CN112214953B - 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 - Google Patents

一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112214953B
CN112214953B CN202011125626.7A CN202011125626A CN112214953B CN 112214953 B CN112214953 B CN 112214953B CN 202011125626 A CN202011125626 A CN 202011125626A CN 112214953 B CN112214953 B CN 112214953B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
circuit
total dose
time
bias voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011125626.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112214953A (zh
Inventor
郑齐文
崔江维
李小龙
魏莹
余学峰
李豫东
郭�旗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Original Assignee
Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS filed Critical Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry of CAS
Priority to CN202011125626.7A priority Critical patent/CN112214953B/zh
Publication of CN112214953A publication Critical patent/CN112214953A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112214953B publication Critical patent/CN112214953B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/36—Circuit design at the analogue level
    • G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/36—Circuit design at the analogue level

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。

Description

一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
技术领域
本发明属于抗辐射集成电路设计技术领域，具体涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法。
背景技术
卫星电子系统中的集成电路受空间辐射环境中高能带电粒子辐射，造成辐射损伤,严重威胁卫星的安全可靠运行。总剂量辐射效应是其中重要的辐射损伤效应之一，它是由质子和电子电离作用产生的永久性累积损伤，决定了器件在空间使用的最长期限，是高轨、长寿命卫星面临的重要问题。为了保障卫星安全、提高卫星寿命，必须了解集成电路的总剂量辐射效应及其机理，从而采取相应的措施。但是，由于集成电路结构、功能的复杂性和多样性，我们对其总剂量辐射损伤机理的认识仍不清晰。
总剂量辐射效应首先将引起组成集成电路最小单元的晶体管参数变化，当晶体管参数变化到一定程度时将引起逻辑门及功能模块性能退化，模块性能退化进而造成整个电路性能的退化、甚至失效。从目前研究来看，对晶体管总剂量辐射损伤机制的研究早已深入至了器件氧化层、钝化层、隔离层的辐射陷阱电荷产生等微观层面；电路辐照前后宏观性能参数变化，只要具备必要的时间和设备，也可进行全面详细的测量；然而，逻辑门、功能模块级的辐射损伤情况，由于集成电路结构的复杂性，尚无办法直接测量，需要借助电路级总剂量辐射效应仿真的方法获得集成电路内部辐射损伤信息。
辐照偏置条件是指电路工作时晶体管各端口的偏置电压，辐照偏置条件不同导致晶体管氧化物中的电场强度及方向不同，进而辐射感生陷阱电荷数量、位置不同。辐照偏置条件不同引起的晶体管辐射损伤差异会导致差分对管失配等电路辐射损伤特性，是电路级总剂量效应仿真必须要考虑的因素。晶体管总剂量效应模型需要考虑辐照偏置条件影响因素，而辐照偏置条件需要通过电路仿真获得，进而电路级总剂量效应仿真需要实现晶体管总剂量效应模型与电路仿真计算的互相通信，而常规的电路仿真通常是晶体管模型到电路仿真计算的单向输入。
本发明提出一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，利用不同偏置电压在晶体管氧化物产生电场分布不同的特点，分别计算晶体管不同端口偏置电压引入陷阱电荷，进行随辐照时间的电路总剂量辐射损伤迭代计算，实现考虑辐照偏置条件影响的电路级总剂量效应仿真。
发明内容
本发明目的在于，提供一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。
本发明所述的一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，按下列步骤进行:
晶体管偏置电压提取：
a、根据待研究电路静态状态下各输入端口条件，对待研究电路进行直流仿真，输出电路中各个晶体管栅、源、漏、体端电压，根据待研究电路不同工作模式下各输入端口条件，对待研究电路不同工作模式分别进行瞬态仿真，瞬态仿真时间长度为一个工作周期，输出电路中各个晶体管栅、源、漏、体端电压；
晶体管平均偏置电压计算：
b、对于步骤a中的直流仿真，仿真中输出的晶体管偏置电压即为晶体管平均偏置电压，对于步骤a中的瞬态仿真，在一个工作周期内对仿真中输出的晶体管偏置电压进行随时间的积分并除以工作周期，即为晶体管平均偏置电压，栅端平均偏置电压具体计算公式：
Figure BDA0002733526350000021
其中，
Figure BDA0002733526350000022
表示晶体管栅端的平均偏置电压，T为待研究电路的一个工作周期，V_Gate(t)表示瞬态仿真中输出的随工作时间变化的晶体管栅端偏置电压，晶体管源、漏、体端平均偏置电压的计算方法与栅端平均偏置电压计算方法一致；
晶体管辐射陷阱电荷计算：
c、分别计算晶体管栅、源、漏、体端偏置电压引入的辐射陷阱电荷，栅端电压在氧化物引入氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷具体计算公式：
Figure BDA0002733526350000023
Figure BDA0002733526350000024
其中，Not(t0)为时间t0内产生的氧化物陷阱电荷，Nit(t0)为时间t0内产生的界面陷阱电荷，K1、K2、K3、K4、K5、K6为拟合参数，ε(x)为1V栅端电压在晶体管氧化物内产生的电场分布函数，x表示沿晶体管源、漏方向对称分割平面上氧化物与沟道交界线，起点为0，终点为Xdepth，Tox(x)为氧化物厚度分布函数，将待研究电路的总累计辐照时间划分为多个时间间隔t0，t1，t2，t3……，t0为第一个总剂量辐照时间点；源、漏、体端电压引入氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷计算与栅端电压计算方法一致；
晶体管总剂量效应模型参数更新：
d、将步骤c计算出的氧化物陷阱电荷Not(t0)、界面陷阱电荷Nit(t0)带入晶体管总剂量模型，生成时间t0的晶体管总剂量效应模型；
电路总剂量辐射损伤仿真：
e、调用步骤d中生成的时间t0的晶体管总剂量效应模型，仿真电路的直流、瞬态、噪声、稳定性特性，输出时间t0的电路总剂量辐射损特性，调用步骤d中生成的时间t0的晶体管总剂量效应模型，利用步骤a中的仿真条件，输出时间t0的晶体管偏置电压；
电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算：
F、以步骤e中输出的时间t0的晶体管偏置电压为输入条件，进行步骤b,c,d,e的操作，其中步骤c中的辐照时间由t0替换为t1，步骤d中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷替换为以下公式计算结果：
Not＝Not(t0)+Not(t1)
Nit＝Nit(t0)+Nit(t1)
步骤e输出时间t0+t1的电路总剂量辐射损伤特性，输出时间t0+t1的晶体管偏置电压；
步骤e中输出的时间t0+t1的晶体管偏置电压为输入条件，进行步骤b,c,d,e的操作，其中步骤c中的辐照时间由t0替换为t2，步骤d中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷替换为以下公式计算结果：
Not＝Not(t0)+Not(t1)+Not(t2)
Nit＝Nit(t0)+Nit(t1)+Nit(t2)
步骤e输出时间t0+t1+t2的电路总剂量辐射损伤特性，输出时间t0+t1+t2的晶体管偏置电压；
按时间增加循环进行步骤b,c,d,e,f的操作，分别输出随辐照时间t0,t0+t1,t0+t1+t2……变化的电路总剂量辐射损伤特性。
步骤a，e，f中的电路仿真为并行SPICE仿真。
步骤a，e，f中的电路仿真中，电路工作电压设为1.1倍的正常工作电压。
本发明所述的一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法中：
晶体管偏置电压，是指晶体管栅、源、漏、体端电压。
晶体管平均偏置电压，是指晶体管偏置电压随工作时间的平均值。
晶体管辐射陷阱电荷是指氧化物中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷。
晶体管总剂量模型是指描述辐射导致电参数退化的紧凑模型，氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷是晶体管总剂量模型的输入参数。
本发明所述的一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，与现有技术相比其优点为：
一、考虑辐照偏置条件在晶体管氧化物产生电场不均匀分布对辐射陷阱电荷的影响。
二、分析待研究电路静态、不同工作模式下的总剂量辐射损伤特性，完备获得待研究电路的总剂量辐射损伤特性。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
图1为本发明流程图；
图2为本发明130nm SOI工艺输出电路晶体管Xm59漏端平均偏置电压；
图3为本发明浅槽隔离氧化物电场分布图，其中
Figure BDA0002733526350000041
晶体管栅介质厚度，α为浅槽隔离氧化物倾角，x为浅槽隔离深度；
图4为本发明130nm SOI工艺输出电路功耗电流随辐照时间的仿真结果。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
实施例
本发明所述的一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，具体操作按图1所列步骤进行：
晶体管偏置电压提取：
a、晶体管偏置电压，是指晶体管栅、源、漏、体端电压，根据待研究电路静态状态下各输入端口条件，对待研究电路进行直流仿真，输出电路中各个晶体管栅、源、漏、体端电压，根据待研究电路不同工作模式下各输入端口条件，对待研究电路不同工作模式分别进行瞬态仿真，瞬态仿真时间长度为一个工作周期，输出电路中各个晶体管栅、源、漏、体端电压，以130nm SOI工艺的输出电路为例，其中晶体管Xm59漏端电压一个工作周期的输出电压如图2所示；
晶体管平均偏置电压计算：
b、晶体管平均偏置电压，是指晶体管偏置电压随工作时间的平均值，对于步骤a中的直流仿真，仿真中输出的晶体管偏置电压即为晶体管平均偏置电压；对于步骤a中的瞬态仿真，在一个工作周期内对仿真中输出的晶体管偏置电压进行随时间的积分并除以工作周期，即为晶体管平均偏置电压，栅端平均偏置电压具体计算公式如下：
Figure BDA0002733526350000042
其中，
Figure BDA0002733526350000043
表示晶体管栅端的平均偏置电压，T为待研究电路的一个工作周期，V_Gate(t)表示瞬态仿真中输出的随工作时间变化的晶体管栅端偏置电压；晶体管源、漏、体端平均偏置电压的计算方法与栅端平均偏置电压计算方法一致，以130nm SOI工艺的输出电路为例，其中晶体管Xm59平均漏端偏置电压计算结果为1.53V；
晶体管辐射陷阱电荷计算：
c、晶体管辐射陷阱电荷是指氧化物中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷，分别计算晶体管栅、源、漏、体端偏置电压引入的辐射陷阱电荷，栅端电压在氧化物引入氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷具体计算公式如下：
Figure BDA0002733526350000051
Figure BDA0002733526350000052
其中，Not(t0)为时间t0内产生的氧化物陷阱电荷，Nit(t0)为时间t0内产生的界面陷阱电荷，K1、K2、K3、K4、K5、K6为拟合参数，ε(x)为1V栅端电压在晶体管氧化物内产生的电场分布函数，图3所示为浅槽隔离氧化物内电场分布函数，x表示沿晶体管源、漏方向对称分割平面上氧化物与沟道交界线，起点为0，终点为Xdepth，Tox(x)为氧化物厚度分布函数，将待研究电路的总累计辐照时间划分为多个时间间隔t0，t1，t2，t3……，t0为第一个总剂量辐照时间点，源、漏、体端电压引入氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷计算与栅端电压计算方法一致；
晶体管总剂量效应模型参数更新：
d、晶体管总剂量模型是指描述辐射导致电参数退化的紧凑模型，氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷是晶体管总剂量模型的输入参数；将步骤c计算出的氧化物陷阱电荷Not(t0)、界面陷阱电荷Nit(t0)带入晶体管总剂量模型，生成时间t0的晶体管总剂量效应模型；
电路总剂量辐射损伤仿真：
e、调用步骤d中生成的时间t0的晶体管总剂量效应模型，仿真电路的直流、瞬态、噪声、稳定性特性，输出时间t0的电路总剂量辐射损特性；调用步骤d中生成的时间t0的晶体管总剂量效应模型，利用步骤a中的仿真条件，输出时间t0的晶体管偏置电压；
F、以步骤e中输出的时间t0的晶体管偏置电压为输入条件，进行步骤b,c,d,e的操作，其中步骤c中的辐照时间由t0替换为t1，步骤d中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷替换为以下公式计算结果：
Not＝Not(t0)+Not(t1)
Nit＝Nit(t0)+Nit(t1)
步骤e输出时间t0+t1的电路总剂量辐射损伤特性，输出时间t0+t1的晶体管偏置电压。
步骤e中输出的时间t0+t1的晶体管偏置电压为输入条件，进行步骤b,c,d,e的操作，其中步骤c中的辐照时间由t0替换为t2，步骤d中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷替换为以下公式计算结果：
Not＝Not(t0)+Not(t1)+Not(t2)
Nit＝Nit(t0)+Nit(t1)+Nit(t2)
步骤e输出时间t0+t1+t2的电路总剂量辐射损伤特性，输出时间t0+t1+t2的晶体管偏置电压；
按时间增加循环进行步骤b,c,d,e,f的操作，分别输出随辐照时间t0,t0+t1,t0+t1+t2……变化的电路总剂量辐射损伤特性，以130nm SOI工艺的输出电路为例，电路功耗电流随辐照时间的仿真结果如图4所示。
步骤a，e，f中的电路仿真为并行SPICE仿真。
步骤a，e，f中的电路仿真中，电路工作电压设为1.1倍的正常工作电压。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的认识皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (3)

1.一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，其特征是按下列步骤进行:
晶体管偏置电压提取：
a、根据待研究电路静态状态下各输入端口条件，对待研究电路进行直流仿真，输出电路中各个晶体管栅、源、漏、体端电压，根据待研究电路不同工作模式下各输入端口条件，对待研究电路不同工作模式分别进行瞬态仿真，瞬态仿真时间长度为一个工作周期，输出电路中各个晶体管栅、源、漏、体端电压；
晶体管平均偏置电压计算：
b、对于步骤a中的直流仿真，仿真中输出的晶体管偏置电压即为晶体管平均偏置电压，对于步骤a中的瞬态仿真，在一个工作周期内对仿真中输出的晶体管偏置电压进行随时间的积分并除以工作周期，即为晶体管平均偏置电压，栅端平均偏置电压具体计算公式：
Figure FDA0002733526340000011
其中，
Figure FDA0002733526340000012
表示晶体管栅端的平均偏置电压，T为待研究电路的一个工作周期，V_Gate(t)表示瞬态仿真中输出的随工作时间变化的晶体管栅端偏置电压，晶体管源、漏、体端平均偏置电压的计算方法与栅端平均偏置电压计算方法一致；
晶体管辐射陷阱电荷计算：
c、分别计算晶体管栅、源、漏、体端偏置电压引入的辐射陷阱电荷，栅端电压在氧化物引入氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷具体计算公式：
Figure FDA0002733526340000013
Figure FDA0002733526340000014
其中，Not(t0)为时间t0内产生的氧化物陷阱电荷，Nit(t0)为时间t0内产生的界面陷阱电荷，K1、K2、K3、K4、K5、K6为拟合参数，ε(x)为1V栅端电压在晶体管氧化物内产生的电场分布函数，x表示沿晶体管源、漏方向对称分割平面上氧化物与沟道交界线，起点为0，终点为Xdepth，Tox(x)为氧化物厚度分布函数，将待研究电路的总累计辐照时间划分为多个时间间隔t0，t1，t2，t3……，t0为第一个总剂量辐照时间点；源、漏、体端电压引入氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷计算与栅端电压计算方法一致；
晶体管总剂量效应模型参数更新：
d、将步骤c计算出的氧化物陷阱电荷Not(t0)、界面陷阱电荷Nit(t0)带入晶体管总剂量模型，生成时间t0的晶体管总剂量效应模型；
电路总剂量辐射损伤仿真：
e、调用步骤d中生成的时间t0的晶体管总剂量效应模型，仿真电路的直流、瞬态、噪声、稳定性特性，输出时间t0的电路总剂量辐射损特性，调用步骤d中生成的时间t0的晶体管总剂量效应模型，利用步骤a中的仿真条件，输出时间t0的晶体管偏置电压；
电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算：
f、以步骤e中输出的时间t0的晶体管偏置电压为输入条件，进行步骤b,c,d,e的操作，其中步骤c中的辐照时间由t0替换为t1，步骤d中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷替换为以下公式计算结果：
Not＝Not(t0)+Not(t1)
Nit＝Nit(t0)+Nit(t1)
步骤e输出时间t0+t1的电路总剂量辐射损伤特性，输出时间t0+t1的晶体管偏置电压；
步骤e中输出的时间t0+t1的晶体管偏置电压为输入条件，进行步骤b,c,d,e的操作，其中步骤c中的辐照时间由t0替换为t2，步骤d中的氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷替换为以下公式计算结果：
Not＝Not(t0)+Not(t1)+Not(t2)
Nit＝Nit(t0)+Nit(t1)+Nit(t2)
步骤e输出时间t0+t1+t2的电路总剂量辐射损伤特性，输出时间t0+t1+t2的晶体管偏置电压；
按时间增加循环进行步骤b,c,d,e,f的操作，分别输出随辐照时间t0,t0+t1,t0+t1+t2……变化的电路总剂量辐射损伤特性。
2.根据权利要求1所述的一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，其特征在于步骤a，e，f中的电路仿真为并行SPICE仿真。
3.根据权利要求1所述的一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，其特征在于步骤a，e，f中的电路仿真中，电路工作电压设为1.1倍的正常工作电压。
CN202011125626.7A 2020-10-20 2020-10-20 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 Active CN112214953B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011125626.7A CN112214953B (zh) 2020-10-20 2020-10-20 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011125626.7A CN112214953B (zh) 2020-10-20 2020-10-20 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112214953A CN112214953A (zh) 2021-01-12
CN112214953B true CN112214953B (zh) 2022-08-05

Family

ID=74056055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011125626.7A Active CN112214953B (zh) 2020-10-20 2020-10-20 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112214953B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113591320B (zh) * 2021-08-09 2022-09-06 西安电子科技大学 一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法
CN114169194A (zh) * 2021-11-25 2022-03-11 中国科学院新疆理化技术研究所 一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真分析方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0475249A2 (en) * 1990-09-10 1992-03-18 Seiko Instruments Inc. Method for driving liquid crystal light valve of light writing type
CN101339073A (zh) * 2007-07-02 2009-01-07 Ulis股份公司 检测电磁辐射、尤其是红外辐射的设备
CN101419094A (zh) * 2007-10-23 2009-04-29 原子能委员会 具有测辐射热像素的矩阵热图像传感器和降低空间噪声的方法
CN101551831A (zh) * 2009-02-27 2009-10-07 北京时代民芯科技有限公司 一种与总剂量辐射相关的器件建模方法
CN101552034A (zh) * 2009-02-27 2009-10-07 北京时代民芯科技有限公司 抗辐射加固fpga芯片中抗单粒子翻转的存储单元电路
CN102185004A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 复旦大学 具有光电导效应的石墨烯场效应晶体管以及红外探测器
CN102541128A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 北京立博信荣科技有限公司 一种传感器的偏置电压控制电路
CN103971752A (zh) * 2014-05-19 2014-08-06 中国科学院新疆理化技术研究所 一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统
CN105022875A (zh) * 2015-07-14 2015-11-04 西北核技术研究所 考虑辐照偏置电压动态变化的cmos电路总剂量效应仿真方法
CN108037438A (zh) * 2017-12-13 2018-05-15 中国科学院新疆理化技术研究所 一种总剂量辐照对pmosfet负偏压温度不稳定性影响的试验方法
CN108108536A (zh) * 2017-12-07 2018-06-01 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 Sti氧化物陷阱电荷提取方法、装置、介质和计算机设备
CN108388721A (zh) * 2018-02-08 2018-08-10 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Soi nmos总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法
CN110221336A (zh) * 2019-06-24 2019-09-10 中国科学院新疆理化技术研究所 一种基于pmos剂量计的多点测量方法
CN110908426A (zh) * 2019-10-30 2020-03-24 西安空间无线电技术研究所 一种总剂量防护带隙基准源电路
CN110927553A (zh) * 2019-12-13 2020-03-27 西安电子科技大学 锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法
CN110968960A (zh) * 2019-12-13 2020-04-07 西安电子科技大学 一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0475249A2 (en) * 1990-09-10 1992-03-18 Seiko Instruments Inc. Method for driving liquid crystal light valve of light writing type
CN101339073A (zh) * 2007-07-02 2009-01-07 Ulis股份公司 检测电磁辐射、尤其是红外辐射的设备
CN101419094A (zh) * 2007-10-23 2009-04-29 原子能委员会 具有测辐射热像素的矩阵热图像传感器和降低空间噪声的方法
CN101551831A (zh) * 2009-02-27 2009-10-07 北京时代民芯科技有限公司 一种与总剂量辐射相关的器件建模方法
CN101552034A (zh) * 2009-02-27 2009-10-07 北京时代民芯科技有限公司 抗辐射加固fpga芯片中抗单粒子翻转的存储单元电路
CN102541128A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 北京立博信荣科技有限公司 一种传感器的偏置电压控制电路
CN102185004A (zh) * 2011-04-02 2011-09-14 复旦大学 具有光电导效应的石墨烯场效应晶体管以及红外探测器
CN103971752A (zh) * 2014-05-19 2014-08-06 中国科学院新疆理化技术研究所 一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统
CN105022875A (zh) * 2015-07-14 2015-11-04 西北核技术研究所 考虑辐照偏置电压动态变化的cmos电路总剂量效应仿真方法
CN108108536A (zh) * 2017-12-07 2018-06-01 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 Sti氧化物陷阱电荷提取方法、装置、介质和计算机设备
CN108037438A (zh) * 2017-12-13 2018-05-15 中国科学院新疆理化技术研究所 一种总剂量辐照对pmosfet负偏压温度不稳定性影响的试验方法
CN108388721A (zh) * 2018-02-08 2018-08-10 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Soi nmos总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法
CN110221336A (zh) * 2019-06-24 2019-09-10 中国科学院新疆理化技术研究所 一种基于pmos剂量计的多点测量方法
CN110908426A (zh) * 2019-10-30 2020-03-24 西安空间无线电技术研究所 一种总剂量防护带隙基准源电路
CN110927553A (zh) * 2019-12-13 2020-03-27 西安电子科技大学 锗硅异质结双极晶体管总剂量效应缺陷分布实验分析方法
CN110968960A (zh) * 2019-12-13 2020-04-07 西安电子科技大学 一种总剂量效应缺陷模型的确定方法及装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DSP总剂量效应的电路级仿真研究;张鑫;《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)信息科技辑》;20180215(第02期);I135-487 *
不同结构nMOS管的总剂量辐射效应;闫旭亮 等;《半导体技术》;20141130;第39卷(第11期);861-866 *
电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响;姬庆刚 等;《原子核物理评论》;20190930;第36卷(第3期);367-372 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112214953A (zh) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112214952B (zh) 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法
CN112214953B (zh) 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
Esqueda et al. Modeling inter-device leakage in 90 nm bulk CMOS devices
Liu et al. CMOS RF power amplifier variability and reliability resilient biasing design and analysis
CN110929468B (zh) 一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用
Dodd et al. Development of a radiation-hardened lateral power MOSFET for POL applications
Rax et al. Proton damage effects in linear integrated circuits
Anjankar et al. Comparison of total ionizing dose effect on tolerance of SCL 180 nm bulk and SOI CMOS using TCAD simulation
Rostand et al. Total ionizing dose effects in fdsoi compact model for ic design
Fernández-Martínez et al. Simulation of total ionising dose on LDMOS devices for high energy physics applications
CN103324813A (zh) Mos器件非均匀界面退化电荷的数值模拟方法及系统
Diez et al. IHP SiGe: C BiCMOS technologies as a suitable backup solution for the ATLAS upgrade front-end electronics
Sutaria et al. Diagnosing bias runaway in analog/mixed signal circuits
Messenger et al. Displacement damage in MOS transistors
Hao et al. Effects of total dose radiation on single event effect of the uniaxial strained si nano NMOSFET
Rostand et al. Unified SPICE model for transient ionizing radiation response of SOI MOSFET
Xu et al. LET-dependent model of single-event effects in MOSFETs
Li et al. Simulation of heavy ion irradiation effect on 3D MOSFET
Johnston et al. Testing and qualifying linear integrated circuits for radiation degradation in space
Zhang et al. Single Event Transient Study of pMOS Transistors in 65 nm Technology With and Without a Deep n+ Well Under Particle Striking
Raman et al. Addressing challenges in device-circuit modeling for extreme environments of space
Zeynali et al. Study of “radiation effects of nuclear high energy particles” on electronic circuits and methods to reduce its destructive effects
RU2727332C1 (ru) Способ повышения радиационной стойкости микросхем статических ОЗУ на структурах "кремний на сапфире"
Benka et al. Characterization of pixel sensor designed in 180 nm SOI CMOS technology
Li et al. The temperature dependence of single-event transients in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSFETs

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant