CN112117296A - Led显示面板和led显示装置 - Google Patents

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Abstract

LED显示面板和LED显示装置。所述LED显示面板包括：对置基板和阵列基板；多个LED像素组，所述LED像素组位于所述对置基板和阵列基板之间，所述LED像素组具有像素总面积；每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元；所述红色LED像素单元具有第一像素面积；所述绿色LED像素单元具有第二像素面积；所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积；所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。所述LED显示面板视觉效果显著提高，且像素间间距能够缩小至Micro‑LED级别及以下。

Description

LED显示面板和LED显示装置
技术领域
本发明涉及LED领域，尤其涉及一种LED显示面板和LED显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统的LED微缩后形成微米级间距的阵列以达到超高的分辨率，从而可用于显示领域。Micro-LED显示相对于传统的液晶显示(LCD)及有机发光显示(OLED)，具备发光寿命长、亮度高、体积轻薄、功耗低、像素密度高等优势，成为以高真实度、互动与个性化显示为主要特点的第三代显示的代表。
目前Micro-LED的一个发展方向是，通过用Micro-LED芯片发出的光线激发量子点材料来发光实现彩色显示。而该技术由于需要考虑量子点材料色彩转换及光效提取导致的出射光匹配问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种LED显示面板和LED显示装置，以更好地解决Micro-LED的出射光匹配问题。
为解决上述问题，本发明提供一种LED显示面板，包括：对置基板和阵列基板；多个LED像素组，所述LED像素组位于所述对置基板和阵列基板之间，所述LED像素组具有像素总面积；每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元；所述红色LED像素单元具有第一像素面积；所述绿色LED像素单元具有第二像素面积；所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积；所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。
可选的，所述第一像素面积占所述像素总面积的0.618，这是一种黄金分割的面积占比，并且在使得第一像素面积和像素总面积具有相同短边的情况下，面积占比也是长度占比，因此，能够达到更好的视觉效果。
可选的，所述第二像素面积和所述第三像素面积相等；所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层；所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板；所述红色量子点转换层位于所述对置基板，所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方；所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层；所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板；所述绿色量子点转换层位于所述对置基板，所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方；所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层和蓝色量子点转换层；所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板；所述蓝色量子点转换层位于所述对置基板，所述蓝色量子点转换层位于所述第三LED发光叠层上方；所述对置基板下表面具有黑矩阵层，在俯视投影上，所述红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。这种同时设计三种颜色的量子点转换层，配合以相应的结构和面积占比，能够使LED显示面板实现良好的彩色显示效果。
可选的，所述第二像素面积是所述第三像素面积的1.5倍至2倍；所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层；所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板；所述红色量子点转换层位于所述对置基板，所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方；所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层；所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板；所述绿色量子点转换层位于所述对置基板，所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方；所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层；所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板；所述对置基板还包括黑矩阵层，在俯视投影上，所述红色量子点转换层和绿色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。这种设计两种颜色的量子点转换层，可以省略量子点转换层，同时利用结构和面积占比，以及第三LED发光叠层少透过一层量子点转换层而允许其面积较小的条件，使得整个LED显示面板在保证良好彩色显示效果的同时，尺寸可以制作得更小。
可选的，所述第一像素面积包括第一发光面积和包围所述第一发光面积的第一遮光面积；所述第二像素面积包括第二发光面积和包围所述第二发光面积的第二遮光面积；所述第三像素面积包括第三发光面积和包围所述第三发光面积的第三遮光面积；所述第一发光面积为所述第二发光面积的2.5倍至3.5倍。
可选的，所述黑矩阵层下表面具有对置遮光层；所述阵列基板具有阵列遮光层；所述阵列遮光层隔开所述第一LED发光叠层、第二LED发光叠层和第三LED发光叠层，所述对置遮光层和所述阵列遮光层上下相对。这种对置遮光层和阵列遮光层的设置，可以更好地避免相邻像素间产生串扰的问题。
可选的，所述对置基板下表面还具有位于所述黑矩阵层开口位置的红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层；所述红色滤光层位于所述红色量子点转换层和所述对置基板下表面之间；所述绿色滤光层位于所述绿色量子点转换层和所述对置基板下表面之间；所述蓝色滤光层位于所述蓝色量子点转换层和所述对置基板下表面之间。各滤光层可以用于进一步提高显示品质。
可选的，所述像素总面积、第一像素面积、第二像素面积和第三像素面积为矩形面积；所述第二像素面积和第三像素面积组成的面积与所述第一像素面积的一边重合。
可选的，所述像素总面积为矩形面积；所述第一发光面积、第二发光面积和第三发光面积为三角形面积；所述第一发光面积、第二发光面积和第三发光面积具有相互平行的底边。
为解决上述问题，本发明还提供了一种LED显示装置，包括如上所述的LED显示面板。
本发明技术方案的其中一个方面中，通过设计相应的第一像素面积占像素总面积的0.6至0.667(即五分之三至三分之二)，使第一像素面积对像素总面积是一种黄金分割比例或接近黄金分割比例的占比，这种占比下，第一像素面积对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系，这种像素面积之间的黄金比例的尺寸协调关系，能够带来更好的光线视觉效果。
并且，第一像素面积对应的正是红色LED像素单元，通过使它的面积占比整个像素总面积的0.6至0.667之间，能够使一个LED像素组中，红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比)，从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度，更好地带来光线的协调匹配。
同时，这样的面积结构设计下，还可以实现超小间距模组，即超小间距的显示面板，并进一步应用于相应的显示装置(Micro-LED显示屏)。
附图说明
图1是实施例中LED显示面板的剖面组合结构示意图；
图2是实施例中LED显示面板的俯视投影示意图；
图3是另一实施例中LED显示面板的剖面组合结构示意图；
图4是另一实施例中LED显示面板的俯视投影示意图；
图5是另一实施例中LED显示面板的剖面组合结构示意图；
图6是另一实施例中LED显示面板的俯视投影示意图；
图7是实施例中LED显示装置示意图。
具体实施方式
对于LED显示，通常涉及以下三个重要的参数。
IQE(Internal Quantum Efficiency，内量子效率)＝单位时间内有源层发射的光子数/单位时间内注入到有源层的电子子数＝(Pint/(hv))/(I/e)。
LEE(Light Extraction Efficiency，光析出率)＝单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内从有源层内出射的光子数＝(P/(hv))/＝(Pint/(hv))。
EQE(External Quantum Efficiency，外量子效率)＝单位时间内出射到空间的光子数/单位时间内注入到有源层的电子数＝(P/(hv))/(I/e)＝IQE*LEE。
目前，红光LED的EQE仅约在10％以上(≥10％)，而绿光LED和蓝光LED的EQE均在30％以上(≥30％)。这种不同颜色光EQE的差异，导致了最终出射光匹配问题。
为此，本发明提供一种新的LED显示面板和LED显示装置，以解决上述存在的不足。
为更加清楚的表示，下面结合附图对本发明做详细的说明。
本发明实施例提供一种LED显示面板，请结合参考图1和图2。
参考图1，LED显示面板包括对置基板100和阵列基板200。对置基板100可以是相应的透明基板，例如为强化玻璃基板。阵列基板200既可以是透明基板，也可以是非透明基板。
对置基板100和阵列基板200之间具有多个LED像素组(未标注)，即LED像素组位于对置基板100和阵列基板200之间，不同LED像素组的结构可以基本相同。
LED显示面板具有多个LED像素组，图1中显示了其中一个LED像素组为代表，此时也可知，图1显示的是对置基板100和阵列基板200的一部分，即两个基板对应于一个LED像素组的部分。
请继续参考图1，LED像素组包括红色LED像素单元(未标注)、绿色LED像素单元(未标注)和蓝色LED像素单元(未标注)。图1中，红色LED像素单元位于最左侧两条竖直虚线之间，绿色LED像素单元位于中间两条竖直虚线之间，蓝色LED像素单元位于最右侧两条竖直虚线之间。由于LED像素组位于对置基板100和阵列基板200之间，因此，各个像素单元也位于对置基板100和阵列基板200之间。本说明书中，像素单元是像素主要整体结构的指称。
请参考图2，显示了LED像素组所具有的像素总面积。LED像素组根据它所包括的像素单元又分别对应有三个像素面积，具体分别是：红色LED像素单元具有第一像素面积110，绿色LED像素单元具有第二像素面积120，蓝色LED像素单元具有第三像素面积130。它们之间以虚线显示区分。
图2中显示，本实施例设计第一像素面积110占像素总面积的0.618。
由于第一像素面积110占像素总面积的0.618，此时，第一像素面积110对像素总面积是一种黄金分割比例的占比，本实施例中，第一像素面积和像素总面积均为矩形，并且具有相同的短边(可直观参考图2，后续也会进一步说明)，因此，第一像素面积对像素总面积的占比也是两者之间的长度比值。这种面积和长度的双重一致占比下，第一像素面积110对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系，这种像素面积之间的黄金比例的尺寸协调关系，能够带来更好的光线视觉效果。
更加重要的，发明人前面已经分析，红光LED的EQE仅约在10％以上(≥10％)，而绿光LED和蓝光LED的EQE均在30％以上(≥30％)，而此时，第一像素面积110对应的正是红色LED像素单元，通过使它的面积占比整个像素总面积的0.6至0.667之间(具体本实施例是0.618)，能够使一个LED像素组中，红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比)，从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度，更好地带来光线的协调匹配。
同时，这样的面积结构设计下，还可以实现超小间距模组，像素间间距能够缩小至Micro-LED级别及以下，即超小间距的显示面板，并进一步应用于相应的显示装置(Micro-LED显示屏)。
需要说明的是，其它实施例中，第一像素面积110可以占像素总面积的0.6至0.667的其它值，例如0.61、0.62、0.65和0.66等，这些值也都接近于黄金分割比例，在此范围内，同样能够达到上述相应的显示效果，而本实施例的0.618是0.6至0.667其中的一个最佳值，是黄金分割值。
本实施例中，像素总面积可以是80μm×130μm，其中其它像素单元的具体面积可以在此面积范围内相应调整。
请参考图2，本实施例中，设计第二像素面积120和第三像素面积130相等。此时第一像素面积110差不多均是第二像素面积120和第三像素面积130的3.2倍。
请参考图2，本实施例中，第一像素面积110包括第一发光面积101和包围第一发光面积101的第一遮光面积141。第二像素面积120包括第二发光面积102和包围第二发光面积102的第二遮光面积142。第三像素面积130包括第三发光面积103和包围第三发光面积103的第三遮光面积143。
本实施例中，第一发光面积101为第二发光面积102的3倍，同时，第一发光面积101也为第三发光面积103的3倍。这种情况下，恰好与三种像素单元之间的EQE之比(约为1：3)相匹配。
其它实施例中，第一发光面积101可以为第二发光面积102的2.5倍至3.5倍，第一发光面积101可以为第三发光面积103的2.5倍至3.5倍，这些倍数，随着前面提到的占比(0.6至0.667)的改变而相应改变。
请参考图1，本实施中，红色LED像素单元包括第一LED发光叠层210和红色量子点转换层111。第一LED发光叠层210位于阵列基板200。红色量子点转换层111位于对置基板100，红色量子点转换层111位于第一LED发光叠层210上方。
绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层220和绿色量子点转换层121。第二LED发光叠层220位于阵列基板200。绿色量子点转换层121位于对置基板100，绿色量子点转换层121位于第二LED发光叠层220上方。
蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层230和蓝色量子点转换层131。第三LED发光叠层230位于阵列基板200。蓝色量子点转换层131位于对置基板100，蓝色量子点转换层131位于第三LED发光叠层230上方。
本实施例中，各LED发光叠层的结构通常包括n型半导体层(如n-GaN)、多量子阱层和p型半导体层(如p-GaN)等结构。
需要说明的是，本实施例设置第一LED发光叠层210、第二LED发光叠层220和第三LED发光叠层230的叠层结构完全相同，它们均是发相应蓝色光的发光叠层，而不需要制作三种不同颜色的LED发光叠层，这是因为本实施例设计采用了量子点转换层。
需要说明的是，第一LED发光叠层210、第二LED发光叠层220和第三LED发光叠层230各自的俯视面积，既可以相同，也可以不同，本实施例中它们的面积设计为不同。
需要说明的是，本实施例通过设计相应的面积不同，使得各个量子点转换层的厚度反而可以制作为相同。
结合图1和图2可知，本实施例中，对置基板100下表面具有黑矩阵层140，在俯视投影上，红色量子点转换层111、绿色量子点转换层121和蓝色量子点转换层131位于黑矩阵层140的开口位置。
需要说明的是，图2中的第一遮光面积141、第二遮光面积142和第三遮光面积143，对应的面积正是黑矩阵层140的相应各部分面积。而红色量子点转换层111、绿色量子点转换层121和蓝色量子点转换层131也分别对应于图2中的第一发光面积101、第二发光面积102和第三发光面积103。此时亦可以理解，为何图1可以理解为图2沿A点划线和B点划线剖切后重新组合的剖面结构。
本实施例中，相应的尺寸下，第一LED发光叠层210的峰值波长(WLP)可以为630nm，半峰宽(FWHM)可以控制在小于15nm。第二LED发光叠层220的峰值波长为532nm，半峰宽小于30nm。第三LED发光叠层230的峰值波长为467nm，半峰宽小于20nm。
本实施例的各遮光面积可以看成是环形面积，其中，第一遮光面积141的环形的宽度，大于第二遮光面积142的环形的宽度，第二遮光面积142的环形的宽度和第三遮光面积143的环形的宽度基本相等。
请参考图1，本实施例中，黑矩阵层140下表面具有对置遮光层150。阵列基板200具有阵列遮光层240。阵列遮光层240隔开第一LED发光叠层210、第二LED发光叠层220和第三LED发光叠层230，对置遮光层150和阵列遮光层240上下相对。
本实施例的各遮挡层(对置遮光层150和阵列遮光层240)，可以为吸光的黑色材料制作，也可以是反光材料制作，只要能够避免透光即可。
请参考图1，对置基板100下表面还具有位于黑矩阵层140开口位置的红色滤光层112、绿色滤光层122和蓝色滤光层132。红色滤光层112位于红色量子点转换层111和对置基板100下表面之间。绿色滤光层122位于绿色量子点转换层121和对置基板100下表面之间。蓝色滤光层132位于蓝色量子点转换层131和对置基板100下表面之间。各滤光层的厚度可以相同。
相应的各滤光层用于对出射光进行进一步的滤光作用，使LED显示面板发出的光线更加符合需求，使相应的彩色显示效果更佳。
参考图1，本实施例设置各遮挡层的厚度大于各量子点转换层的厚度，各遮挡层的厚度也大于各滤光层的厚度。
参考图2，本实施例中，像素总面积(如前所述未标注)、第一像素面积110、第二像素面积120和第三像素面积130为矩形面积。第二像素面积120和第三像素面积130组成的面积与第一像素面积110的一边重合。这种规整的面积设计，也有助于提高显示面板的显示品质。
需要说明的是，本实施例的各发光叠层的尺寸，可以制作得比各量子点转换层大，通过主要控制量子点转换层的面积(即最终的出光面积)，就能够使显示面板的尺寸达到相应微米级别，而使得发光叠层本身的结构制作有更大的尺寸裕度。
综上可知，本实施例通过相应的结构设计，能够实现不同像素单元之间的间距减小，更好地实现像素间间距的Micro级别及以下尺寸，同时能够协调光线匹配。
本发明另一实施例提供另一种LED显示面板，请结合参考图3和图4。
参考图3，LED显示面板包括对置基板300和阵列基板400。对置基板300和阵列基板400之间具有多个LED像素组(未标注)。
请继续参考图3，LED像素组包括红色LED像素单元(未标注)、绿色LED像素单元(未标注)和蓝色LED像素单元(未标注)。图3中，红色LED像素单元位于最左侧两条竖直虚线之间，绿色LED像素单元位于中间两条竖直虚线之间，蓝色LED像素单元位于最右侧两条竖直虚线之间。
请参考图4，显示了LED像素组所具有的像素总面积。LED像素组根据它所包括的像素单元又分别对应有三个像素面积，具体分别是：红色LED像素单元具有第一像素面积310，绿色LED像素单元具有第二像素面积320，蓝色LED像素单元具有第三像素面积330。它们之间以虚线显示区分。
图4中显示，本实施例设计第一像素面积310占像素总面积的0.6。
由于第一像素面积310占像素总面积的0.6，此时，第一像素面积310对像素总面积是一种较大比例的占比，并且是一种接近于黄金分割比例的占比。这种占比下，第一像素面积310对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系，这种协调尺寸关系能够带来光线的协调匹配。
同样由于，红光LED的EQE仅约在10％以上，而绿光LED和蓝光LED的EQE均在30％以上，而此时，第一像素面积310对应的正是红色LED像素单元，通过使它的面积占比大于整个像素总面积的一半以上(即0.6)，能够使一个LED像素组中，红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比)，从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度，进一步带来光线的协调匹配。
同时，这样的面积结构设计下，同样可以实现超小间距模组，即超小间距的显示面板，并进一步应用于相应的显示装置(显示屏)。
本实施例中，像素总面积可以是20μm×40μm，其中其它像素单元的具体面积可以在此面积范围内相应调整。
请参考图4，本实施例中，设计第二像素面积320是第三像素面积330的1.618倍，此时，一方面，相当于第二像素面积320占第二像素面积320和第三像素面积330两者总面积的0.618倍，使得第二像素面积320和第三像素面积330之间的面积形成另一个黄金比例占比关系；另一方面，注意到，本实施例并不需要蓝色量子点转换层(参考后续内容)，而是选择适当波长的发光叠层，直接出光；两个因素共同作用，进一步使得相应的显示像素组具有良好的匹配度。
本实施例中，由于第二像素面积320是第三像素面积330的1.618倍，因此，第一像素面积310是第二像素面积的约2.6倍，第一像素面积310是第三像素面积330的约4.2倍。
其它实施例中，第二像素面积可以是第三像素面积的1.5倍至2倍。其它实施例中，第一发光面积为第二发光面积的2.5倍至3.5倍，第一发光面积可以为第三发光面积的4倍至6倍。
请参考图4，本实施例中，第一像素面积310包括第一发光面积301和包围第一发光面积301的第一遮光面积341。第二像素面积320包括第二发光面积302和包围第二发光面积302的第二遮光面积342。第三像素面积330包括第三发光面积303和包围第三发光面积303的第三遮光面积343。
本实施例中，第一发光面积301为第二发光面积302的3倍，同时，第二发光面积302也为第三发光面积303的3倍。这种情况下，恰好与三种像素单元之间的EQE之比(约为1：3)相匹配。
请参考图3，本实施中，红色LED像素单元包括第一LED发光叠层410和红色量子点转换层311。第一LED发光叠层410位于阵列基板400。红色量子点转换层311位于对置基板300，红色量子点转换层311位于第一LED发光叠层410上方。绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层420和绿色量子点转换层321。第二LED发光叠层420位于阵列基板400。绿色量子点转换层321位于对置基板300，绿色量子点转换层321位于第二LED发光叠层420上方。蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层430。第三LED发光叠层430位于阵列基板400。
需要说明的是，本实施例设置第一LED发光叠层410、第二LED发光叠层420和第三LED发光叠层430的叠层结构完全相同，它们均是发相应蓝色光的发光叠层，而不需要制作三种不同颜色的LED发光叠层。在此基础上，第一LED发光叠层410、第二LED发光叠层420和第三LED发光叠层430各自的俯视面积设计为不同，从而使得各个量子点转换层的厚度反而可以制作为相同。
结合图3和图4可知，本实施例中，对置基板300下表面具有黑矩阵层340，在俯视投影上，红色量子点转换层311和绿色量子点转换层321位于黑矩阵层340的开口位置。黑矩阵层340的开口和各量子点转换层是对应一一设置的。并且，可知图3可以理解为图4沿C点划线和D点划线剖切后重新组合的剖面结构。
请参考图3，本实施例中，黑矩阵层340下表面具有对置遮光层350。阵列基板400具有阵列遮光层440。阵列遮光层440隔开第一LED发光叠层410、第二LED发光叠层420和第三LED发光叠层430，对置遮光层350和阵列遮光层440上下相对。
请参考图3，对置基板300下表面还具有位于黑矩阵层340开口位置的红色滤光层312、绿色滤光层322和蓝色滤光层332。红色滤光层312位于红色量子点转换层311和对置基板300下表面之间。绿色滤光层322位于绿色量子点转换层321和对置基板300下表面之间。各滤光层的厚度可以相同。
参考图3，本实施例设置各遮挡层的厚度大于各量子点转换层的厚度，各遮挡层的厚度也大于各滤光层的厚度。
参考图4，本实施例中，像素总面积(如前所述未标注)、第一像素面积310、第二像素面积320和第三像素面积330为矩形面积。第二像素面积320和第三像素面积330组成的面积与第一像素面积310的一边重合。这种规整的面积设计，也有助于提高显示面板的显示品质。
本实施例的各发光叠层的尺寸，同样可以制作得比各量子点转换层大，通过主要控制量子点转换层的面积(即最终的出光面积)，就能够使显示面板的尺寸达到相应微米级别，而使得发光叠层本身的结构制作有更大的尺寸裕度。本实施例通过相应的设计，同样能够实现不同像素单元之间的间距减小，同时能够协调光线匹配，而且整体尺寸可以进一步减小。
更多有关本实施例的结构、性质和优点，可以参考前述实施例相应内容。
本发明实施例提供一种LED显示面板，请结合参考图5和图6。
参考图5，LED显示面板包括对置基板500和阵列基板600。对置基板500和阵列基板600之间具有多个LED像素组(未标注)。
请继续参考图5，LED像素组包括红色LED像素单元(未标注)、绿色LED像素单元(未标注)和蓝色LED像素单元(未标注)。图5中，红色LED像素单元位于最左侧两条竖直虚线之间，绿色LED像素单元位于中间两条竖直虚线之间，蓝色LED像素单元位于最右侧两条竖直虚线之间。
请参考图6，显示像素总面积包括：红色LED像素单元所具有的第一像素面积510，绿色LED像素单元所具有的第二像素面积520，蓝色LED像素单元所具有的第三像素面积530。它们之间以虚线显示区分。
图6中显示，本实施例设计第一像素面积510占像素总面积的0.667。
本实施例中，第一像素面积510对像素总面积仍是一种接近于黄金分割比例的占比。这种占比下，第一像素面积510对应的红色LED像素单元与整个LED像素组形成一种良好协调性的尺寸关系，这种协调尺寸关系能够带来光线的协调匹配。相应的，此时，红光LED的面积占比大于整个像素总面积的0.6以上(即0.667)，能够使一个LED像素组中，红光的出射光子数与绿光和蓝光的出射光子数尽量达到匹配更一致(面积和出射光子数成正比)，实现红光LED的EQE与绿光LED和蓝光LED的EQE的配合，从而使得显示面板最终的显示质量具有更高的出射光子数匹配度，进一步带来光线的协调匹配。
本实施例中，像素总面积可以是35μm×60μm，其中其它像素单元的具体面积可以在此面积范围内相应调整。
请参考图6，本实施例中，设计第二像素面积520和第三像素面积530相等。此时第一像素面积510差不多均是第二像素面积520和第三像素面积530的3.2倍。
请参考图6，本实施例中，第一像素面积510包括第一发光面积501和包围第一发光面积501的第一遮光面积541。第二像素面积520包括第二发光面积502和包围第二发光面积502的第二遮光面积542。第三像素面积530包括第三发光面积503和包围第三发光面积503的第三遮光面积543。
本实施例中，第一发光面积501为第二发光面积502的3倍，同时，第一发光面积501也为第三发光面积503的3倍。这种情况下，恰好与三种像素单元之间的EQE之比(约为1：3)相匹配。
请参考图5，本实施中，红色LED像素单元包括第一LED发光叠层610和红色量子点转换层511。第一LED发光叠层610位于阵列基板600。红色量子点转换层511位于对置基板500(红色量子点转换层511直接位于对置基板500下表面)，红色量子点转换层511位于第一LED发光叠层610上方。
绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层620和绿色量子点转换层521。第二LED发光叠层620位于阵列基板600。绿色量子点转换层521位于对置基板500(绿色量子点转换层521直接位于对置基板500下表面)，绿色量子点转换层521位于第二LED发光叠层620上方。
蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层630和蓝色量子点转换层531。第三LED发光叠层630位于阵列基板600。蓝色量子点转换层531位于对置基板500(蓝色量子点转换层531直接位于对置基板500下表面)，蓝色量子点转换层531位于第三LED发光叠层630上方。
结合图5和图6可知，本实施例中，对置基板500下表面具有黑矩阵层540，在俯视投影上，红色量子点转换层511、绿色量子点转换层521和蓝色量子点转换层531位于黑矩阵层540的开口位置。
需要说明的是，图6中的第一遮光面积541、第二遮光面积542和第三遮光面积543，对应的面积正是黑矩阵层540的相应各部分面积。而红色量子点转换层511、绿色量子点转换层521和蓝色量子点转换层531也分别对应于图6中的第一发光面积501、第二发光面积502和第三发光面积503。此时可知，图5可以理解为图6沿E点划线和F点划线剖切后重新组合的剖面结构。
请参考图5，本实施例中，黑矩阵层540下表面具有对置遮光层550。阵列基板600具有阵列遮光层640。阵列遮光层640隔开第一LED发光叠层610、第二LED发光叠层620和第三LED发光叠层630，对置遮光层550和阵列遮光层640上下相对。
本实施例中，像素总面积为矩形面积，但是，第一发光面积501、第二发光面积502和第三发光面积503为三角形面积，同时，第一发光面积501、第二发光面积502和第三发光面积503具有相互平行的底边，并且第一发光面积501有一个角与第二发光面积502的一个角和第三发光面积503的一个角是相对的(其它实施例中也可以是相向的)，这样的面积结构设计下，便于减小模组间距，有利于实现超小间距。其它实施例中，各发光面积也可以是其它形状，并且，各发光面积也可以是与各相应像素面积形状相似。
更多有关本实施例的结构、性质和优点，可以参考前述实施例相应内容。
本发明实施例还提供一种显示装置700，请参考图7。
本实施例的显示装置700包括如上所述各实施例提供的任意一种LED显示面板，因此，可以结合参考前述各实施例相应内容。
本实施例中，显示装置700可以为Micro-LED商用显示屏。其它实施例中，显示装置可以是相应的电脑显示屏或者智能穿戴电子产品显示屏等。
由于具有上述LED显示面板，本实施例的显示装置700具有良好的光学性能，像素密度高，能够实现Micro-LED下高分辨率的显示，同时发光寿命长、亮度高、体积轻薄且功耗低。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种LED显示面板，其特征在于，包括：
对置基板和阵列基板；
多个LED像素组，所述LED像素组位于所述对置基板和阵列基板之间，所述LED像素组具有像素总面积；
每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元；
所述红色LED像素单元具有第一像素面积；
所述绿色LED像素单元具有第二像素面积；
所述蓝色LED像素单元具有第三像素面积；
所述第一像素面积占所述像素总面积的0.6至0.667。
2.根据权利要求1所述的LED显示面板，其特征在于，所述第一像素面积占所述像素总面积的0.618。
3.根据权利要求1所述的LED显示面板，其特征在于，所述第二像素面积和所述第三像素面积相等；
所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层；所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板；所述红色量子点转换层位于所述对置基板，所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方；
所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层；所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板；所述绿色量子点转换层位于所述对置基板，所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方；
所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层和蓝色量子点转换层；所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板；所述蓝色量子点转换层位于所述对置基板，所述蓝色量子点转换层位于所述第三LED发光叠层上方；
所述对置基板下表面具有黑矩阵层，在俯视投影上，所述红色量子点转换层、绿色量子点转换层和蓝色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。
4.根据权利要求1所述的LED显示面板，其特征在于，所述第二像素面积是所述第三像素面积的1.5倍至2倍；
所述红色LED像素单元包括第一LED发光叠层和红色量子点转换层；所述第一LED发光叠层位于所述阵列基板；所述红色量子点转换层位于所述对置基板，所述红色量子点转换层位于所述第一LED发光叠层上方；
所述绿色LED像素单元包括第二LED发光叠层和绿色量子点转换层；所述第二LED发光叠层位于所述阵列基板；所述绿色量子点转换层位于所述对置基板，所述绿色量子点转换层位于所述第二LED发光叠层上方；
所述蓝色LED像素单元包括第三LED发光叠层；所述第三LED发光叠层位于所述阵列基板；
所述对置基板还包括黑矩阵层，在俯视投影上，所述红色量子点转换层和绿色量子点转换层位于所述黑矩阵层的开口位置。
5.根据权利要求3或4所述的LED显示面板，其特征在于：
所述第一像素面积包括第一发光面积和包围所述第一发光面积的第一遮光面积；
所述第二像素面积包括第二发光面积和包围所述第二发光面积的第二遮光面积；
所述第三像素面积包括第三发光面积和包围所述第三发光面积的第三遮光面积；
所述第一发光面积为所述第二发光面积的2.5倍至3.5倍。
6.根据权利要求3或4所述的LED显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层下表面具有对置遮光层；所述阵列基板具有阵列遮光层；所述阵列遮光层隔开所述第一LED发光叠层、第二LED发光叠层和第三LED发光叠层，所述对置遮光层和所述阵列遮光层上下相对。
7.根据权利要求3所述的LED显示面板，其特征在于，所述对置基板下表面还具有位于所述黑矩阵层开口位置的红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层；所述红色滤光层位于所述红色量子点转换层和所述对置基板下表面之间；所述绿色滤光层位于所述绿色量子点转换层和所述对置基板下表面之间；所述蓝色滤光层位于所述蓝色量子点转换层和所述对置基板下表面之间。
8.根据权利要求1所述的LED显示面板，其特征在于，所述像素总面积、第一像素面积、第二像素面积和第三像素面积为矩形面积；所述第二像素面积和第三像素面积组成的面积与所述第一像素面积的一边重合。
9.根据权利要求1所述的LED显示面板，其特征在于，所述像素总面积为矩形面积；所述第一发光面积、第二发光面积和第三发光面积为三角形面积；所述第一发光面积、第二发光面积和第三发光面积具有相互平行的底边。
10.一种LED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的LED显示面板。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0370323A2 (en) * 1988-11-23 1990-05-30 Schlumberger Technologies, Inc. High resolution image compression methods and apparatus
EP1032045A2 (en) * 1999-02-26 2000-08-30 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
US20070252512A1 (en) * 2004-06-04 2007-11-01 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Electroluminescent Structure and Led with an El Structure
CN102122462A (zh) * 2011-02-11 2011-07-13 厦门强力巨彩光电科技有限公司 一种虚拟全彩led显示屏及其显示控制方法
CN102252829A (zh) * 2011-04-25 2011-11-23 北京大学 一种测量led的内量子效率和出光效率的方法
EP2811001A1 (en) * 2012-01-30 2014-12-10 Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation Phosphor matrix composite powder minimizing light scattering, and led structure containing same
WO2017072634A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for manufacturing display device and electronic device
CN108878485A (zh) * 2015-06-16 2018-11-23 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器
CN110289298A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示面板、透明显示面板
CN110611035A (zh) * 2019-08-30 2019-12-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点oled显示面板
CN110752242A (zh) * 2019-10-31 2020-02-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111223885A (zh) * 2018-11-27 2020-06-02 三星电子株式会社 显示装置和制造其的方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0370323A2 (en) * 1988-11-23 1990-05-30 Schlumberger Technologies, Inc. High resolution image compression methods and apparatus
EP1032045A2 (en) * 1999-02-26 2000-08-30 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
US20070252512A1 (en) * 2004-06-04 2007-11-01 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Electroluminescent Structure and Led with an El Structure
CN102122462A (zh) * 2011-02-11 2011-07-13 厦门强力巨彩光电科技有限公司 一种虚拟全彩led显示屏及其显示控制方法
CN102252829A (zh) * 2011-04-25 2011-11-23 北京大学 一种测量led的内量子效率和出光效率的方法
EP2811001A1 (en) * 2012-01-30 2014-12-10 Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation Phosphor matrix composite powder minimizing light scattering, and led structure containing same
CN108878485A (zh) * 2015-06-16 2018-11-23 友达光电股份有限公司 发光二极管显示器
WO2017072634A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for manufacturing display device and electronic device
CN111223885A (zh) * 2018-11-27 2020-06-02 三星电子株式会社 显示装置和制造其的方法
CN110289298A (zh) * 2019-06-28 2019-09-27 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示面板、透明显示面板
CN110611035A (zh) * 2019-08-30 2019-12-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种量子点oled显示面板
CN110752242A (zh) * 2019-10-31 2020-02-04 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

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