CN104684235B - 一种电感线圈组及电感耦合等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括一个气密的反应腔，反应腔包括反应腔侧壁和顶部的绝缘材料窗，反应腔内其包括一个用于支撑待处理基片的基座；绝缘材料窗上方固定有一个自屏蔽电感线圈组，其特征在于：所述自屏蔽线圈组包括多个电感线圈，该多个电感线圈均包括一个平板状的中间线圈，多个中间线圈组合形成屏蔽环，在所述中间线圈两端各包括一个输入线圈和一个输出线圈，其中输入线圈和输出线圈从中间线圈的两端螺旋向上，且分别连接到射频电源和和一个调节电路，所述输入线圈和输出线圈向下的投影都位于所述至少一个中间线圈上。通过本发明电感线圈结构能够减少电感线圈向反应腔内的电容耦合，提高绝缘材料窗的使用寿命。

Description

一种电感线圈组及电感耦合等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及等离子处理设备，特别涉及一种等离子体处理装置的电感耦合线圈。

背景技术

近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(Plasma Technology)得到了极为广泛的应用。等离子体技术通过在等离子体处理装置的反应腔室内通入反应气体并引入电子流，利用射频电场使电子加速，与反应气体发生碰撞使反应气体发生电离而等离子体，产生的等离子体可被用于各种半导体制造工艺，例如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。

等离子体处理设备包括常见的电容耦合型和电感耦合型等离子体处理装置。在需要较高等离子浓度的应用场合，电感耦合型等离子处理装置是主流，现有技术CN2907173Y和JP2008251830中传统的电感耦合等离子反应腔包括一个腔体，腔体内下部设置有基座，基座上可以放置待处理的晶元。反应腔顶部为绝缘材料窗，通常绝缘材料窗是由石英等陶瓷材料制成。绝缘材料窗上方设置有连接到射频电源的射频线圈，射频线圈和绝缘材料窗之间通常还设置有法拉第屏蔽板。这些线圈作为天线产生射频电磁场，其中电磁场中只有部分磁场能够穿过法拉第屏蔽板进入反应腔内电离反应气体形成高浓度等离子体，大部分电场均被法拉第屏蔽板屏蔽在反应腔外。如CN2907173Y说明书第五页第二段所述，法拉第屏蔽板能够屏蔽电感线圈向反应腔内的电容耦合，进而减少等离子对绝缘材料层的轰击，也就减少轰击产生的颗粒物对待处理基片的污染也提高了绝缘窗的使用寿命和可靠性。

但是这样的反应腔结构也会带来严重的问题：由于法拉第屏蔽板的存在感应线圈上产生的电场无法进入反应腔，只有部分磁场能进入，在点燃等离子体时会造成等离子体无法可靠点燃，需要额外的装置或者更高能功率输入射频线圈才能保证等离子点燃。等离子在点燃前后阻抗是会急剧变化的，从一个高阻抗的物质瞬间变成导体，而调节输入射频功率的匹配器需要机械结构来调节阻抗匹配，只能达到秒级，所以匹配器的反应速度远远赶不是点燃瞬间的阻抗变化情况，因此为了点燃等离子而施加的额外功率会错误的施加到反应腔中一段时间，在这段时间中过高的功率会对反应腔内外的部件或者晶元造成不利的影响。同时由于法拉第屏蔽板的存在造成只有部分射频磁场能够进入反应腔中激励反应气体形成等离子体，部分射频能量被浪费了，大幅度降低了电能的使用效率。所以业界需要一种既能够减小感应线圈对反应腔的电容耦合同时又不会降低感应线圈中磁场能量馈入反应腔的效率还能实现稳定的点燃等离子的技术方案。

发明内容

本发明的主要目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种能够减小感应线圈对反应腔的电容耦合同时又不会降低感应线圈中磁场能量馈入反应腔的效率的技术方案。

本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置，包括：

气密的反应腔，反应腔包括反应腔侧壁和位于反应腔顶部的绝缘材料窗，反应腔内包括一用于支撑待处理基片的基座；

绝缘材料窗上方设置有一电感线圈组，其特征在于：

所述电感线圈组包括多个电感线圈，

每个电感线圈均包括一个输入端，所述输入端接受来自射频电源的射频电功率；每个电感线圈还包括一个输出端，所述输出端连接到一个调节电路；

所述每个电感线圈均包括互相串联连接的输入线圈、中间线圈、输出线圈，其中每个中间线圈包括第一端，所述输入线圈连接在所述中间线圈第一端和所述电感线圈的输入端之间，所述中间线圈还包括一个第二端，所述输出线圈连接在中间线圈第二端和所述电感线圈的输出端之间；

所述多个中间线圈位于所述多个电感线圈的输入线圈和输出线圈的下方，且所述每个电感线圈的输入线圈和输出线圈的向下投影位于下方至少一个电感线圈的中间线圈上。

所述每个电感线圈的输出端通过一个调节电路连接到接地端，调节电路内包括至少一个可变电容，改变所述可变电容使所述射频电源在所述每个电感线圈上产生驻波，并且所述驻波电压最低点位于所述中间线圈上。

每个电感线圈的输入线圈和输出线圈宽度小于位于其下方投影位置的中间线圈的宽度，且所述多个电感线圈的中间线圈共同构成一个电场屏蔽环，每个中间线圈的第一端与相邻的中间线圈的第二端之间存在间隙。

所述多个电感线圈具有相同的电流方向，所述电流方向是顺时针或逆时针。

所述多个电感线圈中至少一个电感线圈的输入线圈和输出线圈包括多个线圈段，不同线圈段之间通过多个连接部相连接。

所述多个连接部使具有不同高度或者不同半径的线圈段相连接，构成与所述电场屏蔽环相对应形状的线圈。

绝缘材料窗上方还包括其它电感线圈围绕在所述电感线圈组外或者在所述电感线圈组内。

所述每个电感线圈的长度小于射频电源信号的3倍半波长长度。

所述的等离子体处理装置还包括一法拉第屏蔽板位于所述电感线圈组和绝缘材料窗之间，所述电感线圈组的向下投影位于所述法拉第屏蔽板上。

所述射频电源的输出频率大于等于13Mhz。

所述多个电感线圈均连接到的一个射频电源提供的相同频率的射频功率。

所述多个电感线圈分别连接到的多个射频电源提供的不同频率的射频功率。

本发明还提供另外一种电感线圈组，包括：

多个电感线圈，每个电感线圈均包括一输入端和一输出端；

所述每个电感线圈均包括一个中间线圈，每个中间线圈包括一第一端，一个输入线圈连接在所述中间线圈第一端和电感线圈输入端之间，所述中间线圈还包括一个第二端，一个输出线圈连接在所述中间线圈第二端和所述电感线圈输出端之间；

所述每个电感线圈具有相同的延展方向，所述延展方向为顺时针或逆时针；

其中每个电感线圈的中间线圈的宽度大于所述输入线圈和输出线圈的宽度，且所述每个电感线圈的输入线圈和输出线圈的向下投影位于下方至少一个电感线圈的中间线圈上。

所述多个电感线圈的多个中间线圈共同组合构成一个电场屏蔽环，且不同中间线圈的第一端与相邻的中间线圈的第二端之间存在间隙。

所述多个电感线圈中至少一个电感线圈的输入线圈和输出线圈包括多个线圈段，不同线圈段之间通过连接部相连接，所述连接部使具有不同高度或者不同半径的线圈段相连接，构成与所述电场屏蔽环相对应形状的线圈。

所述输入线圈螺旋向下延展到中间线圈第一端，输出线圈从中间线圈第二端螺旋向上延展，所述输入线圈螺旋向下或向上延展的方向相同，为顺时针或逆时针。

附图说明

图1为本发明电感线圈组结构示意图；

图2a为本发明电感线圈组第二线圈结构示意图；

图2b为本发明电感线圈组第二线圈俯视图；

图2c为本发明电感线圈组第一线圈结构示意图；

图3为本发明电感线圈组第二线圈上不同位置的电压幅度分布图；

图4为图本发明图1中射频线圈组在右侧的线圈截面图；

图5为应用了本发明电感线圈组的等离子反应腔的结构图。

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

图1～图2显示了本发明的电感线圈的实施例。应该理解，本发明中的等离子体处理装置可以为等离子体刻蚀、等离子体物理汽相沉积、等离子体化学汽相沉积、等离子体表面清洗等装置，等离子体处理装置仅仅是示例性的，其可以包括更少或更多的组成元件，或该组成元件的安排可能与图中所示相同或不同。

请参见图1，其所示为本发明电感线圈结构示意图。本发明电感线圈组是多个线圈的组合，包括一个第一线圈400，通过射频输入端401连接到射频电源或其它外部电路，最后通过射频输出端403输出射频流到后续的调节电路；还包括一个第二线圈500，通过射频输入端501连接到射频电源或其它外部电路，最后通过射频输出端503输出射频流到后续的调节电路。其中第一线圈400与第二线圈500平行，且射频电流在第一线圈400内和第二线圈500具有相同的电流方向，两个线圈产生的磁场叠加共同施加到下方反应腔内形成等离子体。

下面以第二线圈500为例描述本发明线圈结构。请参看附图2和5，第二线圈500包括一个输入线圈510从射频功率输入端501开始环绕构成一匝线圈，通过一个连接部512向下连接到中间线圈520。中间线圈520呈平板型，一端通过连接部512与输入线圈510连接，另一端通过连接部523与一个输出线圈530相连接。输出线圈530与输入线圈510对称且具有相同的长度，从连接部523螺旋向上直到线圈500的输出端503，其中输出端503通过一个调节电路320与接地端相连。如图2c所示第一线圈400与第二线圈500结构类似，也包括一个输入线圈410从射频功率输入端开始环绕构成一匝线圈，通过一个连接部412向下连接到中间线圈420。输入线圈410包括410a和410b两个线圈段通过一个连接部418相连接。中间线圈420呈平板型，一端通过连接部412与输入线圈410连接，另一端通过连接部423与一个输出线圈430相连接。输出线圈包括430a和430b两个线圈段，通过一个连接部438相连接。输出线圈430与输入线圈410对称且具有相同的长度，从连接部423螺旋向上延展直到线圈400的输出端403通过一个调节电路321与接地端相连。

由于中间线圈上方的空间有限，不同线圈400和500的输入线圈和输出线圈均要在中间线圈上方设置而且不能相交，所以需要在输入线圈410、510和输出线圈430、530上设置多个连接部，使得输入线圈和输出线圈在不同高度和不同半径的的线圈段之间转换轨道。如图2a和2b所示的线圈500包括一个第一变轨连接部518连接在输入线圈510的第一线圈段510a和第二线圈段510b之间，通过该变轨连接部518，输入线圈从第一线圈段510a的较高位置和具有大半径的圆弧轨道，转而切换到第二线圈段510b具有较低高度和较小半径的圆弧轨道。同样在输出线圈也包括一个第二变轨连接部538，连接在第三线圈段530a和第四线圈段530b之间，实现输出线圈从第三线圈段530a的具有较低高度大半径的圆弧轨道切换到第四线圈段530b具有较高位置较小半径的圆弧形轨道。同样的第一线圈400也可以设置多个类似的变轨连接部，使得具有不同高度或者半径的线圈段互相连接固定。同时这些变轨连接部的设置还能够补偿输入线圈和输出线圈的长度差，比如通过不同形状和尺寸的设计可以使得第二电感线圈500的输入线圈中第一线圈段510a、第二线圈段510b与变轨连接部518的总长度与第二线圈500的输出线圈中第三线圈段530a、第二线圈段530b与变轨连接部538的总长度尽可能的接近或相同。这样能保证在中间线圈520上形成的驻波的零点在中间位置，能够在下方的反应腔内获得最低的并且最均一的感应电场。

其中第一线圈400的中间线圈420宽度大于输入线圈410或输出线圈430，同时第二线圈500的中间线圈520宽度大于输入线圈510或输出线圈530。第一线圈和第二线圈的中间线圈420和520均呈弧形，两者共同组合形成屏蔽线圈图形，如圆形。第一线圈和第二线圈的输入410/510、输出线圈430/530向下的投影都在线圈420/520上。

如图5所示，本发明线圈组可以应用于电感耦合型（ICP）等离子反应器，ICP反应器包括反应腔体210提供密闭空间，和位于反应腔顶部的绝缘材料窗211，反应腔内设置有放置待处理基片的基座200。至少一个射频电源提供射频功率到一个匹配网络，经过匹配网络调节阻抗后施加到本发明位于绝缘材料窗上的电感线圈组。同样的射频电源连接到两个射频线圈400和500的输入端401和501，也可以是具有不同或相同频率的两个射频电源经过各自的匹配器连接到本发明的电感线圈400和500。

本发明线圈400/500在输入端连接到射频电源时，调节输出端的调节电路321、320以获得一个稳定的电场分布。调节电路321/320内包括可调节容值的电容，流入的射频电场部分会被反射回本发明线圈400/500，此时入射电场和反射电场会叠加，经过可调电容的调节最终能够得到稳定的驻波，形成驻波后就可以在线圈的不同长度处具有稳定的电压分布。本发明的调节电路321和320也可以整合成一个可调电路，所以采用整合的调节电路获得驻波也属于本发明范围。

图3所示为本发明在线圈不同长度位置处的电压幅度分布示意图。驻波的波长与射频电源的频率有关，在等离子刻蚀领域典型的射频电源频率为13Mhz，对应的波长为23多米，其它如27Mhz，或者60Mhz对应的波长为小于10米。下面以射频电源的频率是13Mhz为例来说明本发明的线圈结构，第一线圈400或第二线圈500，总长度小于等于半波长也就是11.5米，此时通过调节线圈平衡可以获得如图3所示的驻波分布。第二线圈500的输入线圈510上的电压幅度分布是从输入端501最高电压幅度Va逐渐降低到较低电压（如Va/3），中间线圈520上的电压为正向的为正向的较低幅度电压（连接部512处的电压）到反向的较低幅度电压（连接部523处的电压，如-Va/3），输出线圈30上的电压幅度分布为反向的较低幅度电压到反向的高电压幅度-Va。在线圈的任意位置处的实际电压值是以上述曲线为电压幅值的高频交流电压，比如在输入端501处的电压为输入电压的最高幅度，并以13Mhz的频率在Va和-Va之间交替变换。

本发明中输入线圈510和输出线圈530产生的射频电场被下方的的中间线圈520屏蔽，而中间线圈520本身的电压如图3所示具有较低的电压幅度，比如只有射频输入端电压的1/3也就是Va/3。第一线圈400与第二线圈500具有相似的结构，输入线圈410和输出线圈430的射频电场被下方的中间线圈420屏蔽，没有被420屏蔽的，也被第二线圈500的中间线圈520屏蔽。第一线圈和第二线圈的中间线圈420、520共同构成一个电场屏蔽环，可以屏蔽在其上方输入线圈和输出线圈上幅度较大的射频电场。所以第一线圈400和第二线圈500构成的线圈组整体向下的电场强度就只受420和520上较小的电场影响。设置在输入线圈、输出线圈下方的中间线圈420/520由于具有足够的宽度，能够遮挡在输入、输出线圈和下方绝缘材料窗之间，所以能够屏蔽上方输入线圈410/510和输出线圈430/530之间产生的电场，所以可以极大的减小电感线圈对下方等离子反应腔210内部的电场耦合影响，也就减少了反应腔顶部绝缘材料窗211的损耗，同时也减少了在等离子处理过程中颗粒物的污染，提高了等离子处理的质量。虽然第一线圈420和第二线圈520的中间线圈两端之间存在一个间隙，但是由于这个间隙较小不会影响对上方线圈产生的电场的屏蔽效果。

通过本发明线圈的设计大幅度减小了感应线圈对反应腔内等离子体的电场耦合效果，所以传统的法拉第屏蔽板可以省略或者简化，比如可以选择导体板上具有更大面积的通孔或者槽，容许更多磁场穿透入反应腔，同时也不会造成反应腔顶部绝缘材料窗的过度损耗。法拉第屏蔽板上具有更大面积的通孔和槽也有助于利用风扇冷却顶部的绝缘材料窗，进一步的改善绝缘材料窗上的温度分布，防止材料窗因为温度梯度过大影响反应的均一性或者预防材料窗211因热膨胀不均而破裂。

图4为图1中线圈组在右侧X处的垂直截面图，图4中第二线圈500的中间线圈520位于下方且宽度较大，第一和第二线圈400、500的多个输入线圈410b、510a和输出线圈430a、530b均位于中间线圈520上方且宽度较小，该多个输入和输出线圈向下投影在中间线圈520上。根据本发明原理其它线圈分布结构也可以应用于本发明，比如有四层或更多层不同高度的线圈，或者上方的输入线圈和输出线圈可以具有不同半径的空间位置，只要其投影仍然在下方中间线圈则本发明通过线圈本身屏蔽高压电场，减小对反应腔的电场耦合的作用仍然有效，属于本发明范围。其它可变形实施例：

如图2b所示为本发明线圈组中第二线圈500的俯视图。本发明线圈组第一实施例的形状可以是如图1至2所示多个平行线圈组合构成圆环型的线圈组，如图2b所示输入线圈510和输出线圈530均构成一个圆形环路，底部中间线圈只有半圆形。其它形状如方形、椭圆形、半圆形等构成回路的线圈图形均可以应用本发明线圈结构。本发明线圈组的构成除了图1-2所示的第一实施例采用2个线圈组合形成线圈组外，也可以是由更多线圈组成，比如3个或者4个等。以4个线圈组为例，4个线圈各具有一个位于底部的平板型中间线圈，4个线圈各自的中间线圈组合形成一个完整的电场屏蔽回路，基本能够屏蔽上方线圈产生的电场。每个线圈上也包括位于中间线圈上方的输入线圈和输出线圈，这些输入线圈、输出线圈分别连接在各自中间线圈两端，并且从中间线圈的两端沿该屏蔽回路方向延展形成回路。上述4个线圈构成的线圈组中输入线圈和输出线圈的长度可以根据需要选择不同参数，比如其沿屏蔽回路形成的线圈匝数可以大于2匝；也可以比图一所述的实施例中的更短，比如其中一个线圈,如第1线圈的输入/输出线圈的长度只有所述屏蔽回路的周长的一半，此时输入/输出线圈向下投影只在第2-4等几个感应线圈线圈的中间线圈上，不会投影在本身第1线圈的中间线圈部分上，但是这样第一线圈产生的高压的射频电场仍然能被第2-4线圈的平板状中间线圈屏蔽，所以仍然能够实现本发明目的，属于本发明实施例。所以本发明射频线圈的俯视图形状可以根据反应区形状选择，线圈组中包括的线圈个数也可以选择，线圈中各个中间线圈/输入线圈、输出线圈的具体长度也可以优化选择，这些不同参数的选择均属于本发明实施例。

由于本发明线圈具有自屏蔽电场的功能，所以绝缘材料窗211和线圈组之间可以不设现有技术中需要的法拉第屏蔽板。当然本发明的中间线圈如图3所示仍然存在少量电场会进入反应腔，在部分对电场屏蔽要求特别苛刻的场合，为了取得最佳的屏蔽效果，可以设置部分屏蔽板在本发明线圈组和绝缘材料窗之间，该部分屏蔽板，由于采用本发明线圈后仅需屏蔽图1-4中中间线圈420/520对应的少量的电场，所以可以只在本发明线圈下方局部位置设置导电的接地板，无需在绝缘材料窗211上方绝大部分面积覆盖导电接地板，仅留少量面积的孔或槽供磁场通过。在设置有法拉第屏蔽板的情况下，本发明的中间线圈420/520宽度也可以减小到与上方的输入线圈410/510或输出线圈430/530相类似的宽度。需要更好屏蔽效果时可以选择更宽的法拉第屏蔽板以屏蔽输入输出线圈下方更宽的环状区域。采用本发明后可以降低电场屏蔽的要求，所以即使采用本发明线圈时仍需设置小面积法拉第屏蔽板也不会像现有技术采用法拉第屏蔽板那样因为阻挡了磁场进入而影响点火的稳定性。

本发明采用多个并列的电感线圈构成线圈组，电流在不同线圈上分别沿同方向流动（顺时钟或者逆时针电流）共同作用产生电磁场，在下方反应器中获得相同的电磁场强度仅需要较小的输入电压Va，有利于调节电路321/320在后续的控制中工作在较低电压幅度下，可以提高线路稳定性降低成本。由于第一线圈400和第二线圈500可以是并联在输入射频电源盒接地端之接的，所以获得相同的电磁场强度相对串联的传统电感具有较小的电感值。

本发明等离子反应腔除了如图5所示采用一组本发明线圈以外还可以添加其它线圈围绕本发明线圈外围或者在本发明线圈第一线圈组内侧。其它线圈可以是现有技术的渐开线或者多种半径的圆环组成的线圈，也可以是上述本发明实施例的线圈。这样组合形成的多个线圈能够在多个区域内独立调节产生的电磁场，可以更好的调节等离子在反应腔内的浓度，获得均一的浓度分布。

本发明所述电感线圈组的多个电感线圈，其中的输入线圈410/510和输出线圈430/530还可以进一部向外侧延展使得这些线圈的的输入端401/501和输出端403/503向下投影超出了对应中间线圈的范围，落在电场屏蔽环外侧或内侧，所以这部分线圈产生的电场无法被有效屏蔽。但是由于线圈主体部分仍然能够被屏蔽，所以仍远好于现有技术的效果。这些局部无法屏蔽的部分可以由简单的手段解决，比如超出电场屏蔽环的部分接近垂直向上的延展，远离绝缘材料窗，这样其产生的电场就小到不会造成严重影响；或者在超出部分下方添加额外的独立屏蔽板；或者修改现有电感线圈组中对应位置电感线圈的中间线圈的形状，使其向外突出以屏蔽这部分突出的线圈。这些实施例由于具有本发明利用下方中间线圈自屏蔽的基本特征，能够解决本发明所要解决的问题所要仍然属于本发明可变形实施例。本发明所述的电感线圈输入端401/501和输出端403/503可以是具有特定电连接结构的实际输入/输出端，也可以是射频功率传输线缆中的一个点，只要是能将射频功率传输到本发明的输入线圈或者将射频功率从输出线圈传输到调节电路的，并且其向下投影在本发明电场屏蔽环内的均可以视为本发明电感线圈输入端或输出端。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (13)

1.一种电感耦合等离子体处理装置，包括：

气密的反应腔，反应腔包括反应腔侧壁和位于反应腔顶部的绝缘材料窗，反应腔内包括一用于支撑待处理基片的基座；

绝缘材料窗上方设置有一电感线圈组，其特征在于：

所述电感线圈组包括多个电感线圈，

每个电感线圈均包括一个输入端，所述输入端接受来自射频电源的射频电功率；

每个电感线圈还包括一个输出端，所述输出端连接到一个调节电路；

所述每个电感线圈均包括互相串联连接的输入线圈、中间线圈、输出线圈，其中每个中间线圈包括第一端，所述输入线圈连接在所述中间线圈第一端和所述电感线圈的输入端之间，所述中间线圈还包括一个第二端，所述输出线圈连接在中间线圈第二端和所述电感线圈的输出端之间；

所述多个中间线圈位于所述多个电感线圈的输入线圈和输出线圈的下方，且所述每个电感线圈的输入线圈和输出线圈的向下投影位于下方至少一个电感线圈的中间线圈上；

所述多个电感线圈中至少一个电感线圈的输入线圈和输出线圈包括多个线圈段，不同线圈段之间通过多个连接部相连接；

每个电感线圈的输入线圈和输出线圈宽度小于位于其下方投影位置的中间线圈的宽度，且所述多个电感线圈的中间线圈共同构成一个电场屏蔽环，每个中间线圈的第一端与相邻的中间线圈的第二端之间存在间隙。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述每个电感线圈的输出端通过一个调节电路连接到接地端，调节电路内包括至少一个可变电容，改变所述可变电容使所述射频电源在所述每个电感线圈上产生驻波，并且所述驻波电压最低点位于所述中间线圈上。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个电感线圈具有相同的电流方向，所述电流方向是顺时针或逆时针。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个连接部使具有不同高度或者不同半径的线圈段相连接，构成与所述电场屏蔽环相对应形状的线圈。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，绝缘材料窗上方还包括其它电感线圈围绕在所述电感线圈组外或者在所述电感线圈组内。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述每个电感线圈的长度小于射频电源信号的3倍半波长长度。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括一法拉第屏蔽板位于所述电感线圈组和绝缘材料窗之间，所述电感线圈组的向下投影位于所述法拉第屏蔽板上。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述射频电源的输出频率大于等于13Mhz。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个电感线圈均连接到的一个射频电源提供的相同频率的射频功率。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个电感线圈分别连接到的多个射频电源提供的不同频率的射频功率。

11.一种电感线圈组，包括：

多个电感线圈，每个电感线圈均包括一输入端和一输出端；

所述每个电感线圈均包括一个中间线圈，每个中间线圈包括一第一端，一个输入线圈连接在所述中间线圈第一端和电感线圈输入端之间，所述中间线圈还包括一个第二端，一个输出线圈连接在所述中间线圈第二端和所述电感线圈输出端之间；

所述每个电感线圈具有相同的延展方向，所述延展方向为顺时针或逆时针；

其中每个电感线圈的中间线圈的宽度大于所述输入线圈和输出线圈的宽度，且所述每个电感线圈的输入线圈和输出线圈的向下投影位于下方至少一个电感线圈的中间线圈上；

所述多个电感线圈中至少一个电感线圈的输入线圈和输出线圈包括多个线圈段，不同线圈段之间通过多个连接部相连接；

所述多个电感线圈的多个中间线圈共同组合构成一个电场屏蔽环，且不同中间线圈的第一端与相邻的中间线圈的第二端之间存在间隙。

12.根据权利要求11所述的电感线圈组，所述连接部使具有不同高度或者不同半径的线圈段相连接，构成与所述电场屏蔽环相对应形状的线圈。

13.根据权利要求11所述的电感线圈组，其中所述输入线圈螺旋向下延展到中间线圈第一端，输出线圈从中间线圈第二端螺旋向上延展，所述输入线圈螺旋向下或向上延展的方向相同，为顺时针或逆时针。