CN112202443A - 射频开关装置及射频开关系统 - Google Patents

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CN112202443A
CN112202443A CN202011024859.8A CN202011024859A CN112202443A CN 112202443 A CN112202443 A CN 112202443A CN 202011024859 A CN202011024859 A CN 202011024859A CN 112202443 A CN112202443 A CN 112202443A
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switching device
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Abstract

本申请涉及一种射频开关装置及射频开关系统。射频开关装置包括第一耦合器、第二耦合器、第一开关、第二开关和匹配负载。第二输入端与第一直通端连接。第二隔离端与第一耦合端连接。第二输入端和第一直通端与第一开关的一端连接。第二隔离端和第一耦合端与第二开关的一端连接。第一开关和第二开关的另一端接地。匹配负载与第二直通端连接。当第一开关与第二开关均导通时，射频信号从第一隔离端输出。当第一开关与第二开关均断开时，射频信号从第二耦合端输出。射频开关装置仅需控制第一开关和第二开关的开关状态，就能实现射频信号的输出端口的选择。射频开关装置包括的开关数量较少，控制逻辑简单，结构简单。

Description

射频开关装置及射频开关系统
技术领域
本申请涉及开关技术领域，特别是涉及一种射频开关装置及射频开关系统。
背景技术
现有技术中通过多个并联和串联MOS管的放大电路来实现射频电路的开关。在串联状态下，MOS的源级和漏级分别与输入和输出端口相连。并联状态下，MOS管的漏极与输入输出通路相连，源极接地，通过改变MOS管栅极控制射频信号来改变MOS管输入阻抗，从而实现开关导通和截止。单纯采用串联或者并联MOS管的开关结构，插入损耗和隔离度指标都不够好。而采用多个并联和串联MOS管的电路实现电路的导通和截止，控制逻辑和电路结构很复杂。
发明内容
基于此，有必要针对现有射频电路的开关电路结构复杂的问题，提供一种射频开关装置及射频开关系统。
一种射频开关装置，包括第一耦合器、第二耦合器、第一开关、第二开关和匹配负载。所述第一耦合器包括第一输入端、第一直通端、第一耦合端和第一隔离端。所述第一输入端用于接收射频信号。所述第二耦合器包括第二输入端、第二直通端、第二耦合端和第二隔离端。所述第二输入端与所述第一直通端连接，所述第二隔离端与所述第一耦合端连接。所述第二输入端和所述第一直通端均与所述第一开关的一端连接。所述第一开关的另一端接地。所述第二隔离端和所述第一耦合端均与所述第二开关的一端连接。所述第二开关的另一端接地。所述匹配负载与所述第二直通端连接。
当所述第一开关与所述第二开关均导通时，所述射频信号从所述第一输入端输入，从所述第一隔离端输出。当所述第一开关与所述第二开关均断开时，所述射频信号从所述第一输入端输入，从所述第二耦合端输出，所述匹配负载用于将所述第二直通端的射频信号转化为热能。
在一个实施例中，所述第一开关或所述第二开关为晶体管。
在一个实施例中，所述第一开关和所述第二开关均为二极管，且所述第一开关和第二开关的导通射频信号相同。
在一个实施例中，所述匹配负载包括电阻，所述电阻的一端与所述第二直通端连接，所述电阻的另一端接地。
在一个实施例中，所述第一耦合器或所述第二耦合器为3dB正交耦合器。
一种射频开关系统，包括第一射频开关装置和第二射频开关装置。所述第一射频开关装置和所述第二射频开关装置均为上述任一个实施例所述的射频开关装置，所述第二射频开关装置的所述第一输入端与所述第一射频开关装置的所述第一隔离端或所述第一射频开关装置的所述第二耦合端连接。
在一个实施例中，所述第一射频开关装置和所述第二射频开关装置中的所述匹配负载相同。
在一个实施例中，所述射频开关系统还包括第三射频开关装置。所述第三射频开关装置为上述任一个实施例所述的射频开关装置。所述第三射频开关装置的所述第一输入端与所述第一射频开关装置的所述第二耦合端或所述第一射频开关装置的所述第一隔离端连接。
在一个实施例中，所述第一射频开关装置、所述第二射频开关装置和所述第三射频开关装置中的所述第一开关和所述第二开关的种类均相同。
在一个实施例中，所述第一射频开关装置、所述第二射频开关装置和所述第三射频开关装置中的所述匹配负载相同。
一种射频开关系统，包括多个如上述任一个实施例的所述射频开关装置，所述多个的射频开关装置串联和/或并联连接，并形成单刀三掷开关或四掷开关。
本申请实施例提供的所述射频开关装置，包括第一耦合器、第二耦合器、第一开关、第二开关和匹配负载。所述第一耦合器包括第一输入端、第一直通端、第一耦合端和第一隔离端。所述第一输入端用于接收射频信号。所述第二耦合器包括第二输入端、第二直通端、第二耦合端和第二隔离端。所述第二输入端与所述第一直通端连接。所述第二隔离端与所述第一耦合端连接。所述第二输入端和所述第一直通端均与所述第一开关的一端连接。所述第一开关的另一端接地。所述第二隔离端和所述第一耦合端均与所述第二开关的一端连接。所述第二开关的另一端接地。所述匹配负载与所述第二直通端连接。当所述第一开关与所述第二开关均导通时，所述射频信号从所述第一输入端输入，所述射频信号从所述第一隔离端输出。当所述第一开关与所述第二开关均断开时，所述射频信号从所述第一输入端输入，从所述第二耦合端输出。所述射频开关装置仅需控制所述第一开关和所述第二开关的开关状态，就能控制所述射频信号从所述第一隔离端输出或所述第二耦合端输出。所述射频开关装置包括的开关数量较少，控制逻辑简单，结构简单。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例中提供的所述射频开关装置的电连接示意图；
图2为本申请一个实施例中提供的当所述第一开关与所述第二开关均导通时的电连接图；
图3为本申请一个实施例中提供的当所述第一开关与所述第二开关均断开时的电连接图；
图4为本申请一个实施例中提供的所述射频开关系统的电连接示意图。
附图标号：
10、射频开关装置；20、第一耦合器；201、第一输入端；202、第一直通端；203、第一耦合端；204、第一隔离端；30、第二耦合器；301、第二输入端；302、第二直通端；303、第二耦合端；304、第二隔离端；40、第一开关；50、第二开关；60、匹配负载；100、射频开关系统；200、第一射频开关装置；300、第二射频开关装置；400、第三射频开关装置。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参见图1，本申请实施例提供一种射频开关装置10，包括第一耦合器20、第二耦合器30、第一开关40、第二开关50和匹配负载60。所述第一耦合器20包括第一输入端201、第一直通端202、第一耦合端203和第一隔离端204。所述第一输入端201用于接收射频信号。所述第二耦合器30包括第二输入端301、第二直通端302、第二耦合端303和第二隔离端304。所述第二输入端301与所述第一直通端202连接，所述第二隔离端304与所述第一耦合端203连接。所述第二输入端301和所述第一直通端202均与所述第一开关40的一端连接。所述第一开关40的另一端接地。所述第二隔离端304和所述第一耦合端203均与所述第二开关50的一端连接。所述第二开关50的另一端接地。所述匹配负载60与所述第二直通端302连接。
本申请实施例提供的所述射频开关装置10，当所述第一开关40与所述第二开关50均导通时，所述射频信号从所述第一输入端201输入，并从所述第一隔离端204输出。当所述第一开关40与所述第二开关50均断开时，所述射频信号从所述第一输入端201输入，并从所述第二耦合端303输出，所述匹配负载60用于将所述第二直通端302无用的射频信号转化为热能。所述射频开关装置10仅需控制所述第一开关40和所述第二开关50的开关状态，就能控制所述第一隔离端204或所述第二耦合端303输出所述射频信号，实现输出端口的选择。所述射频开关装置10包括的开关数量较少，控制逻辑简单，结构简单。
在一个实施例中，所述第一耦合器20和所述第二耦合器30包括光电耦合器或光纤耦合器。所述第一输入端201和所述第二输入端301均输入射频信号或交流信号。
所述第一耦合器20和所述第二耦合器30的种类可以相同，也可以不同。
在一个实施例中，所述第一耦合器20或所述第二耦合器30为3dB正交耦合器，以保证传输的信号的速度和相位角损失相同。3dB正交耦合器为宽带大功率耦合器，相对带宽可达20％，提供了大传输功率。
在一个实施例中，所述第一耦合器20的四个存在以下关系：
如果所述第一输入端201的射频信号的幅值为1，相位角为0°，则所述第一直通端202的射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000061
相位角为90°；所述第一耦合端203的射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000062
相位角为180°；所述第一隔离端204不输出信号。
在一个实施例中，所述第二耦合器30的四个存在以下关系：
如果所述第二输入端301的射频信号的幅值为1，相位角为0°，则所述第二直通端302射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000063
相位角为90°；所述第二耦合端303射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000064
相位角为180°；所述第二隔离端304不输出信号。
请一并参见图2，当所述第一开关40与所述第二开关50均导通时，所述第一直通端202和所述第一耦合端203均等效接地。此时，如果所述第一输入端201射频信号的幅值为1，相位角为0°，则电流经所述第一耦合器20传输后，到达所述第一直通端202和所述第一耦合端203。所述第一直通端202射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000071
相位角为90°。所述第一耦合端203射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000072
相位角为180°。
由于所述第一直通端202接地，所述第一直通端202的能量会经所述第一耦合器20反射回所述第一输入端201、所述第一耦合端203和所述第一隔离端204。此时由于所述第一直通端202的能量反射，在所述第一输入端201产生的射频信号的幅值为1/2，相位角为180°；在所述第一隔离端204的射频信号的幅值为1/2，相位角为270°。
由于所述第一耦合器20接地，所述第一耦合器20的能量会经所述第一耦合器20反射回所述第一输入端201、所述第一直通端202和所述第一隔离端204。此时由于所述第一耦合器20的能量反射，在所述第一输入端201产生的射频信号的幅值为1/2，相位角为0°；在所述第一隔离端204的射频信号的幅值为1/2，相位角为270°。
在所述第一输入端201，所述第一直通端202反射产生的幅值为1/2，相位角为180°的射频信号和所述第一耦合器20反射产生的幅值为1/2，相位角为0°的射频信号叠加。由于在所述第一输入端201的两个反射得到的两个射频信号的相位相反，且大小相等，则所述第一输入端201的射频信号为0。
在所述第一隔离端204，所述第一直通端202反射产生的幅值为1/2，相位角为270°的射频信号和所述第一耦合器20反射产生的幅值为1/2，相位角为270°的射频信号叠加。由于在所述第一隔离端204的两个反射得到的两个射频信号的相位相同，则所述第一隔离端204的幅值为1，相位角为270°。
由上可知，当所述第一开关40或所述第二开关50为导通时，所述第一直通端202和所述第一耦合端203均接地。当所述第一输入端201有射频信号输入时，所述第一隔离端204有射频信号输出，且所述第一隔离端204的输出射频信号与所述第一输入端201输入的射频信号的幅值大小相等。所述第一隔离端204输出的射频信号延迟270°相位角。
请一并参见图3，当所述第一开关40与所述第二开关50均断开时，所述第一直通端202与所述第二输入端301导通，所述第一耦合端203与所述第二隔离端304导通，所述第二耦合端303输出射频信号，以下为工作原理：
如果所述第一输入端201的射频信号的幅值为1，相位角为0°，则电流经所述第一耦合器20传输后，到达所述第一直通端202和所述第一耦合端203。所述第一直通端202的射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000081
相位角为90°。所述第一耦合端203的射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000082
相位角为180°。所述第一隔离端204不输出信号。
由于所述第一直通端202与所述第二输入端301导通，所述第二输入端301的射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000083
相位角为90°。所述第一直通端202的能量会进入所述第二耦合器30，并流向所述第二直通端302和所述第二耦合端303；所述第二直通端302的产生的射频信号的幅值为1/2，相位角为180°；所述第二耦合端303的射频信号的幅值为1/2，相位角为270°。
由于所述第一耦合端203与所述第二隔离端304导通，所述第一耦合端203的射频信号的幅值为
Figure BDA0002701860430000084
相位角为180°。所述第一耦合端203的能量会进入所述第二耦合器30，并流向所述第二直通端302和所述第二耦合端303；所述第二直通端302的产生的射频信号的幅值为1/2，相位角为0°；所述第二耦合端303的射频信号的幅值为1/2，相位角为270°。
在所述第二直通端302，所述第二输入端301能量输入产生的幅值为1/2，相位角为180°的射频信号和所述第二隔离端304能量输入产生的幅值为1/2，相位角为0°的射频信号相互叠加。由于在所述第二直通端302反射得到的两个射频信号的相位相反，且大小相等，所述第二直通端302的射频信号为0。
在所述第二耦合端303，所述第二输入端301能量输入产生的幅值为1/2，相位角为270°的射频信号和所述第二隔离端304能量输入产生的幅值为1/2，相位角为270°的射频信号相互叠加。由于在所述第二耦合端303的两个射频信号的相位相反，且大小相等，所述第二耦合端303的射频信号为0。
由上可知，当所述第一开关40或所述第二开关50为断开时，所述第一直通端202与所述第二输入端301导通，所述第一耦合端203与所述第二隔离端304导通。当所述第一输入端201有射频信号输入时，所述第二隔离端304有射频信号输出，且所述第二耦合端303的输出射频信号与所述第一输入端201输入的射频信号大小相等。所述第二耦合端303输出的射频信号延迟270°相位角。
在一个实施例中，所述第一开关40或所述第二开关50为晶体管。所述第一开关40或所述第二开关50为二极管、三极管、场效应管或晶闸管等。
在一个实施例中，所述第一开关40和所述第二开关50均为二极管，且所述第一开关40和第二开关50的导通电压相同，以保证所述第一开关40和所述第二开关50同时导通或断开，避免信号延迟，产生叠加误差。
所述第一开关40的正极与所述第一直通端202(或所述第二输入端301)连接，所述第一开关40的负极接地。所述第二开关50的正极与所述第一耦合端203(或所述第二隔离端304)连接，所述第一开关40的负极接地。
当所述第一开关40和所述第二开关50输入的射频信号大于截止射频信号时，所述第一开关40和所述第二开关50导通。所述第一输入端201输入的是射频信号。则所述第一开关40和所述第二开关50的正极输入信号为射频信号(可以理解为交流信号)。
射频信号反射原理：如下图所示，Γ为反射系数，Zin为端口的输出阻抗(默认为50欧姆)，ZL为负载阻抗(为可变的)，端口面的反射系数为：
Figure BDA0002701860430000101
当ZL＝0或者无穷大时，信号是全反射的(即Γ＝±1)，两种情况反射信号的相位相差180°。
现有技术中，将PIN二极管串联在射频通路上，通过控制二极管的导通或截止来实现射频通路的开关。这种设计方案简单，但是PIN二极管会引入寄生参数，不适用于高频段，同时射频信号直接经过PIN二极管，信号传输损耗较大，因此不能够承受过大功率的信号。
而本申请中所述第一开关、第二开关仅起到信号反射或者截止作用，不直接传输信号，其寄生参数影响小，可以在大功率、高频领域应用。因此，所述射频开关装置可适用于高频、大功率、超宽带系统。
在一个实施例中，所述匹配负载60包括电阻，所述电阻的一端与所述第二直通端302连接，所述电阻的另一端接地。
所述电阻用于使所述第二直通端302的射频信号转换为热能，避免所述第二直通端302的射频信号反射回所述第二耦合器30。
在一个实施例中，所述电阻为40-100欧姆，以完全吸收所述第二直通端302的射频信号。
请一并参见图4，本申请实施例提供一种射频开关系统100，包括第一射频开关装置200和第二射频开关装置300。所述第一射频开关装置200和所述第二射频开关装置300均为上述任一个实施例所述的射频开关装置10，所述第二射频开关装置300的所述第一输入端201与所述第一射频开关装置200的所述第一隔离端204或所述第一射频开关装置200的所述第二耦合端303连接。
当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50导通，所述第二射频开关装置300的所述第一开关40和所述第二开关50导通时，所述第二射频开关装置300的所述第一隔离端204输出所述射频信号。
当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50导通，所述第二射频开关装置300的所述第一开关40和所述第二开关50断开时，所述第二射频开关装置300的所述第二耦合端303输出所述射频信号。
当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50断开时，所述第一射频开关装置200的所述第二耦合端303输出所述射频信号。
本申请实施例提供的所述射频开关系统100仅需控制所述第一射频开关装置200和所述第二射频开关装置300的所述第一开关40和所述第二开关50的开关状态，就能控制三个端口在不同情况下输出所述射频信号。所述射频开关装置10包括的开关数量较少，控制逻辑简单，结构简单。
在一个实施例中，所述第一射频开关装置200和所述第二射频开关装置300中的所述匹配负载60相同，以保证所述第二直通端302的射频信号能够全部被吸收。
所述第一射频开关装置200和所述第二射频开关装置300中的所述匹配负载60相同，即所述第一射频开关装置200和所述第二射频开关装置300中的所述匹配负载60将无用的射频信号转换为热能的能力相同。
所述射频开关系统100可以设置成单刀三掷开关。
在一个实施例中，所述射频开关系统100还包括第三射频开关装置400。所述第三射频开关装置400为上述任一个实施例所述的射频开关装置10。所述第三射频开关装置400的所述第一输入端201与所述第一射频开关装置200的所述第二耦合端303或所述第一射频开关装置200的所述第一隔离端204连接。
所述射频开关系统100包括所述第一射频开关装置200、所述第二射频开关装置300和所述第三射频开关装置400。当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50导通，所述第二射频开关装置300的所述第一开关40和所述第二开关50导通时，所述第二射频开关装置300的所述第一隔离端204导通。
当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50导通，所述第二射频开关装置300的所述第一开关40和所述第二开关50断开时，所述第二射频开关装置300的所述第二耦合端303导通。
当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50断开，所述第三射频开关装置400的所述第一开关40和所述第二开关50导通时，所述第三射频开关装置400的所述第一隔离端204导通。
当所述第一射频开关装置200的所述第一开关40和所述第二开关50断开，所述第三射频开关装置400的所述第一开关40和所述第二开关50断开时，所述第三射频开关装置400的所述第二耦合端303导通。
所述射频开关系统100可以设置成单刀四掷开关。
在一个实施例中，所述射频开关系统100还可以包括多级射频开关装置。每级的所述射频开关装置10的第一输入端201与上一级的所述射频开关装置10的所述第一隔离端204或所述第二耦合端303连接。通过控制多级射频开关装置10中的所述第一开关40和所述第二开关50控制信号端口的导通。
在一个实施例中，所述第一射频开关装置200、所述第二射频开关装置300和所述第三射频开关装置400中的所述第一开关40和所述第二开关50的种类均相同，以保证所述第一开关40和所述第二开关50的导通电压相同，进而保证电路的对称性。
在一个实施例中，所述第一射频开关装置200、所述第二射频开关装置300和所述第三射频开关装置400中的匹配负载60的射频信号吸收能力相同，以保证所述第二直通端302的射频信号能够全部被吸收。
请一并参见图4，本申请提供一种射频开关系统100，包括多个如上述任一个实施例的所述射频开关装置10，所述多个的射频开关装置10串联和/或并联连接，并形成单刀三掷开关或四掷开关。
当所述射频开关系统100包括两个所述射频开关装置10时，两个所述射频开关装置10分别为所述第一射频开关装置200和所述第二射频开关装置300。
当所述射频开关系统100包括三个所述射频开关装置10时，三个所述射频开关装置10分别为所述第一射频开关装置200、所述第二射频开关装置300和第三射频开关装置400。
所述射频开关系统100还可以包括多级射频开关装置。每级的所述射频开关装置10的第一输入端201与上一级的所述射频开关装置10的所述第一隔离端204或所述第二耦合端303连接。通过控制多级射频开关装置10中的所述第一开关40和所述第二开关50控制信号端口的导通。
所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种射频开关装置，其特征在于，包括：
第一耦合器，包括第一输入端、第一直通端、第一耦合端和第一隔离端，所述第一输入端用于接收射频信号；
第二耦合器，包括第二输入端、第二直通端、第二耦合端和第二隔离端，所述第二输入端与所述第一直通端连接，所述第二隔离端与所述第一耦合端连接；
第一开关，所述第二输入端和所述第一直通端均与所述第一开关的一端连接，所述第一开关的另一端接地；
第二开关，所述第二隔离端和所述第一耦合端均与所述第二开关的一端连接，所述第二开关的另一端接地；
匹配负载，与所述第二直通端连接。
2.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，所述第一开关或所述第二开关为晶体管。
3.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，所述第一开关和所述第二开关均为二极管，且所述第一开关和第二开关的导通电压相同。
4.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，所述匹配负载包括电阻，所述电阻的一端与所述第二直通端连接，所述电阻的另一端接地。
5.如权利要求1所述的射频开关装置，其特征在于，所述第一耦合器或所述第二耦合器为3dB正交耦合器。
6.一种射频开关系统，其特征在于，包括第一射频开关装置和第二射频开关装置，所述第一射频开关装置和所述第二射频开关装置均为如权利要求1-5任一项所述的射频开关装置，所述第二射频开关装置的所述第一输入端与所述第一射频开关装置的所述第一隔离端或所述第一射频开关装置的所述第二耦合端连接。
7.如权利要求6所述的射频开关系统，其特征在于，所述第一射频开关装置和所述第二射频开关装置中的所述匹配负载相同。
8.如权利要求6所述的射频开关系统，其特征在于，还包括第三射频开关装置，所述第三射频开关装置为如权利要求1-5任一项所述的射频开关装置，所述第三射频开关装置的所述第一输入端与所述第一射频开关装置的所述第二耦合端或所述第一射频开关装置的所述第一隔离端连接。
9.如权利要求8所述的射频开关系统，其特征在于，所述第一射频开关装置、所述第二射频开关装置和所述第三射频开关装置中的所述第一开关和所述第二开关的种类均相同。
10.如权利要求8所述的射频开关系统，其特征在于，所述第一射频开关装置、所述第二射频开关装置和所述第三射频开关装置中的所述匹配负载相同。
11.一种射频开关系统，其特征在于，包括多个如权利要求1-5任一项所述射频开关装置，所述多个的射频开关装置串联和/或并联连接，并形成单刀三掷开关或四掷开关。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101160715A (zh) * 2005-12-08 2008-04-09 华为技术有限公司 功率放大器的热备份和互助系统
CN104104351A (zh) * 2013-04-08 2014-10-15 京信通信系统（中国）有限公司 射频信号移相电路
DE102016125769A1 (de) * 2015-12-31 2017-07-06 Infineon Technologies Ag Passive Entzerrer für Richtkoppler
CN111162764A (zh) * 2020-03-13 2020-05-15 上海安其威微电子科技有限公司 一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关
CN111211805A (zh) * 2020-03-24 2020-05-29 上海安其威微电子科技有限公司 平衡式射频前端收发电路、系统及其控制方法
CN111245379A (zh) * 2020-03-05 2020-06-05 芯朴科技(上海)有限公司 平衡或差分放大器和功率放大方法、射频电路
CN210780780U (zh) * 2020-03-24 2020-06-16 上海安其威微电子科技有限公司 平衡式射频前端收发电路及系统
CN211089624U (zh) * 2020-03-13 2020-07-24 上海安其威微电子科技有限公司 一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101160715A (zh) * 2005-12-08 2008-04-09 华为技术有限公司 功率放大器的热备份和互助系统
CN104104351A (zh) * 2013-04-08 2014-10-15 京信通信系统（中国）有限公司 射频信号移相电路
DE102016125769A1 (de) * 2015-12-31 2017-07-06 Infineon Technologies Ag Passive Entzerrer für Richtkoppler
CN111245379A (zh) * 2020-03-05 2020-06-05 芯朴科技(上海)有限公司 平衡或差分放大器和功率放大方法、射频电路
CN111162764A (zh) * 2020-03-13 2020-05-15 上海安其威微电子科技有限公司 一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关
CN211089624U (zh) * 2020-03-13 2020-07-24 上海安其威微电子科技有限公司 一种射频抗烧毁保护电路以及高功率射频开关
CN111211805A (zh) * 2020-03-24 2020-05-29 上海安其威微电子科技有限公司 平衡式射频前端收发电路、系统及其控制方法
CN210780780U (zh) * 2020-03-24 2020-06-16 上海安其威微电子科技有限公司 平衡式射频前端收发电路及系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吴云飞 等: "一种具有低插入损耗耗PIN SPDT开关设计", 佳木斯大学学报(自然科学版), vol. 34, no. 06, 15 November 2016 (2016-11-15), pages 939 - 942 *
韩欣丽 等: "大功率平衡式限幅开关设计", 固体电子学研究与进展, vol. 36, no. 02, 25 April 2016 (2016-04-25), pages 119 - 123 *

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