CN112079630A - 一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺 - Google Patents

一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN112079630A
CN112079630A CN202011041841.9A CN202011041841A CN112079630A CN 112079630 A CN112079630 A CN 112079630A CN 202011041841 A CN202011041841 A CN 202011041841A CN 112079630 A CN112079630 A CN 112079630A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
carrying
substrate
stage
ceramic substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011041841.9A
Other languages
English (en)
Inventor
成彪
田茂标
刘瑞生
周开明
徐勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Wanshida Porcelain Industry Co ltd
Original Assignee
Chengdu Wanshida Porcelain Industry Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Wanshida Porcelain Industry Co ltd filed Critical Chengdu Wanshida Porcelain Industry Co ltd
Priority to CN202011041841.9A priority Critical patent/CN112079630A/zh
Publication of CN112079630A publication Critical patent/CN112079630A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明属于一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：A.对陶瓷基片进行尺寸检测；B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；E.对初分后的白片进行压烧；F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。

Description

一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体为一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺。
背景技术
随着功率电子器件的发展，电路板集成度与工作频率不断提高，散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料，是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料，其性能决定着模块的散热效率和可靠性。
低氧铜烧结DBC半导体热电基片由于具有高导热性、高电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点，因此被广泛应用于航天、军工、汽车等特殊电子行业，用来做功率芯片的绝缘与散热。
现有工艺是采用Al2O3陶瓷基片与经过氧化处理后的覆铜烧结，其中无氧铜氧化处理工艺复杂难以控制氧化的一致性，所以价格十分昂贵，无氧铜烧结DBC半导体热电基片售价是低氧铜烧结DBC半导体热电基片售价的5倍左右。
发明内容
针对上述现有技术中的不足，本发明提供了一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺。
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸。再磨C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。
所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。
所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。
所述煅烧的温度和煅烧时间为：第一阶段50--400℃/170分钟，第二阶段400--700℃/160分钟，第三阶段700--1150℃/160分钟，第四阶段1150℃保温360分钟。
所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。
所述基片生烧、压烧、煅烧时基片的放置规格为：60片每摞，每层10摞，每推板放置4层，每板共烧结2400片，每片之间采用粒径100µm左右的氧化铝粉敷粉均匀筛致生胚表面隔粘。
本发明的有益效果：
1.本发明解决了现有工艺中无氧铜氧化处理工艺复杂难以控制氧化的一致性的缺点，减少了坏品率。
2.本发明与现有工艺相比，控制了成本，减少了原材料的浪费。
3.本发明使得无氧铜烧结DBC半导体热电基片的可靠性增加，延长了使用时间。
附图说明
图1为本发明的工艺流程图；
图2为窑炉生烧的温度变化曲线图。
具体实施方式：
实施例1：
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
实施例2：
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。
所述煅烧的温度和煅烧时间为：第一阶段50--400℃/170分钟，第二阶段400--700℃/160分钟，第三阶段700--1150℃/160分钟，第四阶段1150℃保温360分钟。
所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。
实施例3：
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸。再磨 C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。
所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。
所述煅烧的温度和煅烧时间为：第一阶段50--400℃/170分钟，第二阶段400--700℃/160分钟，第三阶段700--1150℃/160分钟，第四阶段1150℃保温360分钟。
所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。
实施例4：
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸。再磨C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。
所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。
所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。
所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。
实施例5：
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸。再磨C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。
所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。
所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。
所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。
实施例6：
一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸。再磨C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。
所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。
所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。
所述煅烧的温度和煅烧时间为：第一阶段50--400℃/170分钟，第二阶段400--700℃/160分钟，第三阶段700--1150℃/160分钟，第四阶段1150℃保温360分钟。
所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。

Claims (8)

1.一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于制造步骤如下：
A.对陶瓷基片进行尺寸检测；
B.将尺寸合格的基片进行生烧，所述生烧的温度变化范围为：初始120度，到达最高温度1665度之后逐步降温到120度，生烧时间为56小时；
C.步骤B之后将生烧后的基片进行除砂，除砂完毕之后进行密度检测；
D.步骤C中密度检测完毕之后进行白片初分步骤；
E.对初分后的白片进行压烧；
F.待步骤E中压烧完毕之后对经过压烧的基片进行磨片，打磨之后进行尺寸检测；
G.待步骤F中尺寸检测合格之后进行煅烧；
H.将经过步骤G煅烧之后的基片进行白片成分。
2.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述尺寸检测详细步骤包括：在灯光下查看、透视，区分出合格品、待处理品和废品，挑出缺边、斜片、翘片，将分出合格品、待处理品和废品明确标识放置。
3.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述磨片步骤包括：开启磨床电源预热10分钟，同时对磨床养护，按磨床操作规程启动台面，开始工作，将磨片按规定磨削6面操作，先是初磨A面到精磨保留尺寸，磨B面，同A面，精磨从D面开始磨到B面保留尺寸，然后磨B面到规定尺寸，再磨C面，同D面，最后磨A面到最终产品规定尺寸。
4.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述磨片精度如下：初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。
5.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述煅烧的详细步骤在于：将待煅烧基片进行捆扎之后放入煅烧窑中进行煅烧。
6.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述煅烧的温度和煅烧时间为：第一阶段50--400℃/170分钟，第二阶段400--700℃/160分钟，第三阶段700--1150℃/160分钟，第四阶段1150℃保温360分钟。
7.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述压烧温度详细控制为：第一阶段50--400℃/180分钟，第二阶段400--800℃/170分钟，第三阶段800--1200℃/170分钟，第四阶段1200℃保温360分钟。
8.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺，其特征在于：所述基片生烧、压烧、煅烧时基片的放置规格为：60片每摞，每层10摞，每推板放置4层，每板共烧结2400片，每片之间采用粒径100µm左右的氧化铝粉敷粉均匀筛致生胚表面隔粘。
CN202011041841.9A 2020-09-28 2020-09-28 一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺 Pending CN112079630A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011041841.9A CN112079630A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011041841.9A CN112079630A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112079630A true CN112079630A (zh) 2020-12-15

Family

ID=73739987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011041841.9A Pending CN112079630A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112079630A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083151A1 (de) * 1999-09-10 2001-03-14 Degussa-Hüls Aktiengesellschaft Pyrogen hergestelltes Aluminiumoxid
CN1415579A (zh) * 2002-10-24 2003-05-07 上海利浦电子陶瓷厂 一种氧化铝陶瓷散热基片的制备方法
CN107117946A (zh) * 2017-05-03 2017-09-01 中国振华集团云科电子有限公司 99.6% Al2O3陶瓷基片减薄方法
CN108129139A (zh) * 2017-12-18 2018-06-08 常州市好利莱光电科技有限公司 一种高强度氧化铝陶瓷基片的制备方法
CN111302812A (zh) * 2020-03-31 2020-06-19 吴跃东 一种陶瓷基板的压烧校平方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083151A1 (de) * 1999-09-10 2001-03-14 Degussa-Hüls Aktiengesellschaft Pyrogen hergestelltes Aluminiumoxid
CN1415579A (zh) * 2002-10-24 2003-05-07 上海利浦电子陶瓷厂 一种氧化铝陶瓷散热基片的制备方法
CN107117946A (zh) * 2017-05-03 2017-09-01 中国振华集团云科电子有限公司 99.6% Al2O3陶瓷基片减薄方法
CN108129139A (zh) * 2017-12-18 2018-06-08 常州市好利莱光电科技有限公司 一种高强度氧化铝陶瓷基片的制备方法
CN111302812A (zh) * 2020-03-31 2020-06-19 吴跃东 一种陶瓷基板的压烧校平方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
巴学巍等: "《材料加工原理及工艺学，无机非金属材料和金属材料分册》", 30 April 2017, 哈尔滨工业大学出版社 *
西安电瓷研究所等: "《国外机械工业基本情况 高于绝缘子和避雷器》", 31 October 1987, 机械工业出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107266083B (zh) 零收缩ltcc多层陶瓷基板的制备方法
CN109053196B (zh) 一种大尺寸高温共烧陶瓷的烧结方法
KR19990062716A (ko) 정전흡착장치 및 그 제조방법
JP2007059178A (ja) ヒータユニットおよびそれを備えた装置
TWI475638B (zh) Preparation method of heterogeneous laminated co - fired ceramics with aluminum nitride electrostatic chuck
CN114423723A (zh) 用于制造氮化硅基底的方法
CN1477687A (zh) 一种制备零收缩率低温共烧陶瓷多层基板的工艺
JP6005930B2 (ja) 流路部材、これを用いた熱交換器および電子部品装置ならびに半導体製造装置
CN115734994B (zh) 粘合剂转移膜及使用粘合剂转移膜制造电源模块基板的方法
CN112079630A (zh) 一种Al2O3陶瓷基片烧结工艺
CN107819066B (zh) 一种低氧铜烧结dbc半导体热电基片的生产方法
CN112239365A (zh) 一种一次性烧结多层压电陶瓷片的方法
CN112047728A (zh) 一种Al2O3陶瓷基片的制造方法
JP2006108529A (ja) セラミックス多層基板およびその製造方法
KR102134123B1 (ko) 3d 프린팅을 이용한 고밀도 플라즈마 정전척용 세라믹 플레이트의 제조방법
US20070215602A1 (en) Heating and cooling module
Barlow et al. Multilayer ceramics
JP3886707B2 (ja) セラミックス基板の製造方法
KR101619455B1 (ko) 적층형 반도체 패키지의 제조방법
CN114195527A (zh) 一种台阶结构高温共烧陶瓷的烧结方法
JPH04152107A (ja) セラミックシートの積層成形法
CN112750692A (zh) 复合烧结体及复合烧结体的制造方法
CN112062548A (zh) 一种Al2O3陶瓷生坯的生产方法
JP3363227B2 (ja) セラミック焼結体の製造方法
US20170317223A1 (en) Ceramic carrier body having solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201215