CN112086337B - 工艺腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，射频线圈组件设置在腔室本体顶部的中部区域；基座设置在腔室本体内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体的边缘区域，并穿过腔室本体的侧壁，用于向腔室本体内喷射工艺气体。本发明提供的工艺腔室能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，从而提高晶片的良率。

Description

工艺腔室
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及工艺腔室。
背景技术
目前，随着集成电路的发展，对于半导体晶圆的加工均匀性要求越来越高，在干法刻蚀工艺中，即为等离子体刻蚀工艺，加工均匀性是用于评价不同刻蚀位置处的刻蚀速率差异的重要指标，较好的均匀性可以使晶圆的良率得到提高，并且，随着刻蚀的晶圆的面积增大，均匀性的控制就显得更加重要。
如图1所示，现有的等离子体半导体刻蚀装置包括反应腔室11、腔室盖12、进气口13、卡盘14和线圈，其中，腔室盖12设置在反应腔室11的上方，进气口13设置在腔室盖12中心位置，卡盘14设置在反应腔室11中，用于承载晶圆，线圈设置在腔室盖12上方，用于使工艺气体形成等离子体，在工艺过程中，工艺气体的流动方向如图1中箭头所示，工艺气体自位于腔室盖12中心区域的进气口13进入反应腔室11，由反应腔室11的中心区域向四周扩散，并通过线圈产生磁场使工艺气体产生等离子体，从而对卡盘14上的晶圆进行刻蚀。
但是，在现有技术中，由于工艺气体是由反应腔室11的中心区域向四周扩散，这就导致反应腔室11内中心区域处的工艺气体的密度大于边缘区域处的工艺气体的密度，从而导致等离子体的分布不均匀，影响晶圆的刻蚀均匀性，尤其表现在需要大流量工艺气体的条件下，另外，工艺气体管路需要跨跃线圈才能与进气口13连接，这会导致线圈产生的磁场的稳定性受到影响，也会影响晶圆的刻蚀均匀性，同时还会影响加工工艺的稳定性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室，其能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，从而提高晶片的良率。
为实现本发明的目的而提供一种工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，所述射频线圈组件设置在所述腔室本体顶部的中部区域；
所述基座设置在所述腔室本体内，用于承载晶片；
所述进气组件可移动的设置在所述腔室本体的边缘区域，并穿过所述腔室本体的侧壁，用于向所述腔室本体内喷射工艺气体。
优选的，还包括驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述进气组件沿所述晶片所在的承载区域的径向作往复运动，以使所述进气组件的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。
优选的，所述进气组件包括：
喷头结构，位于所述腔室本体中，用于向所述承载区域喷射所述工艺气体；
进气管路，可伸缩的设置在所述腔室本体的侧壁中，且分别与所述喷头结构和所述驱动组件连接，用于向所述喷头结构中输送所述工艺气体；
其中，所述喷头结构的运动范围满足：使所述喷头结构的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。
优选的，所述喷头结构包括喷气主路和喷气支路，其中，
所述喷气主路的进气端与所述进气管路的出气端连接，且所述喷气主路与所述进气管路之间呈第一夹角；
所述喷气支路的进气端与所述喷气主路的出气端连接，所述喷气支路的出气端用于向所述承载区域喷射所述工艺气体，且所述喷气支路与所述喷气主路的延长线方向之间呈第二夹角。
优选的，所述进气管路水平设置；所述第一夹角的取值范围为大于或等于50°，且小于或等于60°。
优选的，所述进气管路水平设置；所述第二夹角的取值范围为大于或等于0°，且小于或等于60°。
优选的，所述第二夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°。
优选的，所述喷气支路为一个或多个，且多个所述喷气支路的进气端均与所述喷气主路的出气端连接，所述喷气支路的出气端均用于向所述承载区域喷射所述工艺气体；并且，相邻的两个所述喷气支路之间呈第三夹角。
优选的，所述第三夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°。
优选的，所述进气组件为一个或多个，且多个所述进气组件沿所述腔室本体的周向均匀分布。
优选的，所述驱动组件包括密封结构、可伸缩管路和气缸，其中，
所述密封结构设置在所述腔室本体的侧壁外侧，且与水平设置在所述腔室本体的侧壁中的通孔相对应；并且，所述密封结构设有可伸缩的密封腔；
所述进气管路设置在所述密封腔中，且所述进气管路的出气端依次穿过所述密封腔和所述通孔与所述喷头结构连接；所述进气管路的进气端自所述密封腔延伸出去，并通过所述可伸缩管路与工艺气源连接；
所述气缸用于驱动所述密封腔伸缩。
优选的，所述驱动组件还包括管路接头，所述管路接头与所述密封腔密封连接，且在所述管路接头中设置有管路通道，所述进气管路的进气端穿过所述管路通道与所述可伸缩管路连接；
所述气缸通过驱动所述管路接头作往复运动来驱动所述密封腔伸缩。
优选的，所述密封结构包括第一端盖、第二端盖、伸缩密封圈和动密封件，其中，
所述伸缩密封圈的内部构成所述密封腔，且所述伸缩密封圈的一端通过所述第一端盖与所述管路接头密封连接；所述伸缩密封圈的另一端通过所述第二端盖与所述腔室本体的侧壁，且位于所述通孔的周边区域密封连接；
所述动密封件位于所述通孔中，用于对所述进气管路与所述通孔之间的间隙进行密封。
本发明还提供一种工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和驱动组件，其中，所述基座设置在所述腔室本体内，用于承载晶片；
所述进气组件可移动的设置在所述腔室本体的边缘区域，并穿过所述腔室本体的侧壁，用于向所述腔室本体内喷射工艺气体；
所述驱动组件用于驱动所述进气组件沿所述晶片所在的承载区域的径向作往复运动，以使所述进气组件的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的工艺腔室，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，射频线圈组件设置在腔室本体顶部的中部区域；
基座设置在腔室本体内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体的边缘区域，并穿过腔室本体的侧壁，用于向腔室本体内喷射工艺气体。本发明借助将进气组件设置在腔室本体的边缘区域，避免进气组件与设置在腔室本体顶部的射频线圈组件产生干涉，以提高射频线圈组件产生的磁场的稳定性，从而提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率，并且进气组件是在腔室本体的边缘区域可移动的设置，这样就可以对进气组件在腔室本体的边缘区域的位置进行调整，使进气组件能够向腔室本体的不同区域喷射工艺气体，以提高腔室本体内工艺气体分布的均匀性，也就使由工艺气体产生的等离子体在腔室本体的均匀性得到提高，从而能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率。
附图说明
图1为现有技术中等离子体半导体刻蚀装置的结构示意图；
图2为本发明提供的工艺腔室的结构示意图；
图3为本发明提供的工艺腔室的结构示意图；
图4为本发明提供的工艺腔室的结构示意图；
附图标记说明：
11-反应腔室；12-腔室盖；13-进气口；14-卡盘；20-工艺腔室；201-承载区域；202-通孔；211-喷气主路；212-喷气支路；22-进气管路；231-可伸缩管路；232-气缸；233-管路接头；234-第一端盖；235-第二端盖；236-伸缩密封圈；237-动密封件；24-射频线圈组件。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的工艺腔室进行详细描述。
如图2-图4所示，本实施例提供一种工艺腔室，包括腔室本体20、基座、进气组件和射频线圈组件24，其中，射频线圈组件24设置在腔室本体20顶部的中部区域；基座设置在腔室本体20内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体20的边缘区域，并穿过腔室本体20的侧壁，用于向腔室本体20内喷射工艺气体。
本实施例提供的工艺腔室，借助将进气组件设置在腔室本体20的边缘区域，避免进气组件与设置在腔室本体20顶部的射频线圈组件24产生干涉，以提高射频线圈组件24产生的磁场的稳定性，从而提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率，并且进气组件是在腔室本体20的边缘区域可移动的设置，这样就可以对进气组件在腔室本体20的边缘区域的位置进行调整，使进气组件能够向腔室本体20的不同区域喷射工艺气体，以提高腔室本体20内工艺气体分布的均匀性，也就使由工艺气体产生的等离子体在腔室本体20的均匀性得到提高，从而能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率。
在本实施例中，工艺腔室还包括驱动组件，驱动组件用于驱动进气组件沿晶片所在的承载区域的径向作往复运动，以使进气组件的喷射区域至少覆盖整个承载区域。
具体的，在通过进气组件向腔室本体20内晶片所在的承载区域201喷射工艺气体时，借组驱动组件驱动进气组件沿晶片所在的承载区域201的径向作往复运动，使进气组件的喷射区域至少覆盖整个承载区域201，可以使自进气组件喷射出的工艺气体至少覆盖整个承载区域201，这样就使得工艺气体在至少整个承载区域201分布的均匀性得到提高，也就提高了由工艺气体产生的等离子体在至少整个承载区域201分布的均匀性，从而能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率。
在本实施例中，进气组件包括喷头结构和进气管路22，其中，喷头结构位于腔室本体20中，用于向承载区域201喷射工艺气体；进气管路22可伸缩的设置在腔室本体20的侧壁中，且分别与喷头结构和驱动组件连接，用于向喷头结构中输送工艺气体；其中，喷头结构的运动范围满足：使喷头结构的喷射区域至少覆盖整个承载区域201。
具体的，进气管路22设置在腔室本体20的侧壁中，并与驱动组件连接，驱动组件用于驱动进气管路22在腔室本体20的侧壁中沿承载区域201的径向朝向腔室本体20的内部移动，或者驱动进气管路22在腔室本体20的侧壁中沿承载区域201的径向朝向腔室本体20的外部移动，以使进气管路22在腔室本体20的侧壁中伸缩，从而通过进气管路22带动喷头结构移动，驱动组件驱动进气管路22在腔室本体20的侧壁中移动的范围，满足使喷头结构的喷射区域至少覆盖整个承载区域201，以使自喷头结构中喷出的工艺气体能够至少覆盖整个承载区域201。
在实际应用中，喷头结构可以是喷气管路也可是以喷洒球。
在本实施例中，喷头结构包括喷气主路211和喷气支路212，其中，喷气主路211的进气端与进气管路22的出气端连接，且喷气主路211与进气管路22之间呈第一夹角；喷气支路212的进气端与喷气主路211的出气端连接，喷气支路212的出气端用于向承载区域201喷射工艺气体，且喷气支路212与喷气主路211的延长线方向之间呈第二夹角。
具体的，工艺气体依次经过进气管路22的出气端和喷气主路211的进气端进入喷气主路211中，并在经过喷气主路211后依次经过喷气主路211的出气端和喷气支路212的进气端进入喷气支路212中，并在经过喷气支路212后自喷气支路212的出气端向承载区域201喷射。
在本实施例中，进气管路22水平设置；第一夹角的取值范围为大于或等于50°，且小于或等于60°，即，喷气主路211与进气管路22之间的夹角的取值范围为大于或等于50°，且小于或等于60°，但是，第一夹角的取值范围并不以此为限。
在本实施例中，进气管路22水平设置，喷气主路211相对于进气管路22斜向下设置，第一夹角为喷气主路211与水平方向之间的夹角。
在实际应用中，进气管路22水平设置，喷气主路211也可以是水平设置，即，喷气主路211与进气管路22均为水平设置，第一夹角为180°。
在实际应用中，进气管路22水平设置；第二夹角的取值范围为大于或等于0°，且小于或等于60°，在第二夹角等于0°时，即，喷气支路212与喷气主路211之间不具有夹角，喷气支路212沿喷气主路211的延长线方向设置，但是，第二夹角的取值范围并不以此为限。
在实际应用中，第二夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°。
在本实施例中，进气管路22水平设置，喷气主路211相对于进气管路22斜向下设置，喷气支路212相对于进气管路22斜向下设置，且相对于喷气主路211斜向上设置，第二夹角为喷气支路212相对于进气管路22斜向下的方向与喷气主路211相对于进气管路22斜向下的方向之间的夹角。
在本实施例中，喷气支路212为一个或多个，且多个喷气支路212的进气端均与喷气主路211的出气端连接，喷气支路212的出气端均用于向承载区域201喷射工艺气体；并且，相邻的两个喷气支路212之间呈第三夹角(如图2中β角所示)。
具体的，当喷气主路211的出气端连接有多个喷气支路212时，工艺气体经过进气管路22的出气端和喷气主路211的进气端进入喷气主路211中，并在经过喷气主路211后，自喷气主路211的出气端，分别进入多个喷气支路212中(如图2中虚线所示)，并在经过多个喷气支路212后，分别从多个喷气支路212的出气端向承载区域201喷射，借助在相邻的两个喷气支路212之间设置第三夹角，使自多个喷气支路212喷射的工艺气体朝向不同的方向，从而提高喷头结构的喷射范围，这种采用两个喷气支路212喷射工艺气体与只采用一个喷气支路212喷射工艺气体相比，可以在减少驱动组件驱动进气组件沿承载区域201的径向作往复运动的范围同时，仍然可以使喷头结构的喷射区域至少覆盖整个承载区域201，并且，由于工艺气体由于重力作用会呈现抛物线喷洒至承载区域201，因此，通过两个喷气支路212喷射工艺气体能够提高工艺气体至少覆盖整个承载区域201的稳定性，以提高工艺气体的均匀性。
在本实施例中，第三夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°，即，相邻的的两个喷气支路212之间的夹角大于或等于25°，且小于或等于60°。
在实际应用中，进气组件为一个或多个，且多个进气组件沿腔室本体20的周向均匀分布。
如图3所示，在本实施例中，进气组件的数量为四个，且四个进气组件沿腔室本体20的周向均匀间隔分布，以使自相邻的进气组件中喷射的工艺气体的方向间的夹角为90°，图3中虚线表示自各个进气组件喷出的工艺气体，进气组件的数量可以根据承载区域201上晶片的排布进行改变，通过设置多个进气组件，可以缩短每个进气组件往复运动的距离，以提高工艺过程中工艺气体的喷洒效率，提高整个工艺的工作效率，但是，进气组件的数量也不宜过多，一般不大于六个，但是，进气组件的数量并不以此为限。
在本实施例中，驱动组件包括密封结构、可伸缩管路231和气缸232，其中，密封结构设置在腔室本体20的侧壁外侧，且与水平设置在腔室本体20的侧壁中的通孔202相对应；并且，密封结构设有可伸缩的密封腔；进气管路22设置在密封腔中，且进气管路22的出气端依次穿过密封腔和通孔202与喷头结构连接；进气管路22的进气端自密封腔延伸出去，并通过可伸缩管路231与工艺气源连接；气缸232用于驱动密封腔伸缩。
具体的，在腔室本体20的侧壁中设置有水平贯穿腔室本体20侧壁的通孔202，进气管路22的出气端穿过该通孔202伸入腔室本体20的内部，喷头结构位于腔室本体20中并与进气管路22的出气端连接，密封结构位于腔室本体20的外部，其密封腔套设在进气管路22位于腔室本体20外部的周围，并与腔室本体20侧壁中的通孔202的外端面连接，即，与腔室本体20对应该通孔202的侧壁的外壁连接，以对进气管路22与该通孔202的间隙进行密封，以使腔室本体20在工艺过程中的压力稳定，进气管路22的进气端自密封腔延伸出去，并通过可伸缩管路231与工艺气源(图中未示出)连接，以使工艺气体自工艺气源依次经过可伸缩管路231和进气管路22进入喷头结构。
在本实施例中，气缸232驱动可伸缩的密封腔伸缩，以带动设置在可伸缩的密封腔中的进气管路22在腔室本体20的侧壁中的通孔202中伸缩，由于在进气管路22在通孔202中伸缩时，气缸232与腔室本体20的侧壁之间的距离会发生改变，会挤压密封腔，因此，需要将密封腔设置为可伸缩的，以满足在进气管路22伸缩时，时刻对进气管路22与通孔202之间的间隙进行密封，另外，由于进气管路22在伸缩的过程中，其与工艺气源之间的距离也会发生变化，因此，需要将进气管路22与工艺气源通过可伸缩管路231连接，可伸缩管路231的长度可以伸长或者缩短，以在进气管路22与工艺气源之间的距离发生变化的过程中，使进气管路22与工艺气源始终保持连接，从而保证能够将工艺气源中的工艺气体输送至喷头结构中。
在本实施例中，驱动组件还包括管路接头233，管路接头233与密封腔密封连接，且在管路接头233中设置有管路通道，进气管路22的进气端穿过管路通道与可伸缩管路231连接；气缸232通过驱动管路接头233作往复运动来驱动密封腔伸缩。
具体的，气缸232与管路接头233连接，管路接头233与进气管路22连接，以使气缸232通过管路接头233与进气管路22连接，从而使气缸232通过驱动管路接头233作往复运动来驱动密封腔伸缩，密封腔一端与管路接头233密封连接，另一端与腔室本体20的侧壁密封连接，在管路接头233中设置有管路通道，管路通道的一个开口用于供进气管路22的出气端穿出，以使进气管路22的出气端依次穿过密封腔和设置在腔室本体20侧壁中通孔202伸入腔室本体20的内部，另一个开口用于供进气管路22的进气端穿出，以使进气管路22的进气端与可伸缩管路231连接。
在实际应用中，可以通过控制气缸232驱动进气管路22伸缩的速度，控制进气管路22每次在沿承载区域201的径向作往复运动的过程中，喷头结构喷洒工艺气体的气体量，这样就可以根据工艺时间和工艺气体总的所需气体量，计算出进气管路22需要气缸232驱动往复伸缩的次数。
在本实施例中，密封结构包括第一端盖234、第二端盖235、伸缩密封圈236和动密封件237，其中，伸缩密封圈236的内部构成密封腔，且伸缩密封圈236的一端通过第一端盖234与管路接头233密封连接；伸缩密封圈236的另一端通过第二端盖235与腔室本体20的侧壁，且位于通孔202的周边区域密封连接；动密封件237位于通孔202中，用于对进气管路22与通孔202之间的间隙进行密封。
具体的，伸缩密封圈236套设在进气管路22的周围，第一端盖234为环形环绕在进气管路22的周围，并与管路接头233连接，伸缩密封圈236的一端设置在第一端盖234与管路接头233之间，以通过第一端盖234与管路接头233将其压紧，以使第一端盖234与管路接头233密封连接，第二端盖235为环形环绕在进气管路22的周围，并与腔室本体20的侧壁连接，伸缩密封圈236的另一设置在第二端盖235与腔室本体20的侧壁之间，以通过第二端盖235与腔室本体20的侧壁将其压紧，以使第二端盖235与腔室本体20的侧壁密封连接，以对位于通孔202的周边区域密封连接，对进气管路22与通孔202之间的间隙进行密封，另外，还设置有动密封件237，动密封件237套设在进气管路22位于通孔202的部分的周围，以对进气管路22与通孔202之间的间隙进行密封，并能够跟随进气管路22在通孔202中伸缩而移动，通过伸缩密封圈236和动密封件237两级密封，来保证腔室本体20在工艺过程中的压力稳定。
本实施例还提供另一种工艺腔室，包括腔室本体20、基座、进气组件和驱动组件，其中，基座设置在腔室本体20内，用于承载晶片；进气组件可移动的设置在腔室本体20的边缘区域，并穿过腔室本体20的侧壁，用于向腔室本体20内喷射工艺气体；驱动组件用于驱动进气组件沿晶片所在的承载区域201的径向作往复运动，以使进气组件的喷射区域至少覆盖整个承载区域201。
本实施例提供的另一种工艺腔室，借组驱动组件驱动进气组件沿晶片所在的承载区域201的径向作往复运动，使进气组件的喷射区域至少覆盖整个承载区域201，可以使自进气组件喷射出的工艺气体至少覆盖整个承载区域201，这样就使得工艺气体在至少整个承载区域201分布的均匀性得到提高，也就提高了由工艺气体产生的等离子体在至少整个承载区域201分布的均匀性，从而能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率。
综上所述，本实施例提供的工艺腔室能够提高晶片的刻蚀均匀性，提高刻蚀工艺的稳定性，进而提高晶片的良率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、基座、进气组件和射频线圈组件，其中，所述射频线圈组件设置在所述腔室本体顶部的中部区域；
所述基座设置在所述腔室本体内，用于承载晶片；
所述进气组件可移动的设置在所述腔室本体的边缘区域，并穿过所述腔室本体的侧壁，用于向所述腔室本体内喷射工艺气体；
所述进气组件包括：喷头结构，所述喷头结构位于所述腔室本体中，用于向所述晶片所在的承载区域喷射所述工艺气体；所述喷头结构包括喷气主路和喷气支路，所述喷气支路与所述喷气主路的延长线方向之间呈第二夹角。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，还包括驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述进气组件沿所述承载区域的径向作往复运动，以使所述进气组件的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气组件还包括：进气管路，可伸缩的设置在所述腔室本体的侧壁中，且分别与所述喷头结构和所述驱动组件连接，用于向所述喷头结构中输送所述工艺气体；
其中，所述喷头结构的运动范围满足：使所述喷头结构的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述喷气主路的进气端与所述进气管路的出气端连接，且所述喷气主路与所述进气管路之间呈第一夹角；
所述喷气支路的进气端与所述喷气主路的出气端连接，所述喷气支路的出气端用于向所述承载区域喷射所述工艺气体。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路水平设置；所述第一夹角的取值范围为大于或等于50°，且小于或等于60°。
6.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路水平设置；所述第二夹角的取值范围为大于或等于0°，且小于或等于60°。
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°。
8.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述喷气支路为一个或多个，且多个所述喷气支路的进气端均与所述喷气主路的出气端连接，所述喷气支路的出气端均用于向所述承载区域喷射所述工艺气体；并且，相邻的两个所述喷气支路之间呈第三夹角。
9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述第三夹角的取值范围为大于或等于25°，且小于或等于60°。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气组件为一个或多个，且多个所述进气组件沿所述腔室本体的周向均匀分布。
11.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述驱动组件包括密封结构、可伸缩管路和气缸，其中，
所述密封结构设置在所述腔室本体的侧壁外侧，且与水平设置在所述腔室本体的侧壁中的通孔相对应；并且，所述密封结构设有可伸缩的密封腔；
所述进气管路设置在所述密封腔中，且所述进气管路的出气端依次穿过所述密封腔和所述通孔与所述喷头结构连接；所述进气管路的进气端自所述密封腔延伸出去，并通过所述可伸缩管路与工艺气源连接；
所述气缸用于驱动所述密封腔伸缩。
12.根据权利要求11所述的工艺腔室，其特征在于，所述驱动组件还包括管路接头，所述管路接头与所述密封腔密封连接，且在所述管路接头中设置有管路通道，所述进气管路的进气端穿过所述管路通道与所述可伸缩管路连接；
所述气缸通过驱动所述管路接头作往复运动来驱动所述密封腔伸缩。
13.根据权利要求12所述的工艺腔室，其特征在于，所述密封结构包括第一端盖、第二端盖、伸缩密封圈和动密封件，其中，
所述伸缩密封圈的内部构成所述密封腔，且所述伸缩密封圈的一端通过所述第一端盖与所述管路接头密封连接；所述伸缩密封圈的另一端通过所述第二端盖与所述腔室本体的侧壁，且位于所述通孔的周边区域密封连接；
所述动密封件位于所述通孔中，用于对所述进气管路与所述通孔之间的间隙进行密封。
14.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、基座、进气组件和驱动组件，其中，所述基座设置在所述腔室本体内，用于承载晶片；
所述进气组件可移动的设置在所述腔室本体的边缘区域，并穿过所述腔室本体的侧壁，用于向所述腔室本体内喷射工艺气体；
所述驱动组件用于驱动所述进气组件沿所述晶片所在的承载区域的径向作往复运动，以使所述进气组件的喷射区域至少覆盖整个所述承载区域；
所述进气组件包括：喷头结构，所述喷头结构位于所述腔室本体中，用于向所述承载区域喷射所述工艺气体；所述喷头结构包括喷气主路和喷气支路，所述喷气支路与所述喷气主路的延长线方向之间呈第二夹角。
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