CN112165758B - 一种陶瓷管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种陶瓷管及其制备方法，涉及等离子体发生装置的部件技术领域，陶瓷管为中空结构，陶瓷管沿周向成型有多个冷却孔，陶瓷管的首端连通外部环境、尾端封堵密闭，冷却孔与陶瓷管的中空部分连通，陶瓷管周向埋设有第一金属导体和第二金属导体，各第二金属导体通过同一根金属导线与第一金属导体电连接，第一金属导体和第二金属导体的末端与陶瓷管的末端间距预设距离，陶瓷管开设有接线槽，第一金属导体与接线槽处导线电连接，陶瓷管外涂覆有半导体釉层，第二金属导体通过导电泥与半导体釉层电连接，半导体釉层外涂覆有绝缘釉层，解决现有技术中等离子体发生装置的电极有效放电面积较小以及放电过程中发热导致降低等离子体产生效率的问题。

Description

一种陶瓷管及其制备方法

技术领域

本发明属于等离子体发生装置的部件技术领域，具体提供一种陶瓷管及其制备方法。

背景技术

近年来，低温等离子体在废气废水处理、生物医学、高分子材料表面改性和点火助燃等领域需求广泛。气体放电是产生等离子体的有效方式之一，常见的气体放电形式主要有辉光放电、电晕放电和介质阻挡放电等。其中介质阻挡放电是一种有绝缘介质插入放电空间的气体放电形式，贯穿两电极的放电通道被气隙中的绝缘介质阻挡，从而在通道中产生大面积、高能量密度的低温等离子体。

现有的介质阻挡放电式等离子发生装置的电极通常包括绝缘介质管和沿绝缘介质管中轴线设置的金属棒，这种电极的有效放电面积较小，而且在实际放电过程中会发热，一定程度上消耗了部分电源的能量，减少了用于产生低温等离子体的介质阻挡放电的能量供给，也会降低等离子体产生效率。介质阻挡放电产生等离子体效率是应用中的关键参数，提高低温等离子体的产生效率对实际应用具有直接的影响。因此，提高有效放电面积，增加等离子体产生效率无疑具有更为广阔的应用前景。

相应地，本领域需要一种陶瓷管及其制备方法来解决上述问题。

发明内容

本发明提出一种陶瓷管及其制备方法，解决现有技术中的等离子体发生装置的电极有效放电面积较小以及放电过程中发热导致降低等离子体产生效率的问题。

本发明的技术方案是这样实现的：一方面，本发明提供了一种陶瓷管，所述陶瓷管为中空结构，所述陶瓷管沿周向成型有多个沿其长度方向延伸的冷却孔，所述陶瓷管的首端连通外部环境、尾端封堵密闭，所述冷却孔靠近所述陶瓷管末端的一端与所述陶瓷管的中空部分连通，所述陶瓷管周向埋设有沿所述陶瓷管长度方向延伸的第一金属导体和至少一根第二金属导体，各所述第二金属导体通过同一根金属导线与所述第一金属导体电连接，所述第一金属导体和所述第二金属导体的末端与所述陶瓷管的末端间距预设距离，所述陶瓷管开设有接线槽，所述第一金属导体与所述接线槽处导线电连接，所述陶瓷管外涂覆有半导体釉层，所述第二金属导体通过导电泥与所述半导体釉层电连接，所述半导体釉层外涂覆有绝缘釉层。

本方案的技术效果是：通过沿陶瓷管周向设置第一金属导体和第二金属导体，相比背景技术中提到的在绝缘介质管中心设置一根金属棒来说，扩大了陶瓷管的有效放电面积；通过设置冷却孔并将冷却孔与陶瓷管的中空部分连通，在放电时，可以在陶瓷管的中空部分通入冷却液，使冷却液进入冷却孔对第一金属导体和第二金属导体进行降温，降低发热所消耗的能量，提高陶瓷管放电产生等离子体的效率；在陶瓷管外涂覆半导体釉层，能够在陶瓷管外部形成导电网络，提高陶瓷管的放电效率；在陶瓷管外涂覆绝缘釉层，一方面形成绝缘介质，另一方面对陶瓷管形成保护。

在上述陶瓷管的优选技术方案中，所述冷却孔沿所述陶瓷管的周向均匀分布，所述第一金属导体和所述第二金属导体分别沿相邻两个所述冷却孔的间隙设置。

本方案的技术效果是：通过这样设置，能够提高冷却孔内的冷却液对第一金属导体和第二金属导体的换热冷却效果，从而提高陶瓷管放电产生等离子体的效率。

在上述陶瓷管的优选技术方案中，所述第一金属导体距所述陶瓷管的半导体釉层的距离为3mm，所述第二金属导体距所述陶瓷管的半导体釉层的距离为1mm至2mm。

本方案的技术效果是：使第一金属导体能够快速将高压电源的电传导至各第二金属导体，同时第一金属导体和第二金属导体能够快速电离空气。

另一方面，本发明还提供了一种陶瓷管的制备方法，所述陶瓷管为上述优选技术方案中任一项所述的陶瓷管，其制备方法包括以下步骤：

预制陶瓷管毛坯泥段：使用陶瓷练泥机制作陶瓷管毛坯泥段并阴干，陶瓷管毛坯泥段为中空结构，且周向成型有多个沿陶瓷管毛坯泥段的长度方向延伸的冷却孔；

连通冷却孔、封盲孔成型：于冷却孔的末端挖缝，使冷却孔与陶瓷管毛坯泥段的中空部分连通，并分别用泥巴封堵冷却孔的末端和陶瓷管毛坯泥段的中空部分的末端，使冷却孔和陶瓷管毛坯泥段的中空部分成为盲孔；

埋封第一金属导体：于陶瓷管毛坯泥段的外侧沿其延伸方向开设第一槽，在第一槽内放入第一金属导体，第一金属导体的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端预设距离，用绝缘泥将第一金属导体密封于第一槽内，并预留接线槽；

埋封第二金属导体：于陶瓷管毛坯泥段的外侧沿其延伸方向至少开设一个第二槽，在第二槽内放入第二金属导体，第二金属导体的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端预设距离，用导电泥将第二金属导体密封于第二槽内；

连接金属导体：沿陶瓷管毛坯泥段的圆周挖连接沟至第一金属导体和第二金属导体部分裸露于外部环境，在连接沟内放入金属导线，使第二金属导体通过金属导线与第一金属导体电连接，用导电泥将金属导线密封于连接沟内；

烘干、上釉、烧制成型：烘干之后，将陶瓷管毛坯泥段放入盛装半导体釉的桶内涂覆半导体釉层，之后将涂覆有半导体釉层的陶瓷管毛坯泥段放入盛装绝缘釉的桶内涂覆绝缘釉层，之后烧制成型，形成陶瓷管。

本方案的技术效果是：通过沿陶瓷管周向埋设第一金属导体和第二金属导体，相比背景技术中提到的在绝缘介质管中心设置一根金属棒来说，扩大了陶瓷管的有效放电面积；通过设置冷却孔并将冷却孔与陶瓷管的中空部分连通，在放电时，可以在陶瓷管的中空部分通入冷却液，使冷却液通过挖的缝进入冷却孔对第一金属导体和第二金属导体进行降温，降低发热所消耗的能量，提高陶瓷管放电产生等离子体的效率；在陶瓷管外涂覆半导体釉层，能够在陶瓷管外部形成导电网络，提高陶瓷管的放电效率；在陶瓷管外涂覆绝缘釉层，一方面形成绝缘介质，另一方面对陶瓷管形成保护。

在上述陶瓷管的制备方法的优选技术方案中，所述“连通冷却孔、封盲孔成型”的步骤具体包括以下步骤：

放置陶瓷管毛坯泥段于成型定位模具内；

放置支撑杆于陶瓷管毛坯泥段的中空部分和冷却孔内；

采用开缝刀于冷却孔的末端挖缝使冷却孔与陶瓷管毛坯泥段的中空部分连通；

调整支撑杆的末端距离陶瓷管毛坯泥段的末端预设间距，对陶瓷管毛坯泥段的中空部分和冷却孔的末端夹壁进行镶泥，使用锥形挤缝棒朝向支撑杆挤压泥巴；

使用泥巴逐个封堵陶瓷管毛坯泥段的中空部分的末端和冷却孔的末端，并朝向支撑杆夯实泥巴；

将封头模具套设于陶瓷管毛坯泥段的末端和成型定位模具的外周，朝向成型定位模具推动并旋转封头模具，使陶瓷管毛坯泥段的末端呈齐头状。

本方案的技术效果是：通过在陶瓷管的中空部分和冷却孔内放置支撑杆，保证了在对中空部分和冷却孔的末端夹壁镶泥以及封堵时，支撑杆能够限制泥巴的塞入深度，防止泥巴将冷却孔和中空部分之间的连通缝隙封堵，而且与锥形棒配合使泥巴将支撑杆与中空部分的夹壁之间以及支撑杆与冷却孔的夹壁之间的缝隙填实封堵，保证最后塞完泥巴时，陶瓷管的末端完全封堵，冷却孔和中空部分形成盲孔，保证陶瓷管的可靠性。

在上述陶瓷管的制备方法的优选技术方案中，所述第一槽的长度大于所述第一金属导体的长度，所述第二槽的长度大于所述第二金属导体的长度。

本方案的技术效果是：由于绝缘泥和导电泥在后续的烘干工序中会产生收缩，而第一金属导体和第二金属导体可能会发生膨胀，因此为了避免烘干时第一金属导体和第二金属导体将陶瓷管破坏，以及为了保证绝缘泥和导电泥能够分别将第一金属导体和第二金属导体完全密封在槽内，所以这样设置。

在上述陶瓷管的制备方法的优选技术方案中，所述盛装半导体釉的桶的底部设置有用于限制浸釉高度的垫块，所述连接沟沿所述半导体釉层的高度的中间位置挖设。

本方案的技术效果是：将连接沟挖设于半导体釉层的高度的中间位置，有利于第二金属导体通过导电泥将电快速均匀传导至整个半导体釉层，提高陶瓷管放电产生等离子体的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的陶瓷管的示意图；

图2为图1中截面A-A的剖视图；

图3为图1中截面B-B的剖视图；

图4为本发明的陶瓷管的制备方法的流程图。

附图标记列表：1、中空部分；2、冷却孔；3、第一金属导体；4、第二金属导体；5、金属导线；6、接线槽；7、半导体釉层；8、绝缘釉层；9、第一槽；10、绝缘泥；11、第二槽；12、导电泥；13、连接沟。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本发明的陶瓷管的具体实施例：

如图1、图2和图3所示，一种陶瓷管，其为中空结构，陶瓷管沿周向成型有四个沿其长度方向延伸的冷却孔2，陶瓷管的首端连通外部环境、尾端封堵密闭，冷却孔2靠近陶瓷管末端的一端与陶瓷管的中空部分1连通。陶瓷管周向埋设有沿陶瓷管长度方向延伸的第一金属导体3和三根第二金属导体4，各第二金属导体4通过同一根金属导线5与第一金属导体3电连接，第一金属导体3和第二金属导体4的末端与陶瓷管的末端间距预设距离，为后期加工以及使用安装时预留空间。陶瓷管开设有接线槽6，第一金属导体3与接线槽6处导线电连接。陶瓷管外涂覆有半导体釉层7，第二金属导体4通过导电泥12与半导体釉层7电连接，半导体釉层7外涂覆有绝缘釉层8。

其中，冷却孔2沿陶瓷管的周向均匀分布，第一金属导体3和第二金属导体4分别沿相邻两个冷却孔2的间隙设置，提高冷却孔2内的冷却液对第一金属导体3和第二金属导体4的换热冷却效果，从而提高陶瓷管放电产生等离子体的效率。

在本实施例中，第一金属导体3距陶瓷管的半导体釉层7的距离为3mm，第二金属导体4距陶瓷管的半导体釉层7的距离为1mm至2mm，使第一金属导体3能够快速将高压电源的电传导至各第二金属导体4，同时第一金属导体3和第二金属导体4能够快速电离空气。

本发明的陶瓷管在使用时，陶瓷管平行等距地布置，相邻两个陶瓷管通过接线槽6分别连接高压电源的两极，陶瓷管的中空部分1连通冷却液，在开始放电之前，使中空部分1中的冷却液进入冷却孔2，先开始冷却液在中空部分1和冷却孔2之间的循环，然后打开高压电源通电，陶瓷管周围的空气将会被电离，产生大量的等离子体。

通过沿陶瓷管周向设置第一金属导体3和第二金属导体4，相比背景技术中提到的在绝缘介质管中心设置一根金属棒来说，扩大了陶瓷管的有效放电面积；通过设置冷却孔2并将冷却孔2与陶瓷管的中空部分1连通，在放电时，可以在陶瓷管的中空部分1通入冷却液，使冷却液进入冷却孔2对第一金属导体3和第二金属导体4进行降温，降低发热所消耗的能量，提高陶瓷管放电产生等离子体的效率；在陶瓷管外涂覆半导体釉层7，能够在陶瓷管外部形成导电网络，提高陶瓷管的放电效率；在陶瓷管外涂覆绝缘釉层8，一方面形成绝缘介质，另一方面对陶瓷管形成保护。

如图2、图3和图4所示，上述实施例中的陶瓷管在制备时，主要有以下步骤：

S10、预制陶瓷管毛坯泥段：使用陶瓷练泥机制作陶瓷管毛坯泥段并阴干，陶瓷管毛坯泥段为中空结构，且周向成型有四个沿陶瓷管毛坯泥段的长度方向延伸的冷却孔2；

S20、连通冷却孔、封盲孔成型：于冷却孔2的末端挖缝，使冷却孔2与陶瓷管毛坯泥段的中空部分1连通，并分别用泥巴封堵冷却孔2的末端和陶瓷管毛坯泥段的中空部分1的末端，使冷却孔2和陶瓷管毛坯泥段的中空部分1成为盲孔；

S30、埋封第一金属导体：于陶瓷管毛坯泥段的外侧沿其延伸方向开设第一槽9，在第一槽9内放入第一金属导体3，第一金属导体3的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端预设距离，用绝缘泥10将第一金属导体3密封于第一槽9内，并预留接线槽6；

S40、埋封第二金属导体：于陶瓷管毛坯泥段的外侧沿其延伸方向开设三个第二槽11，在第二槽11内放入第二金属导体4，第二金属导体4的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端预设距离，用导电泥12将第二金属导体4密封于第二槽11内，第二金属导体4距陶瓷管毛坯泥段的表面1至2mm；

S50、连接金属导体：沿陶瓷管毛坯泥段的圆周挖连接沟13至第一金属导体3和第二金属导体4部分裸露于外部环境，在连接沟13内放入金属导线5，使三根第二金属导体4和第一金属导体3之间通过金属导线5电连接，用导电泥12将金属导线5密封于连接沟13内；

S60、烘干、上釉、烧制成型：烘干之后，将陶瓷管毛坯泥段放入盛装半导体釉的桶内涂覆半导体釉层7，之后将涂覆有半导体釉层7的陶瓷管毛坯泥段放入盛装绝缘釉的桶内涂覆绝缘釉层8，之后烧制成型，形成陶瓷管。

需要说明的是，虽然上述实施例中步骤S30位于步骤S40之前，但是这并不是对步骤S30和步骤S40的先后顺序的限制，例如还可以先执行步骤S40，再执行步骤S30。

其中，四个冷却管沿陶瓷管毛坯泥段的周向均匀分布，第一槽9和第二槽11分别沿相邻两个冷却管之间的间隙挖设，第一槽9与陶瓷管毛坯泥段中心轴线的连线和第二槽11与陶瓷管毛坯泥段中心轴线的连线呈90°夹角。第一金属导体3被密封埋设之后，其距陶瓷管毛坯泥段的表面3mm；第二金属导体4被密封埋设之后距陶瓷管毛坯泥段的表面1mm至2mm。

其中，步骤S10“预制陶瓷管毛坯泥段”具体包括以下步骤：

S101、使用陶瓷练泥机制作陶瓷管毛坯泥段；

S102、将陶瓷管毛坯泥段放置在PVC半圆模具内，凉放两个小时；

S103、覆盖塑料薄膜、阴干，且每4个小时旋转90°翻身，防止因收缩不均而发生弯曲现象。

其中，步骤S20“连通冷却孔、封盲孔成型”具体包括以下步骤：

S201、放置陶瓷管毛坯泥段于成型定位模具内；

S202、放置支撑杆于陶瓷管毛坯泥段的中空部分1和冷却孔2内；

S203、采用开缝刀于冷却孔2的末端挖缝使冷却孔2与陶瓷管毛坯泥段的中空部分1连通；

S204、调整支撑杆的末端距离陶瓷管毛坯泥段的末端预设间距，对陶瓷管毛坯泥段的中空部分1和冷却孔2的末端夹壁进行镶泥，使用锥形挤缝棒朝向支撑杆挤压泥巴；

S205、使用泥巴逐个封堵陶瓷管毛坯泥段的中空部分1的末端和冷却孔2的末端，并朝向支撑杆夯实泥巴；

S206、将封头模具套设于陶瓷管毛坯泥段的末端和成型定位模具的外周，朝向成型定位模具推动并旋转封头模具，使陶瓷管毛坯泥段的末端呈齐头状。

在本实施例中，步骤S60之后还包括以下步骤：S70、研磨切割：使用研磨车床对陶瓷管进行切割研磨，使切割研磨之后的陶瓷管尺寸一致、不出现麻面和掰豁现象。

由于绝缘泥10和导电泥12在后续的烘干工序中会产生收缩，而第一金属导体3和第二金属导体4可能会发生膨胀，因此为了避免烘干时第一金属导体3和第二金属导体4将陶瓷管破坏，以及为了保证绝缘泥10和导电泥12能够分别将第一金属导体3和第二金属导体4完全密封在槽内，所以将第一槽9的长度设置为大于第一金属导体3的长度，第二槽11的长度设置为大于第二金属导体4的长度。

在本实施例中，盛装半导体釉的桶的底部设置有用于限制浸釉高度的垫块，连接沟13沿半导体釉层7的高度的中间位置挖设。将连接沟13挖设于半导体釉层7的高度的中间位置，有利于第二金属导体4通过导电泥12将电快速均匀传导至整个半导体釉层7，提高陶瓷管放电产生等离子体的效率。

可以理解的是，虽然上述实施例中所述的冷却孔设置有四个，第二金属导体设置有三根，但是这并不是对冷却孔和第二金属导体的设置数量的限制，例如，还可设置三个冷却孔和两个第二金属导体。

可以理解的是，虽然上述实施例中所述的冷却孔沿陶瓷管的周向均匀分布，但是这并不是对冷却孔的分布形式的限制，例如，冷却孔还可以沿陶瓷管的周向随机分布等。

还可以理解的是，虽然上述实施例中所述的第一金属导体距陶瓷管的半导体釉层的距离为3mm，第二金属导体距陶瓷管的半导体釉层的距离1至2mm，但是这并不是对第一金属导体和第二金属导体埋设深度的限制，例如还可以根据陶瓷管的实际使用要求和需要改变第一金属导体和第二金属导体的埋设深度。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种陶瓷管，其特征在于，所述陶瓷管为中空结构，所述陶瓷管沿周向成型有多个沿其长度方向延伸的冷却孔，所述陶瓷管的首端连通外部环境、尾端封堵密闭，所述冷却孔靠近所述陶瓷管末端的一端与所述陶瓷管的中空部分连通，所述陶瓷管周向埋设有沿所述陶瓷管长度方向延伸的第一金属导体和至少一根第二金属导体，各所述第二金属导体通过同一根金属导线与所述第一金属导体电连接，所述第一金属导体和所述第二金属导体的末端与所述陶瓷管的末端间距预设距离，所述陶瓷管开设有接线槽，所述第一金属导体与所述接线槽处导线电连接，所述陶瓷管外涂覆有半导体釉层，所述第二金属导体通过导电泥与所述半导体釉层电连接，所述半导体釉层外涂覆有绝缘釉层，所述陶瓷管的外侧延其延伸方向开设有第一槽和第二槽，所述第一金属导体放置于第一槽内，第一槽内设置有绝缘泥，绝缘泥将第一金属导体密封于第一槽内；所述第二金属导体放置于第二槽内，第二槽内设置有导电泥，导电泥将第二金属导体密封于第二槽内；所述陶瓷管外侧延其周向开设有连接沟，所述金属导线设置于连接沟内，连接沟内设置有导电泥，导电泥将金属导线密封于连接沟内。

2.根据权利要求1所述的陶瓷管，其特征在于，所述冷却孔沿所述陶瓷管的周向均匀分布，所述第一金属导体和所述第二金属导体分别沿相邻两个所述冷却孔的间隙设置。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷管，其特征在于，所述第一金属导体距所述陶瓷管表面的距离为3mm，所述第二金属导体距所述陶瓷管表面的距离为1mm至2mm。

4.一种陶瓷管的制备方法，其特征在于，所述陶瓷管为上述权利要求1至3中任一项所述的陶瓷管，其制备方法包括以下步骤：

预制陶瓷管毛坯泥段：使用陶瓷练泥机制作陶瓷管毛坯泥段并阴干，陶瓷管毛坯泥段为中空结构，且周向成型有多个沿陶瓷管毛坯泥段的长度方向延伸的冷却孔；

连通冷却孔、封盲孔成型：于冷却孔的末端挖缝，使冷却孔与陶瓷管毛坯泥段的中空部分连通，并分别用泥巴封堵冷却孔的末端和陶瓷管毛坯泥段的中空部分的末端，使冷却孔和陶瓷管毛坯泥段的中空部分成为盲孔；

埋封第一金属导体：于陶瓷管毛坯泥段的外侧沿其延伸方向开设第一槽，在第一槽内放入第一金属导体，第一金属导体的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端预设距离，用绝缘泥将第一金属导体密封于第一槽内，并预留接线槽；

埋封第二金属导体：于陶瓷管毛坯泥段的外侧沿其延伸方向至少开设一个第二槽，在第二槽内放入第二金属导体，第二金属导体的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端预设距离，用导电泥将第二金属导体密封于第二槽内；

连接金属导体：沿陶瓷管毛坯泥段的圆周挖连接沟至第一金属导体和第二金属导体部分裸露于外部环境，在连接沟内放入金属导线，使第二金属导体通过金属导线与第一金属导体电连接，用导电泥将金属导线密封于连接沟内；

烘干、上釉、烧制成型：烘干之后，将陶瓷管毛坯泥段放入盛装半导体釉的桶内涂覆半导体釉层，之后将涂覆有半导体釉层的陶瓷管毛坯泥段放入盛装绝缘釉的桶内涂覆绝缘釉层，之后烧制成型，形成陶瓷管。

5.根据权利要求4所述的陶瓷管的制备方法，其特征在于，所述“连通冷却孔、封盲孔成型”的步骤具体包括以下步骤：

放置陶瓷管毛坯泥段于成型定位模具内；

放置支撑杆于陶瓷管毛坯泥段的中空部分和冷却孔内；

采用开缝刀于冷却孔的末端挖缝使冷却孔与陶瓷管毛坯泥段的中空部分连通；

调整支撑杆的末端距离陶瓷管毛坯泥段的末端预设间距，对陶瓷管毛坯泥段的中空部分和冷却孔的末端夹壁进行镶泥，使用锥形挤缝棒朝向支撑杆挤压泥巴；

使用泥巴逐个封堵陶瓷管毛坯泥段的中空部分的末端和冷却孔的末端，并朝向支撑杆夯实泥巴；

将封头模具套设于陶瓷管毛坯泥段的末端和成型定位模具的外周，朝向成型定位模具推动并旋转封头模具，使陶瓷管毛坯泥段的末端呈齐头状。

6.根据权利要求4所述的陶瓷管的制备方法，其特征在于，所述第一槽的长度大于所述第一金属导体的长度，所述第二槽的长度大于所述第二金属导体的长度。

7.根据权利要求4所述的陶瓷管的制备方法，其特征在于，所述盛装半导体釉的桶的底部设置有用于限制浸釉高度的垫块，所述连接沟沿所述半导体釉层的高度的中间位置挖设。

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