CN112071973A - 一种表面修饰化的发光芯片及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 14
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 claims description 5
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 5
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 5
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
本发明提供一种表面修饰化的发光芯片，该表面修饰化的发光芯片包含发光芯片和扩散胶层；该扩散胶层覆盖在上述的发光芯片的正面顶部借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。该表面修饰化的发光芯片的制备方法包括粉体附着程序。本发明至少具有的优点效果：使用扩散胶层覆盖光源的正面顶部以达到自我雾化的效果；直接降低发光面产生亮点的视觉缺陷，和维持五面发光使其具有均匀的发光度或面照度。
Description
技术领域
本发明是关于一种表面修饰化的发光芯片及其制备方法。特别地，上述的表面修饰化的发光芯片是正面顶部具有扩散胶层修饰的发光芯片。
背景技术
电视面板背光装置和平面照明装置所使用的发光芯片(LED)是单向顶部出光(发光角度120度)，会产生亮点，因此需使用透镜让光学角度放大、减少顶部亮点，同时加上扩散面板加强透镜的雾化作用，达到均匀出光和面照度一致的效果。
由于扩散片、透镜和发光芯片必须维持适当的距离，透镜和扩散片才能有效的发挥雾化作用使其出光均匀，且透镜本身就有一定的厚度，因此包含发光芯片、透镜和扩散片的面板背光装置或照明装置的厚度通常大于3厘米以上，无法应用在先进薄型设计的面板电子产品或照明装置。
综上所述，在现今面板和照明产业，对于开发能应用在薄型化设计的面板电子产品或照明装置的发光芯片实为一亟待解决和研发的重要课题。
发明内容
鉴于上述的发明背景，为了符合产业上的要求，本发明提供一种表面修饰化的发光芯片及其制备方法以解决克服先前技术所遭遇的技术瓶颈，以达成产业所需的目的。
本发明的第一目的在于提供一种表面修饰化的发光芯片，其包含发光芯片和扩散胶层；和该扩散胶层覆盖在该发光芯片的正面顶部，借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。
具体地，该发光芯片的制作实施态样包含晶片级封装(Chip Scale Package)、融发光胶、点胶或发光膜体的贴合。
特别地，上述的表面修饰化的发光芯片的发光面是五面。其正面顶部出光量可以借由具有不同透光度的扩散胶层调整，再加上四面出光来均匀上述的表面修饰化的发光芯片的整个出光。因此，本发明所提供的表面修饰化的发光芯片具有良好的发光均匀度，没有发光不均匀的问题。
具体地，上述的扩散胶层具有10～90％的透光度；较佳地，上述的扩散胶层具有20～50％的透光度。
本发明的另一目的在于提供一种表面修饰化的发光芯片的制备方法，其包含：提供发光芯片；和进行固定程序使扩散胶层固定在上述的发光芯片的正面顶部，借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。
具体地，该发光芯片的制作实施态样包含晶片级封装、融发光胶、点胶或发光膜体的贴合。
具体地，所述的固定程序包含粉体附着程序、紫外线照射程序、加热程序、热熔压程序或其组合。
根据本发明所提供的表面修饰化的发光芯片及其制备方法。本发明的表面修饰化的发光芯片是五面出光，仅正面顶部覆盖可调控透光度的扩散胶层，并且利用其余四面的出光均匀整个表面修饰化的发光芯片的出光。据此，本发明的表面修饰化的发光芯片的优点和无法预期的功效包括：(1)使用扩散胶层覆盖光源的正面顶部以达到自我雾化的效果；(2)直接降低发光面产生亮点的视觉缺陷，和(3)维持五面发光使其具有均匀的发光度或面照度。
附图说明
图1是本发明的晶片级封装制造过程的表面修饰化的发光芯片的横切面示意图。
【主要元件符号说明】
1：晶片级封装的表面修饰化的发光芯片
11：芯片
12：发光粉层
13：扩散胶层
具体实施方式
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的一较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。为了能彻底地了解本发明，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成。显然地，本发明的施行并未限定于该领域的技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的组成或步骤并未描述于细节中，以避免造成本发明不必要的限制。本发明的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本发明还可以广泛地施行在其他的实施例中，且本发明的范围不受限定，其以专利范围为准。
根据本发明的第一实施例，本发明提供一种表面修饰化的发光芯片，其包含发光芯片和扩散胶层；和该扩散胶层覆盖在该发光芯片的正面顶部，借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。
于一实施例，该发光芯片的制作实施态样包含晶片级封装、融发光胶、点胶、发光膜体的贴合或其组合。
以下是晶片级封装制作的表面修饰化的发光芯片的实施例。
于一实施例，该晶片级封装是包覆发光粉层在芯片的表面。
于一实施例，该发光粉层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂或其组合
于一实施例，该发光粉层是由发光粉体或发光膜体所形成。
于一具体实施例，该发光粉体包含荧光粉、磷光粉或任一可导光的粉体。
于一具体实施例，该发光膜体包含高分子胶水、陶瓷粉、石墨烯粉、玻璃粉、环氧树脂、硅胶、腊或石蜡烃。
于一实施例，该扩散胶层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂、使其雾化的物质或其组合。具体地，该扩散胶层包含胶水和使其雾化的材质。所述的使其雾化的材质的功能是使扩散胶层产生雾化作用。
于一实施例，该扩散胶层具有10～90％的透光率；较佳地，该扩散胶层具有20～50％的透光率。
于一具体范例，本发明所述的表面修饰化的发光芯片1是晶片级封装，其横切面如图1所示。其中芯片11的表面被发光粉层12所包覆，然后在其正面顶部再覆盖扩散胶层13，借此构成本发明所述的表面修饰化的发光芯片1。
于另一具体范例，发光粉层12是由发光粉体或发光膜体所形成。其中该发光粉体包含荧光粉、磷光粉或任一可导光的粉体；该发光膜体包含高分子胶水、陶瓷粉、石墨烯粉、玻璃粉、环氧树脂、硅胶、腊或石蜡烃。
上述的扩散胶层13具有10～90％的透光率；较佳地，其具有20～50％的透光率。
综上所述，本发明所述的表面修饰化的发光芯片的发光面是五面。其正面顶部出光亮度可以借由具有不同透光度的扩散胶层调整，减少亮点产生，再加上四面出光来均匀上述的表面修饰化的发光芯片的整个出光。因此，本发明所提供的表面修饰化的发光芯片具有良好的发光均匀度，没有发光不均匀的问题。
本发明的第二实施例在于提供一种表面修饰化的发光芯片的制备方法，其包含：提供发光芯片；和进行固定程序使扩散胶层固定在上述的发光芯片的正面顶部，借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。
于一实施例，上述的发光芯片的制作实施态样包含晶片级封装、融发光胶、点胶、发光膜体的贴合或其组合。
以下是晶片级封装制造过程的表面修饰化的发光芯片的实施例。
于一实施例，该晶片级封装制造过程的步骤包含提供发光粉体或发光膜体；进行固定程序使该发光粉体或发光膜体包覆在芯片的表面形成发光粉层，借此构成发光芯片，和在该发光芯片的正面顶部覆盖扩散胶层，借此完成所述的晶片级封装制造过程的表面修饰化的发光芯片。
具体地，所述的固定程序包含涂布程序、紫外线照射程序、加热程序、热熔压程序或其组合。
于一实施例，该发光粉体包含荧光粉、磷光粉或任一可导光的粉体。
于一实施例，该发光膜体包含高分子胶水、陶瓷粉、石墨烯粉、玻璃粉、环氧树脂、硅胶、腊或石蜡烃。
于一实施例，该发光粉层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂或其组合。
于一实施例，该扩散胶层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂、使其雾化的物质或其组合。具体地，该扩散胶层包含胶水和使其雾化的材质。所述的使其雾化的材质的功能是使扩散胶层产生雾化作用。
于一实施例，该扩散胶层具有10～90％的透光率。较佳地，该扩散胶层具有20～50％的透光率。
于一具体范例，本发明所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法是晶片级封装制造过程的表面修饰化的发光芯片1，其步骤包括：提供芯片11；借由固定程序将发光粉体或发光膜体在芯片11的表面上形成发光粉层12，借此构成发光芯片；和进行固定程序使扩散胶层13固定在上述的发光芯片的正面顶部，借此构成所述的晶片级封装制造过程的表面修饰化的发光芯片1。
上述的固定程序包括紫外线照射程序、加热程序、热熔压程序或其组合。较佳地，该加热程序的操作温度范围是20～200℃。
于另一具体范例，上述的发光膜体的制造步骤包含使用发光粉，如荧光粉或磷光粉和胶水，如硅胶或环氧树脂混合后，使其半固化成膜形。
上述的固定程序还包括表面粉体附着程序、紫外线照射、加热或热熔压等步骤。
根据本发明第二实施例所制成的表面修饰化的发光芯片的上层是扩散胶层，介于中间的是发光粉层，其发光面是五面。
综上所述，根据本发明所提供的表面修饰化的发光芯片及其制备方法。本发明的表面修饰化的发光芯片是五面出光，仅正面顶部覆盖可调控透光度的扩散胶层，并且利用其余四面的出光均匀整个表面修饰化的发光芯片的出光。据此，本发明的表面修饰化的发光芯片的优点和无法预期的功效包括：(1)使用扩散胶层覆盖光源的正面顶部以达到自我雾化的效果；(2)直接降低发光面产生亮点的视觉缺陷，和(3)维持五面发光使其具有均匀的发光度或面照度，因此能克服既有技术的瓶颈而广泛的应用在薄型化和轻型化的面板背光装置或平面照明产业。
以上虽以特定范例说明本发明，但并不因此限定本发明的范围，只要不脱离本发明的要旨，熟悉本技艺者了解在不脱离本发明的意图及范围下可进行各种变形或变更。此外，摘要部分和标题仅是用来辅助专利文件搜寻之用，并非用来限制本发明的权利范围。
Claims (21)
1.一种表面修饰化的发光芯片，其特征在于：其包含发光芯片和扩散胶层；和该扩散胶层覆盖在该发光芯片的正面顶部，借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。
2.根据权利要求1所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：其发光面是五面。
3.根据权利要求1所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该发光芯片的制作实施态样包含晶片级封装、融发光胶、点胶或发光膜体的贴合。
4.根据权利要求3所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该晶片级封装是包覆发光粉层在芯片的表面。
5.根据权利要求4所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该发光粉层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂或其组合。
6.根据权利要求4所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该发光粉层是由发光粉体或发光膜体所形成。
7.根据权利要求6所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该发光膜体包含高分子胶水、陶瓷粉、石墨烯粉、玻璃粉、环氧树脂、硅胶、腊或石蜡烃。
8.根据权利要求1所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该扩散胶层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂、使其雾化的材质或其组合。
9.根据权利要求1所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该扩散胶层具有10～90％的透光率。
10.根据权利要求5所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该扩散胶层具有20～50％的透光率。
11.一种表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于，其包含：提供发光芯片；和进行固定程序使扩散胶层固定在上述的发光芯片的正面顶部，借此构成所述的表面修饰化的发光芯片。
12.根据权利要求11所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该发光芯片的制作实施态样包含晶片级封装、融发光胶、点胶或发光膜体的贴合。
13.根据权利要求12所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该晶片级封装是包覆发光粉层在芯片的表面。
14.根据权利要求13所述的表面修饰化的发光芯片，其特征在于：该发光粉层是由发光粉体或发光膜体所形成。
15.根据权利要求13所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：该发光粉层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂或其组合。
16.根据权利要求14所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：该发光粉体包含荧光粉、磷光粉或任一可导光的粉体。
17.根据权利要求14所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：该发光膜体包含高分子胶水、陶瓷粉、石墨烯粉、玻璃粉、环氧树脂、硅胶、腊或石蜡烃。
18.根据权利要求11所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：所述的固定程序包含粉体附着程序、紫外线照射程序、加热程序、热熔压程序或其组合。
19.根据权利要求11所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：该扩散胶层包含高分子胶水、硅胶、环氧树脂、使其雾化的材质或其组合。
20.根据权利要求11所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：该扩散胶层具有10～90％的透光率。
21.根据权利要求11所述的表面修饰化的发光芯片的制备方法，其特征在于：该扩散胶层具有20～50％的透光率。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910502285.1A CN112071973A (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 一种表面修饰化的发光芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910502285.1A CN112071973A (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 一种表面修饰化的发光芯片及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112071973A true CN112071973A (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=73658430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910502285.1A Pending CN112071973A (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 一种表面修饰化的发光芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112071973A (zh) |
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