CN112117377A - 叠层柔性衬底及其制备方法、发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种叠层柔性衬底，包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。本发明提供的叠层柔性衬底，一方面，所述无机氧化物材料的绝缘层能够隔绝水氧，降低水蒸气和氧气的渗透率，延长在叠层柔性衬底上形成的器件的使用寿命；另一方面，无机氧化物在成膜过程中能够自动填充聚合物底层的孔隙，降低聚合物底层的表面粗糙度，提高叠层柔性衬底表面膜层的成膜性能，进而减少形成在叠层柔性衬底表面的膜层的缺陷，提高在叠层柔性衬底上形成的器件的性能。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种叠层柔性衬底及其制备方法，以及一种含有上述叠层柔性衬底的发光二极管。
背景技术
量子点发光二极管(QLED)、有机发光二极管(OLED)是显示技术的两个重要方向。随着显示技术的发展，用户体验要求越来越高，柔性显示器件应运而生。由于聚合物具有柔韧性好、质量轻、耐冲击等优点，目前，量子点发光二极管、有机发光二极管显示大多采用聚合物材料作为柔性衬底，例如聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)等材料。但是选择聚合物衬底还是存在很多问题，如：聚合物材料对水蒸气和氧气的阻隔能力差，很难满足量子点发光二极管、有机发光二极管对水蒸气和氧气渗透率的封装要求，且其表面粗糙度太大，在聚合物衬底表面镀制多层薄膜时容易产生缺陷，影响器件的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种叠层柔性衬底及其制备方法，旨在解决现有的聚合物柔性衬底水氧阻隔性能差以及表面成膜性能差的问题。
本发明另一目的在于提供一种含有上述叠层柔性衬底的发光二极管。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明第一方面提供一种叠层柔性衬底，包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。
本发明第二方面提供一种叠层柔性衬底的制备方法，包括以下步骤：
提供聚合物底层，在所述聚合物底层上沉积无机氧化物，制备第一绝缘层。
本发明第三方面提供一种发光二极管，包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底上的底电极，设置在所述底电极上的发光层，以及设置在所述发光层上的顶电极，其中，所述叠层柔性衬底包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。
本发明提供的叠层柔性衬底，在聚合物底层设置一层无机氧化物材料的绝缘层。一方面，所述无机氧化物材料的绝缘层能够隔绝水氧，降低水蒸气和氧气的渗透率，延长在叠层柔性衬底上形成的器件的使用寿命；另一方面，无机氧化物在成膜过程中能够自动填充聚合物底层的孔隙，降低聚合物底层的表面粗糙度，提高叠层柔性衬底表面膜层的成膜性能，进而减少形成在叠层柔性衬底表面的膜层的缺陷，提高在叠层柔性衬底上形成的器件的性能。
本发明提供的叠层柔性衬底的制备方法，只需要在常规的聚合物底层的基础上，沉积无机氧化物材料即可制备得到第一绝缘层。该方法流程简单，操作易于控制，更重要的该方法制备得到的叠层柔性衬底具有较好的水氧阻隔性能和较低的表面粗糙度。
本发明提供的发光二极管，底电极设置在所述叠层柔性衬底上，能够有效隔绝水氧进入发光二极管中，并改善底电极的成膜性能，提高了器件使用寿命和性能。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种叠层柔性衬底的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种叠层柔性衬底的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种叠层柔性衬底的结构示意图；
图中编号表示：1-聚合物底层，2-第一绝缘层；3-亚叠层单元；31-金属氧化物层；32-第二绝缘层。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图1所示，本发明实施例第一方面提供一种叠层柔性衬底，包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。
本发明实施例提供的叠层柔性衬底，在聚合物底层设置一层无机氧化物材料的绝缘层。一方面，所述无机氧化物材料的绝缘层能够隔绝水氧，降低水蒸气和氧气的渗透率，延长在叠层柔性衬底上形成的器件的使用寿命；另一方面，无机氧化物在成膜过程中能够自动填充聚合物底层的孔隙，降低聚合物底层的表面粗糙度，提高叠层柔性衬底表面膜层的成膜性能，进而减少形成在叠层柔性衬底表面的膜层的缺陷，提高在叠层柔性衬底上形成的器件的性能。
具体的，所述叠层柔性衬底中，所述聚合物底层可以为常规的聚合物衬底，材料可以选自聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚对笨二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)，但不限于此。在一些实施例中，所述聚合物底层的厚度为10～20nm，从而赋予所述叠层柔性衬底较好的柔性。
有别于常规的聚合物衬底，本发明实施例在所述聚合物底层上结合一层无机氧化物层，即第一绝缘层。本发明实施例在聚合物底层上添加无机氧化物作为水氧隔阻层，一方面可以补偿聚合物底层对水氧隔阻能力差的问题，从而使得在衬底上形成的器件能够达到对水蒸气和氧气渗透率的封装要求，保证器件的稳定性和寿命的增加；另一方面，可以解决聚合物底层表面粗糙度大的问题，得到的叠层柔性衬底表面光滑、平坦，且能够形成亲水性，提高表面膜层的成膜均匀性和质量，减少器件的缺陷。
在一些实施例中，所述无机氧化物选自SiOx、SiC、Si3N4、WO3中的至少一种，上述无机氧化物材料具有高介电常数、化学稳定性、低介电损耗等优点。其中，SiOx为纳米硅基氧化物。此处，值得说明的是，SiOx并非单一的二氧化硅，而是含有硅基氧化物的纳米材料混合物，因此x的取值体现整体材料中硅氧元素的比例。具体的，x的取值范围满足：X＜2。所述SiOx是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料，且具有良好的隔阻性，对氧气和水蒸气防渗透性能优良，如：以60um厚的PET薄膜为例，透氧性为2ml/m2.d，透湿率3g/m2.d；而在60um的PET薄膜上蒸镀厚度为10nm的SiOx薄膜后，透氧性可以达到1ml/m2.d，透湿率1.5g/m2.d，其透氧性和透湿率都可以减少50％。此外，所述SiOx散热快，具有良好的透光性，且不易折断，赋予得到的叠层柔性衬底优异的散热性、透光性和力学性能。具体的，所述SiOx中含有但不限于SiO2。
所述第一绝缘层的厚度不宜过厚或过薄，若所述第一绝缘层的厚度过厚，会影响叠层柔性衬底的柔性；若所述第一绝缘层的厚度过薄，会影响叠层柔性衬底的水氧阻隔性能和表面粗糙度。在一些实施例中，所述第一绝缘层的厚度为10～20nm。
如图2所示，在上述实施例的基础上，进一步的，所述叠层柔性衬底还可以包括至少一个亚叠层单元，所述亚叠层单元包括层叠设置的金属氧化物层和第二绝缘层，且所述亚叠层单元中的所述金属氧化物层邻近所述第一绝缘层一端设置。
其中，所述金属氧化物层中的金属氧化物与第一绝缘层中的无机氧化物相互配合，进一步提高水氧阻隔性能。与单独设置第一绝缘层的叠层柔性衬底相比，在所述第一绝缘层表面设置金属氧化物层后，水氧阻隔性能可以提高一倍。
在一些实施例中，所述金属氧化物层的材料选自Al2O3、K2O、MgO、TiO2、ZrO2、ZnO、Fe2O3、CaO、B2O3中的至少一种。优选的金属氧化物层的材料，与所述无机氧化物共同使用，赋予叠层柔性衬底优异的水氧阻隔性能。
由于金属氧化物层中的金属氧化物本身带电荷，且在金属氧化物层上形成金属导电材料时会存在高度不粘或者无法成核的问题，因此，在设置金属氧化物层后，还需要进一步设置一层绝缘层，即第二绝缘层。
优选的，所述第二绝缘层的材料为无机氧化物。在一些实施例中，所述无机氧化物选自SiOx、SiC、Si3N4、WO3中的至少一种上述无机氧化物材料具有高介电常数、化学稳定性、低介电损耗等优点。其中，SiOx为纳米硅基氧化物。此处，值得说明的是，SiOx并非单一的二氧化硅，而是含有硅基氧化物的纳米材料混合物，因此x的取值体现整体材料中硅氧元素的比例。具体的，x的取值范围满足：X＜2。所述SiOx是一种无毒、无味、无污染的无机非金属材料，且具有良好的隔阻性，对氧气和水蒸气防渗透性能优良，如：以60um厚的PET薄膜为例，透氧性为2ml/m2.d，透湿率3g/m2.d；而在60um的PET薄膜上蒸镀厚度为10nm的SiOx薄膜后，透氧性可以达到1ml/m2.d，透湿率1.5g/m2.d，其透氧性和透湿率都可以减少50％。此外，所述SiOx散热快，具有良好的透光性，且不易折断，赋予得到的叠层柔性衬底优异的散热性、透光性和力学性能。具体的，所述SiOx中含有但不限于SiO2。
本发明实施例中，所述亚叠层单元的设置数量没有严格限定，只需要保证设置亚叠层单元后的叠层柔性衬底的厚度在合适范围内，以保证衬底的柔性功能即可。在一些实施例中，设置至少一个亚叠层单元后的叠层柔性衬底的厚度为40～80nm。在此范围内，可以设置一个亚叠层单元，也可以设置两个、三个、甚至更多个亚叠层单元。理论上，亚叠层单元的数量即亚叠层单元的重叠次数越多，水氧阻隔性能越好。为了保证最表层的第二绝缘层表面能够便于金属或金属氧化物材料成膜，优选的，当所述叠层柔性衬底设置多个亚叠层单元时，最表层的第二绝缘层的厚度优选为10～20nm。
如图3所示，在一些具体实施例中，所述叠层柔性衬底由聚合物底层，在所述聚合物底层上设置的第一绝缘层，在所述第一绝缘层背离所述聚合物底层的表面设置的金属氧化物层，以及在所述金属氧化物层背离所述聚合物底层的表面设置的第二绝缘层组成。具有上述结构特征的叠层柔性衬底，不仅水氧阻隔性能优异，而且表面粗糙度低，有利于金属或金属氧化物材料成膜。
在该实施例中，优选的，所述金属氧化物层的厚度为10～20nm，以便发挥更好的水氧阻隔性能。优选的，所述第二绝缘层的厚度为10～20nm，该厚度范围内有利于金属或金属氧化物材料成膜。
值得注意的是，为了保证所述叠层柔性衬底具有较好的柔性，所述叠层柔性衬底的厚度优选不超过80nm。
本发明实施例提供的叠层柔性衬底可以通过下述方法制备获得。
相应的，本发明实施例第二方面提供一种叠层柔性衬底的制备方法，包括以下步骤：
提供聚合物底层，在所述聚合物底层上沉积无机氧化物，制备第一绝缘层。
本发明实施例提供的叠层柔性衬底的制备方法，只需要在常规的聚合物底层的基础上，沉积无机氧化物材料即可制备得到第一绝缘层。该方法流程简单，操作易于控制，更重要的该方法制备得到的叠层柔性衬底具有较好的水氧阻隔性能和较低的表面粗糙度。
本发明实施例中，所述无机氧化物可以采用真空镀膜、气相沉积、热蒸发、纳米涂层、旋涂等方法沉积。
在一些实施例中，所述叠层柔性衬底的制备方法还包括：在所述第一绝缘层背离所述聚合物底层的表面制备至少一个亚叠层单元，所述亚叠层单元包括层叠设置的金属氧化物层和第二绝缘层，且所述亚叠层单元中的所述金属氧化物层邻近所述第一绝缘层一端设置。
所述金属氧化物层的制备方法可以采用真空镀膜、气相沉积、热蒸发、纳米涂层、旋涂等方法沉积；所述第二绝缘层可以采用真空镀膜、气相沉积、热蒸发、纳米涂层、旋涂等方法沉积。
本发明实施例中，所述聚合物底层、所述第一绝缘层、所述金属氧化物层、所述第二绝缘层的材料选择如前文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
本发明实施例第三方面提供一种发光二极管，包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底上的底电极，设置在所述底电极上的发光层，以及设置在所述发光层上的顶电极，其中，所述叠层柔性衬底包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。
本发明实施例提供的发光二极管，底电极设置在所述叠层柔性衬底上，能够有效隔绝水氧进入发光二极管中，并改善底电极的成膜性能，提高了器件使用寿命和性能。
本发明实施例所述发光二极管根据底电极和顶电极的类型差异，分正型结构和反型结构。
在一种实施方式中，正型结构发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，且所述阳极设置在叠层柔性衬底上，即底电极为阳极，顶电极为阴极。进一步的，在所述阳极和所述发光层之间还可以设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等空穴功能层；在所述阴极和所述发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。一些正型结构器件的实施例中，所述发光二极管包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底表面的阳极，设置在阳极表面的所述空穴注入层，设置在所述空穴注入层表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的发光层，设置在发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极。
在一种实施方式中，反型结构发光二极管包括包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层，且所述阴极设置在叠层柔性衬底上，即底电极为阴极，顶电极为阳极。进一步的，在所述阳极和所述发光层之间还可以设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等空穴功能层；在所述阴极和所述发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在一些反型结构器件的实施例中，所述发光二极管包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底表面的阴极，设置在阴极表面的所述电子传输层，设置在所述电子传输层表面的发光层，设置在所述发光层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的电子注入层和设置在电子注入层表面的阳极。
在一些实施例中，所述发光层可以为量子点发光层，从而形成量子点发光二极管；在一些实施例中，所述发光层可以为有机发光层，从而形成有机发光二极管；在一些实施例中，所述发光层可以同时含有有机发光层和量子点发光层，从而形成混合型发光二极管。
具体的，所述叠层柔性衬底的选择如上文所述，为了节约篇幅，此处不再赘述。
所述底电极的材料可以选择半导体单壁碳纳米管(SWNTs)、单层类石墨烯二硫化钼、纳米银、ITO等，这几种物质不仅具有优良的电属性和高电子迁移率等优点，而且具备可折叠、抗压性，有利于得到柔性器件。
所述顶电极的材料可以选择金属材料，如银或铝。当所述发光二极管为有机发光二极管时，所述顶电极还可以为镁。
所以空穴功能层、发光层、电子功能层的选择，可以根据发光二极管的类型选择常规的材料。
在一些实施例中，所述发光二极管为柔性衬底的白光量子点发光二极管器件，包括叠层柔性衬底，设置在叠层柔性衬底上的阳极，设置在阳极表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的电子传输层，设置在电子传输层表面的阴极。
其中，空穴传输层材料可以为PEOT:PSS、MoO3、WO3、NiO、V2O5、CuO、CrO3中的至少一种。
量子点发光层材料可以选自Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶、Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶中的至少一种，也可以Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶、Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶形成的核壳结构中的一种或多种，但不限于此。优选的，量子点发光层材料的量子点表面含有配体，所述配体可以为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、巯基乙胺、巯基油胺、谷胱甘肽中的至少一种。上述配体与量子点表面原子配位后，会在量子点表面修饰巯基。特别优选的，所述配体为二胺类化合物分子。所述二胺类化合物分子链一端带正电的氨基可以与量子点层表面的带负电巯基产生静电力作用，实现静电自组装，这有利于提升量子点的成膜质量、降低膜层界面表面缺陷，进而提升量子点发光二极管器件的性能和稳定性。
电子传输层材料可以为ZnO、TiO2、ZrO2、HfO2、SrTiO3、BaTiO3、MgTiO3中的至少一种，但不限于此。
在一些实施例中，所述发光二极管为柔性衬底的白光量子点发光二极管器件，包括叠层柔性衬底，设置在叠层柔性衬底上的阴极，设置在阴极极表面的电子传输层，设置在电子传输层表面的量子点发光层，设置在量子点发光层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的阳极。
其中，电子传输层材料可以为ZnO、TiO2、ZrO2、HfO2中的至少一种，但不限于此。
量子点发光层材料可以选自Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶、Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶中的至少一种，也可以Ⅱ-Ⅳ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅱ-Ⅴ族半导体纳米晶、Ⅲ-Ⅵ族半导体纳米晶、Ⅳ-Ⅵ族半导体纳米晶形成的核壳结构中的一种或多种，但不限于此。优选的，量子点发光层材料的量子点表面含有配体，所述配体可以为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、巯基乙胺、巯基油胺、谷胱甘肽中的至少一种。上述配体与量子点表面原子配位后，会在量子点表面修饰巯基。特别优选的，所述配体为二胺类化合物分子。所述二胺类化合物分子链一端带正电的氨基可以与量子点层表面的带负电巯基产生静电力作用，实现静电自组装，这有利于提升量子点的成膜质量、降低膜层界面表面缺陷，进而提升量子点发光二极管器件的性能和稳定性。
空穴传输层材料可以为MoO3、WO3、NiO、V2O5、CuO、CrO3中的至少一种，但不限于此。
在一些实施例中，所述发光二极管为柔性衬底的白光有机发光二极管器件，包括叠层柔性衬底，设置在叠层柔性衬底上的阳极，设置在阳极表面的空穴注入层，设置在空穴注入层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的有机发光层，设置在有机发光层表面的电子传输层，设置在电子传输层表面的阴极。
其中，空穴注入层材料可以为Cu Pc(聚碳酸酯)、MDATA、TiOPc中的至少一种。
空穴传输层材料可以为TPD、NPB、TTB、HTM2、PVK中的至少一种。
有机发光层材料可以选自BeBq2、Alq3、DPVH、BAlq、TPP、α-NPD、DCM中的至少一种。
电子传输层材料可以为PBM、PPBD、BND、OXD、TAZ、DVPBi、Almq3中的至少一种，但不限于此。
本发明实施例中，发光二极管中各层均可以采用常规方法制备，特别的，顶电极和底电极的制备方法可以包括不限于等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)、气相沉积法(CVD)、真空蒸镀、热蒸发、原子层沉积(ALD)、气相沉积等。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种正型结构白光量子点发光二极管柔性器件，包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底上的阳极，设置在所述阳极上的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的电子传输层，设置在所述电子传输层上的阴极；其中，所述叠层柔性衬底包括聚合物PI底层，设置在聚合物PI底层上的二氧化硅层，设置在二氧化硅层上的三氧化二铝层，设置在三氧化二铝层上的二氧化硅层；所述阳极的材料为SWNTs，所述空穴传输层的材料为PEDOT:PSS，所述量子点发光层的材料为CdSe@ZnS，所述电子传输层的材料为氧化锌，所述阴极为铝。
所述正型结构白光量子点发光二极管柔性器件的制备方法如下：
提供聚合物PI底层，在聚合物PI底层上采用CVD方法沉积一层10nm的SiO2层；
在SiO2层表面采用ALD方法沉积一层20nm的Al2O3层；
在Al2O3层表面采用CVD方法沉积一层15nm的SiO2层；
在SiO2层表面采用旋涂方法沉积一层SWNTs层，得到叠层柔性衬底；
在叠层柔性衬底上制备一层PEDOT:PSS的空穴传输层；
在空穴传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
在量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
在电子传输层上蒸镀Al电极；
封装。
实施例2
一种反型结构白光量子点发光二极管柔性器件，包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底上的阴极，设置在所述阴极上的电子传输层，设置在所述电子传输层表面的量子点发光层，设置在所述量子点发光层表面的空穴传输层，设置在所述空穴传输层上的阳极；其中，所述叠层柔性衬底包括聚合物PI底层，设置在聚合物PI底层上的二氧化硅层，设置在二氧化硅层上的三氧化二铝层，设置在三氧化二铝层上的二氧化硅层；所述阴极的材料为SWNTs，所述空穴传输层的材料为MoO3，所述量子点发光层的材料为CdSe@ZnS，所述电子传输层的材料为氧化锌，所述阳极为铝。
所述反型结构白光量子点发光二极管柔性器件的制备方法如下：
提供聚合物PI底层，在聚合物PI底层上采用CVD方法沉积一层10nm的SiO2层；
在SiO2层表面采用ALD方法沉积一层20nm的Al2O3层；
在Al2O3层表面采用CVD方法沉积一层15nm的SiO2层；
在SiO2层表面采用旋涂方法沉积一层SWNTs层，得到叠层柔性衬底；
在叠层柔性衬底上制备一层ZnO的电子传输层；
在电子传输层上旋涂一层CdSe@ZnS量子点发光层；
在量子点发光层上旋涂一层MoO3的空穴传输层；
在空穴传输层上蒸镀Al电极；
封装。
实施例3
一种正型结构白光有机发光二极管柔性器件，包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底上的阳极，设置在所述阳极上的空穴注入层，设置在所述空穴注入层上的空穴传输层，设置在所述空穴传输层表面的有机发光层，设置在所述有机发光层表面的电子传输层，设置在所述电子传输层上的阴极；其中，所述叠层柔性衬底包括聚合物PI底层，设置在聚合物PI底层上的SiOx层，设置在SiOx层上的二氧化钛层，设置在二氧化钛层上的SiOx层；所述阳极的材料为单层类石墨烯材料二硫化钼，所述空穴注入层的材料为CuPc，所述空穴传输层的材料为TNB，所述电子传输层的材料为PBM，所述阴极为铝。
所述正型结构白光有机发光二极管柔性器件的制备方法如下：
提供聚合物PI底层，在聚合物PI底层上采用CVD方法沉积一层10nm的SiOx层；
在SiOx层表面采用ALD方法沉积一层20nm的TiO2层；
在TiO2层表面采用CVD方法沉积一层15nm的SiOx层；
在SiOx层表面采用CVD方法沉积一层单层类石墨烯材料二硫化钼，得到叠层柔性衬底；
在叠层柔性衬底上制备一层CuPc的空穴注入层；
在空穴注入层上旋涂一层TNB空穴传输层；
在空穴传输层上旋涂一层有机发光层；
在有机发光层上旋涂一层PBM电子传输层；
在电子传输层上蒸镀Al电极；
封装。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种叠层柔性衬底，其特征在于，包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。
2.如权利要求1所述的叠层柔性衬底，其特征在于，所述无机氧化物选自SiOx、SiC、Si3N4、WO3中的至少一种，其中，SiOx为纳米硅基氧化物；和/或
所述聚合物底层的厚度为10～20nm；和/或
所述第一绝缘层的厚度为10～20nm。
3.如权利要求1或2所述的叠层柔性衬底，其特征在于，所述叠层柔性衬底还包括至少一个亚叠层单元，所述亚叠层单元包括层叠设置的金属氧化物层和第二绝缘层，且所述亚叠层单元中的所述金属氧化物层邻近所述第一绝缘层一端设置。
4.如权利要求3所述的叠层柔性衬底，其特征在于，所述金属氧化物层的材料选自Al2O3、K2O、MgO、TiO2、ZrO2、ZnO、Fe2O3、CaO、B2O3中的至少一种；和/或
所述第二绝缘层的材料为无机氧化物。
5.如权利要求1或2或4所述的叠层柔性衬底，其特征在于，所述叠层柔性衬底由聚合物底层，在所述聚合物底层上设置的第一绝缘层，在所述第一绝缘层背离所述聚合物底层的表面设置的金属氧化物层，以及在所述金属氧化物层背离所述聚合物底层的表面设置的所述第二绝缘层组成。
6.如权利要求5所述的叠层柔性衬底，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为10～20nm；和/或
所述第二绝缘层的厚度为10～20nm。
7.一种叠层柔性衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供聚合物底层，在所述聚合物底层上沉积无机氧化物，制备第一绝缘层。
8.如权利要求7所述的叠层柔性衬底的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第一绝缘层背离所述聚合物底层的表面制备至少一个亚叠层单元，所述亚叠层单元包括层叠设置的金属氧化物层和第二绝缘层，且所述亚叠层单元中的所述金属氧化物层邻近所述第一绝缘层一端设置。
9.一种发光二极管，其特征在于，包括叠层柔性衬底，设置在所述叠层柔性衬底上的底电极，设置在所述底电极上的发光层，以及设置在所述发光层上的顶电极，其中，所述叠层柔性衬底包括聚合物底层以及设置在所述聚合物底层上的第一绝缘层，且所述第一绝缘层的材料为无机氧化物。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层为量子点发光层和/或有机发光层。
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| CN113053918A (zh) * | 2021-03-10 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板及其制备方法、显示装置 |
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| PB01 | Publication | ||
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Application publication date: 20201222 |
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