CN112144044A - 薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法与控制装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法与控制装置，该薄膜制备装置包括：壳体，具有反应腔体；支撑结构，位于反应腔体内；加热器，位于反应腔体内的支撑结构上；热辐射结构，位于反应腔体的底壁和加热器之间，热辐射结构在加热器上的投影位于加热器的部分区域内，热辐射结构用于向加热器辐射热量。该薄膜制备装置在反应腔体的底壁和加热器之间加入热辐射结构，辐射结构可以向其在加热器上对应的投影区域辐射热量，来调整加热器的部分区域温度，从而可以调整加热器位于对应投影区域上的这部分薄膜的相关参数，即该薄膜制备装置通过热辐射结构可以调整加热器上的薄膜的局部的相关参数，进而保证了薄膜局部相关参数的均匀性。
Description
技术领域
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法、控制装置与薄膜制备系统。
背景技术
薄膜的厚度、消光系数、反射率的均匀性会影响后续过程中的关键尺寸。
现有技术中，在化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)法形成薄膜的过程中，通过调整加热器的内外圈温度来改善薄膜厚度、消光系数以及反射系数的均匀性。但是，无法调整薄膜局部的相关参数，相关参数包括厚度、消光系数和/或反射系数，以改善这些参数的均匀性，从而对后续的刻蚀的关键尺寸造成不良影响。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法、控制装置与薄膜制备系统，以解决现有技术中难以调整薄膜局部的相关参数的问题。
为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种薄膜制备装置，包括：壳体，具有反应腔体；支撑结构，位于所述反应腔体内；加热器，位于所述反应腔体内的所述支撑结构上；热辐射结构，位于所述反应腔体的底壁和所述加热器之间，所述热辐射结构在所述加热器上的投影位于所述加热器的部分区域内，所述热辐射结构用于向所述加热器辐射热量。
可选地，所述热辐射结构与所述加热器中的至少一个可沿预定方向移动，所述预定方向为所述加热器的高度方向。
可选地，所述薄膜制备装置还包括连接结构，一端与所述支撑结构连接，另一端与所述热辐射结构连接。
可选地，所述热辐射结构有多个，所述连接结构有多个，且所述连接结构和所述热辐射结构一一对应连接。
可选地，所述热辐射结构有多个，多个所述热辐射结构以所述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且所述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，所述第二加热结构围设在所述第一加热结构外周且与所述第一加热结构连接，所述热辐射结构在所述加热器上的投影的至少部分位于所述第二加热结构内。
可选地，所述热辐射结构包括陶瓷板。
根据本申请的另一方面，提供了一种所述薄膜制备装置的控制方法，所述控制方法包括：获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，所述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，以使得所述目标检测点的所述相关参数大于或者等于对应的所述参数阈值，所述目标检测点为多个所述检测点中的一个。
可选地，所述热辐射结构有多个，所述连接结构有多个，且所述连接结构和所述热辐射结构一一对应连接，在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述加热器中的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制所述连接结构沿所述预定方向移动至所述预定位置。
可选地，所述热辐射结构有多个，多个所述热辐射结构以所述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且所述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，所述第二加热结构围设在所述第一加热结构外周且与所述第一加热结构连接，所述热辐射结构在所述加热器上的投影的至少部分位于所述第二加热结构内，多个所述检测点均匀分布且包括多个内部检测点和多个外部检测点，所述内部检测点在所述加热器上的投影位于所述第一加热结构内，所述外部检测点在所述加热器上的投影位于所述第二加热结构内，在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：在存在所述相关参数小于对应的所述参数阈值的所述目标检测点的情况下，确定所述目标检测点是否为多个所述外部检测点中的部分；在所述目标检测点为多个所述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿所述预定方向移动直到所述预定位置，所述预定热辐射结构在所述加热器上的投影为第一投影，所述目标检测点在所述加热器上的投影为第二投影，所述第一投影和所述第二投影至少部分重合。
可选地，获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，包括：获取所述薄膜的多个所述检测点的所述消光系数和所述反射系数，在所述目标检测点为多个所述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿所述预定方向移动，包括：在所述消光系数和所述反射系数中的至少一个小于对应的所述参数阈值的情况下，控制所述热辐射结构沿靠近所述加热器的方向移动至第一预定位置；在所述消光系数和所述反射系数中的至少一个大于对应的所述参数阈值的情况下，控制所述热辐射结构沿远离所述加热器的方向移动至第二预定位置。
根据本申请的又一方面，提供了一种所述薄膜制备装置的控制装置，所述控制装置包括：获取单元，用于获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，所述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；控制单元，用于在存在相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个沿预定方向移动至预定位置，以使得所述目标检测点的所述相关参数大于或者等于对应的所述参数阈值，所述目标检测点为多个所述检测点中的一个。
根据本申请的再一方面，提供了一种薄膜制备系统，包括：任一种所述的薄膜制备装置；控制装置，与所述薄膜制备装置通信连接，所述控制装置用于执行任一种所述的方法。
本申请提供的所述薄膜制备装置，在所述反应腔体的底壁和所述加热器之间加入所述热辐射结构，该热辐射结构可以向加热器辐射热量，并且，辐射结构在加热器上的投影位于所述加热器的部分区域内，这样，辐射结构可以向其在加热器上对应的投影区域辐射热量，来调整这部分加热器的温度，从而可以调整加热器位于对应投影区域上的这部分薄膜的相关参数，即该薄膜制备装置通过热辐射结构可以调整加热器上的薄膜的局部的相关参数，进而保证了薄膜局部相关参数的均匀性。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本申请的实施例的薄膜制备装置局部结构正视示意图；
图2示出了根据本申请的实施例的薄膜制备装置局部结构俯视示意图；
图3示出了根据本申请的实施例的薄膜制备装置局部结构俯视示意图；
图4示出了根据本申请的实施例的薄膜制备装置的控制方法流程示意图；
图5示出了根据本申请的实施例的薄膜制备装置的控制装置的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、获取单元；20、控制单元；100、加热器；101、第一加热结构；102、第二加热结构；103、热辐射结构；104、支撑结构；105、连接结构。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
正如背景技术所介绍的，现有技术中难以调整薄膜局部的相关参数，为了解决这一问题，本申请提出了一种薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法、控制装置与薄膜制备系统。
根据本申请的一种典型的实施例，提供了一种薄膜制备装置，如图1至图3所示，其中，图1为上述薄膜制备装置局部结构正视示意图，图2和图3为上述薄膜制备装置局部结构俯视示意图。上述薄膜制备装置包括：壳体，具有反应腔体；支撑结构104，位于上述反应腔体内；加热器100，位于上述反应腔体内的上述支撑结构104上；热辐射结构103，位于上述反应腔体的底壁和上述加热器100之间，上述热辐射结构103在上述加热器100上的投影位于上述加热器的部分区域内，上述热辐射结构用于向上述加热器辐射热量。
上述薄膜制备装置中，在上述反应腔体的底壁和上述加热器之间加入上述热辐射结构，该热辐射结构可以向加热器辐射热量，并且，辐射结构在加热器上的投影位于上述加热器的部分区域内，这样，辐射结构可以向其在加热器上对应的投影区域辐射热量，来调整这部分加热器的温度，从而可以调整加热器位于对应投影区域上的这部分薄膜的相关参数，即该薄膜制备装置通过热辐射结构可以调整加热器上的薄膜的局部的相关参数，进而保证了薄膜局部相关参数的均匀性。
实际的应用过程中，在薄膜的制备过程中，加热器上的预定区域上薄膜部分可能会经常出现相关参数异常，那么，通过在对应预定区域的位置上设置热辐射结构，就可以针对性地对该区域的相关参数进行调整。当然，也可以是在发现某一区域的薄膜出现相关参数异常后，再将热辐射结构设置在对应的位置上，从而改善该区域的薄膜的相关参数。
根据本申请的一种具体的实施例，上述热辐射结构与上述加热器中的至少一个可沿预定方向移动，上述预定方向为上述加热器的高度方向。通过移动上述热辐射结构或者上述加热器，使得上述热辐射结构在上述加热器上的投影与上述加热器需调整的区域对应，来调整上述区域的相关参数，可以使得相关参数的调整更加灵活且便捷，进一步的保证了薄膜局部相关参数的均匀性。
根据本申请的另一种具体的实施例，如图1和图3所示，上述薄膜制备装置还包括连接结构105，其一端与上述支撑结构104连接，另一端与上述热辐射结构103连接。通过上述连接结构将上述热辐射结构与上述支撑结构进行连接，上述支撑结构可以通过控制上述连接结构的位置，从而灵活控制上述热辐射结构在上述预定方向上移动，进一步地保证了对上述加热器局部区域相关参数的灵活调整。
当然，上述热辐射结构在上述预定方向上的移动还可以通过其他控制方式完成，比如，通过上述支撑结构自身移动带动上述热辐射结构移动，以使得热辐射结构在上述加热器上的投影与上述加热器的局部区域对应。再比如，在上述薄膜装置中设置另外一个支撑结构，位于上述反应腔体内，通过此支撑结构移动来带动上述热辐射结构到对应位置上。
当然，实际的应用过程中，并不限于移动热辐射结构，还可以移动加热器结构，从而改变加热器需调整参数的区域的位置，使得上述位置与热辐射结构在加热器上的投影对应，从而达到调整上述位置的相关参数的目的。
根据本申请的再一种具体的实施例，上述热辐射结构有多个，上述连接结构有多个，且上述连接结构和上述热辐射结构一一对应连接。通过上述连接结构和上述热辐射结构一一对应连接，上述支撑结构通过移动上述连接结构，可以更灵活地控制每一个上述热辐射结构的移动，使上述热辐射结构与需要调整的上述加热器的局部区域投影对应，进一步保证了对上述加热器局部区域的相关参数调整的灵活性。
本申请的一种实施例中，如图1至图3所示，上述热辐射结构103有多个，多个上述热辐射结构103以上述支撑结构104的轴线的中心为圆心依次周向排列，且上述加热器100包括第一加热结构101和第二加热结构102，上述第二加热结构102围设在上述第一加热结构101外周且与上述第一加热结构101连接，上述热辐射结构103在上述加热器100上的投影的至少部分位于上述第二加热结构102内。通过移动多个上述热辐射结构，来灵活调整上述第二加热结构的局部相关参数，进而保证上述第二加热结构的局部相关参数的均匀性，避免对后续的刻蚀的关键尺寸造成不良影响。
当然，上述热辐射结构在上述加热器上的部分投影也可以位于上述第一加热结构内。当然，实际上上述热辐射结构并不限于上述的分布或者排列方式，所有的热辐射结构形成的形状以及大小还可以与上述加热器结构的形状以及大小相同，上述薄膜的某一区域相关参数出现问题时，通过控制对应位置的上述热辐射结构进行调整，达到快速调整相关参数的目的，便捷高效。
在实际的应用过程中，上述支撑结构中还可以包括控制结构，上述控制结构接收需调整区域的位置信号并控制支撑结构本体(除控制结构以外的部分)或者对应的上述连接结构移动，进而调整至少部分薄膜与热辐射结构之间的距离，从而对相关参数进行调整。
当然，热辐射结构还可以通过绕着上述支撑结构的轴线旋转移动来调整至少部分薄膜与热辐射结构的距离，从而对相关参数进行调整。
当然，上述热辐射结构在上述预定方向上的移动还可以通过其他控制方式完成，比如，通过上述支撑结构自身移动带动上述热辐射结构移动，以使得热辐射结构在上述加热器上的投影与上述加热器的局部区域对应。再比如，在上述薄膜装置中设置另外一个支撑结构，位于上述反应腔体内，通过此支撑结构移动来带动上述热辐射结构到对应位置上。
为了进一步地保证上述热辐射结构对上述加热器的局部相关参数均一性的调整效果好，本申请的另一种实施例中，上述热辐射结构包括陶瓷板。当然，上述热辐射结构还可以热辐射效率较好的其他材料制成。
优选地，上述热辐射结构的材料为耐高温并且热辐射效率较高的材料。这样可以进一步保证对上述薄膜相关参数的调整效率高。
根据本申请的另一种典型的实施例，提供了一种上述薄膜制备装置的控制方法，如图4所示，上述控制方法包括如下步骤：
S101步骤：获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，上述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；
S102步骤：在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与上述加热器中的至少一个在预定方向移动至预定位置，以使得上述目标检测点的上述相关参数大于或者等于对应的上述参数阈值，上述目标检测点为多个上述检测点中的一个。
上述薄膜制备装置的控制方法首先通过获取上述薄膜的多个检测点的相关参数并与上述参数阈值对比，确定小于上述参数阈值的上述检测点为目标检测点，然后控制上述热辐射结构或者上述支撑结构在预定方向移动，直至预定位置，通过上述热辐射结构来调整上述目标检测点的相关参数，直到上述相关参数大于或者等于上述参数阈值，这样通过控制上述热辐射结构至相关参数小于上述参数阈值的局部位置来进行调整，保证了对上述局部位置的相关参数的均匀性调整，进而改善了薄膜制备的质量。
本申请的一种具体的实施例中，上述热辐射结构有多个，上述连接结构有多个，且上述连接结构和上述热辐射结构一一对应连接，在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与上述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制上述连接结构沿上述预定方向移动至上述预定位置。通过上述连接结构和上述热辐射结构一一对应连接，上述支撑结构通过移动上述连接结构保证了与其对应连接的上述热辐射结构沿上述预定方向的移动，使上述热辐射结构移动至上述预定位置并进行相关参数的均一性的调整，进一步保证了对上述薄膜的相关参数调整的灵活性。
根据本申请的另一种具体的实施例，上述热辐射结构有多个，多个上述热辐射结构以上述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且上述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，上述第二加热结构围设在上述第一加热结构外周且与上述第一加热结构连接，上述热辐射结构在上述加热器上的投影的至少部分位于上述第二加热结构内，多个上述检测点均匀分布且包括多个内部检测点和多个外部检测点，上述内部检测点在上述加热器上的投影位于上述第一加热结构内，上述外部检测点在上述加热器上的投影位于上述第二加热结构内，在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与上述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：在存在上述相关参数小于对应的上述参数阈值的上述目标检测点的情况下，确定上述目标检测点是否为多个上述外部检测点中的部分；在上述目标检测点为多个上述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿上述预定方向移动直到上述预定位置，上述预定热辐射结构在上述加热器上的投影为第一投影，上述目标检测点在上述加热器上的投影为第二投影，上述第一投影和上述第二投影至少部分重合。这样保证了上述目标检测点为上述外部检测点中的部分的情况下，能通过调整上述预定热辐射结构至上述预定位置来调整上述预定位置的相关参数的均匀性，进一步地保证了经过上述方法得到的薄膜的质量较好，避免了对后续的工艺造成不良影响。
具体地，在所有的上述外部检测点均为目标检测点的情况下，可以不再通过调整上述热辐射结构与加热器之间的距离来改善对应的相关参数，而是对第二加热结构的工作参数进行调整，比如对对应的加热功率进行调整，这样就可以调整第二加热结构对应的区域上的薄膜的相关参数。
当然，上述热辐射结构在上述加热器上的部分投影也可以位于上述第一加热结构内。当然，实际上上述热辐射结构并不限于上述的分布或者排列方式，所有的热辐射结构形成的形状以及大小还可以与上述加热器结构的形状以及大小相同，在这种情况下，在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与上述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：在存在上述相关参数小于对应的上述参数阈值的上述目标检测点的情况下，确定上述目标检测点是否为多个上述外部检测点中的部分和/或多个上述内部检测点中的部分；在上述目标检测点为多个上述外部检测点(即所有的外部检测点)和/或多个内部检测点(即所有的内部检测点)中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿上述预定方向移动直到上述预定位置，上述预定热辐射结构在上述加热器上的投影为第一投影，上述目标检测点在上述加热器上的投影为第二投影，上述第一投影和上述第二投影至少部分重合。
根据本申请的再一种具体的实施例，获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，包括：获取上述薄膜的多个上述检测点的上述消光系数和上述反射系数，在上述目标检测点为多个上述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿上述预定方向移动，包括：在上述消光系数和上述反射系数中的至少一个小于对应的上述参数阈值的情况下，控制上述热辐射结构沿靠近上述加热器的方向移动至第一预定位置；在上述消光系数和上述反射系数中的至少一个大于对应的上述参数阈值的情况下，控制上述热辐射结构沿远离上述加热器的方向移动至第二预定位置。通过检测上述多个检测点的上述消光系数和上述反射系数并与上述参数阈值相比，确定需要调整的预定位置，并移动上述热辐射结构分别至上述的预定位置进行上述相关参数的调整，当调整后的上述相关参数大于或者等于上述参数阈值时，移动上述热辐射结构至下一个预定位置进行调整，这样保证了对上述热辐射结构的位置的灵活移动，使得较少的上述热辐射结构就能完成对整个上述薄膜的相关参数的均匀性的调整，进而节省了上述装置的成本。当然，上述方法还可以同时控制多个上述热辐射结构移动至对应的上述预定位置进行相关参数的调整，提升调整效率。
当然，获取薄膜的多个检测点的相关参数，还包括获取薄膜的厚度，并获取各检测点的厚度，并将检测点的厚度与参数阈值比较，确定该检测点的厚度是否需要调整。在需要调整的情况下，调整对应的热辐射结构和加热器之间距离，进而调整相关参数。
根据本申请的一种典型的实施例中，提供了一种上述薄膜制备装置的控制装置，如图5所示，上述控制装置包括获取单元10和控制单元20，其中，上述获取单元10用于获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，上述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；上述控制单元20用于在存在相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与上述加热器中的至少一个沿预定方向移动至预定位置，以使得上述目标检测点的上述相关参数大于或者等于对应的上述参数阈值，上述目标检测点为多个上述检测点中的一个。
上述控制装置通过上述获取单元获取上述检测点的相关参数，上述控制单元通过将上述相关参数与上述参数阈值对比，确定需要调整的上述目标检测点对应的上述预定位置，然后移动上述热辐射结构与上述支撑结构中的至少一个至上述预定位置，通过调整使得上述目标检测点的相关参数大于或者等于上述参数阈值，保证了对薄膜的相关参数不均匀的局部区域的有效调整，进而保证了薄膜的制备质量，保证了后续刻蚀工艺的效果较好。
本申请的一种实施例中，上述热辐射结构有多个，上述连接结构有多个，且上述连接结构和上述热辐射结构一一对应连接，上述控制单元包括第一控制模块，上述第一控制模块用于在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制上述连接结构沿上述预定方向移动至上述预定位置。通过上述连接结构和上述热辐射结构一一对应连接，上述支撑结构通过移动上述连接结构保证了与其对应连接的上述热辐射结构沿上述预定方向的移动，使上述热辐射结构移动至上述预定位置并进行相关参数的均一性的调整，进一步保证了对上述薄膜的相关参数调整的灵活性。
本申请的另一种实施例中，上述热辐射结构有多个，多个上述热辐射结构以上述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且上述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，上述第二加热结构围设在上述第一加热结构外周且与上述第一加热结构连接，上述热辐射结构在上述加热器上的投影的至少部分位于上述第二加热结构内，多个上述检测点均匀分布且包括多个内部检测点和多个外部检测点，上述内部检测点在上述加热器上的投影位于上述第一加热结构内，上述外部检测点在上述加热器上的投影位于上述第二加热结构内，上述控制单元包括确定模块和第二控制模块，其中，上述确定模块用于在存在上述相关参数小于对应的上述参数阈值的上述目标检测点的情况下，确定上述目标检测点是否为多个上述外部检测点中的部分；上述第二控制模块用于在上述目标检测点为多个上述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿上述预定方向移动直到上述预定位置，上述预定热辐射结构在上述加热器上的投影为第一投影，上述目标检测点在上述加热器上的投影为第二投影，上述第一投影和上述第二投影至少部分重合。这样保证了上述目标检测点为上述外部检测点中的部分的情况下，能通过调整上述预定热辐射结构至上述预定位置来调整上述预定位置的相关参数的均匀性，进一步地保证了经过上述方法得到的薄膜的质量较好，避免了对后续的工艺造成不良影响。
具体地，在所有的上述外部检测点均为目标检测点的情况下，可以不再通过调整上述热辐射结构与加热器之间的距离来改善对应的相关参数，而是对第二加热结构的工作参数进行调整，比如对对应的加热功率进行调整，这样就可以调整第二加热结构对应的区域上的薄膜的相关参数。
当然，上述热辐射结构在上述加热器上的部分投影也可以位于上述第一加热结构内。当然，实际上上述热辐射结构并不限于上述的分布或者排列方式，所有的热辐射结构形成的形状以及大小还可以与上述加热器结构的形状以及大小相同，在这种情况下，在存在上述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与上述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：在存在上述相关参数小于对应的上述参数阈值的上述目标检测点的情况下，确定上述目标检测点是否为多个上述外部检测点中的部分和/或多个上述内部检测点中的部分；在上述目标检测点为多个上述外部检测点(即所有的外部检测点)和/或多个内部检测点(即所有的内部检测点)中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿上述预定方向移动直到上述预定位置，上述预定热辐射结构在上述加热器上的投影为第一投影，上述目标检测点在上述加热器上的投影为第二投影，上述第一投影和上述第二投影至少部分重合。
根据本申请的一种具体的实施例，上述获取单元包括获取模块，上述获取模块用于获取上述薄膜的多个上述检测点的上述消光系数和上述反射系数，上述第二控制模块包括第一控制子模块和第二控制子模块，其中，上述第一控制子模块用于在上述消光系数和上述反射系数中的至少一个小于对应的上述参数阈值的情况下，控制上述热辐射结构沿靠近上述加热器的方向移动至第一预定位置；上述第二控制子模块用于在上述消光系数和上述反射系数中的至少一个大于对应的上述参数阈值的情况下，控制上述热辐射结构沿远离上述加热器的方向移动至第二预定位置。通过检测上述多个检测点的上述消光系数和上述反射系数并与上述参数阈值相比，确定需要调整的预定位置，并移动上述热辐射结构分别至上述的预定位置进行上述相关参数的调整，当调整后的上述相关参数大于或者等于上述参数阈值时，移动上述热辐射结构至下一个预定位置进行调整，这样保证了对上述热辐射结构的位置的灵活移动，使得较少的上述热辐射结构就能完成对整个上述薄膜的相关参数的均匀性的调整，进而节省了上述装置的成本。当然，上述方法还可以同时控制多个上述热辐射结构移动至对应的上述预定位置进行相关参数的调整，提升调整效率。
当然，获取薄膜的多个检测点的相关参数，还包括获取薄膜的厚度，并获取各检测点的厚度，并将检测点的厚度与参数阈值比较，确定该检测点的厚度是否需要调整。在需要调整的情况下，调整对应的热辐射结构和加热器之间距离，进而调整相关参数。
本申请的又一种典型的实施例中，提供了一种薄膜制备系统，包括：任一种上述的薄膜制备装置；控制装置，与上述薄膜制备装置通信连接，上述控制装置用于执行任一种上述的方法。
上述薄膜制备系统，通过上述控制装置控制上述薄膜制备装置，来移动上述热辐射结构或者上述加热器结构至上述预定位置进行相关参数的调整，使得调整后薄膜的局部区域的相关参数的均匀性更好，保证了薄膜的质量，避免了薄膜的局部均匀差异对后续刻蚀工艺的不良影响。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：
1)、本申请提供了一种薄膜制备装置，上述薄膜制备装置在上述反应腔体的底壁和上述加热器之间加入上述热辐射结构，该热辐射结构可以向加热器辐射热量，并且，辐射结构在加热器上的投影位于上述加热器的部分区域内，这样，辐射结构可以向其在加热器上对应的投影区域辐射热量，来调整这部分加热器的温度，从而可以调整加热器位于对应投影区域上的这部分薄膜的相关参数，即该薄膜制备装置通过热辐射结构可以调整加热器上的薄膜的局部的相关参数，进而保证了薄膜局部相关参数的均匀性。
2)、本申请提供了一种薄膜制备装置的控制方法，上述薄膜制备装置的控制方法首先通过获取上述薄膜的多个检测点的相关参数并与上述参数阈值对比，确定小于上述参数阈值的上述检测点为目标检测点，然后控制上述热辐射结构或者上述支撑结构在预定方向移动，直至预定位置，通过上述热辐射结构来调整上述目标检测点的相关参数，直到上述相关参数大于或者等于上述参数阈值，这样通过控制上述热辐射结构至相关参数小于上述参数阈值的局部位置来进行调整，保证了对上述局部位置的相关参数的均匀性调整，进而改善了薄膜制备的质量。
3)、本申请提供了一种薄膜制备装置的控制装置，上述控制装置通过上述获取单元获取上述检测点的相关参数，上述控制单元通过将上述相关参数与上述参数阈值对比，确定需要调整的上述目标检测点对应的上述预定位置，然后移动上述热辐射结构与上述支撑结构中的至少一个至上述预定位置，通过调整使得上述目标检测点的相关参数大于或者等于上述参数阈值，保证了对薄膜的相关参数不均匀的局部区域的有效调整，进而保证了薄膜的制备质量，保证了后续刻蚀工艺的效果较好。
4)、本申请提供了一种薄膜制备系统，上述薄膜制备系统通过上述控制装置控制上述薄膜制备装置，来移动上述热辐射结构或者上述加热器结构至上述预定位置进行相关参数的调整，使得调整后薄膜的局部区域的相关参数的均匀性更好，保证了薄膜的质量，避免了薄膜的局部均匀差异对后续刻蚀工艺的不良影响。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种薄膜制备装置，其特征在于，包括：
壳体，具有反应腔体；
支撑结构，位于所述反应腔体内；
加热器，位于所述反应腔体内的所述支撑结构上；
热辐射结构，位于所述反应腔体的底壁和所述加热器之间，所述热辐射结构在所述加热器上的投影位于所述加热器的部分区域内，所述热辐射结构用于向所述加热器辐射热量。
2.根据权利要求1所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构与所述加热器中的至少一个可沿预定方向移动，所述预定方向为所述加热器的高度方向。
3.根据权利要求1所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述薄膜制备装置还包括：
连接结构，一端与所述支撑结构连接，另一端与所述热辐射结构连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构有多个，所述连接结构有多个，且所述连接结构和所述热辐射结构一一对应连接。
5.根据权利要求1所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构有多个，多个所述热辐射结构以所述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且所述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，所述第二加热结构围设在所述第一加热结构外周且与所述第一加热结构连接，所述热辐射结构在所述加热器上的投影的至少部分位于所述第二加热结构内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜制备装置，其特征在于，所述热辐射结构包括陶瓷板。
7.一种权利要求1至6中任一项的所述薄膜制备装置的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：
获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，所述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，以使得所述目标检测点的所述相关参数大于或者等于对应的所述参数阈值，所述目标检测点为多个所述检测点中的一个。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热辐射结构有多个，所述连接结构有多个，且所述连接结构和所述热辐射结构一一对应连接，
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述加热器中的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制所述连接结构沿所述预定方向移动至所述预定位置。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述热辐射结构有多个，多个所述热辐射结构以所述支撑结构的轴线的中心为圆心依次周向排列，且所述加热器包括第一加热结构和第二加热结构，所述第二加热结构围设在所述第一加热结构外周且与所述第一加热结构连接，所述热辐射结构在所述加热器上的投影的至少部分位于所述第二加热结构内，多个所述检测点均匀分布且包括多个内部检测点和多个外部检测点，所述内部检测点在所述加热器上的投影位于所述第一加热结构内，所述外部检测点在所述加热器上的投影位于所述第二加热结构内，
在存在所述相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个在预定方向移动至预定位置，包括：
在存在所述相关参数小于对应的所述参数阈值的所述目标检测点的情况下，确定所述目标检测点是否为多个所述外部检测点中的部分；
在所述目标检测点为多个所述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿所述预定方向移动直到所述预定位置，所述预定热辐射结构在所述加热器上的投影为第一投影，所述目标检测点在所述加热器上的投影为第二投影，所述第一投影和所述第二投影至少部分重合。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，包括：
获取所述薄膜的多个所述检测点的所述消光系数和所述反射系数，
在所述目标检测点为多个所述外部检测点中的部分的情况下，控制预定热辐射结构沿所述预定方向移动，包括：
在所述消光系数和所述反射系数中的至少一个小于对应的所述参数阈值的情况下，控制所述热辐射结构沿靠近所述加热器的方向移动至第一预定位置；
在所述消光系数和所述反射系数中的至少一个大于对应的所述参数阈值的情况下，控制所述热辐射结构沿远离所述加热器的方向移动至第二预定位置。
11.一种权利要求1至6中任一项的所述薄膜制备装置的控制装置，其特征在于，所述控制装置包括：
获取单元，用于获取当前沉积的薄膜的多个检测点的相关参数，所述相关参数包括薄膜的厚度、消光系数以及反射系数中的至少一个；
控制单元，用于在存在相关参数小于对应的参数阈值的目标检测点的情况下，控制热辐射结构与所述支撑结构的至少一个沿预定方向移动至预定位置，以使得所述目标检测点的所述相关参数大于或者等于对应的所述参数阈值，所述目标检测点为多个所述检测点中的一个。
12.一种薄膜制备系统，其特征在于，包括：
权利要求1至6中任一项所述的薄膜制备装置；
控制装置，与所述薄膜制备装置通信连接，所述控制装置用于执行权利要求7至10中任一项所述的控制方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202010997159.0A CN112144044A (zh) | 2020-09-21 | 2020-09-21 | 薄膜制备装置、薄膜制备装置的控制方法与控制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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2020
- 2020-09-21 CN CN202010997159.0A patent/CN112144044A/zh active Pending
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