CN112073024A - 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法 - Google Patents

一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112073024A
CN112073024A CN202010961841.4A CN202010961841A CN112073024A CN 112073024 A CN112073024 A CN 112073024A CN 202010961841 A CN202010961841 A CN 202010961841A CN 112073024 A CN112073024 A CN 112073024A
Authority
CN
China
Prior art keywords
differential input
electrode
output
external
electrode disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010961841.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112073024B (zh
Inventor
宋亚梅
鲍景富
周鑫
吴兆辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN202010961841.4A priority Critical patent/CN112073024B/zh
Publication of CN112073024A publication Critical patent/CN112073024A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112073024B publication Critical patent/CN112073024B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
    • H03H3/0075—Arrangements or methods specially adapted for testing microelecro-mechanical resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/174—Membranes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H2009/02165—Tuning
    • H03H2009/02173—Tuning of film bulk acoustic resonators [FBAR]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/02433—Means for compensation or elimination of undesired effects
    • H03H2009/02456—Parasitic elements or effects, e.g. parasitic capacitive coupling between input and output
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种差分输入输出式MEMS谐振器及其加工方法，包括：SOI支撑台、外接差分输入电极盘、外接差分输出电极盘、外接地电极盘、一维声子晶体支撑梁和谐振体；所述谐振体通过一维声子晶体支撑梁与SOI支撑台固定连接，形成悬浮结构；所述SOI支撑台的一端表面与外接差分输入电极盘固定连接，其另一端表面与外接差分输出电极盘固定连接；所述谐振体分别与外接差分输入电极盘和外接差分输出电极盘电连接；所述外接地电极盘固定在SOI支撑台上，并分别位于外接差分输入电极盘和外接差分输出电极盘的两侧；本发明通过降低谐振器的锚点损耗，提高器件的品质因数，解决现有技术存在的锚点损耗较大、品质因数难以提高的问题。

Description

一种差分输入输出式MEMS谐振器及其加工方法
技术领域
本发明涉及射频微机电系统技术领域，具体涉及一种差分输入输出式MEMS谐振器及其加工方法。
背景技术
MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)谐振器是指基于MEMS技术设计和制造的一种声学谐振器，相较于传统的电学谐振器，由于声波在介质中的传播速度(如，在硅中约为8400m/s)远小于电磁波的波速(约为3×108m/s)，且电路的尺寸是与信号的波长相匹配的，所以声学谐振器的尺寸可以大幅减小，并且具有低功耗和高集成度的优点。因此，随着电子设备小型化的发展趋势，MEMS谐振器在传感和无线通信系统领域中有着广阔的应用前景。然而，采用压电换能方式的MEMS谐振器的品质因数通常比较低，从而严重限制了其在多个领域中的实际应用，比如：低相位噪声振荡器、高灵敏度传感器和窄带滤波器。因此，为了推进压电MEMS谐振器在众多领域中的实际应用，需要研究提升其品质因数的方法。
在各种类型的压电MEMS谐振器中，硅上压电薄膜(thin-film piezoelectric-on-silicon,TPoS)结构的MEMS谐振器机电耦合系数相对较高，且可以实现单片多频输出。TPoS谐振器在应用中存在的主要问题是品质因数较低，而谐振器的品质因数基本定义为：每个机电转换周期中，存储在谐振体中的能量与耗散掉的能量的比值。因此，可以通过减小谐振器的能量损耗来提升其品质因数。目前，通过对TPoS谐振器的能量损耗机理进行研究，发现锚点损耗是谐振器各种能量损耗中所占比重较大的，通过抑制锚点损耗，可以有效的提升谐振器的品质因数。锚点损耗的产生是由于谐振器在工作时会发生机械形变，从而产生向外传播的声波，如果声波通过支撑梁传播到基底，则这部分声波所携带的能量无法通过机电转换被利用，从而形成能量损耗。现有谐振器在进行机械振动时，会有很多的声波能量在锚点处通过支撑梁耗散到支撑台上去，使得现有谐振器的锚点损耗较大，从而严重限制了现有谐振器品质因数的提高。尤其是对于差分输入输出方式的MEMS谐振器，由于输入输出方式的限制，其结构中至少需要四根支撑梁，支撑梁的增加将会大幅提升锚点损耗，因为声波泄露的途径变多了。所以，针对差分输入输出式的MEMS谐振器，必须采取有效的策略来解决由于支撑梁数量的增加而引起的锚点损耗较大，品质因数较低的问题。
发明内容
针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种差分输入输出式MEMS谐振器及其加工方法，通过降低谐振器的锚点损耗，提高器件的品质因数，解决现有技术存在的锚点损耗较大、品质因数难以提高的问题。
为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种差分输入输出式MEMS谐振器，包括：SOI支撑台、外接差分输入电极盘、外接差分输出电极盘、外接地电极盘、一维声子晶体支撑梁和谐振体；
所述谐振体通过一维声子晶体支撑梁与SOI支撑台固定连接，形成悬浮结构；
所述SOI支撑台的一端表面与外接差分输入电极盘固定连接，其另一端表面与外接差分输出电极盘固定连接；
所述谐振体分别与外接差分输入电极盘和外接差分输出电极盘电连接；
所述外接地电极盘固定在SOI支撑台上，并分别位于外接差分输入电极盘和外接差分输出电极盘的两侧。
进一步地，所述SOI支撑台从底至上包括：背衬底硅、二氧化硅绝缘中间层和顶层掺杂硅；
所述顶层掺杂硅包括：外环顶层掺杂硅和中心顶层掺杂硅；
所述中心顶层掺杂硅悬浮于外环顶层掺杂硅的中心；
所述背衬底硅、二氧化硅绝缘中间层和外环顶层掺杂硅构成一个内部为梯形空腔的长方体；
所述顶层掺杂硅的高度为10μm，所述二氧化硅绝缘中间层的高度为1μm，所述背衬底硅的高度为400μm。
上述进一步方案的有益效果为：SOI支撑台可以减小整个器件结构的寄生电容，提高结构的集成密度，且可以降低谐振器的加工工艺难度。而将SOI支撑台的顶层硅掺杂，可以将其作为谐振器的地电极，使谐振器由传统的单端口器件变为双端口器件，有利于其在电路系统中的应用。将SOI支撑台刻蚀成为空腔结构，有助于提升谐振器的品质因数。
进一步地，所述外接差分输入电极盘包括：第一外接差分输入电极盘和第二外接差分输入电极盘；
所述外接差分输出电极盘包括：第一外接差分输出电极盘和第二外接差分输出电极盘；
所述一维声子晶体支撑梁包括：第一一维声子晶体支撑梁、第二一维声子晶体支撑梁、第三一维声子晶体支撑梁和第四一维声子晶体支撑梁；
所述第一一维声子晶体支撑梁、第二一维声子晶体支撑梁、第三一维声子晶体支撑梁和第四一维声子晶体支撑梁的一端分别与外环顶层掺杂硅固定连接，其另一端分别与中心顶层掺杂硅固定连接；
所述外接地电极盘包括：第一外接地电极盘、第二外接地电极盘、第三外接地电极盘、第四外接地电极盘、第五外接地电极盘和第六外接地电极盘；
所述第一外接地电极盘、第一外接差分输入电极盘、第二外接地电极盘、第二外接差分输入电极盘和第三外接地电极盘依次排列，并固定于顶层掺杂硅一端的表面上；
所述第四外接地电极盘、第一外接差分输出电极盘、第五外接地电极盘、第二外接差分输出电极盘和第六外接地电极盘依次排列，并固定与顶层掺杂硅另一端的表面上。
上述进一步方案的有益效果为：输入输出电极盘和外接地电极盘的设置方式，一方面有利于器件测试时射频探针的连接，另一方面有利于器件封装时金丝键合球的放置。四根一维声子晶体支撑梁将能够显著抑制谐振体中的声波通过支撑梁泄漏到外围基底所产生的声能损耗，从而进一步地提升谐振器的品质因数。
进一步地，所述谐振体包括：第一差分输入金属电极、第二差分输入金属电极、第一差分输出金属电极、第二差分输出金属电极和压电薄膜；
所述第一差分输入金属电极和第二差分输入金属电极分别位于压电薄膜上，并均为“凹”字形；
所述压电薄膜位于中心顶层掺杂硅上；
所述第一差分输出金属电极嵌入第一差分输入金属电极的“凹”字形缺口内，并位于压电薄膜上；
所述第二差分输出金属电极嵌入第二差分输入金属电极的“凹”字形缺口内，并位于压电薄膜上。
上述进一步方案的有益效果为：输入输出金属电极的“凹”字形设计可以使器件表面的电荷分布更加均匀，从而能够减少因表面电荷密度不均匀而产生的杂散模态，使器件的工作状态更加稳定。
进一步地，所述压电薄膜的材质为氮化铝，其厚度为0.5μm。
上述进一步方案的有益效果为：差分输入金属电极处能够基于逆压电效应将电能量转换成声波形成谐振，能够基于正压电效应将产生的声波信号在差分输入金属电极处转换成电信号进行输出。
进一步地，所述第一外接差分输入电极盘通过第一输入金属走线与第一差分输入金属电极电连接；
所述第二外接差分输入电极盘通过第二输出金属走线与第二差分输入金属电极电连接；
所述第一外接差分输出电极盘通过第一输出金属走线与第一差分输出金属电极电连接；
所述第二外接差分输出电极盘通过第二输出金属走线与第二差分输出金属电极电连接；
所述第一外接差分输入电极盘、第二外接差分输入电极盘、第一外接差分输出电极盘、第二外接差分输出电极盘、第一输入金属走线、第二输出金属走线、第一输出金属走线和第二输出金属走线下均设置有厚度为0.2μm的二氧化硅绝缘层。
上述进一步方案的有益效果为：使用氮化铝作为压电层可以提高器件的机电耦合系数，且氮化铝易于制备，可以降低成本。通过压电效应来实现机电转换，不仅可以降低谐振器的动态阻抗，还能够增加谐振器的输出带宽。金属走线下设置的绝缘层可以避免器件因为短路而引起的失效，增强谐振器的稳定性。
进一步地，所述第一外接差分输入电极盘、第二外接差分输入电极盘、第一外接差分输出电极盘、第二外接差分输出电极盘、第一差分输入金属电极、第二差分输入金属电极、第一差分输出金属电极和第二差分输出金属电极的材料由一层1μm的铝和一层0.2μm的铬叠加构成。
上述进一步方案的有益效果为：铝和铬的掺杂可以增加金属电极的导电率，从而降低由金属电极产生的欧姆损耗，使谐振器的输出阻抗更小。
进一步地，所述第一一维声子晶体支撑梁、第二一维声子晶体支撑梁、第三一维声子晶体支撑梁和第四一维声子晶体支撑梁均由五个声子晶体单元构成，所述每个声子晶体单元由两个对称的半圆柱构成，其尺寸为30μm×32μm×10μm。
上述进一步方案的有益效果为：
(1)、每根声子晶体支撑梁具有五个声子晶体单元，不仅可以满足对声波泄露抑制的效果，还不会过多地增加器件面积。而且，声子晶体单元的厚度为10μm，是与顶层掺杂硅的厚度一致，可以很容易的通过刻蚀实现，降低了声子晶体结构的加工难度。
(/2)、每根一维声子晶体支撑梁上都具有五个声子晶体单元结构，每个声子晶体单元结构由两个对称的半圆柱构成，可以有效地反射从谐振体中耗散出来的声波能量，从而减少声波能量通过支撑梁传播到基底中去形成的锚点损耗。
(3)、每个声子晶体单元的尺寸为30μm×32μm×10μm，该尺寸下声子晶体所产生的带隙范围为90-120MHz，只要声波的频率位于带隙范围内，其传播就会被阻止。从而，利用声子晶体的带隙特性设计的一维声子晶体支撑梁，可以显著抑制锚点损耗。
一种差分输入输出式MEMS谐振器的加工方法，包括以下步骤：
S1、依次设置底层的衬底硅、中层的二氧化硅和顶层的掺杂硅，得到初步SOI支撑台；
S2、对初步SOI支撑台表面进行热氧化处理，得到厚度为0.2μm的二氧化硅绝缘层；
S3、在顶层的掺杂硅上通过溅射沉积获得氮化铝压电薄膜和金属薄膜，并进行刻蚀，得到外接差分输入电极盘、外接差分输出电极盘、谐振体、第一输入金属走线、第二输出金属走线、第一输出金属走线和第二输出金属走线；
S4、对顶层的掺杂硅进行刻蚀，获得外环顶层掺杂硅、中心顶层掺杂硅和一维声子晶体支撑梁；
S5、对外环顶层掺杂硅、中心顶层掺杂硅、一维声子晶体支撑梁、二氧化硅绝缘层、外接差分输入电极盘、外接差分输出电极盘、谐振体、第一输入金属走线、第二输出金属走线、第一输出金属走线和第二输出金属走线涂抹聚酰亚胺做保护层；
S6、刻蚀底层的衬底硅和中层的二氧化硅，形成空腔结构，使中心顶层掺杂硅成为悬浮结构，并得到SOI支撑台；
S7、释放保护层，得到差分输入输出式MEMS谐振器。
进一步地，所述顶层的掺杂硅为硅通过掺杂磷形成导电层。
综上，本发明的有益效果为：
(1)本发明提供的具有一维声子晶体支撑梁的差分输入输出式MEMS谐振器，在支撑梁上增加一维声子晶体结构，可以有效地反射耗散出来的声波能量，使SOI支撑台上的位移显著减少，甚至消失，从而可以极大地减少谐振器的锚点损耗，提高它的品质因数；
(2)避免了现有技术中为了减少传统谐振器的锚点损耗，将支撑梁的宽度设置的比较窄或者在谐振体外围增加多余的结构，使谐振器的机械可靠性显著下降，而且器件的尺寸和结构复杂度大幅增大。
附图说明
图1为本发明的MEMS谐振器的三维结构图；
图2为本发明的MEMS谐振器的沿支撑梁的xz截面图；
图3为本发明的MEMS谐振器的yz截面图；
图4为单个声子晶体单元的结构示意图。
图5为一种差分输入输出式MEMS谐振器的加工方法的流程图；
其中，1、SOI支撑台；11、顶层掺杂硅；111、外环顶层掺杂硅；112、中心顶层掺杂硅；12、二氧化硅绝缘中间层；13、背衬底硅；2、外接差分输入电极盘；21、第一外接差分输入电极盘；22、第二外接差分输入电极盘；3、外接差分输出电极盘；31、第一外接差分输出电极盘；32、第二外接差分输出电极盘；4、外接地电极盘；41、第一外接地电极盘；42、第二外接地电极盘；43、第三外接地电极盘；44、第四外接地电极盘；45、第五外接地电极盘；46、第六外接地电极盘；5、一维声子晶体支撑梁；51、第一一维声子晶体支撑梁；52、第二一维声子晶体支撑梁；53、第三一维声子晶体支撑梁；54、第四一维声子晶体支撑梁；6、谐振体；61、第一差分输入金属电极；62、第二差分输入金属电极；63、第一差分输出金属电极；64、第二差分输出金属电极；65、压电薄膜；701、第一输入金属走线；702、第二输出金属走线；801、第一输出金属走线；802、第二输出金属走线；9、二氧化硅绝缘层。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本发明，但应该清楚，本发明不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
如图1～3所示，一种差分输入输出式MEMS谐振器，包括：SOI支撑台1、外接差分输入电极盘2、外接差分输出电极盘3、外接地电极盘4、一维声子晶体支撑梁5和谐振体6；
所述谐振体6通过一维声子晶体支撑梁5与SOI支撑台1固定连接，形成悬浮结构；
所述SOI支撑台1的一端表面与外接差分输入电极盘2固定连接，其另一端表面与外接差分输出电极盘3固定连接；
所述谐振体6分别与外接差分输入电极盘2和外接差分输出电极盘3电连接；
所述外接地电极盘4固定在SOI支撑台1上，并分别位于外接差分输入电极盘2和外接差分输出电极盘3的两侧。
SOI支撑台1从底至上包括：背衬底硅13、二氧化硅绝缘中间层12和顶层掺杂硅11；
所述顶层掺杂硅11包括：外环顶层掺杂硅111和中心顶层掺杂硅112；
所述中心顶层掺杂硅112悬浮于外环顶层掺杂硅111的中心；
所述背衬底硅13、二氧化硅绝缘中间层12和外环顶层掺杂硅111构成一个内部为梯形空腔的长方体；
所述顶层掺杂硅11的高度为10μm，所述二氧化硅绝缘中间层12的高度为1μm，所述背衬底硅13的高度为400μm。
本实施例中，背衬底硅13的材质为具有良好稳定性的硅，顶层掺杂硅11的材质为<100>晶向的p型掺杂低阻硅，其厚度为10μm；p型掺杂低阻硅作为信号接地层与外接地电极盘4直接电气连接，本谐振器的长度方向对准原始晶圆的<110>晶向。
外接差分输入电极盘2包括：第一外接差分输入电极盘21和第二外接差分输入电极盘22；
所述外接差分输出电极盘3包括：第一外接差分输出电极盘31和第二外接差分输出电极盘32；
所述一维声子晶体支撑梁5包括：第一一维声子晶体支撑梁51、第二一维声子晶体支撑梁52、第三一维声子晶体支撑梁53和第四一维声子晶体支撑梁54；
所述第一一维声子晶体支撑梁51、第二一维声子晶体支撑梁52、第三一维声子晶体支撑梁53和第四一维声子晶体支撑梁54的一端分别与外环顶层掺杂硅111固定连接，其另一端分别与中心顶层掺杂硅112固定连接；
所述外接地电极盘4包括：第一外接地电极盘41、第二外接地电极盘42、第三外接地电极盘43、第四外接地电极盘44、第五外接地电极盘45和第六外接地电极盘46；
所述第一外接地电极盘41、第一外接差分输入电极盘21、第二外接地电极盘42、第二外接差分输入电极盘22和第三外接地电极盘43依次排列，并固定于顶层掺杂硅11一端的表面上；
所述第四外接地电极盘44、第一外接差分输出电极盘31、第五外接地电极盘45、第二外接差分输出电极盘32和第六外接地电极盘46依次排列，并固定与顶层掺杂硅11另一端的表面上。
所述谐振体6包括：第一差分输入金属电极61、第二差分输入金属电极62、第一差分输出金属电极63、第二差分输出金属电极64和压电薄膜65；
所述第一差分输入金属电极61和第二差分输入金属电极62分别位于压电薄膜65上，并均为“凹”字形；
所述压电薄膜65位于中心顶层掺杂硅112上；
所述第一差分输出金属电极63嵌入第一差分输入金属电极61的“凹”字形缺口内，并位于压电薄膜65上；
所述第二差分输出金属电极64嵌入第二差分输入金属电极62的“凹”字形缺口内，并位于压电薄膜65上。
所述压电薄膜65的材质为氮化铝，其厚度为0.5μm。
所述第一外接差分输入电极盘21通过第一输入金属走线701与第一差分输入金属电极61电连接；
所述第二外接差分输入电极盘22通过第二输出金属走线702与第二差分输入金属电极62电连接；
所述第一外接差分输出电极盘31通过第一输出金属走线801与第一差分输出金属电极63电连接；
所述第二外接差分输出电极盘32通过第二输出金属走线802与第二差分输出金属电极64电连接；
所述第一外接差分输入电极盘21、第二外接差分输入电极盘22、第一外接差分输出电极盘31、第二外接差分输出电极盘32、第一输入金属走线701、第二输出金属走线702、第一输出金属走线801和第二输出金属走线802下均设置有厚度为0.2μm的二氧化硅绝缘层9，避免短路。
所述第一外接差分输入电极盘21、第二外接差分输入电极盘22、第一外接差分输出电极盘31、第二外接差分输出电极盘32、第一差分输入金属电极61、第二差分输入金属电极62、第一差分输出金属电极63和第二差分输出金属电极64的材料均为铝和铬掺杂材质，其中金属铝薄膜层的厚度为1μm，金属铬薄膜层的厚度为0.02μm。
所述第一一维声子晶体支撑梁51、第二一维声子晶体支撑梁52、第三一维声子晶体支撑梁53和第四一维声子晶体支撑梁54均由五个声子晶体单元构成，所述每个声子晶体单元由两个对称的半圆柱构成，其尺寸为30μm×32μm×10μm，如图4所示。
硅上薄膜压电式体声波谐振器利用压电层材料的压电特性，将电能转化为声能，为了产生声波的谐振，需将声波绝大部分限制在由金属电极薄膜-压电薄膜-硅基底组成的压电谐振堆中，根据传输线理论，当负载为无穷大或零时，入射波将产生全反射，在本实施例中谐振体6的表面与空气交界，空气的声阻抗近似等于零，能自然形成良好的声波限制边界，谐振体6下表面因置于支撑台上形成悬空，构成了下表面声波限制边界，因此，声波在这两个界面之间发生反射，形成驻波振荡，此时的声波损耗最小，并由逆压电效应转化为电能。
硅上薄膜压电式体声波谐振器的一阶模态中心频率可由公式定义：
Figure BDA0002680843280000121
其中：f为谐振频率；W为硅基底的宽度；Eeff为谐振器等效的杨氏模量；ρeff为谐振器等效质量密度。
根据本领域公知常识，硅上薄膜压电式体声波谐振器的品质因数Q可由下式定义：
Figure BDA0002680843280000122
其中：Q为品质因数；Qi表示谐振器的各个能量损耗，其中决定品质因数最重要的因素为锚点损耗相关的Qanc∈Qi；i为谐振器能量损耗变量。
因此可以看出：消除锚点损耗可以有效提高器件的品质因素。
本实施例中所采用的一维声子晶体支撑梁，通过光刻技术，在支撑梁上制造具有特定几何形状，从而将空气与支撑梁自身的材料分别作为高低声阻抗材料以形成一维声子晶体支撑梁。一维声子晶体支撑梁不仅不会过多增加器件的尺寸，还可以有效的抑制锚点损耗，使外围基底上的位移显著减少，甚至消失，从而可以极大地提高它的品质因数。
如图5所示，一种差分输入输出式MEMS谐振器的加工方法，包括以下步骤：
S1、依次设置底层的衬底硅、中层的二氧化硅和顶层的掺杂硅，得到初步SOI支撑台；
S2、对初步SOI支撑台表面进行热氧化处理，得到厚度为0.2μm的二氧化硅绝缘层9；
S3、在顶层的掺杂硅上通过溅射沉积获得氮化铝压电薄膜和金属薄膜，并进行刻蚀，得到外接差分输入电极盘2、外接差分输出电极盘3、谐振体6、第一输入金属走线701、第二输出金属走线702、第一输出金属走线801和第二输出金属走线802；
S4、对顶层的掺杂硅进行刻蚀，获得外环顶层掺杂硅111、中心顶层掺杂硅112和一维声子晶体支撑梁5；
S5、对外环顶层掺杂硅111、中心顶层掺杂硅112、一维声子晶体支撑梁5、二氧化硅绝缘层9、外接差分输入电极盘2、外接差分输出电极盘3、谐振体6、第一输入金属走线701、第二输出金属走线702、第一输出金属走线801和第二输出金属走线802涂抹聚酰亚胺做保护层；
S6、刻蚀底层的衬底硅和中层的二氧化硅，形成空腔结构，使中心顶层掺杂硅112成为悬浮结构，并得到SOI支撑台1；
S7、释放保护层，得到差分输入输出式MEMS谐振器。
所述顶层的掺杂硅为硅通过掺杂磷形成导电层。
本发明提出一种具有一维声子晶体支撑梁的差分输入输出式MEMS谐振器及其加工方法，有效降低体声波谐振器的锚点损耗，提高器件的品质因数和可靠性，解决了现有技术存在的锚点损耗较大、品质因数难以提高的问题。

Claims (10)

1.一种差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，包括：SOI支撑台(1)、外接差分输入电极盘(2)、外接差分输出电极盘(3)、外接地电极盘(4)、一维声子晶体支撑梁(5)和谐振体(6)；
所述谐振体(6)通过一维声子晶体支撑梁(5)与SOI支撑台(1)固定连接，形成悬浮结构；所述SOI支撑台(1)的一端表面与外接差分输入电极盘(2)固定连接，其另一端表面与外接差分输出电极盘(3)固定连接；所述谐振体(6)分别与外接差分输入电极盘(2)和外接差分输出电极盘(3)电连接；所述外接地电极盘(4)固定在SOI支撑台(1)上，并分别位于外接差分输入电极盘(2)和外接差分输出电极盘(3)的两侧。
2.根据权利要求1所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述SOI支撑台(1)从底至上包括：背衬底硅(13)、二氧化硅绝缘中间层(12)和顶层掺杂硅(11)；
所述顶层掺杂硅(11)包括：外环顶层掺杂硅(111)和中心顶层掺杂硅(112)；
所述中心顶层掺杂硅(112)悬浮于外环顶层掺杂硅(111)的中心；
所述背衬底硅(13)、二氧化硅绝缘中间层(12)和外环顶层掺杂硅(111)构成一个内部为梯形空腔的长方体；
所述顶层掺杂硅(11)的高度为10μm，所述二氧化硅绝缘中间层(12)的高度为1μm，所述背衬底硅(13)的高度为400μm。
3.根据权利要求2所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述外接差分输入电极盘(2)包括：第一外接差分输入电极盘(21)和第二外接差分输入电极盘(22)；
所述外接差分输出电极盘(3)包括：第一外接差分输出电极盘(31)和第二外接差分输出电极盘(32)；
所述一维声子晶体支撑梁(5)包括：第一一维声子晶体支撑梁(51)、第二一维声子晶体支撑梁(52)、第三一维声子晶体支撑梁(53)和第四一维声子晶体支撑梁(54)；
所述第一一维声子晶体支撑梁(51)、第二一维声子晶体支撑梁(52)、第三一维声子晶体支撑梁(53)和第四一维声子晶体支撑梁(54)的一端分别与外环顶层掺杂硅(111)固定连接，其另一端分别与中心顶层掺杂硅(112)固定连接；
所述外接地电极盘(4)包括：第一外接地电极盘(41)、第二外接地电极盘(42)、第三外接地电极盘(43)、第四外接地电极盘(44)、第五外接地电极盘(45)和第六外接地电极盘(46)；
所述第一外接地电极盘(41)、第一外接差分输入电极盘(21)、第二外接地电极盘(42)、第二外接差分输入电极盘(22)和第三外接地电极盘(43)依次排列，并固定于顶层掺杂硅(11)一端的表面上；
所述第四外接地电极盘(44)、第一外接差分输出电极盘(31)、第五外接地电极盘(45)、第二外接差分输出电极盘(32)和第六外接地电极盘(46)依次排列，并固定与顶层掺杂硅(11)另一端的表面上。
4.根据权利要求3所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述谐振体(6)包括：第一差分输入金属电极(61)、第二差分输入金属电极(62)、第一差分输出金属电极(63)、第二差分输出金属电极(64)和压电薄膜(65)；
所述第一差分输入金属电极(61)和第二差分输入金属电极(62)分别位于压电薄膜(65)上，并均为“凹”字形；
所述压电薄膜(65)位于中心顶层掺杂硅(112)上；
所述第一差分输出金属电极(63)嵌入第一差分输入金属电极(61)的“凹”字形缺口内，并位于压电薄膜(65)上；
所述第二差分输出金属电极(64)嵌入第二差分输入金属电极(62)的“凹”字形缺口内，并位于压电薄膜(65)上。
5.根据权利要求4所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述压电薄膜(65)的材质为氮化铝，其厚度为0.5μm。
6.根据权利要求4所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述第一外接差分输入电极盘(21)通过第一输入金属走线(701)与第一差分输入金属电极(61)电连接；
所述第二外接差分输入电极盘(22)通过第二输出金属走线(702)与第二差分输入金属电极(62)电连接；
所述第一外接差分输出电极盘(31)通过第一输出金属走线(801)与第一差分输出金属电极(63)电连接；
所述第二外接差分输出电极盘(32)通过第二输出金属走线(802)与第二差分输出金属电极(64)电连接；
所述第一外接差分输入电极盘(21)、第二外接差分输入电极盘(22)、第一外接差分输出电极盘(31)、第二外接差分输出电极盘(32)、第一输入金属走线(701)、第二输出金属走线(702)、第一输出金属走线(801)和第二输出金属走线(802)下均设置有厚度为0.2μm的二氧化硅绝缘层(9)。
7.根据权利要求5所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述第一外接差分输入电极盘(21)、第二外接差分输入电极盘(22)、第一外接差分输出电极盘(31)、第二外接差分输出电极盘(32)、第一差分输入金属电极(61)、第二差分输入金属电极(62)、第一差分输出金属电极(63)和第二差分输出金属电极(64)的材料由一层1μm的铝和一层0.2μm的铬叠加构成。
8.根据权利要求3所述的差分输入输出式MEMS谐振器，其特征在于，所述第一一维声子晶体支撑梁(51)、第二一维声子晶体支撑梁(52)、第三一维声子晶体支撑梁(53)和第四一维声子晶体支撑梁(54)均由五个声子晶体单元构成，所述每个声子晶体单元由两个对称的半圆柱构成，其尺寸为30μm×32μm×10μm。
9.一种差分输入输出式MEMS谐振器的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、依次设置底层的衬底硅、中层的二氧化硅和顶层的掺杂硅，得到初步SOI支撑台；
S2、对初步SOI支撑台表面进行热氧化处理，得到厚度为0.2μm的二氧化硅绝缘层(9)；
S3、在顶层的掺杂硅上通过溅射沉积获得氮化铝压电薄膜和金属薄膜，并进行刻蚀，得到外接差分输入电极盘(2)、外接差分输出电极盘(3)、谐振体(6)、第一输入金属走线(701)、第二输出金属走线(702)、第一输出金属走线(801)和第二输出金属走线(802)；
S4、对顶层的掺杂硅进行刻蚀，获得外环顶层掺杂硅(111)、中心顶层掺杂硅(112)和一维声子晶体支撑梁(5)；
S5、对外环顶层掺杂硅(111)、中心顶层掺杂硅(112)、一维声子晶体支撑梁(5)、二氧化硅绝缘层(9)、外接差分输入电极盘(2)、外接差分输出电极盘(3)、谐振体(6)、第一输入金属走线(701)、第二输出金属走线(702)、第一输出金属走线(801)和第二输出金属走线(802)涂抹聚酰亚胺做保护层；
S6、刻蚀底层的衬底硅和中层的二氧化硅，形成空腔结构，使中心顶层掺杂硅(112)成为悬浮结构，并得到SOI支撑台(1)；
S7、释放保护层，得到差分输入输出式MEMS谐振器。
10.根据权利要求9所述的差分输入输出式MEMS谐振器的加工方法，其特征在于，所述顶层的掺杂硅为硅通过掺杂磷形成导电层。
CN202010961841.4A 2020-09-14 2020-09-14 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法 Active CN112073024B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010961841.4A CN112073024B (zh) 2020-09-14 2020-09-14 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010961841.4A CN112073024B (zh) 2020-09-14 2020-09-14 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112073024A true CN112073024A (zh) 2020-12-11
CN112073024B CN112073024B (zh) 2023-10-20

Family

ID=73695571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010961841.4A Active CN112073024B (zh) 2020-09-14 2020-09-14 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112073024B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113098418A (zh) * 2021-04-06 2021-07-09 电子科技大学 一种面向无线传感的微型圆盘谐振器及其加工方法
CN113437947A (zh) * 2021-07-06 2021-09-24 电子科技大学 一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器
CN113507276A (zh) * 2021-06-22 2021-10-15 电子科技大学 类细胞拓扑结构的声子晶格板微机电谐振器及加工方法
CN115200635A (zh) * 2022-05-27 2022-10-18 电子科技大学 一种多功能集成化的mems传感器系统

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110128094A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Industrial Technology Research Institute Resonator and Periodic Structure
US20130214878A1 (en) * 2010-10-15 2013-08-22 Marie GORISSE Acoustic Wave Bandpass Filter Comprising Integrated Acoustic Guiding
US20130214879A1 (en) * 2010-10-15 2013-08-22 Marie GORISSE Laterally coupled baw filter employing phononic crystals
US8624471B1 (en) * 2010-07-30 2014-01-07 Georgia Tech Research Corporation Piezoelectric-on-semiconductor micromechanical resonators with linear acoustic bandgap tethers
WO2014168894A2 (en) * 2013-04-07 2014-10-16 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Nanophononic metamaterials
CN104821800A (zh) * 2015-04-28 2015-08-05 电子科技大学 一种利用双谐振单元抵消馈通量的mems压电谐振器
CN105375901A (zh) * 2015-12-03 2016-03-02 电子科技大学 一种抑制杂散模态及馈通的mems压电谐振器
US9634227B1 (en) * 2013-03-06 2017-04-25 Analog Devices, Inc. Suppression of spurious modes of vibration for resonators and related apparatus and methods
US20190181830A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 Ii-Vi Incorporated Acoustic Resonator
US20190267965A1 (en) * 2018-01-16 2019-08-29 Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Micromechanical vibrasolator
CN110277082A (zh) * 2019-05-20 2019-09-24 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 一种声子晶体及薄膜压电声波传感器
CN110311642A (zh) * 2019-07-10 2019-10-08 电子科技大学 一种集成声子晶体矩阵的微机电谐振器及其加工方法
CN110417371A (zh) * 2019-06-25 2019-11-05 武汉大学 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器
CN110460319A (zh) * 2019-08-20 2019-11-15 电子科技大学 一种集成鱼鳞形反射镜阵列的体声波谐振器及其加工方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110128094A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Industrial Technology Research Institute Resonator and Periodic Structure
US8624471B1 (en) * 2010-07-30 2014-01-07 Georgia Tech Research Corporation Piezoelectric-on-semiconductor micromechanical resonators with linear acoustic bandgap tethers
US20130214878A1 (en) * 2010-10-15 2013-08-22 Marie GORISSE Acoustic Wave Bandpass Filter Comprising Integrated Acoustic Guiding
US20130214879A1 (en) * 2010-10-15 2013-08-22 Marie GORISSE Laterally coupled baw filter employing phononic crystals
US9634227B1 (en) * 2013-03-06 2017-04-25 Analog Devices, Inc. Suppression of spurious modes of vibration for resonators and related apparatus and methods
WO2014168894A2 (en) * 2013-04-07 2014-10-16 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Nanophononic metamaterials
CN104821800A (zh) * 2015-04-28 2015-08-05 电子科技大学 一种利用双谐振单元抵消馈通量的mems压电谐振器
CN105375901A (zh) * 2015-12-03 2016-03-02 电子科技大学 一种抑制杂散模态及馈通的mems压电谐振器
US20190181830A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 Ii-Vi Incorporated Acoustic Resonator
CN109921759A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 Ii-Vi有限公司 声谐振器
US20190267965A1 (en) * 2018-01-16 2019-08-29 Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Micromechanical vibrasolator
CN110277082A (zh) * 2019-05-20 2019-09-24 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 一种声子晶体及薄膜压电声波传感器
CN110417371A (zh) * 2019-06-25 2019-11-05 武汉大学 基于声子晶体的薄膜体声波谐振器
CN110311642A (zh) * 2019-07-10 2019-10-08 电子科技大学 一种集成声子晶体矩阵的微机电谐振器及其加工方法
CN110460319A (zh) * 2019-08-20 2019-11-15 电子科技大学 一种集成鱼鳞形反射镜阵列的体声波谐振器及其加工方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIN ZHOU等: "Fish Scale-shaped Acoustic Reflector Array for Quality Factor Enhancement of AlN-on-Silicon MEMS Resonator", 《2019 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM (IUS)》, pages 1720 - 1723 *
XIN ZHOU等: "Triple-order Optimization for Performance Enhancement of Piezoelectric MEMS Resonator", 《2019 JOINT CONFERENCE OF THE IEEE INTERNATIONAL FREQUENCY CONTROL SYMPOSIUM AND EUROPEAN FREQUENCY AND TIME FORUM》, pages 1 - 4 *
吴骅业: "高频压电MEMS谐振器研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, no. 08, pages 135 - 186 *
周鑫: "高品质因数压电微机械谐振器的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, no. 07, pages 1 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113098418A (zh) * 2021-04-06 2021-07-09 电子科技大学 一种面向无线传感的微型圆盘谐振器及其加工方法
CN113507276A (zh) * 2021-06-22 2021-10-15 电子科技大学 类细胞拓扑结构的声子晶格板微机电谐振器及加工方法
CN113437947A (zh) * 2021-07-06 2021-09-24 电子科技大学 一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器
CN115200635A (zh) * 2022-05-27 2022-10-18 电子科技大学 一种多功能集成化的mems传感器系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN112073024B (zh) 2023-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112073024B (zh) 一种差分输入输出式mems谐振器及其加工方法
CN110311642B (zh) 一种集成声子晶体矩阵的微机电谐振器及其加工方法
KR100863876B1 (ko) 전기 공명기, 이를 포함하는 구조체 및 전기 필터
US5821833A (en) Stacked crystal filter device and method of making
JP4908156B2 (ja) 薄膜圧電振動子及び薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ
CN106921363B (zh) 一种薄膜体声波谐振器
CN110460319B (zh) 一种集成鱼鳞形反射镜阵列的体声波谐振器及其加工方法
CN107462192B (zh) 一种基于soi和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法
CN113839644B (zh) 一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件
CN107525610B (zh) 基于厚度方向激励剪切波模式的fbar微压力传感器
CN112871612A (zh) 具有多压电层的压电微机械超声换能器
JP4884134B2 (ja) 音響波共振子およびフィルタならびに通信装置
CN106982042B (zh) 一种支撑结构的mems压电谐振器
JP2011239399A (ja) 音響トランスデューサを含む合成器
CN112729595A (zh) 延迟线型声表面波传感器及其制作方法
Kuo et al. Towards ultrasonic through-silicon vias (UTSV)
CN113659953B (zh) 一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件
CN113507276B (zh) 类细胞拓扑结构的声子晶格板计算方法及微机电谐振器
CN114535038A (zh) 换能器单元、阵列、制备方法及能量设备
CN112751544A (zh) 具有锚点辅助结构的微机械谐振器及其制备方法
CN111010125B (zh) 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN115296640A (zh) 一种微机电声波谐振器
CN116436435A (zh) 一种基于类蜂窝声子晶体结构的压电薄膜微机电谐振器
CN118353405A (zh) 一种蜘蛛网状的声学谐振器
CN113049128B (zh) 压电薄膜式温度传感器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant