CN112151693A - 封装结构、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种封装结构、显示面板及显示装置,该封装结构包括层叠在基板上的无机封装层和有机封装层,有机封装层包括微观结构层和平坦层;平坦层的折射率小于微观结构层的折射率;微观结构层包括位于无机封装层上的基础结构和若干凸起结构,若干凸起结构在基础结构远离无机封装层的表面间隔布置;平坦层至少填充凸起结构两侧的区域,且远离无机封装层的一侧为平面结构。本申请通过将有机封装层布置成折射率不同的微观结构层和平坦层,从而可以减少全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;若干凸起结构在基础结构远离无机封装层的表面间隔布置,可将入射光线锁定在微观结构层中,有利于增加屏幕的显示亮度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种封装结构、显示面板及显示装置。
背景技术
目前,随着移动互联技术的快速发展,OLED(Organic Light Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示面板已经越来越受到市场的青睐。
但是,OLED显示面板存在屏幕表面反射率高的问题,从而影响了正常的显示亮度。为了满足正常的显示需求,常常需要额外增加屏幕亮度,但这样会增加整个显示面板的功耗。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种封装结构、显示面板及显示装置,以解决如何降低显示屏幕表面反射率的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种封装结构,包括层叠在基板上的无机封装层和有机封装层,所述有机封装层包括微观结构层和平坦层;微观结构层靠近所述基板,所述平坦层远离所述基板,且所述平坦层的折射率小于所述微观结构层的折射率;所述微观结构层包括位于所述无机封装层上的基础结构和由所述基础结构表面延伸出的若干凸起结构,若干所述凸起结构在所述基础结构远离所述无机封装层的表面间隔布置;所述平坦层至少填充所述凸起结构两侧的区域,且远离所述无机封装层的一侧为平面结构。
可选地,所述凸起结构沿第一方向的截面为矩形;所述第一方向为若干所述凸起结构的间隔排布方向。
可选地,所述凸起结构沿垂直于所述基础结构方向的高度与相邻的所述凸起结构之间的间距的比值为1~5。
可选地,所述凸起结构具有如下技术特征中的至少一项:
相邻的所述凸起结构之间的间距相等;
各所述凸起结构沿垂直于所述基础结构方向的高度均相等;
各所述凸起结构沿所述第一方向的宽度均相等。
可选地,所述凸起结构具有如下技术特征:相邻的所述凸起结构之间的间距为1~200纳米;所述凸起结构沿垂直于所述基础结构方向的高度为1~500纳米;所述凸起结构的沿所述第一方向的宽度为1~200纳米。
可选地,所述凸起结构沿第一方向的截面为三角形;所述第一方向为若干所述凸起结构的间隔排布方向。
可选地,所述凸起结构沿第一方向的最大宽度为200~1000纳米;和/或,所述凸起结构沿垂直于基础结构方向的高度为200~800纳米。
可选地,相邻的所述凸起结构之间的最小间距为0~200纳米。
可选地,所述微观结构层的材料为折射率大于1.5的透明有机材料;和/或,所述平坦层的材料为折射率为1~1.5的透明有机材料。
可选地,所述微观结构层的材料为丙烯酸-丙烯酸树脂;所述平坦层的材料为光学胶。
第二个方面,本申请实施例还提供了一种显示面板,包括:基板以及第一个方面所述的封装结构;所述基板包括基底层和依次层叠在所述基底层上的开关器件层和发光器件层,所述封装结构的无机封装层位于所述发光器件层远离所述基底层的一侧。
第三个方面,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括第二个方面所述的显示面板。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括:
本申请实施例提供的封装结构,通过将有机封装层布置成折射率不同的微观结构层和平坦层,保证从外界射入有机封装层的光线由折射率较小的平坦层介质进入折射率较大的微观结构层介质,从而可以避免全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;微观结构层中的若干凸起结构在基础结构远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层射入的光线能够从相邻的凸起结构之间的区域射入到微观结构层中,可将入射光线锁定在微观结构层中,进一步提升外界入射光线的透射率,从而增加显示亮度;由于微观结构层具有降低反射率的效果,则可以取代偏光片的作用,从而简化制备工艺,且降低了封装结构之上的膜层厚度,有利于终端产品的超薄化设计。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请实施例提供的一种封装结构与基板层叠后的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种封装结构的微观结构层的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的图2中A的放大图;
图4为本申请实施例提供的另一种封装结构与基板层叠后的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种封装结构的微观结构层的结构示意图;
图6为本申请实施例提供的图5中B的放大图;
图7为本申请实施例提供的一种封装结构的制备方法的流程图;
图8为本申请实施例提供的图7中步骤S200的具体工艺流程图。
其中:
100-基板;110-基底层;120-开关器件层;130-发光器件层;
200-封装结构;
210-第一无机封装层;
220-有机封装层;221-微观结构层;221a-基础结构;221b-凸起结构;
222-平坦层;
230-第二无机封装层。
具体实施方式
下面详细描述本申请,本申请的实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外,如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的,则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语),具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语,应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样被特定定义,否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
结合图1和图2所示,本申请实施例提供了一种封装结构200,该封装结构200包括层叠在基板100上的无机封装层和有机封装层220。可以理解的是,封装结构200一般由多层无机封装层和多层有机封装层220交替层叠布置,无机封装层和有机封装层220的具体层数可以根据封装结构200的实际需要具体设定。本实施例中仅示意出一层无机封装层(图1中示意为第一无机封装层210)、一层有机封装层220以及另一层无机封装层(图1中示意为第二无机封装层230)组成的“三明治结构”。如无特殊说明,本申请各实施例中的无机封装层均指第一无机封装层210。
为了降低封装结构200对外界入射光线的反射效果,有机封装层220可以设置为包括两种折射率不同膜层的结构,即微观结构层221和平坦层222。其中,微观结构层221靠近基板100,平坦层222远离基板100,且平坦层222的折射率小于微观结构层221的折射率,以保证从外界射入有机封装层220的光线先进入折射率较小的介质(光疏介质),再进入折射率较大的介质(光密介质),从而可以避免全反射的发生,使得光线尽可能地射入封装结构200中。
微观结构层221包括位于无机封装层上的基础结构221a和若干凸起结构221b,基础结构221a与基板100平行,若干凸起结构221b由基础结构221a的表面向远离无机封装层的一侧延伸形成。若干凸起结构221b在基础结构221a远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层222射入的光线能够从相邻的凸起结构221b之间的区域射入到微观结构层221中,如图1中的箭头所示,示意为外界入射光线从平坦层222射入凸起结构221b之间的区域时的光路,即外界射入的光线被封锁在相邻的凸起结构221b之间的区域并最终射入基础结构221a中,进一步提升了外界入射光线的透射率。
为了保持原有的封装结构200,微观结构层221的凸起结构221b由平坦层222实现平坦化,平坦层222至少将凸起结构221b两侧的区域填平,且平坦层222远离无机封装层的一侧为平面结构。其中,平坦层222远离无机封装层的一侧可以与凸起结构221b远离无机封装层的一侧平齐,也可以将整个凸起结构221b全部覆盖。
可选地,基础结构221a与凸起结构221b为一体化成型,可以通过成膜和图形化工艺制备得到。
需要说明的是,本申请实施例中的基板100可以为包括基底层110、开关器件层120和发光器件层130的显示功能结构。当然,根据终端产品的具体结构不同,基板100还可以是其他的功能结构,由于不影响封装结构200的具体结构和功能,本实施例中对基板100可以不作具体限定。
此外,本申请实施例中的凸起结构221b可以是独立排布(类似于凸台),也可以是长条形的间隔排布。本申请各实施例中均以凸起结构221b为长条形为例进行说明,凸起结构221b的长度延伸方向平行于基础结构221a和基板100。
本实施例中提供的封装结构200,通过将有机封装层220布置成折射率不同的微观结构层221和平坦层222,保证从外界射入有机封装层220的光线由折射率较小的平坦层222介质进入折射率较大的微观结构层221介质,从而可以避免全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;微观结构层221中的若干凸起结构221b在基础结构221a远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层222射入的光线能够从相邻的凸起结构221b之间的区域射入到微观结构层221中,可将入射光线锁定在微观结构层221中,从而进一步提升外界入射光线的透射率,增加显示亮度;由于微观结构层221具有降低反射率的效果,则可以取代偏光片的作用,从而简化制备工艺,且降低了封装结构200之上的膜层厚度,有利于终端产品的超薄化设计。
可选地,微观结构层221的材料为折射率大于1.5的透明有机材料,如:丙烯酸-丙烯酸树脂。
可选地,平坦层222的材料为折射率为1~1.5的透明有机材料,如:光学胶。
可选地,靠近基板100的无机封装层的材料为氧化硅,位于有机封装层220远离基板100一侧的无机封装层的材料为氮化硅,保证封装信赖性。
在一些实施例中,继续参阅图2,微观结构层221中的各凸起结构221b为长条形结构,假设各凸起结构221b的长度延伸方向为第二方向(图2中未示出,具体为图2中对应垂直于纸面且平行于基板100的方向)。本实施例中的若干凸起结构221b指两个或者两个以上的凸起结构221b,设定若干凸起结构221b的间隔排布方向为第一方向,第一方向具体为图2中平行于纸面且水平的方向。各凸起结构221b沿第一方向的截面均为矩形,相当于各凸起结构221b在基础结构221a表面的投影呈间隔的条状结构分布,形成具有一定高宽比的光陷阱结构,光陷阱结构的间隙由折射率较低的平坦层222填充。
需要说明的是,相邻凸起结构221b之间的间距可以相同,也可以不同,具体可以根据实际情况设置。
本申请实施例中,截面为矩形的凸起结构221b间隔布置形成光陷阱结构,有效防止射入到凸起结构221b之间区域的光线反射至封装结构200外部,进一步降低外界入射光线的反射率。
可选地,如图3所示,凸起结构221b沿垂直于基础结构221a的方向上的高度H与相邻的凸起结构221b之间的间距d的比值在1~5之间,可以包括端点值1和5。
本实施例中,通过合理设置凸起结构221b的高度与间距之比,一方面有利于将射入凸起结构221b间隙中的光线封锁在封装结构内,使其不易被反射至封装结构200的外部,从而进一步降低外界入射光线的反射率;另一方面,可以合理控制工艺成本和制作难度,保证封装膜层的质量。
可选地,相邻的凸起结构221b之间的间距d相等,即各凸起结构221b为等间距布置。其中,相邻凸起结构221b之间的间距d设置为1~200纳米,包括端点值1纳米和200纳米。
可选地,各凸起结构221b沿垂直于基础结构221a方向(图中为平行于纸面的竖直方向)的高度H均相等,即各凸起结构221b远离基础结构221a的一侧平齐,有利于降低工艺制作难度,提高制作效率。其中,各凸起结构221b沿垂直于基础结构221a方向的高度H为1~500纳米,包括端点值1纳米和500纳米。
可选地,各凸起结构221b沿第一方向的宽度L均相等。其中,各凸起结构221b的沿第一方向的宽度L为1~200纳米,包括端点值1纳米和200纳米。
可选地,由于凸起结构221b的自身宽度L、高度H以及间距d等参数值均为纳米级别,因此,微观结构层221的凸起结构221b可以直接通过纳米压印技术实现图形化,在满足制作工艺参数要求的前提下,工艺步骤少,制作效率高。
在一些施例中,结合图4和图5所示,微观结构层221中的各凸起结构221b为长条形结构,假设各凸起结构221b的长度延伸方向为第二方向(图5中未示出,具体为图5中对应为垂直于纸面且平行于基板100的方向)。本实施例中的若干凸起结构221b指两个或者两个以上的凸起结构221b,假设若干凸起结构221b的间隔排布方向为第一方向,图5中对应为平行于纸面的水平方向。凸起结构221b沿第一方向的截面为三角形,相当于各凸起结构221b整体呈锯齿形结构分布,锯齿形结构可以在基础结构221a表面连续分布,也可以间隔分布。
本申请实施例中,凸起结构221b为截面为三角形的长条形结构,除了具有降低外界入射光线的反射率的作用之外,还增加了封装结构200下方的光线的出射面积,使得内部的光线发散射出,从而增大了终端产品的可视化角度。
可选地,如图6所示,对于沿第一方向的截面为三角形的凸起结构221b而言,为了综合考虑外界入射光线的透射率以及内部光线的发散效果,需要合理控制该三角形截面的凸起结构221b的相关尺寸参数。
可选地,三角形截面的底边边长W(即凸起结构221b沿第一方向的最大宽度)为200纳米~1000纳米,包括端点值200纳米和1000纳米。
可选地,三角形截面的高度h(即凸起结构221b沿垂直于基础结构221a方向的高度)为200纳米~800纳米,包括端点值200纳米和800纳米。
可选地,对于沿第一方向的截面为三角形的凸起结构221b而言,相邻的凸起结构221b之间的间距d为0~200纳米,包括端点值0和200纳米。需要说明的是,凸起结构221b之间的最小间距d为0时,表示相邻的三角形截面的底边相连在一起,中间没有沿第一方向的水平过渡部分。
基于同一发明构思,继续参阅图1,本申请实施例还提供了一种显示面板,包括:基板100以及本申请实施例中前述的封装结构200。其中,显示面板中的基板100包括基底层110和依次层叠在基底层110上的开关器件层120和发光器件层130,封装结构200的无机封装层位于发光器件层130远离基底层110的一侧。
本申请实施例提供的显示面板,包括了本申请实施例中前述的封装结构200,该封装结构200通过将有机封装层220布置成折射率不同的微观结构层221和平坦层222,保证从外界射入有机封装层220的光线由折射率较小的平坦层222介质进入折射率较大的微观结构层221介质,从而可以避免全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;微观结构层221中的若干凸起结构221b在基础结构221a远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层222射入的光线能够从相邻的凸起结构221b之间的区域射入到微观结构层221中,可将入射光线锁定在微观结构层221中,从而进一步提升光线的透射率,增加显示亮度;由于微观结构层221具有降低反射率的效果,则可以取代偏光片的作用,从而简化制备工艺,且降低了封装结构200之上的膜层厚度,有利于终端产品的超薄化设计。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括本申请实施例中前述的显示面板。
本申请实施例提供的显示装置,包括了前述实施例中的显示面板,该显示面板的封装结构200包括了折射率不同的微观结构层221和平坦层222,能够保证从外界射入有机封装层220的光线由折射率较小的平坦层222介质进入折射率较大的微观结构层221介质,从而可以避免全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;微观结构层221中的若干凸起结构221b在基础结构221a远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层222射入的光线能够从相邻的凸起结构221b之间的区域射入到微观结构层221中,可将入射光线锁定在微观结构层221中,从而进一步提升光线的透射率,增加显示亮度;由于微观结构层221具有降低反射率的效果,则可以取代偏光片的作用,从而简化制备工艺,且降低了封装结构200之上的膜层厚度,有利于终端产品的超薄化设计。
基于同一发明构思,如图7所示,本申请实施例提供了一种封装结构200的制备方法,包括:
S100,提供一基板100。
可选地,基板100作为封装结构200的支撑载体,可以根据终端产品的不同设置不同的结构。例如:作为OLED显示面板而言,基板100可以为包括基底层110、开关器件层120和发光器件层130的显示功能结构。
S200,在基板100上制备至少一无机封装层和至少一有机封装层220,无机封装层和有机封装层220交替制作。
可选地,封装结构200一般由多层无机封装层和多层有机封装层220交替层叠布置,无机封装层和有机封装层220的具体层数可以根据封装结构200的实际需要具体设定。本实施例中在基板100上制备至少一无机封装层和至少一有机封装层220。
其中,为了降低封装结构200对外界入射光线的反射效果,有机封装层220可以设置为包括两种折射率不同膜层的结构,即微观结构层221和平坦层222。微观结构层221靠近基板100,平坦层222远离基板100,且平坦层222的折射率小于微观结构层221的折射率,以保证从外界射入有机封装层220的光线先进入折射率较小的介质(光疏介质),再进入折射率较大的介质(光密介质),从而可以避免全反射的发生,使得光线尽可能地射入封装结构200中。
微观结构层221包括位于无机封装层上的基础结构221a和若干凸起结构221b,基础结构221a与基板100平行,若干凸起结构221b由基础结构221a的表面向远离无机封装层的一侧延伸。若干凸起结构221b在基础结构221a远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层222射入的光线能够相邻的凸起结构221b之间的区域射入到微观结构层221中,形成类似于光栅的作用,从而可以进一步提高光线的透射率。
为了便于该有机封装层220之上其他膜层(本实施例中为另一层无机封装层)的制作,微观结构层221的凸起结构221b由平坦层222实现平坦化,平坦层222至少将凸起结构221b两侧的区域填平,且平坦层222远离无机封装层的一侧为平面结构。其中,平坦层222远离无机封装层的一侧可以与凸起结构221b远离无机封装层的一侧平齐,也可以将整个凸起结构221b全部覆盖。
本实施例中提供的封装结构200的制备方法,通过在基板100上制备有机封装层220和无机封装层,且将有机封装层220布置成折射率不同的微观结构层221和平坦层222,保证从外界射入有机封装层220的光线由折射率较小的平坦层222介质进入折射率较大的微观结构层221介质,从而可以避免全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;微观结构层221中的若干凸起结构221b在基础结构221a远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层222射入的光线能够从相邻的凸起结构221b之间的区域射入到微观结构层221中,可将入射光线锁定在微观结构层221中,从而进一步提升光线的透射率,增加显示亮度;由于微观结构层221具有降低反射率的效果,则可以取代偏光片的作用,从而简化制备工艺,且降低了封装结构200之上的膜层厚度,有利于终端产品的超薄化设计。
基于本申请上述实施例的内容,如图8所示,在提供一基板之后,步骤S200具体包括:
S201,在基板100上制备一无机封装层。
可选地,无机封装层可以通过沉积工艺制备得到,例如:PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积)或者ALD(Atomic LayerDeposition,原子层沉积)。该无机封装层的材料可以为氧化硅。
S202,在无机封装层远离基板100的一侧沉积有机膜层。
可选地,在无机封装层上沉积有机膜层,该有机膜层为透明材料,不影响显示效果。有机膜层可以采用喷墨打印工艺制备得到。
S203,利用纳米压印的方法对有机膜层进行图案化,得到基础结构221a和若干纳米级别的凸起结构221b。
可选地,为了将微观结构层221中凸起结构221b相关尺寸参数设置在纳米级别,本实施例中采用纳米压印工艺,利用预先制备的纳米压印模板对有机膜层进行压印,从而得到若干纳米级别的凸起结构221b。其中,有机膜层中没有被压印模板压制的部分即为基础结构221a。
S204,在基础结构221a和凸起结构221b上制备平坦层222,使得平坦层222至少填充凸起结构221b两侧的区域。
可选地,为了便于封装结构200之上其他膜层的制作,微观结构层221的凸起结构221b由平坦层222实现平坦化,平坦层222至少将凸起结构221b两侧的区域填平,且平坦层222远离无机封装层的一侧为平面结构。其中,平坦层222远离无机封装层的一侧可以与凸起结构221b远离无机封装层的一侧平齐,也可以将整个凸起结构221b全部覆盖。
本申请各实施例至少具有以下技术效果:
1、通过将有机封装层布置成折射率不同的微观结构层和平坦层,保证从外界射入有机封装层的光线由折射率较小的平坦层介质进入折射率较大的微观结构层介质,从而可以避免全反射的发生,降低外界入射光线的反射率;微观结构层中的若干凸起结构在基础结构远离无机封装层的表面间隔布置,使得从平坦层射入的光线能够从相邻的凸起结构之间的区域射入到微观结构层中,可将入射光线锁定在微观结构层中,从而进一步提升光线的透射率,增加显示亮度;由于微观结构层具有降低反射率的效果,则可以取代偏光片的作用,从而简化制备工艺,且降低了封装结构之上的膜层厚度,有利于终端产品的超薄化设计。
2、截面为矩形的凸起结构,能有效地防止射入到凸起结构之间区域的光线反射至封装结构外部,进一步降低外界入射光线的反射率。
3、通过合理设置凸起结构的高度与间距之比,一方面有利于将射入凸起结构间隙中的光线封锁在封住层内,使其不易被反射至封装结构的外部,从而进一步降低外界入射光线的反射率;另一方面,可以合理控制工艺成本和制作难度,保证封装膜层的质量。
4、截面为三角形的凸起结构,具有降低外界入射光线的反射率的作用,而且还增加了封装结构下方的光线的出射面积,使得内部的光线发散射出,从而增大了终端产品的可视化角度。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (12)
1.一种封装结构,包括层叠在基板上的无机封装层和有机封装层,其特征在于,所述有机封装层包括微观结构层和平坦层;所述微观结构层靠近所述基板,所述平坦层远离所述基板,且所述平坦层的折射率小于所述微观结构层的折射率;
所述微观结构层包括位于所述无机封装层上的基础结构和由所述基础结构表面延伸出的若干凸起结构,若干所述凸起结构在所述基础结构远离所述无机封装层的表面间隔布置;
所述平坦层至少填充所述凸起结构两侧的区域,且远离所述无机封装层的一侧为平面结构。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述凸起结构沿第一方向的截面为矩形;所述第一方向为若干所述凸起结构的间隔排布方向。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述凸起结构沿垂直于所述基础结构方向的高度与相邻的所述凸起结构之间的间距的比值为1~5。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述凸起结构具有如下技术特征中的至少一项:
相邻的所述凸起结构之间的间距相等;
各所述凸起结构沿垂直于所述基础结构方向的高度均相等;
各所述凸起结构沿所述第一方向的宽度均相等。
5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述凸起结构具有如下技术特征:
相邻的所述凸起结构之间的间距为1~200纳米;
所述凸起结构沿垂直于所述基础结构方向的高度为1~500纳米;
所述凸起结构的沿所述第一方向的宽度为1~200纳米。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述凸起结构沿第一方向的截面为三角形;所述第一方向为若干所述凸起结构的间隔排布方向。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,所述凸起结构沿第一方向的最大宽度为200~1000纳米;和/或,所述凸起结构沿垂直于基础结构方向的高度为200~800纳米。
8.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于,相邻的所述凸起结构之间的最小间距为0~200纳米。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述微观结构层的材料为折射率大于1.5的透明有机材料;和/或,所述平坦层的材料为折射率为1~1.5的透明有机材料。
10.根据权利要求9所述的封装结构,其特征在于,所述微观结构层的材料为丙烯酸-丙烯酸树脂;所述平坦层的材料为光学胶。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:基板以及如权利要求1至10中任一项所述的封装结构;
所述基板包括基底层和依次层叠在所述基底层上的开关器件层和发光器件层,所述封装结构的无机封装层位于所述发光器件层远离所述基底层的一侧。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示面板。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113871550A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-31 | 惠州华星光电显示有限公司 | 封装结构和显示面板 |
CN114023901A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-02-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜封装结构及其制备方法、显示面板 |
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---|---|---|---|---|
US20050276211A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Akemi Hirotsune | Information recording medium and manufacturing process |
US7163888B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-01-16 | Motorola, Inc. | Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography |
KR101873476B1 (ko) * | 2011-04-11 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101885821B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8946747B2 (en) * | 2012-02-13 | 2015-02-03 | Cree, Inc. | Lighting device including multiple encapsulant material layers |
KR102330331B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2021-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105140417A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及制作方法和显示装置 |
US10074826B2 (en) * | 2015-10-06 | 2018-09-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
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CN106328826B (zh) * | 2016-10-24 | 2019-04-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示装置及其制作方法 |
CN106410062A (zh) * | 2016-11-07 | 2017-02-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种封装层及封装器件 |
CN106684256A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
CN107611279B (zh) | 2017-09-12 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 光学薄膜、有机电致发光显示面板及其制作方法 |
US10153461B1 (en) | 2017-09-13 | 2018-12-11 | Int Tech Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing the same |
CN109841644B (zh) | 2017-11-24 | 2021-07-27 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US10600821B2 (en) * | 2018-04-23 | 2020-03-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
CN109192878B (zh) * | 2018-08-30 | 2019-11-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板 |
CN109273507B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-06-05 | 霸州市云谷电子科技有限公司 | 一种显示面板 |
CN109817823B (zh) | 2019-01-09 | 2022-03-18 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN109817830A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113871550A (zh) * | 2021-09-24 | 2021-12-31 | 惠州华星光电显示有限公司 | 封装结构和显示面板 |
CN114023901A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-02-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜封装结构及其制备方法、显示面板 |
WO2023108695A1 (zh) * | 2021-12-13 | 2023-06-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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