CN112216797B - 冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
一种冠醚类材料掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用,属于太阳能电池技术领域。所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro‑OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro‑OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。本发明提供的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构,促进Li‑TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止Li‑TFSI的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善Li‑TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层;同时,工艺简单,制备的太阳能电池在保持光电转换效率的同时稳定性大大提升。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用。
背景技术
近10年来,有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(OIHPs)的光电转换效率显著提升,从最初的3.8%提高到最近的25.2%,作为高效光伏器件的潜力巨大。
Spiro-OMeTAD是现今钙钛矿太阳能电池中使用最多的一种空穴传输材料,通常使用明星掺杂剂Li-TFSI和TBP掺杂。Li-TFSI能够显著提升Spiro-OMeTAD薄膜层的电导率和空穴迁移率,但Li-TFSI的引入带来了下列问题:(1)Li-TFSI的极端吸湿性严重加速了钙钛矿的分解和器件性能的下降;(2)Li-TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中溶解性不高,导致其在Spiro-OMeTAD薄膜中聚集;(3)Li+会从空穴传输层迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层,影响器件的稳定性。上述问题严重影响了器件的稳定性,限制了钙钛矿太阳能电池的广泛应用,因此,如何解决上述问题对钙钛矿太阳能电池的长期稳定性至关重要。
现阶段,主要的解决途径是掺杂新的材料辅助改善Li-TFSI掺杂带来的一系列问题,如掺杂MoS2作为物理吸附剂抑制Li+迁移,同时MoS2作为P型掺杂剂能够提高空穴传输层的电导率,但并不能改善Li-TFSI的聚集和吸湿等问题;掺杂PbI2防止Li-TFSI的聚集,但Li+依然会向器件内部迁移且Li-TFSI吸湿性的问题仍然存在;掺杂H3PO4加速Li-TFSI对Spiro-OMeTAD的氧化,提高导电性和迁移率且减少离子迁移,但是仍不能解决Li-TFSI的聚集、吸湿等问题,并且掺杂新的材料可能会对器件的光电性能产生不良影响。目前,文献中尚未发现能同时解决以上问题的方法。
发明内容
本发明的目的在于,针对背景技术存在的缺陷,提出了一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用,可同时解决LI-TFSI掺杂带来的上述问题。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:
一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro-OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro-OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1。
进一步地,所述冠醚类材料为冠醚、杂原子冠醚和冠醚衍生物中的至少一种。
进一步地,所述冠醚选自12-冠醚-4、15-冠醚-5、苯并-15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-18-冠醚-6、二苯并-18-冠醚-6、二苯并-21-冠醚-7、二苯并-24-冠醚-8、二苯并-30-冠醚-10中的一种或几种。
优选地,所述冠醚类材料为12-冠醚-4。
进一步地,所述杂原子冠醚为冠醚的环上含有除了碳、氧、氢之外的其他非金属元素的冠醚。优选地,所述杂原子冠醚为硫杂冠醚、氮杂冠醚、硒杂冠醚。
进一步地,所述冠醚衍生物为球醚或穴醚。
一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将Li-TFSI加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/mL的Li-TFSI溶液;
步骤2、将Spiro-OMeTAD加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
步骤3、量取步骤1的Li-TFSI溶液、4-叔丁基吡啶(TBP)、冠醚类材料加入步骤2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;其中,混合液A中,Spiro-OMeTAD的浓度为46~96mg/mL,Li-TFSI的浓度为6~12mg/mL,TBP的浓度为0~30mg/mL,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/L;
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。
进一步地,步骤1所述有机溶剂为乙腈、γ-丁内酯等。
进一步地,步骤2所述有机溶剂为氯苯、二氯苯、氯仿、甲苯等。
进一步地,步骤4所述空穴传输层的厚度为20~200nm。
一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为上述空穴传输层。
进一步地,所述导电基底为FTO、ITO等。
进一步地,所述电子传输层包括致密TiO2层和位于致密TiO2层之上的介孔TiO2层,其中,致密TiO2层厚度为10~100nm。
进一步地,所述钙钛矿吸光层选自MAPbI3、MAPbBr3、MAPbCl3、FAPbI3、FAPbBr3、FAPbCl3、CsPbI3、MAxFA1-xPb(IyBr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、MAxCs1-xPb(IyBr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、FAxCs1-xPb(IyBr1-y)3(0<x<1,0<y<1)、CszFAxMAyPb(InBr1-n)3(0<x<1,0<y<1,0<z<1,0<n<1,且x+y+z=1)、BA2MAn-1PbnI3n+1(n≥1)、PEA2MAn-1PbnI3n+1(n≥1)、AVA2MAn-1PbnI3n+1(n≥1)、EDAMAn-1PbnI3n+1(n≥1)、PDAMAn-1PbnI3n+1(n≥1)中的一种或多种。
进一步地,所述顶电极为银、金、铝、铜等高导电金属材料,或者高导电的碳材料。
一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将导电基底依次采用洗洁精、KOH溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,吹干;
步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理10~20min;
步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密TiO2层和介孔TiO2层,得到电子传输层;
步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;
步骤5、采用上述方法在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;
步骤6、在空穴传输层上制备顶电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
1、本发明提供了一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,与未掺杂的空穴传输层相比,冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构,促进Li-TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解,能够有效阻止Li-TFSI的聚集;此外,这样的螯合结构能够有效改善Li-TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层。
2、本发明提供了一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD空穴传输层的制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用,工艺简单,得到的太阳能电池的稳定性大大提升。
附图说明
图1为本发明提供的基于冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的结构示意图;
图2为实施例1(掺杂18.1mmol/L12-冠醚-4)、实施例2(掺杂54.5mmol/L12-冠醚-4)、对比例1(未掺杂12-冠醚-4)中制备的钙钛矿太阳能电池的性能对比图;
图3为实施例1(掺杂18.1mmol/L 12-冠醚-4)制备的钙钛矿太阳能电池放置3h和放置170h后的性能对比图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施,但所举实施例不作为对本发明的限定。
实施例1
一种基于冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,具体包括以下步骤:
步骤1、将FTO导电基底依次采用洗洁精、KOH溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,氮气吹干;
步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理15min;
步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密TiO2层和介孔TiO2层,得到电子传输层;具体过程为:首先,将盐酸、乙醇和四异丙醇钛配制的溶液旋涂在导电基底上,旋涂转速为4000rpm,时间为50s;旋涂完成后,得到的基片先在150℃下退火15min、再升温至500℃退火30min,得到致密TiO2层;然后,将TiO2浆料与乙醇按照质量比1:7的比例配制成旋涂液,旋涂至致密层上,旋涂转速为5000rpm,时间为30s,旋涂完成后,得到的基片先在125℃下退火10min、再升温至500℃退火30min,得到介孔TiO2层;
步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;具体过程为:
将PbI2、PbBr、FAI、MABr、CsI按照质量比31.05:4.36:10.76:1.24:1的比例加入体积比4:1的DMF和DMSO的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到的混合液旋涂至步骤3得到的电子传输层上,旋涂条件为:先以1300rpm的转速旋涂10s、再以5000rpm的转速旋涂45s,在旋涂完成前15s滴加0.2mL氯苯作为反溶剂;旋涂完成后,在110℃下退火60min,得到钙钛矿吸光层;
步骤5、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;具体过程为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的Li-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的Li-TFSI溶液、28.8μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、1.6μL的12-冠醚-4加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层;
步骤6、在空穴传输层上制备顶电极:采用蒸镀法在步骤5得到的空穴传输层上制备500nm的金电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。
实施例2
本实施例与实施例1相比,区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的Li-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、28.8μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、4.8μL的12-冠醚-4加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。
实施例3
一种基于冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,具体包括以下步骤:
步骤1、将FTO导电基底依次采用洗洁精、KOH溶液、丙酮、去离子水、无水乙醇超声清洗,氮气吹干;
步骤2、步骤1处理后的导电基底经紫外臭氧处理20min;
步骤3、在步骤2得到的导电基底上依次形成致密TiO2层和介孔TiO2层,得到电子传输层;具体过程为:首先,将盐酸、乙醇和四异丙醇钛配制的溶液旋涂在导电基底上,旋涂转速为4500rpm,时间为50s;旋涂完成后,得到的基片先在150℃下退火15min、再升温至500℃退火30min,得到致密TiO2层;然后,将TiO2浆料与乙醇按照质量比1:7的比例配制成旋涂液,旋涂至致密层上,旋涂转速为4500rpm,时间为30s,旋涂完成后,得到的基片先在110℃下退火10min、再升温至500℃退火30min,得到介孔TiO2层;
步骤4、在步骤3得到的电子传输层上形成钙钛矿吸光层;具体过程为:
将PbI2、PbBr、FAI、MABr、CsI按照质量比31.05:4.36:10.76:1.24:1的比例加入体积比4:1的DMF和DMSO的混合溶剂中,搅拌混合均匀,得到的混合液旋涂至步骤3得到的电子传输层上,旋涂条件为:先以1500rpm的转速旋涂10s、再以5000rpm的转速旋涂45s,在旋涂完成前10s滴加0.2ml氯苯作为反溶剂;旋涂完成后,在110℃下退火60min,得到钙钛矿吸光层;
步骤5、在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层;具体过程为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的LI-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为80mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取20μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、20μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、1μL的15-冠醚-5加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3500rpm,时间为35s,即可得到所述空穴传输层;
步骤6、在空穴传输层上制备顶电极:采用蒸镀法在步骤5得到的空穴传输层上制备300nm的银电极,即可得到所述钙钛矿太阳能电池。
实施例4
本实施例与实施例1相比,区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的Li-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、0.34μL的12-冠醚-4加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。
对比例1
对比例1与实施例1的区别在于:步骤5在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层的过程具体为:
5.1将Li-TFSI加入乙腈中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为520mg/mL的LI-TFSI溶液;
5.2将Spiro-OMeTAD加入氯苯中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
5.3量取17.5μL步骤5.1的LI-TFSI溶液、28.8μL的4-叔丁基吡啶(TBP)、加入1mL步骤5.2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;
5.4采用旋涂的方法将步骤5.3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为3000rpm,时间为30s,即可得到所述空穴传输层。
对实施例1、实施例2、对比例1制备的太阳能电池均在一个标准太阳光下进行光电性能测试。
实施例1、对比例1制备的钙钛矿太阳能电池放置一周后,未掺杂12-冠醚-4的钙钛矿太阳能电池(对比例1)钙钛矿层已经开始发生退化,而掺杂后的钙钛矿太阳能电池(实施例1)和一周前基本一致,空气稳定性得到大幅提高。
图2为实施例1(掺杂18.1mmol/L12-冠醚-4)、实施例2(掺杂54.5mmol/L12-冠醚-4)、对比例1(未掺杂12-冠醚-4)中制备的钙钛矿太阳能电池的性能对比图;由图可知,12-冠醚-4掺杂后的钙钛矿太阳能电池效率和未掺杂的钙钛矿太阳能电池相比,开路电压(Voc)、短路电流密度(Jsc)、填充因子(FF)只有细微差别。
图3为实施例1(掺杂18.1mmol/L12-冠醚-4)制备的钙钛矿太阳能电池放置3h和放置170h后的性能对比图;由图可知,掺杂后的钙钛矿太阳能电池放置长时间后,其性能基本没有退化,稳定性增强。
本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro-OMeTAD,其中,冠醚类材料与Spiro-OMeTAD的摩尔比为(0.0003~0.0093):1;
所述空穴传输层是采用以下方法制备得到的:
步骤1、将Li-TFSI加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/mL的Li-TFSI溶液;
步骤2、将Spiro-OMeTAD加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
步骤3、量取步骤1的Li-TFSI溶液、4-叔丁基吡啶(TBP)、冠醚类材料加入步骤2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;其中,混合液A中,Spiro-OMeTAD的浓度为46~96mg/mL,Li-TFSI的浓度为6~12mg/mL,TBP的浓度为0~30mg/mL,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/L;
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。
2.根据权利要求1所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述冠醚类材料为冠醚、杂原子冠醚和冠醚衍生物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述冠醚为12-冠醚-4、15-冠醚-5、苯并-15-冠醚-5、18-冠醚-6、苯并-18-冠醚-6、二苯并-18-冠醚-6、二苯并-21-冠醚-7、二苯并-24-冠醚-8、二苯并-30-冠醚-10中的一种或几种。
4.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述杂原子冠醚为硫杂冠醚、氮杂冠醚、硒杂冠醚。
5.根据权利要求2所述的冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层,其特征在于,所述冠醚衍生物为球醚或穴醚。
6.一种冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、将Li-TFSI加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为400~600mg/mL的Li-TFSI溶液;
步骤2、将Spiro-OMeTAD加入有机溶剂中,搅拌混合均匀,得到质量浓度为50~100mg/mL的Spiro-OMeTAD溶液;
步骤3、量取步骤1的Li-TFSI溶液、4-叔丁基吡啶(TBP)、冠醚类材料加入步骤2得到的Spiro-OMeTAD溶液中,搅拌混合均匀,得到混合液A;其中,混合液A中,Spiro-OMeTAD的浓度为46~96mg/mL,Li-TFSI的浓度为6~12mg/mL,TBP的浓度为0~30mg/mL,冠醚类材料的浓度为0.3~55mmol/L;
步骤4、采用旋涂的方法将步骤3得到的混合液A涂覆至电子传输层上,旋涂转速为2000~4000rpm,时间为20~40s,即可得到所述空穴传输层。
7.一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为权利要求1-5任一项所述空穴传输层。
8.一种钙钛矿太阳能电池,包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极,其特征在于,所述空穴传输层为权利要求6所述方法得到的空穴传输层。
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CN117645622B (zh) * | 2024-01-30 | 2024-04-09 | 江西省科学院能源研究所 | 一种铈基配合物空穴掺杂剂及钙钛矿太阳能电池制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108288675A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-07-17 | 天津理工大学 | 一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池 |
CN109912458A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-21 | 苏州大学 | 金属卤化物钙钛矿材料,其制备方法以及太阳能电池器件及其制备方法 |
CN111244284A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 南京信息工程大学 | 一种基于离子混掺空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法 |
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---|---|---|---|---|
CN102017216B (zh) * | 2008-04-28 | 2013-03-27 | 大日本印刷株式会社 | 具有空穴注入传输层的器件及其制造方法、以及用于形成空穴注入传输层的墨液 |
JP6337561B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-06-06 | 株式会社リコー | ペロブスカイト型太陽電池 |
-
2020
- 2020-10-09 CN CN202011072519.2A patent/CN112216797B/zh active Active
Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
CN108288675A (zh) * | 2018-01-12 | 2018-07-17 | 天津理工大学 | 一种铁盐掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及含该空穴传输层的太阳能电池 |
CN109912458A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-21 | 苏州大学 | 金属卤化物钙钛矿材料,其制备方法以及太阳能电池器件及其制备方法 |
CN111244284A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 南京信息工程大学 | 一种基于离子混掺空穴传输层的钙钛矿电池及其制备方法 |
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