CN112201207B - 像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置。像素电路的驱动方法包括:阈值电压侦测阶段和显示阶段,阈值电压侦测阶段包括:第一侦测子阶段,控制第一参考电压信号写入驱动晶体管的栅极;第二侦测子阶段,控制侦测数据信号写入驱动晶体管的第一极,以导通驱动晶体管;同时,控制驱动晶体管的栅极和第二极导通,并侦测数据线上的电流,作为阈值电压侦测阶段的侦测电流;电压计算子阶段,根据侦测电流和驱动晶体管的电流公式计算驱动晶体管的阈值电压;阈值电压用于在显示阶段补偿显示。与现有技术相比,本发明实施例提升了驱动晶体管阈值电压的补偿效果,提升了显示面板的显示品质。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示装置的应用范围越来越广泛,人们对显示装置的要求也越来越高。
显示装置中的像素电路在驱动发光器件稳定发光方面起到了非常重要的作用。然而,由于制作工艺、器件老化等原因,像素电路内的驱动晶体管存在阈值电压漂移。且现有的像素电路对驱动晶体管的阈值电压补偿效果欠佳,影响了显示装置的显示品质。
发明内容
本发明实施例提供一种像素电路的驱动方法、像素电路和显示装置,以提升对驱动晶体管的阈值电压补偿的效果,提升显示面板的显示品质。
为实现上述技术目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种像素电路的驱动方法,包括:阈值电压侦测阶段和显示阶段,所述阈值电压侦测阶段包括:
第一侦测子阶段,控制第一参考电压信号写入驱动晶体管的栅极;
第二侦测子阶段,控制侦测数据信号写入所述驱动晶体管的第一极,以导通所述驱动晶体管;同时,控制所述驱动晶体管的栅极和第二极导通,并侦测数据线上的电流,作为所述阈值电压侦测阶段的侦测电流;
电压计算子阶段,根据所述侦测电流和所述驱动晶体管的电流公式计算所述驱动晶体管的阈值电压;所述阈值电压用于在所述显示阶段补偿显示。
从上述技术方案可以看出,本发明实施例运用电学侦测技术结合驱动晶体管的电流公式能够计算出该像素电路中的驱动晶体管的阈值电压。本发明实施例可以利用该阈值电压实现驱动晶体管阈值电压的补偿,避免因阈值电压漂移带来的显示问题。因此,本发明实施有利于提升像素电路中驱动晶体管的阈值电压补偿的效果,从而有利于提升显示面板的显示品质。
可选地,在所述第二侦测子阶段,还包括:控制所述侦测数据信号的大小,以使所述驱动晶体管工作在饱和区;在所述电压计算子阶段,还包括:根据所述侦测电流和所述驱动晶体管的饱和区电流公式计算所述驱动晶体管的阈值电压。由于在驱动晶体管的饱和区电流公式中,除了阈值电压,其他的量均已知,因此,本发明实施例采用饱和区电流公式计算驱动晶体管的阈值电压,有利于提升计算结果的准确性。
可选地,在所述第二侦测子阶段,还包括:侦测所述数据线上的最大电流作为所述侦测电流。其中,在第二侦测子阶段,随着数据电压的写入,驱动晶体管的栅极电压逐渐上升,侦测电流逐渐下降。本发明实施例设置数据线上的最大电流作为侦测电流,相当于设置第二侦测子阶段的初始时刻的电流为侦测电流,从而有利于避免因侦测误差导致的计算误差。
可选地,所述驱动晶体管为P型晶体管或N型晶体管,即本发明实施例提供的像素电路的驱动可适用于P型晶体管或N型晶体管。
可选地,所述像素电路还包括:显示初始化模块、显示数据写入模块和发光控制模块;
所述显示阶段包括:
初始化子阶段,控制所述显示初始化模块导通,将第二参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极;
数据写入子阶段,控制所述显示数据写入模块导通,将显示数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电,直至所述驱动晶体管的栅极和第一极之间的电压差为所述阈值电压;
发光子阶段,控制所述发光控制模块导通,所述驱动晶体管在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件发光;
其中,若所述发光器件的发光亮度为低灰阶,所述显示数据信号为经所述阈值电压补偿后的信号;所述低灰阶为小于预设灰阶的亮度,所述预设灰阶的范围为[60,150]。
该技术方案可适用于具备阈值补偿功能的像素电路,例如7T1C像素电路,然而,7T1C像素电路的阈值补偿原理基于驱动晶体管的饱和区的电流公式,在低灰阶时,该像素电路的阈值补偿效果较差。本发明实施例设置在低灰阶时,显示数据信号为经阈值电压补偿后的信号,消除低灰阶时驱动晶体管的阈值电压对驱动电流的影响,有利于在显示阶段进行更确切更充分的补偿,以进一步提升显示面板的显示品质。
可选地,还包括:若所述发光器件的发光亮度为高灰阶,所述显示数据信号为未经所述阈值电压补偿的信号;所述高灰阶为大于或等于所述预设灰阶的亮度。与上述技术方案类似,该技术方案可适用于具备阈值补偿功能的像素电路,在高灰阶显示时,驱动晶体管稳定地工作在饱和区,因此阈值电压补偿效果较好,无需再对显示数据信号进行阈值电压补偿。
可选地,所述像素电路还包括:显示数据写入模块;
在所述显示阶段,控制所述显示数据写入模块导通,将显示数据信号写入所述驱动晶体管的栅极,所述驱动晶体管在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件发光;其中,所述显示数据信号为经所述阈值电压补偿后的信号。
该技术方案可适用于不具备阈值补偿功能的像素电路,例如2T1C像素电路,本发明实施例设置显示数据信号为经阈值电压补偿后的信号,有利于消除驱动晶体管的阈值电压对驱动电流的影响,有利于在显示阶段进行阈值电压补偿,以提升显示面板的显示品质。
相应地,本发明实施例还提供了一种像素电路,包括:
侦测初始化模块,用于在阈值电压侦测阶段将第一参考电压信号写入驱动晶体管的栅极;
侦测数据写入模块,用于在阈值电压侦测阶段将侦测数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电。
可选地,所述侦测初始化模块复用为显示初始化模块,所述侦测初始化模块还用于在显示阶段,将第二参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极;
所述侦测数据写入模块复用为显示数据写入模块,所述侦测数据写入模块还用于在显示阶段,将显示数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电;
所述像素电路还包括:发光控制模块,用于在显示阶段,向所述驱动晶体管提供电源通路,所述驱动晶体管在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件发光。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括驱动模块和显示面板,所述显示面板包括呈阵列排布的像素电路;所述驱动模块用于执行如本发明任意实施例所提供的像素电路的驱动方法。
本发明实施例提供的像素电路的驱动方法,通过执行阈值电压侦测阶段的各步骤来计算驱动晶体管的阈值电压,以保证在显示阶段可以补偿显示。具体地,在第一侦测子阶段,初始化驱动晶体管,保证在下一阶段侦测数据信号能够顺利写入驱动晶体管;在第二侦测子阶段,通过侦测数据线上的电流,得到流经驱动晶体管的侦测电流;在电压计算子阶段,通过侦测电流和驱动晶体管的电流公式计算驱动晶体管的阈值电压。由此可见,本发明实施例运用电学侦测技术结合驱动晶体管的电流公式能够计算出该像素电路中的驱动晶体管的阈值电压。本发明实施例可以利用该阈值电压实现驱动晶体管阈值电压的补偿,避免因阈值电压漂移带来的显示问题,且该驱动方法不仅适用于具有阈值补偿功能的像素电路(例如,7T1C像素电路)在低灰阶时的阈值电压补偿,还可以用于不具有阈值补偿功能的像素电路(例如,2T1C电路)的阈值电压补偿。因此,本发明实施有利于提升像素电路中驱动晶体管的阈值电压补偿的效果,从而有利于提升显示面板的显示品质。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动方法的流程示意图;
图2为本发明实施例提供的一种阈值电压侦测阶段的流程示意图;
图3为本发明实施例提供的一种像素电路的电路示意图;
图4为本发明实施例提供的一种像素电路在阈值电压侦测阶段的驱动时序示意图;
图5为本发明实施例提供的一种晶体管的输出特性曲线示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种像素电路的电路示意图;
图7为本发明实施例提供的一种显示阶段的流程示意图;
图8为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动时序示意图;
图9为本发明实施例提供的又一种像素电路的电路示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种像素电路的电路示意图;
图11为本发明实施例提供的又一种像素电路的电路示意图;
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图13为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种像素电路的驱动方法,该驱动方法可以基于显示装置中的驱动模块来实现,该驱动方法可适用于现有的任意一种像素电路。图1为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动方法的流程示意图。参见图1,该像素电路的驱动方法包括以下步骤:
S110、阈值电压侦测阶段。
其中,在阈值电压侦测阶段,在驱动模块的控制下侦测驱动晶体管的阈值电压,驱动模块存储该阈值电压,以在显示阶段补偿显示。
S120、显示阶段。
其中,在显示阶段,像素电路在驱动模块的控制下,接收经阈值补偿后的数据信号,使得驱动晶体管产生的驱动电流不受阈值电压的影响,以驱动发光器件的亮度不受阈值电压的影响。
本发明实施例还对阈值电压侦测阶段的具体实现方式进行了限定,图2为本发明实施例提供的一种阈值电压侦测阶段的流程示意图。为了便于解释说明本发明实施例提供的驱动方法,以下结合7T1C像素电路对本发明实施例进行说明。图3为本发明实施例提供的一种像素电路的电路示意图,图4为本发明实施例提供的一种像素电路在阈值电压侦测阶段的驱动时序示意图。结合图2-图4,阈值电压侦测阶段包括以下步骤:
S111、第一侦测子阶段,控制第一参考电压信号Vref1写入驱动晶体管DTFT的栅极。
其中,第一参考电压信号Vref1根据驱动晶体管DTFT的类型确定,以确保驱动晶体管DTFT在下一阶段能够可靠导通。若驱动晶体管DTFT为P型晶体管,那么第一参考电压信号Vref1为低电平(如图3所示);若驱动晶体管DTFT为N型晶体管,那么第一参考电压信号Vref1为高电平。
第一参考电压信号Vref1与驱动晶体管DTFT的连接关系参考图3,图3中示例性地示出了像素电路为7T1C结构。该像素电路包括显示初始化模块810、显示数据写入模块820、发光控制模块830、存储模块840和阳极初始化模块850。显示初始化模块810包括第三晶体管ST3,显示数据写入模块820包括第五晶体管ST5和第六晶体管ST6,发光控制模块830包括第一晶体管ST1和第二晶体管ST2,存储模块840包括电容Cst,阳极初始化模块850包括第四晶体管ST4。
第一晶体管ST1的栅极接入发光控制信号EM,第一晶体管ST1的第一极接入第一电源信号VDD,第一晶体管ST1的第二极与驱动晶体管DTFT的第一极(源极)电连接。第二晶体管ST2的栅极接入发光控制信号EM,第二晶体管ST2的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极(漏极)电连接,第二晶体管ST2的第二极与发光器件OLED的第一极电连接。第三晶体管ST3的栅极接入第一扫描信号Scan1,第三晶体管ST3的第一极接入第一参考电压信号Vref1(或第二参考电压信号Vref2)。第三晶体管ST3的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接,并将此节点记为G,相应地,驱动晶体管DTFT的栅极电压记为VG。第四晶体管ST4的栅极接入第三扫描信号Scan3,第四晶体管ST4的第一极接入第一参考电压信号Vref1,第四晶体管ST4的第二极与发光器件OLED的第一极电连接。第五晶体管ST5的栅极接入第二扫描信号Scan2,第五晶体管ST5的第一极接入侦测数据信号Vdata1(或显示数据信号Vdata2),第五晶体管ST5的第二极与驱动晶体管DTFT的第一极电连接。第六晶体管ST6的栅极接入第二扫描信号Scan2,第六晶体管ST6的第一极与驱动晶体管DTFT的第二极电连接,第六晶体管ST6的第二极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。电容Cst的第一端接入第一电源信号VDD,电容Cst的第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。发光器件OLED的第二极接入第二电源信号VSS。
示例性地,像素电路中的各晶体管的类型均为P型,P型晶体管在低电平的作用下导通,在高电平的作用下断开。下面结合图3和图4对像素电路在第一侦测子阶段S111的工作状态进行说明,第一扫描信号Scan1为低电平,第二扫描信号Scan2、发光控制信号EM和第三扫描信号Scan3均为高电平。第一扫描信号Scan1控制第三晶体管ST3导通,第一参考电压信号Vref1加载在驱动晶体管DTFT的栅极,以初始化驱动晶体管DTFT的栅极。第二扫描信号Scan2控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6断开,第三扫描信号Scan3控制第四晶体管ST4断开。发光控制信号EM控制第一晶体管ST1和第二晶体管ST2断开。
S112、第二侦测子阶段,控制侦测数据信号Vdata1写入驱动晶体管DTFT的第一极,以导通驱动晶体管DTFT;同时,控制驱动晶体管DTFT的栅极和第二极导通,并侦测数据线上的电流,作为阈值电压侦测阶段的侦测电流。
其中,侦测数据信号Vdata1是由驱动模块在阈值电压侦测阶段向像素电路发送的数据信号,该数据信号的大小可以与显示阶段的显示数据信号的大小相同,也可以不同。
下面结合图3和图4对像素电路在第二侦测子阶段S112的工作状态进行说明,第二扫描信号Scan2为低电平,第一扫描信号Scan1、发光控制信号EM和第三扫描信号Scan3均为高电平。第一扫描信号Scan1控制第一晶体管ST1断开,第三扫描信号Scan3控制第四晶体管ST4断开。发光控制信号EM控制第一晶体管ST1和第二晶体管ST2断开。第二扫描信号Scan2控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6导通,以将侦测数据信号Vdata1经由第五晶体管ST5、驱动晶体管DTFT和第六晶体管ST6写入驱动晶体管DTFT的栅极。驱动晶体管DTFT的栅极电压VG逐渐升高,直至Vdata1+Vth。
在驱动晶体管DTFT的栅极写入数据电压的过程中,驱动晶体管DTFT的栅极初始电压为Vref1,源极初始电压为Vdata1,驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs为Vref1-Vdata1。在该栅源电压Vgs的驱动下,驱动晶体管DTFT导通,有电流由数据线流过驱动晶体管DTFT。因此,侦测数据线上的电流,可以得到流过驱动晶体管DTFT的电流,并以此作为阈值电压侦测阶段的侦测电流。
S113、电压计算子阶段,根据侦测电流和驱动晶体管DTFT的电流公式计算驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth;阈值电压Vth用于在显示阶段补偿显示。
其中,驱动晶体管DTFT的电流公式是指,在驱动晶体管DTFT的栅源电压Vgs的作用下,结合驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth等自身参数得到驱动电流的计算公式。由于在S112中已经侦测得到了驱动晶体管DTFT的驱动电流,即侦测电流,且已知栅源电压Vgs为Vref1-Vdata1,可以根据电流公式求得阈值电压Vth。
本发明实施例提供的像素电路的驱动方法,通过执行阈值电压侦测阶段的各步骤来计算驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth,以保证在显示阶段可以补偿显示。具体地,在第一侦测子阶段S111,初始化驱动晶体管DTFT,保证在下一阶段侦测数据信号Vdata1能够顺利写入驱动晶体管DTFT;在第二侦测子阶段S112,通过侦测数据线上的电流,得到流经驱动晶体管DTFT的侦测电流;在电压计算子阶段S113,通过侦测电流和驱动晶体管DTFT的电流公式计算驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth。由此可见,本发明实施例运用电学侦测技术结合驱动晶体管DTFT的电流公式能够计算出该像素电路中的驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth。本发明实施例可以利用该阈值电压Vth实现驱动晶体管阈值电压Vth的补偿,避免因阈值电压Vth漂移带来的显示问题,因此,本发明实施有利于提升像素电路中驱动晶体管的阈值电压补偿的效果,从而有利于提升显示面板的显示品质。
在上述各实施例中,可选地,可以通过控制侦测数据信号Vdata1的大小来控制驱动晶体管DTFT的工作区间。具体地,图5为本发明实施例提供的一种晶体管的输出特性曲线示意图。参见图5,横坐标表示驱动晶体管DTFT的漏源电压Vds,纵坐标表示驱动晶体管的驱动电流Id。当漏源电压Vds较低(低于预夹断电压)时,驱动晶体管工作在线性区(可变电阻区);当漏源电压Vds较高(超过击穿电压)时,驱动晶体管工作在击穿区;当漏源电压Vds介于预夹断电压和击穿电压之间且栅源电压Vgs高于阈值电压时,驱动晶体管工作在饱和区。由|Vgs1|<|Vgs2|<|Vgs3|<|Vgs4|可以看出,在饱和区,随着栅源电压|Vgs|的升高,驱动电流逐渐变大。
在一种实施方式中,可选地,控制侦测数据信号Vdata1的大小,以使驱动晶体管DTFT工作在饱和区;那么,在电压计算子阶段,还包括:根据侦测电流和驱动晶体管DTFT的饱和区电流公式计算驱动晶体管的阈值电压。
其中,饱和区电流公式如下:
Id=WμCox(Vgs-Vth)2/2L
式中,W为沟道宽度,L为沟道长度,μ为电子迁移率,Cox为单位面积沟道电容。沟道宽度W、沟道长度L、电子迁移率μ和单位面积沟道电容Cox可以认为是常数;驱动电流Id在此处即为侦测电流,为已知量;栅源电压Vgs=Vref1-Vdata1为已知量;从而可以通过该饱和区电流公式计算得到阈值电压Vth。
由于在驱动晶体管的饱和区电流公式中,除了阈值电压Vth,其他的量均已知,因此,本发明实施例采用饱和区电流公式计算驱动晶体管的阈值电压,有利于提升计算结果的准确性。
在另一种实施方式中,可选地,控制侦测数据信号Vdata1的大小,以使驱动晶体管DTFT工作在线性区;那么,在电压计算子阶段,还包括:根据侦测电流和驱动晶体管DTFT的线性区电流公式计算驱动晶体管的阈值电压。
其中,线性区电流公式如下:
Id=WμCox(Vgs-Vth-Vds/2)Vds/L
式中,W为沟道宽度,L为沟道长度,μ为电子迁移率,Cox为单位面积沟道电容。沟道宽度W、沟道长度L、电子迁移率μ和单位面积沟道电容Cox可以认为是常数;驱动电流Id在此处即为侦测电流,为已知量;栅源电压Vgs=Vref1-Vdata1为已知量;由于,驱动晶体管导通,漏源电压Vds可以近似为0;从而可以通过该饱和区电流公式计算得到阈值电压Vth。
在上述各实施例的基础上,可选地,在第二侦测子阶段还包括:侦测数据线上的最大电流作为侦测电流。其中,在第二侦测子阶段,随着数据电压的写入,驱动晶体管的栅极电压VG逐渐上升,栅源电压Vgs小于初始时刻的Vref1-Vdata1。因此,需要设置第二侦测子阶段的初始时刻时数据线上的最大电流作为侦测电流。对于驱动晶体管而言,栅源电压的绝对值|Vgs|越大,流经驱动晶体管的电流越大,因此,随着数据电压的写入,侦测到的数据线上的电流逐渐下降。本发明实施例设置数据线上的最大电流作为侦测电流,相当于设置第二侦测子阶段的初始时刻的电流为侦测电流,从而有利于避免因侦测误差导致的计算误差。另外,本发明实施例这样设置,缩短了在第二侦测子阶段占用的时间,从而节省了阈值电压侦测阶段的总时间。
在上述各实施例的基础上,可选地,驱动晶体管为P型晶体管,在第一侦测子阶段,第一参考电压信号Vref1的电压值设定为:Vref1<Vdata1-|Vth|,以确保在第二侦测子阶段,驱动晶体管处于导通状态。
需要说明的是,在上述各实施例中以驱动晶体管为P型晶体管为例进行说明,并非对本发明的限定,在其他实施例中,还可以设置驱动晶体管DTFT为N型晶体管。那么,在第一侦测子阶段,第一参考电压信号Vref1的电压值设定为:Vref1>Vdata1+Vth,以确保在第二侦测子阶段,驱动晶体管处于导通状态。
下面结合具体像素电路,就驱动晶体管是N型晶体管的情况进行说明。图6为本发明实施例提供的另一种像素电路的电路示意图。如图6所示,驱动晶体管DTFT、第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6均为N型晶体管。
阈值电压侦测阶段包括:第一侦测子阶段、第二侦测子阶段和电压计算子阶段。
在第一侦测子阶段,控制第一参考电压信号Vref1写入驱动晶体管DTFT的栅极。
在第二侦测子阶段,控制侦测数据信号Vdata1写入驱动晶体管DTFT的第一极,以导通驱动晶体管DTFT;同时,控制驱动晶体管DTFT的栅极和第二极导通,并侦测数据线上的电流,作为阈值电压侦测阶段的侦测电流。
在电压计算子阶段,根据侦测电流和驱动晶体管的电流公式计算驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth;阈值电压Vth用于在显示阶段补偿显示。
由此可见,驱动晶体管DTFT为N型晶体管的阈值电压侦测阶段与驱动晶体管DTFT为P型晶体管的阈值电压侦测阶段类似,这里不再赘述。
在上述各实施例中示例性地对阈值电压侦测阶段进行了说明,下面对7T1C像素电路在显示阶段的驱动过程进行具体说明。图7为本发明实施例提供的一种显示阶段的流程示意图,图8为本发明实施例提供的一种像素电路的驱动时序示意图。结合图3、图7和图8,在一种实施方式中,可选地,显示阶段S120包括:初始化子阶段S121、数据写入子阶段S122和发光子阶段S123。
S121、初始化子阶段,控制显示初始化模块导通,将第二参考电压信号Vref2写入驱动晶体管DTFT的栅极。
示例性地,发光控制信号EM与第二扫描信号Scan2为高电平;第一扫描信号Scan1为低电平,第三扫描信号Scan3为低电平。发光控制信号EM控制第一晶体管ST1和第二晶体管ST2断开;第二扫描信号Scan2控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6断开。第一扫描信号Scan1控制第三晶体管ST3导通,第二参考电压信号Vref2加载在驱动晶体管DTFT的栅极,以初始化驱动晶体管DTFT的栅极,以确保在后续数据写入子阶段,驱动晶体管DTFT处于导通状态。第三扫描信号Scan3控制第四晶体管ST4导通,第一参考电压信号Vref1初始化发光器件OLED的阳极。可选地,第一参考电压信号Vref1复用为第二参考电压信号Vref2。
S122、数据写入子阶段,控制显示数据写入模块导通,将显示数据信号Vdata2写入驱动晶体管DTFT的第一极、并通过导通的驱动晶体管DTFT向驱动晶体管DTFT的栅极充电,直至驱动晶体管DTFT的栅极和第一极之间的电压差为阈值电压Vth。
示例性地,发光控制信号EM、第一扫描信号Scan1与第三扫描信号Scan3为高电平,第二扫描信号Scan2为低电平。发光控制信号EM控制第一晶体管ST1和第二晶体管ST2断开;第一扫描信号Scan1控制第三晶体管ST3断开。第三扫描信号Scan3控制第四晶体管ST4断开。第二扫描信号Scan2控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6导通,以将显示数据信号Vdata2经由驱动晶体管DTFT的源极和漏极写入驱动晶体管DTFT的栅极。驱动晶体管DTFT的栅极电压VG逐渐升高,直至Vdata2+Vth。
S123、发光子阶段,控制发光控制模块导通,驱动晶体管DTFT在其栅极电压VG的控制下产生驱动电流,驱动发光器件OLED发光。
示例性地,发光控制信号EM为低电平;第一扫描信号Scan1、第二扫描信号Scan2和第三扫描信号Scan3为高电平。第一扫描信号Scan1控制第三晶体管ST3断开;第二扫描信号Scan2控制第五晶体管ST5和第六晶体管ST6断开;第三扫描信号Scan3控制第四晶体管ST4断开。发光控制信号EM控制第一晶体管ST1和第二晶体管ST2导通,驱动晶体管DTFT产生驱动电流流入发光器件OLED的阳极,驱动发光器件OLED发光。电容Cst用于存储驱动晶体管DTFT的电位,以确保在发光子阶段T23驱动晶体管DTFT的栅极电压VG稳定,驱动晶体管DTFT产生稳定的驱动电流。
本发明实施例通过设置初始化子阶段S121、数据写入子阶段S122和发光子阶段S123,实现了7T1C像素电路的显示驱动。以此为基础,下面对数据写入子阶段S122的显示数据信号Vdata2的补偿方式进行说明。
在一种实施方式中,可选地,若发光器件OLED的发光亮度为高灰阶(高亮度),显示数据信号Vdata2为未经阈值电压Vth补偿的信号;高灰阶为大于或等于预设灰阶的亮度,预设灰阶的范围为[60,150]。示例性地,高灰阶和低灰阶的分界线为60灰阶、70灰阶、80灰阶、90灰阶、100灰阶、110灰阶、120灰阶、130灰阶、140灰阶或150灰阶等。
其中,由前述分析可知,驱动晶体管工作在饱和区时,随着栅源电压|Vgs|的升高,驱动电流逐渐变大。在高灰阶显示时,驱动晶体管稳定地工作在饱和区。且在数据写入子阶段S122,驱动晶体管DTFT的栅极电压充电至Vdata2+Vth。由驱动晶体管的饱和区电流公式可知,驱动晶体管产生的驱动电流Id为:
Id=(W/2L)μCox(Vdata2+Vth-VDD-Vth)2=(W/2L)μCox(Vdata2-VDD)2。
由此可见,在高灰阶时,驱动电流Id的计算公式中不包含阈值电压Vth,因此,7T1C像素电路通过消除阈值电压对驱动电流Id的影响来实现阈值电压补偿。此时,无需在显示数据信号Vdata2中进行阈值电压补偿。
在一种实施方式中,可选地,若发光器件OLED的发光亮度为低灰阶(低亮度),显示数据信号Vdata2为经阈值电压Vth补偿后的信号。
其中,低灰阶为小于预设灰阶的亮度,相比于高灰阶,低灰阶时像素电路的阈值补偿效果较差,无法通过像素电路本身实现阈值电压补偿。主要原因在于,在低灰阶时,例如127灰阶,栅源电压|Vgs|较低,驱动晶体管逐渐由饱和区向亚阈区转移,相应地,驱动电流Id会受到亚阈区的影响,不再符合上述饱和区的表达式。基于饱和区的阈值补偿方案也不再适用于低灰阶下的驱动晶体管。所以在低灰阶时设置显示数据信号Vdata2为经阈值电压Vth补偿后的信号,消除低灰阶时驱动晶体管的阈值电压对驱动电流的影响,实现了对7T1C像素电路的阈值补偿的补充效果,有利于在显示阶段进行更确切更充分的补偿,以进一步提升显示面板的显示品质。
继续参见图3,在上述各实施例的基础上,可选地,第一扫描信号Scan1可以复用为第三扫描信号Scan3。这样设置,可以减少控制信号线的数量,有利于简化显示面板的布线;同时,减少控制信号线的数量还可以简化扫描驱动电路的设计,有利于显示面板的窄边框设计。
需要说明的是,上述各实施例示例性地对像素电路为7T1C结构的情况进行了说明,但并不作为对本发明的限定。在其他实施例中,本发明实施例所提供的像素电路的驱动方法还适用于其他像素电路,比如还适用于2T1C结构的像素电路。下面以像素电路为2T1C的结构为例进行说明。
图9为本发明实施例提供的又一种像素电路的电路示意图。参见图9,该像素电路包括:显示数据写入模块820,显示数据写入模块820包括控制端,第一端和第二端,显示数据写入模块820的控制端接入写入扫描信号Sn,第一端接入显示数据信号Vdata2,第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。示例性地,显示数据写入模块820包括写入晶体管ST。写入晶体管ST的栅极接入写入扫描信号Sn,第一极接入显示数据信号Vdata2、第二极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
其中,2T1C像素电路自身不具备阈值补偿的功能,因此,在显示阶段,控制显示数据写入模块820导通,将经阈值电压Vth补偿后的显示数据信号Vdata2写入驱动晶体管DTFT的栅极,驱动晶体管DTFT在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件OLED发光。这样,本发明实施例实现了对2T1C像素电路的阈值电压补偿。
继续参见图9,可选地,像素电路还包括:存储模块840,存储模块840的第一端接入第一电源信号VDD,第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接,以确保驱动晶体管DTFT输出稳定的驱动电流。示例性地,存储模块840包括电容Cst,电容Cst的第一端接入第一电源信号VDD,第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
在上述各实施例的基础上,可选地,在显示装置开机时进行阈值电压Vth的侦测,在之后的使用过程中以此阈值电压Vth进行补偿。或者,设置侦测时间段,每隔设定的侦测时间侦测一次阈值电压Vth。或者,设置侦测指令,在接收到侦测指令时,侦测阈值电压Vth。或者,在每一帧显示时,均侦测阈值电压Vth,作为下一帧的补偿值。
综上所述,本发明实施例提供的像素电路的驱动方法,通过执行阈值电压侦测阶段的各步骤来计算驱动晶体管的阈值电压,以保证在显示阶段可以补偿显示。具体地,在第一侦测子阶段,初始化驱动晶体管,保证在下一阶段侦测数据信号能够顺利写入驱动晶体管;在第二侦测子阶段,通过侦测数据线上的电流,得到流经驱动晶体管的侦测电流;在电压计算子阶段,通过侦测电流和驱动晶体管的电流公式计算驱动晶体管的阈值电压。由此可见,本发明实施例运用电学侦测技术结合驱动晶体管的电流公式能够计算出该像素电路中的驱动晶体管的阈值电压。本发明实施例可以利用该阈值电压实现驱动晶体管阈值电压的补偿,避免因阈值电压漂移带来的显示问题,且该驱动方法不仅适用于具有阈值补偿功能的像素电路(例如,7T1C像素电路)在低灰阶时的阈值电压补偿,还可以用于不具有阈值补偿功能的像素电路(例如,2T1C电路)的阈值电压补偿。因此,本发明实施有利于提升像素电路中驱动晶体管的阈值电压补偿的效果,从而有利于提升显示面板的显示品质。
本发明实施例还提供了一种像素电路,该像素电路可采用本发明任意实施例所提供的像素电路的驱动方法。图10为本发明实施例提供的又一种像素电路的电路示意图。如图10所示,该像素电路包括:侦测初始化模块860和侦测数据写入模块870。
其中,侦测初始化模块860包括第一输入端、第二输入端和输出端。侦测初始化模块860的第一输入端接入第一参考电压信号Vref1,侦测初始化模块860的第二输入端接入第一扫描信号Scan1,侦测初始化模块860的输出端接在驱动晶体管DTFT的栅极。侦测初始化模块860用于在阈值电压侦测阶段将第一参考电压信号Vref1写入驱动晶体管的栅极;以初始化驱动晶体管DTFT的栅极。
侦测数据写入模块870包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端。侦测数据写入模块870的第一输入端接入侦测数据信号Vdata1、侦测数据写入模块870的第二输入端接入第二扫描信号Scan2、侦测数据写入模块870的第一输出端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接、侦测数据写入模块870的第二输出端与驱动晶体管DTFT的第一极电连接,侦测数据写入模块870的第三输出端与驱动晶体管DTFT的第二极电连接。侦测数据写入模块870用于在阈值电压侦测阶段将侦测数据信号Vdata1写入驱动晶体管DTFT的第一极、并通过导通的驱动晶体管DTFT向驱动晶体管DTFT的栅极充电。
本发明实施例提供的像素电路,设置侦测初始化模块860和侦测数据写入模块870,采用本发明实施例所提供的像素电路,可以运用电学侦测技术结合驱动晶体管DTFT的电流公式计算出该像素电路中的驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth。本发明实施例可以利用该阈值电压Vth实现驱动晶体管阈值电压Vth的补偿,避免因阈值电压Vth漂移带来的显示问题,因此,本发明实施有利于提升像素电路中驱动晶体管DTFT的阈值电压补偿的效果,从而有利于提升显示面板的显示品质。
继续参见图10,在上述各实施例的基础上,可选地,像素电路还包括发光控制模块830,发光控制模块830用于在阈值侦测阶段断开第一电源信号VDD和驱动晶体管DTFT的第一极之间的连接,以及断开驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED之间的连接。示例性地,发光控制模块830包括第一晶体管ST1和第二晶体管ST2,第一晶体管ST1连接于第一电源信号VDD和驱动晶体管DTFT的第一极之间,第二晶体管ST2连接于驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED之间。本发明实施例设置发光控制模块830,避免了在阈值电压侦测阶段第一电源信号VDD和第二电源信号VSS对驱动晶体管DTFT的影响,提升了阈值电压侦测的准确性。
继续参见图10,在上述各实施例的基础上,可选地,像素电路还包括:显示数据写入模块820和存储模块840,显示数据写入模块820的控制端接入写入扫描信号Sn,第一端接入显示数据信号Vdata2,第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接;存储模块840的第一端接入第一电源信号VDD,第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
示例性地,该像素电路的驱动方法包括阈值电压侦测阶段和显示阶段。在阈值电压侦测阶段,发光控制模块830断开、显示数据写入模块820断开,侦测初始化模块860和侦测数据写入模块870依次导通,以实现驱动晶体管DTFT的阈值电压侦测。在显示阶段,侦测初始化模块860断开、侦测数据写入模块870断开,发光控制模块830和显示数据写入模块820导通,将经阈值电压Vth补偿后的显示数据信号Vdata2写入驱动晶体管DTFT的栅极,以使驱动晶体管DTFT产生不受阈值电压Vth影响的驱动电流。
在图10中,可选地,显示数据信号Vdata2和侦测数据信号Vdata1可以共用,均由数据线提供信号。具体地,在阈值电压侦测阶段,数据线上提供侦测数据信号Vdata1;在显示阶段,数据线上提供显示数据信号Vdata2。这样设置,可以减少数据线的数量。
图11为本发明实施例提供的又一种像素电路的电路示意图。如图11所示,在上述各实施方式的基础上,可选地,侦测初始化模块860复用为显示初始化模块810,侦测初始化模块860还用于在显示阶段,将第二参考电压信号Vref2写入驱动晶体管DTFT的栅极,以确保在数据写入子阶段,驱动晶体管DTFT处于导通状态。可选地,第一参考电压信号Vref1复用为第二参考电压信号Vref2。
侦测数据写入模块870复用为显示数据写入模块820,侦测数据写入模块870还用于在显示阶段,将显示数据信号Vdata2写入驱动晶体管DTFT的第一极、并通过导通的驱动晶体管DTFT向驱动晶体管DTFT的栅极充电,直至驱动晶体管DTFT的栅极和第一极之间的电压差为阈值电压Vth。可选地,侦测数据信号Vdata1复用为显示数据信号Vdata2。
该像素电路还包括:发光控制模块830。发光控制模块830包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端。发光控制模块830的第一输入端接入第一电源信号VDD,发光控制模块830的第二输入端接入发光控制信号EM,发光控制模块830的第一输出端与驱动晶体管DTFT的第一极电连接,发光控制模块830的第二输出端与驱动晶体管DTFT的第二极电连接,发光控制模块830的第三输出端与发光器件OLED的阳极电连接。发光控制模块830用于在显示阶段,向驱动晶体管DTFT提供电源通路,驱动晶体管DTFT在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件OLED发光。
示例性地,该像素电路的驱动方法包括阈值电压侦测阶段和显示阶段。在阈值电压侦测阶段,发光控制模块830断开、侦测初始化模块860和侦测数据写入模块870依次导通,以实现驱动晶体管DTFT的阈值电压侦测。在显示阶段,发光控制模块830导通,侦测初始化模块860和侦测数据写入模块870依次导通,将显示数据信号Vdata2写入驱动晶体管DTFT的栅极,以使驱动晶体管DTFT产生驱动电流。由此可见,在阈值电压侦测阶段和显示阶段均需要侦测初始化模块860和侦测数据写入模块870传输信号,因此实现了复用的功能。
继续参见图11,在上述各实施方式的基础上,可选地,该像素电路还包括存储模块840。存储模块840包括第一端和第二端。存储模块840的第一端接入第一电源信号VDD,存储模块840的第二端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。存储模块840用于存储驱动晶体管DTFT的电位,以确保在显示阶段驱动晶体管DTFT的栅极电压VG稳定,驱动晶体管DTFT产生稳定的驱动电流。
继续参见图11,在上述各实施方式的基础上,可选地,该像素电路还包括阳极初始化模块850。阳极初始化模块850包括控制端、第一端和第二端。阳极初始化模块850的控制端接入第三扫描信号Scan3,阳极初始化模块850的第一端接入第一参考电压信号Vref1(或第二参考电压信号Vref2),阳极初始化模块850的第二端与发光器件OLED的阳极电连接。阳极初始化模块850用于初始化发光器件OLED的阳极。
在上述各实施例的基础上,可选地,第一扫描信号Scan1和第三扫描信号Scan3可以是同一扫描信号,由一条扫描线引出,以减少控制信号线的数量,简化显示面板的布线;同时简化扫描驱动电路的设计,有利于显示面板的窄边框设计。
继续参见图10和图11,在图10中,显示数据写入模块820与侦测数据写入模块870不共用,该方案可适用于诸如2T1C像素电路等不具备阈值电压补偿功能的像素电路的结构及驱动方法的改进,以实现阈值电压补偿。在图11中,侦测初始化模块860与显示初始化模块810共用,侦测数据写入模块870与显示数据写入模块820共用,该方案适用于诸如7T1C等具备阈值电压补偿功能的像素电路的驱动方法的改进。
本发明实施例还提供了一种显示装置。图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图12所示,该显示装置包括驱动模块10和显示面板20,显示面板20包括呈阵列排布的像素电路21;驱动模块10用于执行如本发明任意实施例所提供的像素电路的驱动方法,具有相应的有益效果。
继续参见图12,在上述实施例中,可选地,显示面板20中的每个像素电路21均采用如本发明任意实施例提供的像素电路,具备阈值电压侦测功能;驱动模块10可以对每个像素电路21进行阈值电压侦测和阈值电压补偿。
图13为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。如图13所示,在上述各实施例的基础上,可选地,显示面板包括至少两个补偿分区22(图13中示例性地示出了两个补偿分区22),在每个补偿分区22设置至少一个像素电路为本发明实施例提供的像素电路,需要计算其驱动晶体管的阈值电压Vth。示例性地,补偿分区22中的四个像素电路需要计算其驱动晶体管的阈值电压Vth,其中,位于上部的补偿分区22中设置位于第二行第三列的像素电路21、第二行第七列的像素电路21、第四行第三列的像素电路21和第四行第七列的像素电路21为本发明实施例提供的像素电路。那么侦测这四个像素电路21中阈值电压的平均值作为本补偿分区内所有驱动晶体管的阈值电压。可选地,若仅设置补偿分区中的一个像素电路为本发明实施例提供的像素电路,则该阈值电压Vth作为本补偿分区内所有驱动晶体管的阈值电压;这样设置,能够在保证补偿的效果的基础上,减少驱动模块10的计算量,提升运行速度。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (8)
1.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,包括:阈值电压侦测阶段和显示阶段,所述阈值电压侦测阶段包括:
第一侦测子阶段,控制第一参考电压信号写入驱动晶体管的栅极;
第二侦测子阶段,控制侦测数据信号写入所述驱动晶体管的第一极,以导通所述驱动晶体管;同时,控制所述驱动晶体管的栅极和第二极导通,并侦测数据线上的电流,作为所述阈值电压侦测阶段的侦测电流;
电压计算子阶段,根据所述侦测电流和所述驱动晶体管的电流公式计算所述驱动晶体管的阈值电压;所述阈值电压用于在所述显示阶段补偿显示;
所述像素电路还包括:显示初始化模块、显示数据写入模块和发光控制模块;
所述显示阶段包括:
初始化子阶段,控制所述显示初始化模块导通,将第二参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极;
数据写入子阶段,控制所述显示数据写入模块导通,将显示数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电,直至所述驱动晶体管的栅极和第一极之间的电压差为所述阈值电压;
发光子阶段,控制所述发光控制模块导通,所述驱动晶体管在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件发光;
其中,若所述发光器件的发光亮度为低灰阶,所述显示数据信号为经所述阈值电压补偿后的信号;所述低灰阶为小于预设灰阶的亮度,所述预设灰阶的范围为[60,150]。
2.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,在所述第二侦测子阶段,还包括:控制所述侦测数据信号的大小,以使所述驱动晶体管工作在饱和区;
在所述电压计算子阶段,还包括:根据所述侦测电流和所述驱动晶体管的饱和区电流公式计算所述驱动晶体管的阈值电压。
3.根据权利要求1或2所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,在所述第二侦测子阶段,还包括:侦测所述数据线上的最大电流作为所述侦测电流。
4.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述驱动晶体管为P型晶体管或N型晶体管。
5.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,还包括:若所述发光器件的发光亮度为高灰阶,所述显示数据信号为未经所述阈值电压补偿的信号;所述高灰阶为大于或等于所述预设灰阶的亮度。
6.一种像素电路,其特征在于,包括:
侦测初始化模块,用于在阈值电压侦测阶段将第一参考电压信号写入驱动晶体管的栅极;
侦测数据写入模块,用于在阈值电压侦测阶段将侦测数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电;
所述像素电路还包括:显示初始化模块、显示数据写入模块和发光控制模块;
显示阶段包括:
初始化子阶段,控制所述显示初始化模块导通,将第二参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极;
数据写入子阶段,控制所述显示数据写入模块导通,将显示数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电,直至所述驱动晶体管的栅极和第一极之间的电压差为所述阈值电压;
发光子阶段,控制所述发光控制模块导通,所述驱动晶体管在其栅极电压的控制下产生驱动电流,驱动发光器件发光;
其中,若所述发光器件的发光亮度为低灰阶,所述显示数据信号为经所述阈值电压补偿后的信号;所述低灰阶为小于预设灰阶的亮度,所述预设灰阶的范围为[60,150]。
7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述侦测初始化模块复用为显示初始化模块,所述侦测初始化模块还用于在显示阶段,将第二参考电压信号写入所述驱动晶体管的栅极;
所述侦测数据写入模块复用为显示数据写入模块,所述侦测数据写入模块还用于在显示阶段,将显示数据信号写入所述驱动晶体管的第一极、并通过导通的所述驱动晶体管向所述驱动晶体管的栅极充电。
8.一种显示装置,其特征在于,包括驱动模块和显示面板,所述显示面板包括呈阵列排布的像素电路;所述驱动模块用于执行如权利要求1-5任一项所述的像素电路的驱动方法。
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