CN112152069A - 面发光激光器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及面发光激光器及其制造方法，一种面发光激光器，具备：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，所述台面在所述基板扩展的方向上具有多角形的形状，所述台面的在所述基板扩展的方向上的顶点具有倒角部。

Description

面发光激光器及其制造方法
本申请基于2019年06月28日提出的日本专利申请特愿 2019-121453号主张优先权，并将前述的日本专利申请记载的全部内容 援引于此。
技术领域
本发明涉及面发光激光器及其制造方法。
背景技术
专利文献1公开了垂直共振型面发光激光器(VCSEL)。
【在先技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】国际公开第2015/033649号
发明内容
【发明要解决的课题】
有时使用不使VCSEL的芯片封装化而向基板直接安装的板上芯 片方式。在该情况下，提高VCSEL自身的对于湿气及灰尘等的耐性的 情况至关重要。
为了保护VCSEL的芯片免于遭受湿气等而利用绝缘膜(钝化膜)将 芯片的表面覆盖。然而，存在水分等从绝缘膜的缺陷侵入而芯片腐蚀 的情况。因此，本发明的目的在于提供一种能够实现耐湿性的改善的 面发光激光器及其制造方法。
【用于解决课题的方案】
本发明的面发光激光器具备：基板；半导体层，设置在所述基板 上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；第一绝 缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，所 述台面在所述基板的上表面具有多角形的形状，所述台面的在所述基 板的上表面上的顶点具有倒角部。
本发明的面发光激光器的制造方法包括如下工序：在基板上层叠 包含下部反射镜层、活性层及上部反射镜层在内的半导体层的工序； 从所述半导体层以在顶点形成倒角部的方式在所述基板扩展的方向上 形成具有多角形的形状的台面的工序；在形成所述台面的工序之后， 形成覆盖所述半导体层的第一绝缘膜的工序；将所述第一绝缘膜中的 所述台面的外侧的部分除去的工序；在将所述第一绝缘膜中的所述台 面的外侧的部分除去的工序之后，形成覆盖所述第一绝缘膜的第二绝 缘膜的工序；及在所述第二绝缘膜上设置抗蚀剂，通过使用了所述抗 蚀剂的蚀刻将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除 去的工序。
附图说明
图1A是例示实施例1的面发光激光器的俯视图。
图1B是例示面发光激光器的剖视图。
图2A是将槽附近放大的俯视图。
图2B是将槽附近放大的剖视图。
图3A及图3B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。
图4A及图4B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。
图5A及图5B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。
图6A及图6B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。
图7A及图7B是例示面发光激光器的制造方法的剖视图。
图8A及图8B是将槽附近放大的俯视图。
图9A～图9C是将槽附近放大的俯视图。
图10A及图10B是将槽附近放大的剖视图。
图11A～图11D是将槽附近放大的剖视图。
图12A～图12C是将槽附近放大的剖视图。
图13A及图13B是将槽附近放大的俯视图。
图13C及图13D是将槽附近放大的剖视图。
【标号说明】
10 基板
11、13 槽
12 下部反射镜层
14 活性层
15、17、18 绝缘膜
16 上部反射镜层
17a、18a 端部
18b、18c 开口部
19、41 台面
20 高电阻区域
30、33 电极
31、34 配线
32、35 焊盘
36、37、38、39 光致抗蚀剂
40 半导体层
41a 下侧端部
41b 上侧端部
42 倒角部
44 顶点
100 面发光激光器
具体实施方式
[本申请发明的实施方式的说明]
首先，列举本申请发明的实施方式的内容进行说明。
关于本申请发明的一方式，(1)一种面发光激光器，具备：基板； 半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反 射镜层，形成台面；第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜， 将所述第一绝缘膜覆盖，所述台面在所述基板扩展的方向上具有多角 形的形状，所述台面的所述基板扩展的方向上的顶点具有倒角部。在 台面设置倒角部，在该倒角部上覆盖第一绝缘膜，进而在该第一绝缘 膜上覆盖第二绝缘膜。由于在台面设置倒角部，因此抗蚀剂的附着性 变得良好，在第二绝缘膜难以产生缺陷。因此，耐湿性改善。
(2)所述倒角部的曲率半径也可以为10μm以上且20μm以下。由 于设置倒角部，因此抗蚀剂的附着性良好，在第二绝缘膜难以产生缺 陷。因此，耐湿性改善。
(3)也可以是，所述第一绝缘膜的端部位于所述台面的端部与所述 基板的端部之间，所述第二绝缘膜将所述第一绝缘膜的端部覆盖，所 述第二绝缘膜的端部位于所述第一绝缘膜的端部与所述基板的端部之 间。由于第一绝缘膜未露出，因此耐湿性改善。
(4)也可以是，所述台面的端部与所述第一绝缘膜的端部之间的距 离为2.5μm以上，所述第一绝缘膜的端部与所述第二绝缘膜的端部之 间的距离为1μm以上。第二绝缘膜向第一绝缘膜的端部的外侧延伸， 第一绝缘膜未露出，因此耐湿性改善。
(5)也可以是，所述第一绝缘膜包含硅及氧，所述第二绝缘膜包含 氮化硅。第一绝缘膜的介电常数低，能抑制寄生电容。第二绝缘膜比 第一绝缘膜致密，因此耐湿性改善。
(6)所述台面的侧面也可以从所述半导体层的层叠方向倾斜。通过 利用第二绝缘膜覆盖台面的倾斜的侧面而耐湿性改善。
(7)一种面发光激光器的制造方法，包括如下工序：在基板上层叠 包含下部反射镜层、活性层及上部反射镜层的半导体层的工序；从所 述半导体层，以在顶点形成倒角部的方式，在所述基板扩展的方向上 形成具有多角形的形状的台面的工序；在形成所述台面的工序之后， 形成覆盖所述半导体层的第一绝缘膜的工序；将所述第一绝缘膜中的 所述台面的外侧的部分除去的工序；在将所述第一绝缘膜中的所述台 面的外侧的部分除去的工序之后，形成覆盖所述第一绝缘膜的第二绝 缘膜的工序；及在所述第二绝缘膜上设置抗蚀剂，利用使用了所述抗 蚀剂的蚀刻将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除 去的工序。由于设置倒角部，因此抗蚀剂的附着性良好，在第二绝缘 膜难以产生缺陷。因此，耐湿性改善。
(8)也可以具有如下工序：在将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝 缘膜靠外侧的部分除去的工序之后，所述基板露出，将所述露出的基 板切断。由于将从第二绝缘膜露出的基板切断，因此第二绝缘膜难以 剥离，耐湿性改善。
[本申请发明的实施方式的详情]
以下，参照附图，说明本发明的实施方式的面发光激光器及其制 造方法的具体例。需要说明的是，本发明不限于这些例示，而是旨在 由权利要求书所示的，包含与权利要求书等同的含义及范围内的全部 变更。
【实施例1】
(面发光激光器)
图1A是例示实施例1的面发光激光器100的俯视图，图1B是例 示面发光激光器100的剖视图。
如图1A所示，面发光激光器100例如是边长为200μm～300μm的 矩形的VCSEL。通过将多个面发光激光器100制成在一张基板上并利 用设置在面发光激光器100之间的槽将其切断，来进行面发光激光器 100的制造。因此，在面发光激光器100的外周部设置元件分离用的槽 11。在槽11处基板10露出。后述的下部反射镜层12、活性层14，上 部反射镜层16等半导体层位于基板10上，并形成台面41。台面41为 了设置元件(面发光激光器100)分离用的槽11而形成。台面41由槽11 包围，在基板10扩展的方向上为矩形。在台面41的矩形的各顶点具 有倒角部42。台面19、焊盘32及35位于台面41的内侧，由槽11包 围。台面19是用于形成面发光激光器100的发光部的结构。在台面19 的周围设有槽13。在台面19上设有电极33。电极33利用配线34与 焊盘35电连接。在槽13设有电极30。电极30利用配线31与焊盘32电连接。
如图1B所示，面发光激光器100具备基板10、下部反射镜(DBR： DistributedBragg Reflector：分布布拉格反射镜)层12、活性层14、上 部反射镜层16。
基板10是例如由半绝缘性的砷化镓(GaAs)形成的半导体基板。下 部反射镜层12、活性层14、上部反射镜层16依次层叠在基板10上， 这些半导体层形成台面19及41。
下部反射镜层12是例如将组成不同的n型的砷化铝镓 (AlxGa1-xAs，0≤x≤0.3及AlyGa1-yAs，0.7≤y≤1)每光学膜厚λ/4地 交替层叠而成的半导体多层膜。λ是活性层14射出的光的波长。在下 部反射镜层12掺杂有例如硅(Si)。而且，下部反射镜层12包含与电极30接触的导电性的接触层，接触层例如由AlGaAs或GaAs形成。
活性层14例如由GaAs及砷化铟镓(InGaAs)形成，具有将量子阱 层与阻挡层交替地层叠而成的多重量子阱(MQW：Multiple Quantum Well)结构，具有光学增益。在活性层14与下部反射镜层12之间、及 活性层与上部反射镜层16之间夹有未图示的包层。
上部反射镜层16是例如将p型的AlxGa1-xAs(0≤x≤0.3)及 AlyGa1-yAs(0.7≤y≤1)每光学膜厚λ/4地交替层叠而成的半导体多层 膜。在上部反射镜层16掺杂有例如碳(C)。上部反射镜层16包含与电 极33接触的导电性的接触层，接触层例如由AlGaAs或GaAs形成。
基板10、下部反射镜层12、活性层14、上部反射镜层16也可以 由上述以外的化合物半导体形成。例如基板10除了GaAs以外，也可 以为AlxGa1-xAs(0≤x≤0.2)等，是包含Ga和As的结构。
通过使上部反射镜层16的一部分选择性地氧化而形成氧化狭窄 层22。氧化狭窄层22形成于台面19的上部反射镜层16的周缘部，未 形成于上部反射镜层16的中央部。氧化狭窄层22例如包括氧化铝 (Al2O3)，为绝缘性，与未氧化的部分相比电流难以流动。因此，上部 反射镜层16的中央侧即未氧化部分成为电流路径，能够进行有效的电 流注入。
在比氧化狭窄层22靠外侧的位置且在台面19的周缘部形成有高 电阻区域20。高电阻区域20例如通过注入质子等离子而形成。而且， 在台面41也形成有高电阻区域20。高电阻区域20是构成面发光激光 器100的上部反射镜层16、活性层14或下部反射镜层12的一部分的 区域，是对上述层的一部分进行了高电阻化的区域。槽13将高电阻区 域20沿厚度方向贯通，到达下部反射镜层12，将台面19包围。槽11 位于比槽13及高电阻区域20靠外侧的位置，将它们包围，在厚度方 向上到达基板10。半导体层在槽11的内侧形成台面41。
绝缘膜15(第一绝缘膜、层间膜)例如由厚度为200nm的氮氧化硅 (SiON)或氧化硅(SiO2)形成，将高电阻区域20的表面及台面19的表面 覆盖。绝缘膜17(第一绝缘膜、层间膜)例如由厚度为200nm的SiON 或SiO2形成，将绝缘膜15覆盖。为了减少寄生电容，优选绝缘膜15 及17的介电常数较低。绝缘膜15及17作为对活性层14射出的光进 行反射的反射膜发挥作用，厚度及折射率以反射率升高的方式确定。 绝缘膜18(第二绝缘膜、钝化膜)例如由厚度为100nm的氮化硅(SiN)形 成，将绝缘膜17覆盖。绝缘膜18例如是比绝缘膜15及17致密的钝 化膜，保护面发光激光器100免于遭受湿气及灰尘等。绝缘膜18具有 使焊盘32露出的开口部18b及使焊盘35露出的开口部18c。
电极30例如是具有金锗(AuGe)与镍(Ni)的层叠结构的n型电极， 设置在槽13的内侧且下部反射镜层12的表面。电极33例如是具有钛 (Ti)、铂(Pt)及Au的层叠结构的p型电极，设置在台面19上且上部反 射镜层16的表面。电极30及33是欧姆电极。焊盘32及35位于台面 19的外侧且高电阻区域20上。配线31及焊盘32穿过绝缘膜17的开 口部而与电极30及下部反射镜层12电连接。配线34及焊盘35与电 极33及上部反射镜层16电连接。
图2A是将槽11附近放大的俯视图，图2B是将槽11附近放大的 剖视图。这些图所示的半导体层40包括下部反射镜层12、活性层14、 上部反射镜层16及高电阻区域20等。
如图2A及图2B所示，在基板10上且在槽11的内侧形成有台面 41。如图2B所示，半导体层40相对于层叠方向倾斜，与基板10的表 面之间的角度θ为例如60°以上且80°以下。将台面41的下侧的端部称 为下侧端部41a，将上侧的端部称为上侧端部41b。在台面41的顶点 形成有倒角部42。倒角部42(下侧端部41a)的曲率半径R为例如10μm 以上且20μm以下。绝缘膜15及17将台面41的下侧端部41a及倒角 部42覆盖。如图2A所示，绝缘膜15、17及18的顶点例如为直角。
绝缘膜15的端部15a及绝缘膜17的端部17a位于槽11内且基板 10上，位于下侧端部41a与基板10的端部之间。绝缘膜18将绝缘膜17的表面及端部15a、端部17a覆盖。绝缘膜18的端部18a位于基板 10上且端部15a、端部17a与基板10的端部之间。基板10的一部分从绝缘膜18露出。在下侧端部41a及端部15a、17a形成有阶梯，绝缘膜 18沿着这些阶梯。图2A所示的下侧端部41a与绝缘膜15及17的端部 17a之间的距离D1例如为2.5μm以上。端部18a与端部17a之间的距 离D2例如为1μm以上。
(制造方法)
接下来，说明面发光激光器100的制造方法。图3A～图7B是例示 面发光激光器100的制造方法的剖视图。图8A～图9C是将槽11附近 放大的俯视图。图10A～图12C是将槽11附近放大的剖视图。图8A及 图8B、图10A及图10B对应于图5A的台面41的形成工序。图9A、 图11A～图11C对应于图6B的绝缘膜15及17的蚀刻。图9B、图9C、 图11D～图12C对应于图7B的绝缘膜18的蚀刻。需要说明的是，在图 3～图12中，图示出制造出多个面发光激光器100的基板的一个面发光 激光器100的部分。
如图3A所示，通过例如有机金属气相生长(MOVPE)法或分子束 外延(MBE)法等而在基板10上依次外延生长出下部反射镜层12、活性 层14及上部反射镜层16。上部反射镜层16包含用于形成氧化狭窄层 22的AlxGa1-xAs层(0.9≤x≤1.0)。
如图3B所示，在光致抗蚀剂36的抗蚀剂制图后，通过进行离子 注入而形成高电阻区域20。具体而言，例如对厚度10μm以上且15μm 以下的光致抗蚀剂36进行旋涂。利用掩模覆盖光致抗蚀剂36的一部 分，使用曝光装置照射例如波长365nm的紫外光(UV光)。将光致抗蚀 剂36中的曝光的部分在四甲基氢氧化铵(TMAH)等碱溶液中溶解，使 光致抗蚀剂36中的由掩模覆盖的部分残存。通过注入例如质子(H+)等 离子而形成高电阻区域20。
向晶圆中的由光致抗蚀剂36覆盖的部分未注入质子，向从光致抗 蚀剂36露出的部分注入质子。注入深度为例如5μm。在离子注入后， 进行基于有机溶剂及氧等离子体等的灰化，将光致抗蚀剂36除去。
如图4A所示，使用例如感应耦合等离子体反应性离子蚀刻 (ICP-RIE)装置进行高电阻区域20的干蚀刻，形成台面19。此时，在高 电阻区域20形成到达下部反射镜层12的槽13，未蚀刻的部分由未图 示的光致抗蚀剂保护。作为蚀刻气体，例如使用BCl3气体、或BCl3与Cl2的混合气体。以下示出蚀刻条件的例子。
BCl3/Ar＝30sccm/70sccm
(或者BCl3/Cl2/Ar＝20sccm/10sccm/70sccm)
ICP功率：50W～1000W
偏压功率：50W～500W
晶圆的温度：25℃以下
如图4B所示，通过在例如水蒸气气氛中加热成400℃左右而将上 部反射镜层16的一部分从端部侧氧化，形成氧化狭窄层22。以氧化狭 窄层22达到规定的宽度且规定的宽度的未氧化部分残留于氧化狭窄层 22之间的方式确定加热时间。
如图5A所示，通过对高电阻区域20、下部反射镜层12及基板10 的一部分进行干蚀刻而形成槽11及台面41。此时，台面19及槽13等 未蚀刻的部分由未图示的光致抗蚀剂覆盖。作为蚀刻气体，使用例如 BCl3气体、或BCl3与Cl2的混合气体。以下示出蚀刻的条件。
BCl3/Ar＝30sccm/70sccm
(或者BCl3/Cl2/Ar＝20sccm/10sccm/70sccm)
ICP功率：50W～1000W
偏压功率：50W～500W
晶圆的温度：25℃以下
更详细而言，如图8A及图10A所示，在半导体层40上涂布例如 厚度4μm的光致抗蚀剂37，通过曝光及显影而如图8A所示成为对顶 点进行了倒角的形状。例如进行100℃、1分钟的后烘烤。通过后烘烤 而光致抗蚀剂37收缩。由于倒角部分均等地收缩，因此在收缩后也保 留倒角的形状。而且，光致抗蚀剂37越靠上侧则收缩越大，因此如图 10A那样成为尖细的锥状。侧面与基板10表面之间的角度为例如 60～80°。
以后烘烤的光致抗蚀剂37为抗蚀剂掩模，在上述的条件下对半导 体层40及基板10进行反应性离子蚀刻，如图8B及图10B所示形成槽 11及台面41。光致抗蚀剂37与半导体层40的蚀刻选择比为例如1：3 左右。光致抗蚀剂37例如在上表面侧被蚀刻2μm，在侧面侧被蚀刻 3.5μm，光致抗蚀剂37的形状被转印到半导体层40及基板10上。其 结果是，如图8B所示在台面41的顶点形成倒角部42，且台面41以角 度θ倾斜。在蚀刻之后，将光致抗蚀剂37除去。
槽11的深度例如为7μm，在槽11处，基板10露出。在多个面发 光激光器100之间，下部反射镜层12、活性层14及上部反射镜层16 被分离，因此多个面发光激光器100被电分离。相邻的面发光激光器 100之间的距离为例如30～60μm。
如图5B所示，通过例如等离子体CVD法等形成覆盖晶圆的绝缘 膜15。绝缘膜15例如为SiON膜或SiO2膜。
如图6A所示，使绝缘膜15的一部分开口，通过抗蚀剂制图及真 空蒸镀法在下部反射镜层12的表面形成电极30，在上部反射镜层16 的表面形成电极33。在电极形成后，通过以例如400℃左右的温度进 行1分钟的热处理而在电极与半导体之间取得欧姆接触。电极30与下 部反射镜层12电连接，电极33与上部反射镜层16电连接。
如图6B所示，通过例如等离子体CVD法等，在绝缘膜15、电极 30及33上形成绝缘膜17。绝缘膜17例如为SiON膜或SiO2膜等。通 过使用抗蚀剂图案对绝缘膜17进行蚀刻而在绝缘膜17形成使电极30 露出的开口部及使电极33露出的开口部。通过镀敷处理等，形成与电极30连接的配线31及焊盘32、与电极33连接的配线34及焊盘35。
如图11A所示，详细而言，在绝缘膜15及17上旋涂光致抗蚀剂 38。光致抗蚀剂38的厚度T1在台面41上为例如2μm，比台面41的 下侧端部41a靠外侧处的厚度T2为例如6μm。如图11B所示进行曝光 及显影而除去一部分。将光致抗蚀剂38中的从台面41的下侧端部41a相距了距离D1以上例如2.5μm以上的部分除去，使绝缘膜17露出。 以光致抗蚀剂38为抗蚀剂掩模而利用缓冲氢氟酸等对绝缘膜17及15 进行蚀刻，除去从光致抗蚀剂38露出的部分，使基板10露出。由此， 使绝缘膜15的端部15a和绝缘膜17的端部17a露出。如图9A及图11C所示，在蚀刻之后，将光致抗蚀剂38除去。
如图9A所示，以台面41的顶点不成为锐角的方式设置倒角部42。 因此，光致抗蚀剂38的附着性良好，光致抗蚀剂38的向绝缘膜17紧 贴的紧贴性升高。其结果是，能够抑制绝缘膜15及绝缘膜17的缺陷。
在将光致抗蚀剂38中的从台面41的下侧端部41a相距了比2.5μm 近的距离，例如1μm的部分除去的情况下，在曝光时，光旋入，在光 致抗蚀剂38有时会产生缺陷。由于在光致抗蚀剂38存在缺陷，因此 绝缘膜的侧面蚀刻发生，在绝缘膜15、绝缘膜17形成缺陷。其结果是， 半导体层40露出，耐湿性下降。
如图7A及图11D所示，通过例如等离子体CVD法来设置绝缘膜 18。绝缘膜18是例如由SiN等绝缘体形成的钝化膜，将绝缘膜17、配 线31及34、焊盘32及35覆盖。如图7B所示，对绝缘膜18的一部分 进行蚀刻而设置开口部18b及18c，使焊盘32及35露出。绝缘膜18 中的槽11内的部分也蚀刻，在槽11处使基板10露出。
更详细而言，如图12A所示旋涂光致抗蚀剂39。台面41上的光 致抗蚀剂39的厚度T3为例如2μm，比台面41的下侧端部41a靠外侧 处的厚度T4为例如6μm。如图9B及图12B所示进行曝光及显影，将 光致抗蚀剂39中的从台面41的下侧端部41a相距了距离D2(例如 3.5μm以上)的部分除去，使绝缘膜18露出。如图9C及图12C所示， 以光致抗蚀剂39为抗蚀剂掩模利用例如缓冲氢氟酸等对绝缘膜18进 行蚀刻，除去从光致抗蚀剂39露出的部分。
如图9B所示，以台面41的顶点不成为锐角的方式设置倒角部42， 因此光致抗蚀剂39的附着性良好，光致抗蚀剂39的向绝缘膜18的紧 贴性变高。其结果是，如图12B所示，能够利用光致抗蚀剂39从台面 41上覆盖至端部15a及端部17a的外侧，能够抑制绝缘膜18的侧面蚀 刻。如图9C及图12C所示，在蚀刻之后，将光致抗蚀剂39除去。
使用后磨机或研磨装置等对基板10的背面进行研磨，使厚度成为 100～200μm左右。使用刀片等，在槽11处沿着图9C的刻划线46将基 板10切断，制成单个化后的面发光激光器100。将基板10中的露出的 部分利用刀片切断。刀片与绝缘膜15、17及18不接触，因此这些膜 难以剥离。
(比较例)
接下来，说明比较例。图13A及图13B是将槽11附近放大的俯 视图，图13C及图13D是将槽11附近放大的剖视图。在比较例中，台 面41的形成使用的光致抗蚀剂的顶点未被倒角，由于光致抗蚀剂进行 热收缩而顶点成为锐角。因此，如图13A所示，在台面41形成锐角的 顶点44。
如图13C所示，台面41的侧面倾斜，在侧面处光致抗蚀剂39容 易变薄。如图13B所示，特别是在顶点44的周围，光致抗蚀剂39的 附着性变差，变薄。在光致抗蚀剂39产生缺陷。如图13D所示，对绝 缘膜15、17及18同时进行蚀刻。由于在光致抗蚀剂39存在缺陷，因此绝缘膜的侧面蚀刻发生，形成缺陷。其结果是，半导体层40露出， 耐湿性下降。特别是，绝缘膜15及17由亲水性比绝缘膜18高的SiON 及SiO2形成，因此由于这些膜露出而水分容易侵入，半导体层被氧化。 也存在由于灰尘等而半导体层40劣化的情况。
根据实施例1，半导体层40的台面41的顶点具有倒角部42。因 此，光致抗蚀剂38、39的附着性改善。因此，绝缘膜15、17及18覆 盖半导体层40并向台面41的外侧延伸。因此，能够改善耐湿性。
图2A所示的倒角部42的曲率半径R优选为10μm以上且20μm 以下。能够使光致抗蚀剂39的附着性改善，并设置向图12C所示的台 面41的外侧延伸的绝缘膜18。因此，能够改善耐湿性。曲率半径R 也可以为例如5μm以上、12μm以上、18μm以下、25μm以下等。需 要说明的是，台面41的平面形状设为矩形，但也可以是例如五角形等 多角形。各顶点具有倒角部42，因此未成为锐角。倒角部42可以如图 1A那样为曲线状，也可以是例如将顶点切口成直线状的形状。倒角部 42的长度比台面41的边小。
如图11A～图12C所示，在对绝缘膜15及17进行了蚀刻之后，设 置绝缘膜18及光致抗蚀剂39，进行绝缘膜18的蚀刻。如图12B所示， 能够从台面41上至端部17a的外侧设置光致抗蚀剂39，因此光致抗蚀 剂39的附着性改善。在绝缘膜18难以产生缺陷，耐湿性改善。
如图9C及图11D所示，绝缘膜15的端部15a及绝缘膜17的端 部17a位于台面41的下侧端部41a与基板10的端部之间，绝缘膜18 的端部18a位于绝缘膜15的端部15a及绝缘膜17的端部17a与基板 10的端部之间。即，从半导体层40至基板10形成2个阶梯，绝缘膜 18在这些阶梯上延伸。半导体层40、绝缘膜15及17未从绝缘膜18 露出，因此能够改善耐湿性。
图2A所示的下侧端部41a与端部17a之间的距离D1例如为2.5μm 以上，端部17a与端部18a之间的距离D2例如为1μm以上。光致抗蚀 剂38、39变厚，在绝缘膜15、17、18难以产生缺陷。绝缘膜18从下 侧端部41a延伸至端部18a，将半导体层40、绝缘膜15及17覆盖。其结果是，耐湿性改善。距离D1例如比距离D2大，也可以为例如2μm 以上、3μm以上等。距离D2也可以为例如0.5μm以上、1.5μm以上。
绝缘膜15及17是SiON及SiO2等包含氧(O)的膜，由于介电常数 低，因此能够减少寄生电容。另一方面，这些膜具有比SiN等高的亲 水性。绝缘膜18例如为SiN膜，比绝缘膜15及17致密，是疏水性的 膜。由于绝缘膜18覆盖绝缘膜15及17，因此耐湿性改善。而且，绝 缘膜15及17的蚀刻率比绝缘膜18高。如图12C那样，绝缘膜18覆 盖绝缘膜15及17的侧面，因此能抑制侧面蚀刻。绝缘膜的材料没有 限定为上述。为了减少寄生电容，绝缘膜15及17优选具有低的介电 常数。另一方面，绝缘膜18优选具有比绝缘膜15及17高的耐湿性。
如图8A所示，台面41的侧面从层叠方向倾斜。台面41与基板 10之间的角度θ例如为60～80°，高度例如为7μm。通过利用例如3.5μm 以上的厚度的光致抗蚀剂39将台面41覆盖，能够抑制绝缘膜18的侧 面蚀刻，提高耐湿性。角度θ例如可以为50°以上，也可以为80°以上， 还可以为90°。
在绝缘膜18的蚀刻后，基板10的一部分向槽11露出，在该部分 将基板10切断。由于抑制绝缘膜15、17及18与刀片的接触，因此绝 缘膜难以剥离，耐湿性改善。
以上，详细叙述了本发明的实施例，但是本发明没有限定为上述 特定的实施例，在权利要求书记载的本发明的主旨的范围内，能够进 行各种变形/变更。

Claims (8)

1.一种面发光激光器，具备：
基板；
半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；
第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及
第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，
所述台面在所述基板的上表面具有多角形的形状，所述台面的在所述基板的上表面上的顶点具有倒角部。
2.根据权利要求1所述的面发光激光器，其中，
所述倒角部的边缘具有曲线形状，
该曲线形状的曲率半径为10μm以上且20μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的面发光激光器，其中，
所述第一绝缘膜的端部位于所述台面的端部与所述基板的端部之间，
所述第二绝缘膜将所述第一绝缘膜的端部覆盖，
所述第二绝缘膜的端部位于所述第一绝缘膜的端部与所述基板的端部之间。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的面发光激光器，其中，
所述台面的端部与所述第一绝缘膜的端部之间的距离为2.5μm以上，
所述第一绝缘膜的端部与所述第二绝缘膜的端部之间的距离为1μm以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的面发光激光器，其中，
所述第一绝缘膜包含硅及氧，
所述第二绝缘膜包含氮化硅。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的面发光激光器，其中，
所述台面的侧面从所述半导体层的层叠方向倾斜。
7.一种面发光激光器的制造方法，包括如下工序：
在基板上层叠包含下部反射镜层、活性层及上部反射镜层在内的半导体层的工序；
从所述半导体层以在顶点形成倒角部的方式在所述基板的上表面形成具有多角形的形状的台面的工序；
在形成所述台面的工序之后，形成覆盖所述半导体层的第一绝缘膜的工序；
将所述第一绝缘膜中的所述台面的外侧的部分除去的工序；
在将所述第一绝缘膜中的所述台面的外侧的部分除去的工序之后，形成覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；及
在所述第二绝缘膜上设置抗蚀剂，通过使用了所述抗蚀剂的蚀刻将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除去的工序。
8.根据权利要求7所述的面发光激光器的制造方法，其中，
所述面发光激光器的制造方法包括如下工序：在将所述第二绝缘膜中的比所述第一绝缘膜靠外侧的部分除去的工序之后，所述基板露出，将所述露出的基板切断。
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