CN112071734A - 一种绝缘材料窗及其制造方法以及电感耦合等离子体处理装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件，包括：绝缘材料窗、电感耦合线圈和加热器层，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面，所述加热器层设置在所述电感耦合线圈上方，其中，所述电感耦合线圈与所述加热器层之间包括一绝缘层。该绝缘材料窗部件使得电感耦合线圈的射频耦合不会受到加热器层的影响，使得等离子分布保持均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及等离子处理装置，特别涉及一种等离子体处理装置的绝缘窗。
背景技术
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(Plasma Technology)得到了极为广泛的应用。等离子体技术通过在等离子体处理装置的反应腔室内通入反应气体并引入电子流，利用射频电场使电子加速，与反应气体发生碰撞使反应气体发生电离而等离子体，产生的等离子体可被用于各种半导体制造工艺，例如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。
等离子体处理设备包括常见的电容耦合型和电感耦合型等离子体处理装置。在需要较高等离子浓度的应用场合，电感耦合型等离子处理装置是主流。通常地，传统的电感耦合等离子反应腔包括一个腔体，腔体内下部设置有基座，基座上可以放置待处理的基片。反应腔顶部为绝缘材料窗，通常绝缘材料窗是由石英等陶瓷材料制成。绝缘材料窗上方设置有连接到射频电源的射频线圈，这些线圈作为天线产生射频电磁场，电磁场能够穿过绝缘材料窗进入反应腔内电离反应气体以形成高浓度等离子体。通常地，在射频线圈和绝缘材料窗之间还设置有加热器。在基片处理的过程中，绝缘材料窗的温度从室温逐渐升高到大约为120度的处理温度并维持在该处理温度。由于绝缘材料窗的温度变化，使得基片的处理效果前后不均一。为了弥补这种不均一性，需要加热器在基片处理的初始阶段就将绝缘材料窗加热到并保持在处理温度。
发明内容
一方面，本发明提供一种用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件，包括：绝缘材料窗；电感耦合线圈，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面；加热器层，所述加热器层设置在所述电感耦合线圈上方，其中，所述电感耦合线圈与所述加热器层之间包括一绝缘层。
可选地，所述电感耦合线圈通过涂敷方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，所述涂敷方式包括等离子溅射涂敷。
可选地，所述电感耦合线圈通过沉积方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，所述沉积方式包括物理气相沉积或化学气相沉积。
可选地，所述电感耦合线圈通过印刷方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，所述印刷方式包括丝网印刷或3D印刷。
可选地，所述绝缘层覆盖所述电感耦合线圈和电感耦合线圈之间的间隙。
可选地，所述绝缘层与所述电感耦合线圈之间存在间隙。
可选地，所述绝缘层的厚度大于0.5mm。
可选地，所述绝缘层为氧化铝或氮化铝。
可选地，所述电感耦合线圈为铜或钨。
可选地，所述电感耦合线圈是平面结构。
可选地，所述电感耦合线圈是包括多层线圈的立体结构。
可选地，所述电感耦合线圈包括三层结构，其中，底部线圈位于底部层，中间层是介质层，第一线圈和第二线圈位于顶部层；第一线圈的第一端连接到射频电源，第一线圈的第二端通过第一连接部连接到底部线圈的第一端，底部线圈的第二端通过第二连接部连接到第二线圈的第一端，第二线圈的第二端连接到接地端，第一连接部和第二连接部分别穿过介质层；第一线圈和第二线圈之间在径向上存在间隙，并且第一线圈和第二线圈在底部层上的投影处于底部线圈内。
可选地，所述加热器层是单层的加热丝，所述加热丝包括第一加热丝和第二加热丝，所述第一加热丝和所述第二加热丝平行地布置在绝缘材料窗的径向和周向上，并且通过第一加热丝中的电流的方向与通过第二加热丝中的电流的方向相反。
可选地，所述加热器层包括两个绝缘子层以及设置在两个绝缘子层之间的加热丝。
可选地，所述电感耦合线圈通过涂敷、沉积或印刷方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，且所述绝缘材料窗、所述电感耦合线圈、所述绝缘层和所述加热器层形成一片式结构。
另一方面，本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置，包括：气密的反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁和位于顶部的上述绝缘材料窗部件，以及基座，位于所述反应腔内，且用于支撑待处理的基片。
又一方面，本发明提供一种制造用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件的方法，包括：提供绝缘材料窗；提供电感耦合线圈，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面；在所述电感耦合线圈上方设置加热器层，以及在所述电感耦合线圈与所述加热器层之间设置一绝缘层。
可选地，通过涂敷、沉积或印刷方式直接形成所述电感耦合线圈。
附图说明
图1是现有技术的一种电感耦合等离子体处理装置的结构示意图。
图2A和图2B分别示出了其上具有直接形成的电感耦合线圈的绝缘材料窗的俯视图和沿AA’的截面图。
图3A和图3B分别示出了根据本发明的一个实施例的绝缘材料窗部件的俯视图和沿BB’的截面图。
图4-图6示出了根据本发明的其他实施例的绝缘材料窗部件的截面图。
图7-图10示出了本发明的电感耦合线圈的其他实施例。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
图1示出现有技术的一种电感耦合等离子体处理装置的结构示意图，在图1所述的示意图中，电感耦合等离子体反应装置包括真空处理腔100，真空处理腔包括由金属材料制成的大致为圆柱形的处理腔侧壁105，处理腔侧壁105上方设置绝缘材料窗130，绝缘材料窗130上方设置有加热器层170，在该加热器层上方设置电感耦合线圈组件140，电感耦合线圈组件140连接源功率源145。处理腔侧壁105靠近绝缘材料窗130的一端设置气体喷入口150，气体喷入口150连接气体供应装置10。在真空处理腔100的下游位置设置一基座110，基座110上放置静电卡盘115用于对基片120进行支撑和固定。真空处理腔100的下方还设置一排气泵125，用于将反应副产物排出真空处理腔内。
在处理工艺开始前，将基片120传送到基座上方的静电卡盘115上固定，气体供应装置10中的反应气体经过气体喷入口150进入真空处理腔，然后对电感耦合线圈组件140施加源功率源145。在传统技术中，电感耦合线圈为多圈的线圈结构，源功率源145输出的高频交变电流流经耦合线圈后会产生穿过绝缘材料窗130的变化磁场，该变化磁场又会在真空处理腔100内产生变化的电场，从而使得腔内的反应气体被电离产生等离子体160。等离子体160中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片的表面发生多种物理和化学反应，使得基片表面的形貌发生改变，即完成刻蚀过程。在等离子体刻蚀工艺中，源功率源145施加到电感耦合线圈组件140上，主要用于控制等离子体解离或等离子体密度，射频偏置功率源146通过匹配网络200将偏置功率施加到基座110上，偏置功率源的作用在于控制离子能量及其能量分布。
在绝缘材料窗130上方设置的加热器层170用于加热绝缘材料窗，其作用已经在背景技术中说明。然而，由于加热器层170设置在绝缘材料窗130和电感耦合线圈组件140之间，其会影响电感耦合线圈组件140到处理腔100的射频耦合。具体而言，加热器层170中的加热丝具有一定的空间结构和几何形状，在有加热丝的下方和没有加热丝的下方所产生的磁场并不相等，因此，电感耦合线圈组件140在处理腔内所生产的电磁场并不均一，从而影响等离子分布的均匀性。加热器层170通电后自身也会产生磁场，该磁场也会进入处理腔中而对等离子体造成影响。并且，加热器层具有一定的厚度，这会影响电感耦合线圈组件140所产生的磁场的强度。此外，电感耦合线圈组件140安装后的平行度会对绝缘材料窗130下面形成的等离子体分布的均匀性有一定的影响。再者，电感耦合线圈组件140会占据一部的空间结构，需要注意电感耦合线圈组件140与其他零件的绝缘距离，该距离一般在15mm-20mm，这增加了设计的不确定性。
基于上述原因，发明人想到在绝缘材料窗上表面直接形成电感耦合线圈结构，并且在电耦合线圈结构之上设置加热器层的方式以解决上述问题。由于电感耦合线圈直接形成并紧贴在绝缘材料窗的上表面，其对处理腔内的射频耦合不会受到加热器层的影响。由于在电感耦合线圈的下方没有加热器层，所以进入处理腔的电感耦合线圈所产生的磁场强度更大，这能产生更大的等离子浓度。此外，加热器层设置在电感耦合线圈上方后，加热器产生的磁场对电感耦合线圈产生的进入处理腔的磁场影响较小，这使得电感耦合线圈能更好地控制处理腔内的磁场强度，从而控制等离子体浓度和分布。在绝缘材料窗的上表面形成电感耦合线圈结构还能很好地保持线圈与绝缘材料窗的平行度。
在绝缘材料窗上表面直接形成电感耦合线圈的方式是多样的，包括但不限于涂敷、印刷或沉积等方式。涂敷方式包括等离子溅射涂敷等。印刷方式包括丝网印刷、3D印刷等。沉积方式包括物理气相沉积或化学气相沉积等。
图2A和图2B分别示出了其上具有直接形成的电感耦合线圈的绝缘材料窗的俯视图和沿AA’线的截面图。在该实施例中，电感耦合线圈220通过等离子溅射涂敷直接形成在绝缘材料窗210的上表面。显然地，电感耦合线圈220也可以通过其他方式直接形成在绝缘材料窗210的上表面。该方式例如是沉积方式或印刷方式。或者，该电感耦合线圈220是金属薄层，其底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面。在本实施例中，电感耦合线圈220是螺线圈的形式，并且电感耦合线圈220由铜或钨制成。线圈的两端分别连接到射频源功率源和接地端。如图2A和图2B所示，线圈电感耦合线圈220覆盖绝缘材料窗210上表面的部分面积。在其他实施例中，为了产生更高浓度的等离子体，线圈电感耦合线圈220可覆盖绝缘材料窗210上表面的所有面积。
图3A和图3B示出了根据本发明的一个实施例的绝缘材料窗部件的俯视图和沿BB’线的截面图。在该实施例中，绝缘材料窗部件包括绝缘材料窗310、电感耦合线圈320和加热器层330。绝缘材料窗310和电感耦合线圈320的结构在图2A和图2B的说明中已详述。加热器层330设置在电感耦合线圈320的上方。在该实施例中，加热器层330是单层的电阻丝层，如图3A所示，在任一径向方向以及周向方向上，分别有两条平行相邻的加热丝，电流在这两条相邻的加热丝上的流经方向相反，从而抵消在平行于绝缘材料窗方向上彼此产生的磁场，以减小对电感耦合线圈320在处理腔中所产生的磁场的影响。注意到，加热器层的结构和加热丝的布置可以有其他的形式，并不限于图3A中所示的实施例。在该实施例中，在加热器层330和电感耦合线圈320之间还设置有绝缘层3201，并且该绝缘层3201可通过沉积的方式覆盖电感耦合线圈320和电感耦合线圈320之间的间隙。如图所示，绝缘层3201与电感耦合线圈320的上表面和侧面接触，电感耦合线圈320被包裹在绝缘层3201中。示例地，该绝缘层3201由氧化铝或氮化铝制成。绝缘层3201的厚度大于0.5mm。特别地，线圈320上表面到加热器层330的距离大于0.5mm。绝缘层3201能起到固定电感耦合线圈320的位置的作用。
图4示出了根据本发明的另一个实施例的绝缘材料窗部件的截面图。在该实施例中，在绝缘材料窗410的上表面形成电感耦合线圈420，加热器层430设置在电感耦合线圈420上。在该实施例中，加热器层430包括三层结构，其中，中间为加热丝4302，上下分别为两个绝缘子层4301、4303用于夹持住中间的加热丝4302。优选地，下绝缘子层4303的厚度大于0.5mm。
图5示出了根据本发明的另一个实施例的绝缘材料窗部件的截面图。在该实施例中，在绝缘材料窗510的上表面形成电感耦合线圈520，加热器层530设置在电感耦合线圈520的上方，该加热器层530与图4中的加热器层430类似。在加热器层530和绝缘材料窗510之间还设置有绝缘层5201，该绝缘层5201通过沉积的方式覆盖电感耦合线圈520和电感耦合线圈520之间的间隙。如图所示，绝缘层5201与电感耦合线圈520的上表面和侧面接触，电感耦合线圈520被包裹在绝缘层5201中。示例地，该绝缘层5201由氧化铝或氮化铝制成。绝缘层5201的厚度大于0.5mm。
图6示出了根据本发明的另一个实施例的绝缘材料窗部件的截面图。在该实施例中，在绝缘材料窗610的上表面形成电感耦合线圈620，加热器层630设置在电感耦合线圈620的上方，该加热器层630与图4中的加热器层430类似。在加热器层630和绝缘材料窗610之间还设置有绝缘层6201，该绝缘层6201并非完全覆盖电感耦合线圈620和电感耦合线圈620之间的间隙。而是，在绝缘层6201的中间形成一空腔6202，电感耦合线圈620布置在该空腔6202中。最外圈的电感耦合线圈620与该空腔6202的侧壁6203之间存在间隙。在另一个实施例中，绝缘层6201覆盖电感耦合线圈620和电感耦合线圈620之间的间隙，但与电感耦合线圈620之间存在间隙。当线圈通电时，会因热膨胀而产生形变或翘曲。在电感耦合线圈620与绝缘层6201之间设置一定的间隙能防止或改善这类形变或翘曲。
在上述的实施例中，电感耦合线圈、绝缘层、加热器层和绝缘材料窗可以彼此紧贴在一起，形成一片式结构。这能提高平行度且能节省空间。
图7-图10显示了本发明的电感耦合线圈的其他实施例。本发明的直接形成在绝缘窗上表面的电感耦合线圈可以是平面结构，也可以是立体结构。
如图7所示，是本发明的所述电感耦合线圈的一种具体实施结构，该线圈720是一个平面结构的反向双重螺旋线圈，即，该线圈720设有多个近似为半圆环的第一环段721，每两个第一环段721的半径一致且开口相对设置。将开口方向相同、半径依次减小的各个第一环段721编为一组，则每一组第一环段721是沿径向有间隔布置的。
在本实施例中，假设各个环段在顺时针方向上在前的一端为第一端，在后的一端为第二端(在其他的实施例中，也可以将第一端和第二端的设定互相替换)。则，除了半径最大和最小的第一环段721以外，其他的任意一个第一环段721的第二端，与开口相对的一个半径略小的第一环段721的第一端，通过连接段722来连接。其中，半径最小的两个第一环段721，其各自的第一端与其他第一环段721类似，而其各自的第二端则通过连接段722直接连接。而半径最大的两个第一环段721，其各自的第二端与其他第一环段721类似，而其各自的第一端则分别作为射频电流Irf的输入端及输出端，因此在该结构的线圈722上施加有射频电流Irf之后，任意一个第一环段721中流过的电流，与相邻一个开口方向一致的第一环段721中流过的电流方向相反。
由于相邻环段的电流方向相反，在绝缘材料窗的水平方向上的磁场强度分量相互抵消，而在绝缘材料窗的垂直方向上产生叠加的磁场强度分量。这使得在处理腔中产生的等离子体分布更均匀。
如图8所示的另一个实施例中，该实施例所起的作用与图7的类似。所述电感耦合线圈820包含多个近似为四分之一圆环的第二环段821。将这些第二环段821分为四组，每组中具有若干个开口方向相同、半径依次减小、沿径向有间隔布置的第二环段821(图8中的虚线部分不是线圈820实际存在的部分，是为了方便划分环段的分组而设置的)。为了方便描述，以顺时针方向称其为第一组到第四组。并且，这四组中任意四个半径一致的第二环段821围绕在一个假定的圆环周边但相互没有连接。
除了各组中半径最大和最小的第二环段821以外，其他的每一组中任意的一个第二环段821的第二端，与顺时针相邻的一组中一个半径略小的第二环段821的第一端，通过连接段822来连接。
第一组和第二组中，半径最小的第二环段821的第二端，通过连接段822直接连接；并且，第三组和第四组中，半径最小的第二环段821的第二端，也通过另外的连接段822直接连接。各组中半径最小的第二环段821的第一端的连接方式，与其他的相类似。
第一组中半径最大的第二环段821，其第一端作为射频电流Irf的输入端；第二组和第三组中，半径最大的第二环段821的第一端连接；第四组中半径最大的第二环段821的第一端，则作为射频电流Irf的输出端。各组中半径最大的第二环段821的第二端的连接方式，与其他的相类似。因此在该结构的线圈820上施加有射频电流Irf之后，任意一组中每一个第二环段821，和与其径向相邻的一个第二环段821中流过的电流方向相反。
图9是根据本发明的另一个实施例的电感耦合线圈的结构示意图(因为绝缘窗口层和加热器层的位置与上述实施例相同，所以在该图中未描绘出绝缘窗口层和加热器层)，该电感耦合线圈920具有立体结构。在该实施例中，电感耦合线圈包括两层结构，其中，底部线圈30位于底部，第一线圈10和第二线圈20位于底部线圈的上方，并与底部线圈具有一定的间隙。第一线圈10和第二线圈20在相同的高度上。第一线圈10的一端连接到射频电源或其它外部电路，另一端通过一个第一连接部12连接到底部线圈30。第一线圈10构成一个圆环。底部线圈30也呈圆环型，其宽度大于第一线圈10。底部线圈30的一端连接第一连接部12，另一端连接第二连接部32。第二连接部32从底部线圈30向上连接到第二线圈20。第二线圈也呈圆环型，一端连接第二连接部32，另一端连接到第二射频电源、其它外部电路或接地端。第一线圈10和第二线圈20之间在径向上存在间隙，并且第一线圈10环绕在第二线圈20的外围。第一线圈10和第二线圈20在底部层上的投影处于底部线圈30内。底部线圈30在第一连接部12和第二连接部32之间存在间隙，通过该间隙使第一连接部12和第二连接部32之间互相隔离。本发明的第一线圈10、第二线圈20和底部线圈30具有相同的沿展方向(顺时针或逆时针)，使得当射频电源输出功率到第一线圈10输入端时在线圈上产生同方向的电流。
在第一线圈10和第二线圈20对应位置处，比如第一线圈10任意一点X1和在第二线圈20上离第一线圈10最近的点X2上的电压正好是方向相反电压幅度相同的，所以这两个点就形成了偶极电场。这种偶极电场可以明显的减弱远端的合成电场，但是对于第一线圈10和第二线圈20之间的电场减弱不明显，比如对于第一、二线圈之间正下方反应腔顶部的电场。由于设置在第一、二线圈下方的底部线圈30具有足够的宽度，该底部线圈能够遮挡在第一、二线圈，并且考虑到还存在中间介质层的阻挡，所以第一线圈10和第二线圈20之间产生的合成电场能够被屏蔽，进一步减小线圈整体对下方电场的影响。因此，该实施例中的线圈的设计能大幅度减小感应线圈对反应腔内等离子体的电场耦合效果。
在第一线圈10和第二线圈20的上方和它们之间的间隙以及第一线圈10与第二线圈20和底部线圈30之间的间隙中还可以填充绝缘材料，以对这些线圈起到固定作用，防止其发生形变。图10是根据本发明的另一个实施例的电感耦合线圈的截面示意图。在该实施例中，设置在绝缘材料窗1010上方的第一线圈10、第二线圈20和底部线圈30的结构与图9所示的实施例相同。区别在于绝缘层1021覆盖所述电感耦合线圈1020以及电感耦合线圈1020之间的间隙，并且在第一线圈10和第二线圈20上方的绝缘层1021的厚度大于0.5mm。该绝缘层1021例如是氧化铝或氮化铝。注意到，图中未示出绝缘层上的加热器层，该加热器层可以是上述实施例中的加热器层，也可以是其他形式的加热器层。在另一个实施例中，绝缘层1021仅填充在第一线圈10、第二线圈20与底部线圈30之间以形成中间的绝缘层。
本发明还提供了一种制造用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件的方法，其包括如下步骤：提供绝缘材料窗；提供电感耦合线圈，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面；在所述电感耦合线圈上方设置加热器层；以及在所述电感耦合线圈与所述加热器层之间设置一绝缘层。所述处理方式包括但不限于涂敷、沉积或印刷方式。具体地，在一个实施例中，可以通过以下步骤在绝缘材料窗的上表面直接形成图10所示的电感耦合线圈。首先，通过等离子溅射涂敷在绝缘材料窗的上表面形成底部线圈，该底部线圈呈圆环型，且两个端部之间存在间隙。接着，在底部线圈上沉积绝缘层，通过刻蚀等方式在底部线圈的两端上的绝缘层中形成通孔。然后，在通孔中填充导电材料，例如铜或钨。最后在绝缘层上通过等离子溅射涂敷形成第一线圈和第二线圈，其中第一线圈的一端与一个通孔中的导电材料结合，第二线圈的一端与另一个通孔中的导电材料结合。最后，在第一线圈和第二线圈上沉积绝缘层，该绝缘层的厚度大于0.5mm。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
Claims (18)
1.一种用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件，包括：
绝缘材料窗；
电感耦合线圈，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面；
加热器层，所述加热器层设置在所述电感耦合线圈上方；
其中，所述电感耦合线圈与所述加热器层之间包括一绝缘层。
2.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈通过涂敷方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，所述涂敷方式包括等离子溅射涂敷。
3.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈通过沉积方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，所述沉积方式包括物理气相沉积或化学气相沉积。
4.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈通过印刷方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，所述印刷方式包括丝网印刷或3D印刷。
5.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述绝缘层覆盖所述电感耦合线圈和电感耦合线圈之间的间隙。
6.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述绝缘层与所述电感耦合线圈之间存在间隙。
7.根据权利要求5所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于0.5mm。
8.根据权利要求5所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述绝缘层为氧化铝或氮化铝。
9.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈为铜或钨。
10.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈是平面结构。
11.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈是包括多层线圈的立体结构。
12.根据权利要求11所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈包括三层结构，其中，底部线圈位于底部层，中间层是绝缘层，第一线圈和第二线圈位于顶部层；
第一线圈的第一端连接到射频电源，第一线圈的第二端通过第一连接部连接到底部线圈的第一端，底部线圈的第二端通过第二连接部连接到第二线圈的第一端，第二线圈的第二端连接到接地端，第一连接部和第二连接部分别穿过绝缘层；
第一线圈和第二线圈之间在径向上存在间隙，并且第一线圈和第二线圈在底部层上的投影处于底部线圈内。
13.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述加热器层是单层的加热丝，所述加热丝包括第一加热丝和第二加热丝，所述第一加热丝和所述第二加热丝平行地布置在绝缘材料窗的径向和周向上，并且通过第一加热丝中的电流的方向与通过第二加热丝中的电流的方向相反。
14.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述加热器层包括两个绝缘子层以及设置在两个绝缘子层之间的加热丝。
15.根据权利要求1所述的绝缘材料窗部件，其特征在于，所述电感耦合线圈通过涂敷、沉积或印刷方式直接形成在所述绝缘材料窗的上表面，且所述绝缘材料窗、所述电感耦合线圈、所述绝缘层和所述加热器层形成一片式结构。
16.一种电感耦合等离子体处理装置，包括：
气密的反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁和位于顶部的根据权利要求1-15中任一项所述的绝缘材料窗部件，以及
基座，位于所述反应腔内，且用于支撑待处理的基片。
17.一种制造用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件的方法，包括：
提供绝缘材料窗；
提供电感耦合线圈，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面；
在所述电感耦合线圈上方设置加热器层；以及
在所述电感耦合线圈与所述加热器层之间设置一绝缘层。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，通过涂敷、沉积或印刷方式直接形成所述电感耦合线圈。
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