CN112117317B - 一种像素结构以及显示装置 - Google Patents

一种像素结构以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112117317B
CN112117317B CN202011009882.XA CN202011009882A CN112117317B CN 112117317 B CN112117317 B CN 112117317B CN 202011009882 A CN202011009882 A CN 202011009882A CN 112117317 B CN112117317 B CN 112117317B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
island
adjacent
electrode layer
islands
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011009882.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112117317A (zh
Inventor
高健
赵德江
潘小杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202011009882.XA priority Critical patent/CN112117317B/zh
Publication of CN112117317A publication Critical patent/CN112117317A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112117317B publication Critical patent/CN112117317B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请实施例提供一种像素结构以及显示装置,像素结构包括至少一个子像素,所述子像素包括至少两个像素岛;在同一所述子像素中,至少一对相邻所述像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错。在本实施例提供的像素结构中,子像素通过细分像素岛,能够提升显示装置的分辨力和解析度;并且在同一子像素中,至少一对相邻像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错,可以增加像素岛边缘部分光覆盖的面积,从而实现连续发光,有效地消除摩尔纹,保证显示效果。

Description

一种像素结构以及显示装置
技术领域
本申请实施例涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种像素结构以及显示装置。
背景技术
3D(three-dimensional)显示技术的主要原理是使观看者的左眼和右眼分别接收具有差异的图像,即左眼视图和右眼视图,左眼视图和右眼视图经过大脑的分析后整合,使观看者感知画面物体的深度,进而产生立体感。3D显示技术提升了显示效果,尤其是裸眼3D技术,在实现3D显示效果的同时摆脱了3D眼镜的束缚,进一步提升观看者的观看体验。
为了实现裸眼3D技术,显示装置通常采用细分像素结构的设计。例如,在相关技术提供的一种3D显示装置中,其包括多个组成像素阵列的像素结构,每个像素结构包括红R、绿G和蓝B三个用于色彩基本色的子像素,每个子像素均包括至少两个像素岛,每个像素岛具有独立的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行控制,可以独立地发光。显示装置通过高频信号驱动电路实现子像素内不同像素岛显示的切换,从而交替显示左眼视图和右眼视图,满足3D显示的需求。
然而,在上述显示装置的子像素内,相邻像素岛的发光区域在相邻位置存在间隙,且间隙两侧边缘为相互平行的直线,如此会导致子像素发光不连续,容易产生摩尔纹,影响显示效果。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种像素结构以及显示装置,以改善显示效果。
基于上述目的,第一方面,本申请实施例提供一种像素结构,包括至少一个子像素,所述子像素包括至少两个像素岛;在同一所述子像素中,至少一对相邻所述像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错。
在本实施例提供的像素结构中,子像素通过细分像素岛,能够提升分辨力和解析度;并且在同一子像素中,至少一对相邻像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错,因此可以增加像素岛边缘部分光覆盖的面积,从而实现连续发光,有效地消除摩尔纹,保证显示效果。
在一种可能的实施方式中,所述子像素包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层;所述第一电极层包括与所述像素岛一一对应的分离的像素岛电极,至少一对相邻所述像素岛电极在相邻位置设置有交错结构,所述交错结构使相邻所述像素岛的所述发光区域在相邻位置边缘交错。
在一种可能的实施方式中,所述交错结构包括设置于相邻所述像素岛电极中一方的凸出部,以及设置于另一方的凹陷部;所述凸出部自所述像素岛电极的边缘朝向相邻所述像素岛电极的所述凹陷部外凸,所述凹陷部自所述像素岛电极的边缘内凹以容纳伸入的所述凸出部。
在一种可能的实施方式中,所述凸出部和所述凹陷部在相邻所述像素岛电极的相邻边缘设置有多个;所述凹陷部与所述凸出部一一对应。
在一种可能的实施方式中,所述凸出部和所述凹陷部为相互配合的矩形、正方形、三角形或弧形。
在一种可能的实施方式中,所述交错结构包括设置于相邻所述像素岛电极中一方的第一凸起,以及设置于另一方的第二凸起;所述第一凸起和所述第二凸起错开配合,所述第一凸起伸入所述第二凸起的侧边空间;所述第二凸起伸入所述第一凸起的侧边空间。
在一种可能的实施方式中,所述第一凸起和所述第二凸起结构相同,均为矩形、正方形、三角形或弧形。
在一种可能的实施方式中,所述第一电极层为阳极电极层,所述第二电极层为所述阴极电极层。
在一种可能的实施方式中,所述有机发光层覆盖设置于所有所述像素岛电极的一侧,所述第二电极层设置于所述有机发光层远离所述像素岛电极的一侧。
在一种可能的实施方式中,所述有机发光层通过喷墨打印成型。
在一种可能的实施方式中,所述第二电极层包括与所述像素岛一一对应的第二电极;所述有机发光层包括与所述像素岛一一对应的像素岛发光层;在所述第一电极层、所述有机发光层和所述第二电极层的层叠方向上,所述像素岛电极、所述像素岛发光层和所述第二电极的形状对齐。
在一种可能的实施方式中,所述子像素包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层;所述有机发光层包括与所述像素岛一一对应的像素岛发光层,所述第一电极层和所述第二电极层均为覆盖所述子像素中所有所述像素岛发光层的层状结构;至少一对相邻所述像素岛发光层在相邻位置设置有交错结构,所述交错结构使相邻所述像素岛的所述发光区域在相邻位置边缘交错。
在一种可能的实施方式中,在同一所述子像素中,任一相邻的两个所述像素岛的发光区域在相邻位置均边缘交错。
第二方面,本申请实施例同时提供了一种显示装置,包括多个第一方面实施例所述的像素结构,多个所述像素结构排列成像素阵列。
在一种可能的实施方式中,所述显示装置为3D显示装置,所述子像素中部分所述像素岛用于显示左眼视图,所述子像素中部分所述像素岛用于显示右眼视图。。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种子像素中像素岛阳极的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的第一像素岛阳极和第二像素岛阳极的配合示意图;
图4为本申请实施例提供的第一像素岛阳极和第二像素岛阳极的另一种配合示意图;
图5为对照产品中四个像素岛单独发光的统计结果;
图6为对照产品中四个像素岛整合后发光的统计结果;
图7为本申请实施例中四个像素岛单独发光的统计结果;
图8为本申请实施例中四个像素岛整合后发光的统计结果。
附图标记说明:
1-显示装置、2-像素结构、3-第一像素岛阳极、4-第二像素岛阳极、5-交错结构、6-第四像素岛阳极、7-第三像素岛阳极、8-凸出部、9-凹陷部、10-第一凸起、11-第二凸起、12-侧边空间。
a-第一像素岛单独发光的统计结果;
b-第二像素岛单独发光的统计结果;
c-第三像素岛单独发光的统计结果;
d-第四像素岛单独发光的统计结果。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
图1为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图,如图1所示,该显示装置1包括多个像素结构2,多个像素结构2排布成像素阵列,像素阵列中的多个像素结构2呈多行和多列排布,具体地,多个像素结构2在行方向上均匀排布,且在列方向上均匀排列有多行,各行之间的像素结构2在列方向上对齐,也就是说,多个像素结构2在列方向均匀排列,且在行方向上排列有多列。以图1所示位置为例,行方向为图1中的左右方向,列方向为图1中的上下方向。
每个像素结构2均包括与色彩基本色对应的子像素,不同子像素用于显示不同的色彩基本色,通过控制不同色彩基本色的比例实现色彩显示。示例性地,色彩基本色可以包括红R、绿G和蓝B,三种子像素则分别为用于显示红色的R子像素、用于显示绿色的G子像素以及用于显示蓝色的B子像素。R子像素、G子像素和B子像素之间相互独立,每个独立的子像素均设置有像素界定层。本实施例以RGB为例进行描述,但是本申请并不局限于此,例如,在一种可能的实施方式中,每个像素结构2可以包括R子像素、G子像素、B子像素和W子像素四个子像素,W子像素用于显示白色。
像素结构2选用有机发光半导体(OrganicLight-Emitting Diode,简称OLED)器件,OLED器件具有功耗低,色域高,可实现高频驱动等优点。每个子像素中包括层叠设置的第一电极层、有机发光层和第二电极层;有机发光层位于第一电极层和第二电极层之间。在本实施例中,第一电极层为阳极电极层,第二电极层为阴极电极层。
阳极电极层包括4个独立设置的像素岛阳极,有机发光层覆盖设置于4个阳极电极层的一侧,阴极电极层覆盖于有机发光层与阳极电极层相对的一侧,从而形成与4个像素岛阳极对应的4个分离的像素岛,有机发光层中与像素岛阳极相对的部分为像素岛发光层;阴极发光层与像素岛阳极相对的部分为像素岛阴极,也就是说,每个像素岛包括层叠设置的像素岛阳极、像素岛发光层和像素岛阴极。
每个子像素中包括4个分离的像素岛,4个像素岛均具有独立的像素岛阳极,均可以通过独立的TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)进行控制,以实现独立的发光。
图2为本申请实施例提供的一种子像素中像素岛阳极的结构示意图,如图2所示,4个像素岛阳极以2*2的方式排布。4个像素岛阳极分别为第一像素岛阳极3、第二像素岛阳极4、第三像素岛阳极7和第四像素岛阳极6。第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4沿第一方向相邻排列,第一像素岛阳极3和第三像素岛阳极7沿第二方向排列,第三像素岛阳极7和第四像素岛阳极6沿第一方向排列,第四像素岛阳极6与第二像素岛阳极4沿第二方向排列。第一方向通常垂直于第二方向,例如在图2中,第一方向为左右方向,第二方向为上下方向。也就是说,在同一子像素中,第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4左右相邻,第一像素岛阳极3和第三像素岛阳极7上下相邻,第二像素岛阳极4和第四像素岛阳极6上下相邻,第三像素岛阳极7和第四像素岛阳极6左右相邻。
像素岛电极的排布也即像素岛的排布,与4个像素岛阳极对应的4个像素岛分别为第一像素岛、第二像素岛、第三像素岛和第四像素岛;第一像素岛、第二像素岛、第三像素岛和第四像素岛的排布方式与第一像素岛阳极3、第二像素岛阳极4、第三像素岛阳极7和第四像素岛阳极6的排布方式相同,因此此处不再赘述。
图3为本申请实施例提供的第一像素岛阳极和第二像素岛阳极的配合示意图,如图3所述,第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4左右相邻,第一像素岛阳极3包括矩形的第一本体,第二像素岛阳极4包括矩形的第二本体,第一本体与第二本体结构和尺寸相同,第一本体中与第二本体靠近且相邻的侧边定义为第一侧边,第二本体中与第一本体靠近且相邻的侧边定义为第二侧边,在第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4相邻时,第一侧边和第二侧边平行。第一侧边和第二侧边之间的间隔有一定距离,定义第一侧边与第二侧边之间的区域为第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4的相邻位置,定义第一侧边为第一像素岛电极3与第二像素岛阳极4的相邻边缘,定义第二侧边为第二像素岛电极4与第一像素岛电极3的相邻边缘。定义第一侧边和第二侧边之间的中心线为相邻中心线,相邻中心线平行于第一侧边和第二侧边。
第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4在相邻位置设置有交错结构5,交错结构5包括凸出部8和凹陷部9。凸出部8设置于第一像素岛阳极3的第一侧边,自第一侧边朝向第二像素岛阳极4延伸且越过相邻中心线;凸出部8沿第一侧边可以均匀设置有多个。相应地,凹陷部9设置于第二像素岛阳极4的第二侧边,自第二侧边沿远离第一像素岛阳极3的方向内凹。在第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4相邻设置时,凸出部8伸入凹陷部9内,从而形成交错结构5。
凸出部8和凹陷部9可以为相互配合的矩形、三角型、正方形或弧形等,如图3所示,本实施例中的凸出部8和凹陷部9选用矩形。凸出部8和凹陷部9的数量和尺寸由像素岛阳极的尺寸决定,也受到工艺条件的限制,通常情况下数量在3~8个,配合后的凸出部8和凹陷部9间隙可以控制在1μm。
图4为本申请实施例提供的第一像素岛阳极和第二像素岛阳极另一种配合示意图,如图4所示,在另一种可能的实施方式中,交错结构5包括第一凸起10和第二凸起11,第一凸起10设置于第一像素岛阳极3的第一侧边,自第一侧边朝向第二像素岛阳极4延伸;第二凸起11设置于第二像素岛阳极4的第二侧边,自第二侧边朝向第一像素岛电极3延伸。第一凸起10和第二凸起11错开,第一凸起10伸入第二凸起11一侧的侧边空间12,第二凸起11伸入第一凸起10一侧的侧边空间12,也就是说,第一凸起10和第二凸起11可以理解为凸起部,第一凸起10的侧边空间和第二凸起11的侧边空间可以理解为凹陷部,第一凸起10和第二凸起11相互配合形成交错结构5。
第一凸起10沿第一侧边可以均匀设置有多个,与之对应的,第二凸起11沿第二侧边可以均匀设置有多个。
第一凸起10和第二凸起11可以为相同的图形,例如均为矩形、三角型、正方形和圆弧形等,如图4所示,第一凸起10和第二凸起11选用圆弧形。
请继续参考图2,第三像素岛阳极7和第四像素岛阳极6左右相邻,在相邻的位置同样设置有交错结构5,第三像素岛阳极7和第四像素岛阳极6可采用与第一像素岛阳极3和第二像素岛阳极4相同的交错结构5,结构、工作原理以及技术效果相同,从而此处不再赘述。
在另外可能的实施方式中,第一像素岛阳极3与第三像素岛阳极7也可以在相邻位置设置交错结构,第二像素岛阳极4与第四像素岛阳极6也可以在相邻位置设置交错结构。也就是说,在同一子像素中,至少一对相邻的像素岛电极在相邻位置设置有交错结构5。
在像素岛中,像素岛发光层同时被像素岛阳极和像素岛阴极夹设的区域在工作时发光,像素岛阳极、像素岛发光层和像素岛阴极共同决定了像素岛发光区域。通过上述描述可知,本实施例中,像素岛发光层为有机发光层中与像素岛阳极相对的部分,像素岛阴极为阴极电极层中与像素岛阳极相对的部分,因此在本实施例中像素岛阳极的形状决定了像素岛发光区域的形状。
在本实施例提供的子像素结构中,通过设置独立的像素岛阳极形成独立的像素岛,实现对子像素进一步细分,能够提升显示的分辨力和解析度;并且在同一子像素中,至少一对相邻的像素岛电极在相邻位置设置有交错结构,使得至少一对相邻像素岛的两个发光区域在相邻位置边缘交错,从而增加像素岛边缘部分光覆盖的面积,因此可以实现连续发光,有效地消除摩尔纹,保证显示装置的显示效果。
需要说明的是,两个发光区域在相邻位置边缘交错是相对于直线型边缘而言,在相邻位置的两个发光区域中一方具有凸起部,另一方具有凹陷部,凸起部和凹陷部配合即可理解为边缘交错。
在子像素中,有机发光层通过热蒸镀、喷墨打印或激光热转印等方式成型在阳极电极层上。在喷墨打印的实施方式中,相邻的像素岛阳极边缘采用交错结构5有利于打印墨水干燥时对像素岛阳极边缘进行覆盖,可以降低干燥中墨水平坦的难度,增加整体的成膜均一性,提升器件效能。
阳极电极层可以采用三层结构,分别为依次设置的第一氧化铟锡ITO层、金属反射层和第二氧化铟锡ITO层,其中金属反射层可以是Ag和Al等金属材料。
本实施例中以每个子像素中包含4个像素岛,且4个像素岛以2*2的方式进行排布为例进行描述,但是本申请实施例并不局限于此,每个子像素包含至少两个像素岛即可,可以为3、6或8个,排布方式也可以为依次排布的线性排布。
另外,上述实施例中,将阳极电极层分离设置以实现像素岛的分离以及发光区域的控制,通过像素岛阳极的形状决定像素岛发光区域的形状。但是本申请实施例并不局限于此,像素岛还可通过像素岛发光层或像素岛阴极的形状决定像素岛发光区域的形状。也就是说,在一个子像素中,阳极电极层、阴极电极层和有机发光层至少一方对应像素岛设置有独立的像素岛部分。
例如,在一种可能的实施方式中,在一个子像素中,阳极电极层和阴极电极层为完整的层状结构,而有机发光层对应像素岛设置有独立的像素岛发光层;又例如,在另一种可能的实施方式中,在一个子像素中,阳极电极层和有机发光层为完整的层状结构,而阴极电极层对应像素岛设置有独立的像素岛阴极。
在实际应用场景中,本申请实施例提供的显示装置1可用于3D显示,控制子像素中部分像素岛显示左眼视图,控制子像素中部分像素岛显示右眼视图,通过高频信号驱动电路,实现子像素中不同像素岛显示的切换,交替显示左眼视图和右眼视图,从而实现满足3D显示的需求,而在2D显示时,可以控制子像素中所有像素岛同时工作,以组合形成一个子像素。
3D显示仅仅为子像素分成多个像素岛的一种应用实例,在其它应用场景中,还可以通过控制子像素中的像素岛交替工作,延长子像素的使用寿命。
为了验证发光区域交错对显示效果的影响,本文进行了对比测试,在对照产品中,子像素包括4个像素岛,4个像素岛以2*2的方式排布,相邻像素岛阳极的边缘为直线型侧边,即相邻像素岛的发光区域在相邻位置存在间隙,且间隙两侧边缘为相互平行的直线。图5为对照产品中4个像素岛单独发光的统计结果,图6为对照产品中4个像素岛整合后发光的统计结果;从图6中可以看出,四个像素岛整合后发光是不连续的。
图7为本申请实施例中四个像素岛单独发光的统计结果;图8为本申请实施例中四个像素岛整合后发光的统计结果,从图8中可以看出,本实施例提供的像素结构2通过采用交错结构,4个像素岛整合后发光是连续的。
通过图5-图8的对比可以发现,相邻像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错,能够实现连续发光。
在本申请实施例的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。
此外,上文所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
至此,已经结合附图所示的优选实施方式描述了本申请的技术方案,但是,本领域技术人员容易理解的是,本申请的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本申请的原理的前提下,本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换,这些更改或替换之后的技术方案都将落入本申请的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种像素结构,其特征在于:包括至少一个子像素,所述子像素包括至少两个像素岛;在同一所述子像素中,至少一对相邻所述像素岛的两个发光区域在相邻位置边缘交错。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:所述子像素包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层;所述第一电极层包括与所述像素岛一一对应的分离的像素岛电极,至少一对相邻所述像素岛电极在相邻位置设置有交错结构,所述交错结构使相邻所述像素岛的所述发光区域在相邻位置边缘交错。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:所述交错结构包括设置于相邻所述像素岛电极中一方的凸出部,以及设置于另一方的凹陷部;所述凸出部自所述像素岛电极的边缘朝向相邻所述像素岛电极的所述凹陷部外凸,所述凹陷部自所述像素岛电极的边缘内凹以容纳伸入的所述凸出部。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于:所述凸出部和所述凹陷部在相邻所述像素岛电极的相邻边缘设置有多个;所述凹陷部与所述凸出部一一对应。
5.根据权利要求3或4所述的像素结构,其特征在于:所述凸出部和所述凹陷部为相互配合的矩形、正方形、三角形或弧形。
6.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:所述交错结构包括设置于相邻所述像素岛电极中一方的第一凸起,以及设置于另一方的第二凸起;所述第一凸起和所述第二凸起错开配合,所述第一凸起伸入所述第二凸起的侧边空间;所述第二凸起伸入所述第一凸起的侧边空间。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于:所述第一凸起和所述第二凸起结构相同,均为矩形、正方形、三角形或弧形。
8.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:所述第一电极层为阳极电极层,所述第二电极层为阴极电极层。
9.根据权利要求2或8所述的像素结构,其特征在于:所述有机发光层覆盖设置于所有所述像素岛电极的一侧,所述第二电极层设置于所述有机发光层远离所述像素岛电极的一侧。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于:所述有机发光层通过喷墨打印成型。
11.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于:所述第二电极层包括与所述像素岛一一对应的第二电极;所述有机发光层包括与所述像素岛一一对应的像素岛发光层;在所述第一电极层、所述有机发光层和所述第二电极层的层叠方向上,所述像素岛电极、所述像素岛发光层和所述第二电极的形状对齐。
12.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:所述子像素包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层;所述有机发光层包括与所述像素岛一一对应的像素岛发光层,所述第一电极层和所述第二电极层均为覆盖所述子像素中所有所述像素岛发光层的层状结构;至少一对相邻所述像素岛发光层在相邻位置设置有交错结构,所述交错结构使相邻所述像素岛的所述发光区域在相邻位置边缘交错。
13.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于:在同一所述子像素中,任一相邻的两个所述像素岛的发光区域在相邻位置均边缘交错。
14.一种显示装置,其特征在于:包括多个权利要求1-13中任一项所述的像素结构,多个所述像素结构排列成像素阵列。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于:所述显示装置为3D显示装置,所述子像素中部分所述像素岛用于显示左眼视图,所述子像素中部分所述像素岛用于显示右眼视图。
CN202011009882.XA 2020-09-23 2020-09-23 一种像素结构以及显示装置 Active CN112117317B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011009882.XA CN112117317B (zh) 2020-09-23 2020-09-23 一种像素结构以及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011009882.XA CN112117317B (zh) 2020-09-23 2020-09-23 一种像素结构以及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112117317A CN112117317A (zh) 2020-12-22
CN112117317B true CN112117317B (zh) 2024-05-28

Family

ID=73800855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011009882.XA Active CN112117317B (zh) 2020-09-23 2020-09-23 一种像素结构以及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112117317B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459577A (zh) * 2019-08-21 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110632767A (zh) * 2019-10-30 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其显示方法
CN111403437A (zh) * 2020-03-16 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板和显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102348682B1 (ko) * 2014-12-05 2022-01-06 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110459577A (zh) * 2019-08-21 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110632767A (zh) * 2019-10-30 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其显示方法
CN111403437A (zh) * 2020-03-16 2020-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112117317A (zh) 2020-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10297645B2 (en) Arrangement of color sub-pixels for full color OLED and method of manufacturing same
US8063398B2 (en) Light-emitting diode matrix and method for producing a light-emitting diode matrix
MX2013012069A (es) Panel de salida de luz y dispositivo con el mismo.
CN113380956A (zh) 一种显示基板及显示装置
JP2014235853A (ja) 有機el表示装置
JP2010262920A (ja) 有機発光ディスプレイ装置
US20130175514A1 (en) Display device
CN109427852B (zh) 像素结构、掩膜版及显示装置
CN107681040B (zh) 显示面板与结构装置
US11730029B2 (en) Display substrate, light field display apparatus and method for driving the same
US20230180527A1 (en) Display substrate and display apparatus
CN111668383B (zh) 显示面板、显示装置
US20090033604A1 (en) Hybrid Display
US10718972B2 (en) Backlight source and manufacturing method thereof, display substrate, display device and display method thereof
EP3203520A1 (en) Organic light-emitting diode array substrate and display device
CN111725289B (zh) 像素排布结构、显示面板及电子设备
WO2016063471A1 (ja) 表示パネル
JP4176569B2 (ja) 立体表示装置及び画像表示方法
CN110364546B (zh) 一种有机发光二极管oled像素排列结构
KR101763462B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN112117317B (zh) 一种像素结构以及显示装置
US20040212551A1 (en) Three-dimensional image display device
CN113972256A (zh) 阵列基板及显示装置
KR20220090025A (ko) 전계 발광 표시 장치
US7345658B2 (en) Three-dimensional image display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant