃下退火10min、再升温至500℃退火30min,得到介孔TiO2层;
步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;具体过程为:
将PbI2、PbBr、FAI、MABr、CsI按照质量比31.05:4.36:10.76:1.24:1的比例加入体积比4:1的DMF和DMSO的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到的混合液旋涂至步骤3得到的电子传输层上,旋涂条件为:先以1300rpm的转速旋涂10s、再以5000rpm的转速旋涂45s,在旋涂完成前15s滴加0.2mL氯苯作为反溶剂;旋涂完成后,在110℃下退火60min,得到钙钛矿吸光层;
步骤5、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;具体过程为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的Li-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的Li-TFSI溶液、28.8μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、1.6μL的12-冠醚-4加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层;
步骤6、在空穴传输层上制备顶电极:采用蒸镀法在步骤5得到的空穴传输层上制备500nm的金电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。
实施例2
本实施例与实施例1相比,区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的Li-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、28.8μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、4.8μL的12-冠醚-4加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。
实施例3
一种基于冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,具体包括以下步骤:
步骤1、将FTO导电基底依次采用洗洁精、KOH溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,氮气吹干;
步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理20min;
步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密TiO2层和介孔TiO2层,得到电子传输层;具体过程为:首先,将盐酸、乙醇和四异丙醇钛配制的溶液旋涂在导电基底上,旋涂转速为4500rpm,时间为50s;旋涂完成后,得到的基片先在150℃下退火15min、再升温至500℃退火30min,得到致密TiO2层;然后,将TiO2浆料与乙醇按照质量比1:7的比例配制成旋涂液,旋涂至致密层上,旋涂转速为4500rpm,时间为30s,旋涂完成后,得到的基片先在110℃下退火10min、再升温至500℃退火30min,得到介孔TiO2层;
步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;具体过程为:
将PbI2、PbBr、FAI、MABr、CsI按照质量比31.05:4.36:10.76:1.24:1的比例加入体积比4:1的DMF和DMSO的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到的混合液旋涂至步骤3得到的电子传输层上,旋涂条件为:先以1500rpm的转速旋涂10s、再以5000rpm的转速旋涂45s,在旋涂完成前10s滴加0.2ml氯苯作为反溶剂;旋涂完成后,在110℃下退火60min,得到钙钛矿吸光层;
步骤5、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;具体过程为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的LI-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为80mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取20μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、20μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、1μL的15-冠醚-5加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3500rpm,时间为35s,即可得到所述空穴传输层;
步骤6、在空穴传输层上制备顶电极:采用蒸镀法在步骤5得到的空穴传输层上制备300nm的银电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。
实施例4
本实施例与实施例1相比,区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的Li-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、0.34μL的12-冠醚-4加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。
对比例1
对比例1与实施例1的区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的LI-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、28.8μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。
对实施例1、实施例2、对比例1制备的太阳能电池均在一个标准太阳光下进行光电性能测试。
实施例1、对比例1制备的钙钛矿太阳能电池放置一周后,未掺杂12-冠醚-4的钙钛矿太阳能电池(对比例1)钙钛矿层已经开始发生退化,而掺杂后的钙钛矿太阳能电池(实施例1)和一周前基本一致,空气稳定性得到大幅提高。
图2为实施例1(掺杂18.1mmol/L12-冠醚-4)、实施例2(掺杂54.5mmol/L12-冠醚-4)、对比例1(未掺杂12-冠醚-4)中制备的钙钛矿太阳能电池的性能对比图;由图可知,12-冠醚-4掺杂后的钙钛矿太阳能电池效率和未掺杂的钙钛矿太阳能电池相比,开路电压(Voc)、短路电流密度(Jsc)、填充因子(FF)只有细微差别。
图3为实施例1(掺杂18.1mmol/L12-冠醚-4)制备的钙钛矿太阳能电池放置3h和放置170h后的性能对比图;由图可知,掺杂后的钙钛矿太阳能电池放置长时间后,其性能基本没有退化,稳定性增强。
本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro-OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro-OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1;
所述空穴传输层是采用以下方法制备得到的:
步骤1、将Li-TFSI加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/mL的Li-TFSI溶液;
步骤2、将Spiro-OMeTAD加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
步骤3、量取步骤1的Li-TFSI溶液、4-叔丁基吡啶(TBP)、冠醚类材料加入步骤2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;其中,混合液A中,Spiro-OMeTAD的浓度为46~96mg/mL,Li-TFSI的浓度为6~12mg/mL,TBP的浓度为0~30mg/mL,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/L;
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。
2.根据权利要求1所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述冠醚类材料为冠醚、杂原子冠醚和冠醚衍生物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述冠醚为12-冠醚-4、15-冠醚-5、苯并-15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-18-冠醚-6、二苯并-18-冠醚-6、二苯并-21-冠醚-7、二苯并-24-冠醚-8、二苯并-30-冠醚-10中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述杂原子冠醚为硫杂冠醚、氮杂冠醚、硒杂冠醚。
5.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述冠醚衍生物为球醚或穴醚。
6.一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将Li-TFSI加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/mL的Li-TFSI溶液;
步骤2、将Spiro-OMeTAD加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
步骤3、量取步骤1的Li-TFSI溶液、4-叔丁基吡啶(TBP)、冠醚类材料加入步骤2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;其中,混合液A中,Spiro-OMeTAD的浓度为46~96mg/mL,Li-TFSI的浓度为6~12mg/mL,TBP的浓度为0~30mg/mL,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/L;
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。
7.一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为权利要求1-5任一项所述空穴传输层。
8.一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为权利要求6所述方法得到的空穴传输层。
CN202011072519.2A 2020-10-09 2020-10-09 冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用 Active CN112216797B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011072519.2A CN112216797B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011072519.2A CN112216797B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112216797A CN112216797A (zh) 2021-01-12
CN112216797B true CN112216797B (zh) 2022-06-03

Family

ID=74053455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011072519.2A Active CN112216797B (zh) 2020-10-09 2020-10-09 冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112216797B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117645622B (zh) * 2024-01-30 2024-04-09 江西省科学院能源研究所 一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108288675A (zh) * 2018-01-12 2018-07-17 天津理工大学 一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池
CN109912458A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 苏州大学 金属卤化物钙钛矿材料,其制备方法以及太阳能电池器件及其制备方法
CN111244284A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 南京信息工程大学 一种基于离子混掺空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103214882B (zh) * 2008-04-28 2015-10-28 大日本印刷株式会社 用于形成空穴注入传输层的墨液
JP6337561B2 (ja) * 2014-03-27 2018-06-06 株式会社リコー ペロブスカイト型太陽電池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108288675A (zh) * 2018-01-12 2018-07-17 天津理工大学 一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池
CN109912458A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 苏州大学 金属卤化物钙钛矿材料,其制备方法以及太阳能电池器件及其制备方法
CN111244284A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 南京信息工程大学 一种基于离子混掺空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112216797A (zh) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Dong et al. A green anti‐solvent process for high performance carbon‐based CsPbI2Br all‐inorganic perovskite solar cell
Liu et al. Poly (3-hexylthiophene)/zinc phthalocyanine composites for advanced interface engineering of 10.03%-efficiency CsPbBr 3 perovskite solar cells
Singh et al. Sulfate‐assisted interfacial engineering for high yield and efficiency of triple cation perovskite solar cells with alkali‐doped TiO2 electron‐transporting layers
Benesperi et al. The researcher's guide to solid-state dye-sensitized solar cells
Tiep et al. Recent advances in improving the stability of perovskite solar cells
Ma et al. MgO nanoparticle modified anode for highly efficient SnO2‐based planar perovskite solar cells
Liu et al. A star-shaped carbazole-based hole-transporting material with triphenylamine side arms for perovskite solar cells
Cheng et al. Phenoxazine-Based Small Molecule Material for Efficient Perovskite Solar Cells and Bulk Heterojunction Organic Solar Cells.
Wang et al. Dopant‐free spiro‐triphenylamine/fluorene as hole‐transporting material for perovskite solar cells with enhanced efficiency and stability
Luo et al. The novel dopant for hole-transporting material opens a new processing route to efficiently reduce hysteresis and improve stability of planar perovskite solar cells
Tao et al. Functionalized SnO2 films by using EDTA-2 M for high efficiency perovskite solar cells with efficiency over 23%
Zhang et al. Bifunctional alkyl chain barriers for efficient perovskite solar cells
US10177261B2 (en) Transparent electrode comprising doped graphene, process of preparing the same, and display device and solar cell comprising the electrode
Gu et al. FeCl 3 as a low-cost and efficient p-type dopant of Spiro-OMeTAD for high performance perovskite solar cells
Chen et al. 3-Chloroperoxybenzoic acid doping spiroOMeTAD for improving the performance of perovskite solar cells
Yang et al. Robust and hydrophobic interlayer material for efficient and highly stable organic solar cells
Pashaei et al. Molecularly engineered hole-transport material for low-cost perovskite solar cells
Wang et al. Dopant-free polymeric hole transport materials for efficient CsPbI 2 Br perovskite cells with a fill factor exceeding 84%
Zou et al. Perylene diimide‐based electron‐transporting material for perovskite solar cells with undoped poly (3‐hexylthiophene) as hole‐transporting material
Wang Influence of a cobalt additive in spiro-OMeTAD on charge recombination and carrier density in perovskite solar cells investigated using impedance spectroscopy
Peng et al. An efficient and thickness insensitive cathode interface material for high performance inverted perovskite solar cells with 17.27% efficiency
Erten-Ela et al. Perovskite solar cells fabricated using dicarboxylic fullerene derivatives
Al Kurdi et al. A naphthalene diimide side-chain polymer as an electron-extraction layer for stable perovskite solar cells
Wu et al. Investigation on a dopant-free hole transport material for perovskite solar cells
Jiang et al. Polyacetylene derivatives in perovskite solar cells: from defect passivation to moisture endurance

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant